JPH0442928A - 化合物半導体のパッシベーション膜の製造方法 - Google Patents
化合物半導体のパッシベーション膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH0442928A JPH0442928A JP2147806A JP14780690A JPH0442928A JP H0442928 A JPH0442928 A JP H0442928A JP 2147806 A JP2147806 A JP 2147806A JP 14780690 A JP14780690 A JP 14780690A JP H0442928 A JPH0442928 A JP H0442928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- passivation film
- solution
- film
- compound semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/69—Inorganic materials
- H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
- H10P14/6938—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides
- H10P14/6939—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides characterised by the metal
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
- H10P14/6302—Non-deposition formation processes
- H10P14/6304—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H10P14/6306—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor materials
- H10P14/6312—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor materials of Group III-V semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
- H10P14/6302—Non-deposition formation processes
- H10P14/6324—Formation by anodic treatments, e.g. anodic oxidation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
- H10P14/6326—Deposition processes
- H10P14/6342—Liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques or spray coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/016—Catalyst
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、化合物半導体のパッシベーション膜に関する
ものであり、特にＩｎＰを含む化合物半導体において有
効なパッシベーション膜に関するものである。
ものであり、特にＩｎＰを含む化合物半導体において有
効なパッシベーション膜に関するものである。
従来の技術
従来、半導体素子のパッシベーション膜にはＳｌ。
Ｎ４膜やＳ １０２膜が用いられてきた。特に化合物半
導体においては、これらの膜と半導体表面との間に生じ
る応力や膜の堆積過程において半導体表面に生しるダメ
ージが問題となっていた。また、化合物半導体を過酸化
水素水で酸化して表面に酸化皮膜を形成し、パッシベー
ション膜とする方法もある。例えば、ジャーナルオブエ
レクトロケミカルソサイエティ １１８巻（′７１年）
の６５７頁から６５８頁（Ｊ、 Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅ
ｍ、 Ｓａｃ、 Ｖｏｌ、 ＋１８ ｐｐＢ５７−Ｅｉ
５８）やアブライドフィジックスレターズ１８巻（’７
１年）の３０４頁から３０７頁 （ＡｐｐＨｅｄ Ｐｈ
ｙｓｌｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ、１８ ｐｐ３０
４−３０７）にその方法が発表されている。
導体においては、これらの膜と半導体表面との間に生じ
る応力や膜の堆積過程において半導体表面に生しるダメ
ージが問題となっていた。また、化合物半導体を過酸化
水素水で酸化して表面に酸化皮膜を形成し、パッシベー
ション膜とする方法もある。例えば、ジャーナルオブエ
レクトロケミカルソサイエティ １１８巻（′７１年）
の６５７頁から６５８頁（Ｊ、 Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅ
ｍ、 Ｓａｃ、 Ｖｏｌ、 ＋１８ ｐｐＢ５７−Ｅｉ
５８）やアブライドフィジックスレターズ１８巻（’７
１年）の３０４頁から３０７頁 （ＡｐｐＨｅｄ Ｐｈ
ｙｓｌｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ、１８ ｐｐ３０
４−３０７）にその方法が発表されている。
過酸化水素水にＦｅ” 、Ｆｅ” 、Ｃｕ’ 、Ｃｕ”
、Ｃｏ” 、Ｃｒ”などの金属イオンを添加して、酸
化剤とすることは以前から知られている。例えば、新実
験化学講座第１５巻「酸化と還元」（丸善株式会社発行
。昭和５３年）の６８２頁から６８４頁にその方法が掲
載されている。この構成は有機化合物の酸化を対象とし
ており、金属イオンは触媒としてのみ作用し、試料上へ
の金属イオンの酸化物あるいは水酸化物の堆積は起こら
ない。前記金属イオンの酸化物あるいは水酸化物と化合
物半導体表面の間に物理的あるいは化学的吸着が起こる
ため、これらの堆積は、試料が化合物半導体の時に生じ
る。
、Ｃｏ” 、Ｃｒ”などの金属イオンを添加して、酸
化剤とすることは以前から知られている。例えば、新実
験化学講座第１５巻「酸化と還元」（丸善株式会社発行
。昭和５３年）の６８２頁から６８４頁にその方法が掲
載されている。この構成は有機化合物の酸化を対象とし
ており、金属イオンは触媒としてのみ作用し、試料上へ
の金属イオンの酸化物あるいは水酸化物の堆積は起こら
ない。前記金属イオンの酸化物あるいは水酸化物と化合
物半導体表面の間に物理的あるいは化学的吸着が起こる
ため、これらの堆積は、試料が化合物半導体の時に生じ
る。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記従来の構成では、以下に述べる問題点
を有していた。先ず、５ｈＮａ膜や５１０２膜を用いる
場合、これらの膜と化合物半導体表面に熱膨張率の違い
により生じる応力、膜中への化合物半導体構成元素の拡
散及び膜堆積過程で半導体表面が受けるダメージなどに
より、結晶欠陥が発生し、それが再結合中心となり、リ
ーク電流が増大する。次に、過酸化水素水で化合物半導
体表面に酸化皮膜を形成してパッシベーション膜とする
場合、反応が溶液中の不純物やｐＨに非常に敏感で再現
性、安定性に乏しいうえに、出来た酸化皮膜も１０−’
−１１１−”Ａ／ｃｍ２と比較的大きなリーク電流を
生せしめる。さらに、酸化膜の成長が始まる時に半導体
が一部溶解する活性態−不活性態転移が生じるが、この
転移は、過酸化水素水の場合起こりにくく、反応の不安
定性の一因となっている。
を有していた。先ず、５ｈＮａ膜や５１０２膜を用いる
場合、これらの膜と化合物半導体表面に熱膨張率の違い
により生じる応力、膜中への化合物半導体構成元素の拡
散及び膜堆積過程で半導体表面が受けるダメージなどに
より、結晶欠陥が発生し、それが再結合中心となり、リ
ーク電流が増大する。次に、過酸化水素水で化合物半導
体表面に酸化皮膜を形成してパッシベーション膜とする
場合、反応が溶液中の不純物やｐＨに非常に敏感で再現
性、安定性に乏しいうえに、出来た酸化皮膜も１０−’
−１１１−”Ａ／ｃｍ２と比較的大きなリーク電流を
生せしめる。さらに、酸化膜の成長が始まる時に半導体
が一部溶解する活性態−不活性態転移が生じるが、この
転移は、過酸化水素水の場合起こりにくく、反応の不安
定性の一因となっている。
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、化合物
半導体表面に再現性良く、安定にパッシベーション膜を
形成し、リーク電流を減少させることを目的とする。
半導体表面に再現性良く、安定にパッシベーション膜を
形成し、リーク電流を減少させることを目的とする。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために、本発明は過酸化水素水によ
り化合物半導体にパッシベーション膜を堆積する際、Ｆ
ｅ２″、Ｆｅ”、Ｃｕ’、Ｃｕ”、Ｇｏ”、Ｃｒ”等の
金属イオンを添加して、それら金属イオンの酸化物及び
水酸化物を半導体表面に堆積させ、またその触媒作用を
利用して、酸化膜も形成するという構成を有している。
り化合物半導体にパッシベーション膜を堆積する際、Ｆ
ｅ２″、Ｆｅ”、Ｃｕ’、Ｃｕ”、Ｇｏ”、Ｃｒ”等の
金属イオンを添加して、それら金属イオンの酸化物及び
水酸化物を半導体表面に堆積させ、またその触媒作用を
利用して、酸化膜も形成するという構成を有している。
作用
この構成により、添加された金属イオンが化合物半導体
表面の反応において、前記金属イオンの酸化物及び水酸
化物が半導体表面に堆積１５、かつ堆積にあずからなか
った金属イオンは、触媒として作用１２、半導体表面に
酸化膜を形成する。本発明ノハッシベーシ３ン膜は、前
記金属イオンの酸化物及び水酸化物、さらに半導体の酸
化膜よりなり、安定に再現性良く形成１．、、ｌＪ・−
り電流を小さくできる。
表面の反応において、前記金属イオンの酸化物及び水酸
化物が半導体表面に堆積１５、かつ堆積にあずからなか
った金属イオンは、触媒として作用１２、半導体表面に
酸化膜を形成する。本発明ノハッシベーシ３ン膜は、前
記金属イオンの酸化物及び水酸化物、さらに半導体の酸
化膜よりなり、安定に再現性良く形成１．、、ｌＪ・−
り電流を小さくできる。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。
。
第１図は、この発明を適用することが出来るホトトラン
ジスタの断面図である。第１図において、１はＩｎＰ基
板、２はｎ−１ｎＰからなるエミッタ、３はｐ−１ｎＧ
ａＡｓＰかＳなるベース、４はｎ−１ｎＰもしくはｎ−
１ｎＧａＡｓＰからなるコレクタ、５は電極、６はパッ
シベーション膜である。
ジスタの断面図である。第１図において、１はＩｎＰ基
板、２はｎ−１ｎＰからなるエミッタ、３はｐ−１ｎＧ
ａＡｓＰかＳなるベース、４はｎ−１ｎＰもしくはｎ−
１ｎＧａＡｓＰからなるコレクタ、５は電極、６はパッ
シベーション膜である。
第２図は、本発明におけるパッシベーション膜を製造す
る装置の断面図である。第２図においで、７はＮ２ガス
導入用バイブ、８は過酸化水素水導入用パイプ、９は金
属イオン原料導入用パイプ、１ＯはＮ２ガス排出用バイ
ブ１１は反応室、１２は過酸化水素水と金属イオンの混
合液、１３は撹拌子、１４は加熱用ヒータ、１５は撹拌
子回転機、１６は陰電極、１７は電源、１８は試料であ
る。
る装置の断面図である。第２図においで、７はＮ２ガス
導入用バイブ、８は過酸化水素水導入用パイプ、９は金
属イオン原料導入用パイプ、１ＯはＮ２ガス排出用バイ
ブ１１は反応室、１２は過酸化水素水と金属イオンの混
合液、１３は撹拌子、１４は加熱用ヒータ、１５は撹拌
子回転機、１６は陰電極、１７は電源、１８は試料であ
る。
第３図は、各種パッシベーション膜を堆積させた時の印
加電圧（バイアス電圧）に対するリーク電流の関係を示
す。第３図において、曲線１９はパッシベーション膜と
して５ｊ０２を用いたときの印加電圧に対するリーク電
流の関係であり、曲線２ｏはパッシベーション膜として
Ｓ ｈ Ｎａを用いたときの印加電圧に対するリーク電
流の関係であり、曲線２１はパッシベーション膜として
過酸化水素水とＦｅ２・により酸化した膜を用いたとき
の印加電圧に対するリーク電流の関係であり、曲線２２
はパッシベーション膜として過酸化水素水とＦｅ”によ
り酸化した膜を用いたときの印加電圧に対するリーク電
流の関係であり、曲線２３はパッシベーション膜として
過酸化水素水とＣｕ”により酸化した膜を用いたときの
印加電圧に対するリーク電流の関係であり、曲線２４は
バッジベージ鐸ン膜として過酸化水素水と０１」２・に
より酸化した膜を用いたときの印加電圧に対するリーク
電流の関係である。曲線２５は、パッシベーション膜と
して過酸化水素水とＣ０２゛により酸化した膜を用いた
ときの印加電圧に対するリーク電流の関係である。曲線
２Ｇは、パッシベーション膜として過酸化水素水とＣｒ
”により酸化した膜を用いたときの印加電圧に対するリ
ーク電流の関係である。 第４図は、塩化鉄（■）の
過酸化水素水に対する濃度と生成されるバソ／ベーショ
ン膜の膜厚との関係である。
加電圧（バイアス電圧）に対するリーク電流の関係を示
す。第３図において、曲線１９はパッシベーション膜と
して５ｊ０２を用いたときの印加電圧に対するリーク電
流の関係であり、曲線２ｏはパッシベーション膜として
Ｓ ｈ Ｎａを用いたときの印加電圧に対するリーク電
流の関係であり、曲線２１はパッシベーション膜として
過酸化水素水とＦｅ２・により酸化した膜を用いたとき
の印加電圧に対するリーク電流の関係であり、曲線２２
はパッシベーション膜として過酸化水素水とＦｅ”によ
り酸化した膜を用いたときの印加電圧に対するリーク電
流の関係であり、曲線２３はパッシベーション膜として
過酸化水素水とＣｕ”により酸化した膜を用いたときの
印加電圧に対するリーク電流の関係であり、曲線２４は
バッジベージ鐸ン膜として過酸化水素水と０１」２・に
より酸化した膜を用いたときの印加電圧に対するリーク
電流の関係である。曲線２５は、パッシベーション膜と
して過酸化水素水とＣ０２゛により酸化した膜を用いた
ときの印加電圧に対するリーク電流の関係である。曲線
２Ｇは、パッシベーション膜として過酸化水素水とＣｒ
”により酸化した膜を用いたときの印加電圧に対するリ
ーク電流の関係である。 第４図は、塩化鉄（■）の
過酸化水素水に対する濃度と生成されるバソ／ベーショ
ン膜の膜厚との関係である。
第５図は、塩化鉄（ｎ）を用いた時の溶液温度に対する
パッシベーション膜の成長膜厚との関係である。
パッシベーション膜の成長膜厚との関係である。
第６図は、塩化鉄（ＴＩＮ）の過酸化水素水に対プる濃
度と生成されるパッシベーション膜の膜厚との関係であ
る。
度と生成されるパッシベーション膜の膜厚との関係であ
る。
第７図は、塩化鉄（ＩＩＩ）を用いた時の溶液温度に対
するパッシベーション膜の成長膜厚との関係である。
するパッシベーション膜の成長膜厚との関係である。
第８図は、塩化銅（Ｉ）の過酸化水素水に対オる濃度と
生成されるパッシベーション膜の膜厚との関係である。
生成されるパッシベーション膜の膜厚との関係である。
第９図は、塩化銅（Ｉ）を用いた時の溶液温度に対する
パッシベーション膜の成長膜厚との関係である。
パッシベーション膜の成長膜厚との関係である。
第１０図は、塩化銅（ｎ）の過酸化水素水に対する濃度
と生成されるパッシベーション膜の膜厚との関係である
。
と生成されるパッシベーション膜の膜厚との関係である
。
第１１図は、塩化銅（ｎ）を用いた時の溶液温度に対す
るパッシベーション膜の成長膜厚との関係である。
るパッシベーション膜の成長膜厚との関係である。
第１２図は、塩化コバル）（ＩＩ）の過酸化水素水に対
する濃度と生成されるパッジベージロン膜の膜厚との関
係である。
する濃度と生成されるパッジベージロン膜の膜厚との関
係である。
第１３図は、塩化コバル）（ＩＩ）を用いた時の溶液温
度に対するパッジベージロン膜の成長膜厚との関係であ
る。
度に対するパッジベージロン膜の成長膜厚との関係であ
る。
第１４図は、塩化クロム（ｎ）を用いた時の溶液温度に
対するパッシベーション膜の成長膜厚との関係である。
対するパッシベーション膜の成長膜厚との関係である。
第１５図は、塩化クロム（ｎ）の過酸化水素水に対する
濃度と生成されるパッシベーション膜の膜厚との関係で
ある。
濃度と生成されるパッシベーション膜の膜厚との関係で
ある。
以下、ＩｎＰ系の化合物半導体の場合の実施例について
説明する。
説明する。
（実施例１）
第１の実施例において、パッシベーション膜６の堆積方
法は、３０％の過酸化水素水に塩化鉄（■）の粉末を溶
解させ、加熱して規定の温度にした後、溶液中に試料１
８を浸漬し、一定時間その状態を保持するというもので
ある。試料１８の表面に均一にパッシベーション膜を形
成させるためＮ２ガスを溶液中に導入し、試料１８の表
面に気泡が付着しないようにした。塩化鉄（ｎ）の濃度
は過酸化水素水に対してＩＰＰＭ以上、溶液温度は０℃
以上１０５℃以下であればパッシベーション膜は形成さ
れる。最適条件は、塩化鉄（ｎ）の濃度に関しては、２
５０ＰＰＭ以上２０００ＰＰＭ以下、溶液温度に関して
は、５０°Ｃ以上１１５℃以下、酸化時間は、３０分以
上１時間以下である。この条件の時、５０Ａからｌ１０
０Ａまでのパッシベーション膜が成膜された。
法は、３０％の過酸化水素水に塩化鉄（■）の粉末を溶
解させ、加熱して規定の温度にした後、溶液中に試料１
８を浸漬し、一定時間その状態を保持するというもので
ある。試料１８の表面に均一にパッシベーション膜を形
成させるためＮ２ガスを溶液中に導入し、試料１８の表
面に気泡が付着しないようにした。塩化鉄（ｎ）の濃度
は過酸化水素水に対してＩＰＰＭ以上、溶液温度は０℃
以上１０５℃以下であればパッシベーション膜は形成さ
れる。最適条件は、塩化鉄（ｎ）の濃度に関しては、２
５０ＰＰＭ以上２０００ＰＰＭ以下、溶液温度に関して
は、５０°Ｃ以上１１５℃以下、酸化時間は、３０分以
上１時間以下である。この条件の時、５０Ａからｌ１０
０Ａまでのパッシベーション膜が成膜された。
この時、溶液中では、Ｆｅ”は一部触媒として作用し、
２０２０２→２Ｈ２０＋０□↑
なる反応を起こす。ここで発生する酸素は、基板を酸化
し酸化膜を生しる。さらに、 ４ＦｅＣＩ２＋０２＋４Ｈ２０−＋ ２Ｆｅ２０３ ＋
８ＨＣｌＦｅＣｌ２＋Ｈ２０＋ＦｅＯ＋２１１ＣＩなる
反応が起こり、ＩｏＰ系基板基板相互作用が生じて、Ｆ
ｅ２Ｏ３、ＦｅＯが物理的あるいは化学的に吸着するこ
とで堆積する。
し酸化膜を生しる。さらに、 ４ＦｅＣＩ２＋０２＋４Ｈ２０−＋ ２Ｆｅ２０３ ＋
８ＨＣｌＦｅＣｌ２＋Ｈ２０＋ＦｅＯ＋２１１ＣＩなる
反応が起こり、ＩｏＰ系基板基板相互作用が生じて、Ｆ
ｅ２Ｏ３、ＦｅＯが物理的あるいは化学的に吸着するこ
とで堆積する。
さらに、
ＥｉＨ２０２＋２ＦｅＣ１ａ＋４ＨＣＩ＋３０２ ↑
十Ｈ２↑ ＋２Ｆｅ（ＯＨ）３ ↓なる反応が起こるの
で水酸化鉄が試料表面に堆積すると同時に、ここでも発
生する酸素が基板を酸化し酸化膜を形成する。
十Ｈ２↑ ＋２Ｆｅ（ＯＨ）３ ↓なる反応が起こるの
で水酸化鉄が試料表面に堆積すると同時に、ここでも発
生する酸素が基板を酸化し酸化膜を形成する。
以上のように、本実施例によれば鉄（ｎ）イオンの存在
により、酸化鉄（ｎ）、（ＩＩＩ）及び水酸化鉄が堆積
し、かつ酸化に必要な酸素が大量に発生することて基板
に酸化膜を形成することで試料１８に安定に、再現性良
くパッシベーション膜を形成することが出来る。
により、酸化鉄（ｎ）、（ＩＩＩ）及び水酸化鉄が堆積
し、かつ酸化に必要な酸素が大量に発生することて基板
に酸化膜を形成することで試料１８に安定に、再現性良
くパッシベーション膜を形成することが出来る。
第３図にこのパッシベーション膜を用いた時のリーク電
流を示す。
流を示す。
（実施例２）
実施例１と同様の構成で、試料１８を陽極、白金を陰極
１６として電源１７から電流を流し、試料１８を陽極酸
化した。電流密度は、０．１ｍＡ／ｃｍ２以上１００ｍ
Ａ／ｃｍ２以下でパッシベーション膜が形成可能である
。最適条件は、 ＩｍＡ／ｃｍ２以上３ｍＡ／ｃｍ２以
下である。
１６として電源１７から電流を流し、試料１８を陽極酸
化した。電流密度は、０．１ｍＡ／ｃｍ２以上１００ｍ
Ａ／ｃｍ２以下でパッシベーション膜が形成可能である
。最適条件は、 ＩｍＡ／ｃｍ２以上３ｍＡ／ｃｍ２以
下である。
溶液温度、塩化鉄（ＩＩ）の濃度の条件は、実施例１と
全く同じである。酸化時間は１５分から３０分である。
全く同じである。酸化時間は１５分から３０分である。
電流を流すことにより酸素イオンが試料にクーロン力で
引きつけられ、さらに水の電気分解も起こり、それによ
って発生した酸素によっても反応が促進される。この条
件の時、２０００Ａ以上のパッシベーション膜が得られ
た。酸化鉄（■）、酸化鉄（ＩＩＩ）、水酸化鉄が生じ
る反応式は実施例１と同じである。
引きつけられ、さらに水の電気分解も起こり、それによ
って発生した酸素によっても反応が促進される。この条
件の時、２０００Ａ以上のパッシベーション膜が得られ
た。酸化鉄（■）、酸化鉄（ＩＩＩ）、水酸化鉄が生じ
る反応式は実施例１と同じである。
以上のように、本実施例によれば鉄（ｎ）イオンの存在
により、酸化鉄（ＩＩ）酸化鉄（ＩＮＮ）及び水酸化鉄
が基板上に堆積し、酸素が大量に発生することで基板が
酸化されて、試料１８に安定に、再現性良くパッシベー
ション膜を形成することが出来る。
により、酸化鉄（ＩＩ）酸化鉄（ＩＮＮ）及び水酸化鉄
が基板上に堆積し、酸素が大量に発生することで基板が
酸化されて、試料１８に安定に、再現性良くパッシベー
ション膜を形成することが出来る。
第３図にこのパッシベーション膜を用いた時のリーク電
流を示す。
流を示す。
（実施例３）
第３の実施例において、パッシベーション膜６の堆積方
法は、３０％の過酸化水素水に塩化鉄（ｍ）の粉末を溶
解さぜ、加熱１，２て規定の温度にした後、溶液中に試
料１８を浸漬し、一定時間その状態を保持するというも
のである。試料１８の表面に均一にパッシベーション膜
を形成させるためＮ２ガスを溶液中に導入し、試料１８
の表面に気泡が祠着しないようにした。塩化鉄（ＩＩＩ
）の濃度は過酸化水素水に対してＩＰＰＭ以」二、溶液
温度は０℃以上１０５℃以下であればパッシベーション
膜は形成される。
法は、３０％の過酸化水素水に塩化鉄（ｍ）の粉末を溶
解さぜ、加熱１，２て規定の温度にした後、溶液中に試
料１８を浸漬し、一定時間その状態を保持するというも
のである。試料１８の表面に均一にパッシベーション膜
を形成させるためＮ２ガスを溶液中に導入し、試料１８
の表面に気泡が祠着しないようにした。塩化鉄（ＩＩＩ
）の濃度は過酸化水素水に対してＩＰＰＭ以」二、溶液
温度は０℃以上１０５℃以下であればパッシベーション
膜は形成される。
最適条件は、塩化鉄（ＩｌＮ）の濃度に関しては、２５
０ＰＰＭ以」−２０００ＰＰＭ以下、溶液温度に関して
は、５０℃以上１１５℃以下、酸化時間は、３０分思量
−１時間以下である。この条件の時、２０Ａから２００
ＯＡまでのバツシベ・−シ２ン膜が成膜されｉ。
０ＰＰＭ以」−２０００ＰＰＭ以下、溶液温度に関して
は、５０℃以上１１５℃以下、酸化時間は、３０分思量
−１時間以下である。この条件の時、２０Ａから２００
ＯＡまでのバツシベ・−シ２ン膜が成膜されｉ。
この時、溶液中で（′！、、Ｆｅ３４１よ、一部触媒と
ｌ、て作用し、 ２ＬＯａ→２ＴｏＯ＋０２↑ なる反応が起こり、ここで発生する酸素の一部カイＦｅ
３”と反応して酸化鉄（ＩＩ）と酸化鉄（Ｉｌｌ）をつ
くり、基板との物理的あるいは化学的吸着を起こし−こ
堆積する。さらに、 ６Ｈ２０２＋２ＦｅＣ１３→Ｇ１（ＣＩ”３０２↑＋２
Ｆｅ（０１（）３↓なる反応が起こると考えられる。こ
の水酸化鉄ｈ（試料１８の表面に吸着して堆積し、ここ
で発生する酸素と過酸化水素水の分解によって生じる酸
素とが試料１８を酸化し酸化膜を形成する。これら２つ
の膜がパッシベーション膜となる。
ｌ、て作用し、 ２ＬＯａ→２ＴｏＯ＋０２↑ なる反応が起こり、ここで発生する酸素の一部カイＦｅ
３”と反応して酸化鉄（ＩＩ）と酸化鉄（Ｉｌｌ）をつ
くり、基板との物理的あるいは化学的吸着を起こし−こ
堆積する。さらに、 ６Ｈ２０２＋２ＦｅＣ１３→Ｇ１（ＣＩ”３０２↑＋２
Ｆｅ（０１（）３↓なる反応が起こると考えられる。こ
の水酸化鉄ｈ（試料１８の表面に吸着して堆積し、ここ
で発生する酸素と過酸化水素水の分解によって生じる酸
素とが試料１８を酸化し酸化膜を形成する。これら２つ
の膜がパッシベーション膜となる。
以上のように、本実施例によれば鉄（ＩＩＩ）イオンの
存在により、酸化鉄（■）、酸化鉄（ＩＩＩ）及び水酸
化鉄が基板上に堆積し、酸素が大量に発生することで基
板が酸化されて、試料１８に安定に、再現性良くパッシ
ベーション膜を形成することが出来る。
存在により、酸化鉄（■）、酸化鉄（ＩＩＩ）及び水酸
化鉄が基板上に堆積し、酸素が大量に発生することで基
板が酸化されて、試料１８に安定に、再現性良くパッシ
ベーション膜を形成することが出来る。
第３図にこのバソシベーシ旨ン膜を用いた時のリーク電
流を示す。
流を示す。
（実施例４）
実施例３．！：同様の構成で、試料１８を陽極、白金を
陰極１６として電源１７から電流を流し、試料１８を陽
極酸化した。電流蜜度は、Ｏ，ＩｍＡ／ｃｍ２以上ＩＱ
ＯｍＡ／ｃｍ２以下で酸化膜が形成可能である。最適条
件は、ＩｍＡ／ａｍ２以上３ｍＡ／Ｃｍ２以下である。
陰極１６として電源１７から電流を流し、試料１８を陽
極酸化した。電流蜜度は、Ｏ，ＩｍＡ／ｃｍ２以上ＩＱ
ＯｍＡ／ｃｍ２以下で酸化膜が形成可能である。最適条
件は、ＩｍＡ／ａｍ２以上３ｍＡ／Ｃｍ２以下である。
溶液温度、塩化鉄（ＩＴＪ）の濃度の条件は、実施例３
と全く同しである。酸化時間は、１５分から３０分であ
る。電流を流すことにより酸素イオンが試料１８にクー
ロン力で引きつけられ、さらに水の電気分解も起こり、
それによって発生した酸素によっても反応が促進される
。この条件の時、２００ＯＡ以上のパッシベーション膜
が得られた。酸化鉄（■）、酸化鉄ＣＩＩＮ）、水酸化
鉄が生じる反応式は実施例２と同じである。
と全く同しである。酸化時間は、１５分から３０分であ
る。電流を流すことにより酸素イオンが試料１８にクー
ロン力で引きつけられ、さらに水の電気分解も起こり、
それによって発生した酸素によっても反応が促進される
。この条件の時、２００ＯＡ以上のパッシベーション膜
が得られた。酸化鉄（■）、酸化鉄ＣＩＩＮ）、水酸化
鉄が生じる反応式は実施例２と同じである。
以上のように、本実施例によれば鉄（ＩＩＩ）イオンの
存在により、酸化鉄（■）、酸化鉄（ＩＩＩ）及び水酸
化鉄が堆積し、酸素の発生により、基板上に酸化膜が生
しることで試料１８に安定に、再現性良くパッシベーシ
ョン膜を形成することが出来る。
存在により、酸化鉄（■）、酸化鉄（ＩＩＩ）及び水酸
化鉄が堆積し、酸素の発生により、基板上に酸化膜が生
しることで試料１８に安定に、再現性良くパッシベーシ
ョン膜を形成することが出来る。
第３図にこのパッシベーション膜を用いた時のリーク電
流を示す。
流を示す。
（実施例５）
第５の実施例において、バソ／ベーンヨン膜６の堆積方
法は、３０％の過酸化水素水に塩化銅（Ｉ）の粉末を溶
解させ、加熱して規定の温度にした後、溶液中に試料１
８を浸漬し、一定時間その状態を保持するというもので
ある。試料１８の表面に均一にノくッンベーンヨン膜を
形成させるためＮ２ガスを溶液中に導入し、試料１８の
表面に気泡が付着し、ないようにした。塩化銅（Ｉ）の
濃度は過酸化水素水に対してＩＰＰＭ以上、溶液温度は
０℃以上１０５°Ｃ以下てあればパッシベーション膜は
形成される。最適条件は、塩化銅（Ｉ）の濃度に関して
は、２５０ Ｐ ＰＭＭ以下 ０００ Ｐｉ”Ｍ以下、
溶液温度に関しては、５０℃以、ｌ１ｉｓ°Ｃ以下、酸
化時間は、３０分以上１時間以下である。
法は、３０％の過酸化水素水に塩化銅（Ｉ）の粉末を溶
解させ、加熱して規定の温度にした後、溶液中に試料１
８を浸漬し、一定時間その状態を保持するというもので
ある。試料１８の表面に均一にノくッンベーンヨン膜を
形成させるためＮ２ガスを溶液中に導入し、試料１８の
表面に気泡が付着し、ないようにした。塩化銅（Ｉ）の
濃度は過酸化水素水に対してＩＰＰＭ以上、溶液温度は
０℃以上１０５°Ｃ以下てあればパッシベーション膜は
形成される。最適条件は、塩化銅（Ｉ）の濃度に関して
は、２５０ Ｐ ＰＭＭ以下 ０００ Ｐｉ”Ｍ以下、
溶液温度に関しては、５０℃以、ｌ１ｉｓ°Ｃ以下、酸
化時間は、３０分以上１時間以下である。
この条件の時、１０Ａから５０ＯＡまでのパッシベーシ
ョン膜が成膜された。
ョン膜が成膜された。
この時、溶液中では、Ｃｕ◆は、一部触媒として作用し
、 ２Ｈ２０ａ→２１１２０＋０２↑ なる反応が起こり、発生する酸素の一部がＣｕ◆と反応
して、酸化銅（１）、酸化銅（ＩＩ）をつくり、基板と
の物理的あるいは化学的吸着を起こして堆積する。
、 ２Ｈ２０ａ→２１１２０＋０２↑ なる反応が起こり、発生する酸素の一部がＣｕ◆と反応
して、酸化銅（１）、酸化銅（ＩＩ）をつくり、基板と
の物理的あるいは化学的吸着を起こして堆積する。
また、この酸素は基板も酸化して酸化膜をつくる。
さらに、
３Ｈ２０２＋２ＣｕＣ１→２Ｃｕ（ＯＨ）２ ＋２ＨＣ
ｌ ＋０２ ↑なる反応が起こると考えられる。ここで
発生する酸素も試料１８を酸化し酸化膜を形成すると同
時に、水酸化銅が試料１８の表面に吸着して堆積する。
ｌ ＋０２ ↑なる反応が起こると考えられる。ここで
発生する酸素も試料１８を酸化し酸化膜を形成すると同
時に、水酸化銅が試料１８の表面に吸着して堆積する。
これらの膜及び前記反応で生じた酸化銅（ｎ）がパッジ
ベージロン膜となる。
ベージロン膜となる。
以上のように、本実施例によれば銅（１）イオンの存在
により、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ｎ）が基板上に堆積し
、酸素が大量に発生することで基板が酸化され、試料１
８に安定に、再現性良（パッシベーション膜を形成する
ことが出来る。
により、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ｎ）が基板上に堆積し
、酸素が大量に発生することで基板が酸化され、試料１
８に安定に、再現性良（パッシベーション膜を形成する
ことが出来る。
第３図にこのパッジベージジン膜を用いた時のリーク電
流を示す。
流を示す。
（実施例６）
実施例５と同様の構成で、試料１８を陽極、白金を陰極
１６として電源１７から電流を流し、試料１８を陽極酸
化した。電流密度は、０．１ｍＡ／ｃｍ２以上１００ｍ
Ａ／ａｍ２以下でパッシベーション膜が形成可能である
。最適条件は、 １ｍＡ／ｃｍ２以上３ｍＡ／ｃｍ２以
下である。
１６として電源１７から電流を流し、試料１８を陽極酸
化した。電流密度は、０．１ｍＡ／ｃｍ２以上１００ｍ
Ａ／ａｍ２以下でパッシベーション膜が形成可能である
。最適条件は、 １ｍＡ／ｃｍ２以上３ｍＡ／ｃｍ２以
下である。
溶液温度、塩化銅（りの濃度の条件は、実施例５と全く
同じである。酸化時間は、１５分から３０分である。
同じである。酸化時間は、１５分から３０分である。
電流を流すことにより酸素イオンが試料にクーロン力で
引きつけられ、さらに水の電気分解も起こり、それによ
って発生した酸素によっても反応が促進される。この条
件の時、１００ＯＡ以上のパッシベーション膜が得られ
た。
引きつけられ、さらに水の電気分解も起こり、それによ
って発生した酸素によっても反応が促進される。この条
件の時、１００ＯＡ以上のパッシベーション膜が得られ
た。
酸化銅（Ｉ）、酸化鋼（ＩＩ）が生じるときの反応式は
、実施例５と同じである。
、実施例５と同じである。
以上のように、本実施例によれば銅（１）イオンの存在
により、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ｎ）が基板上に堆積し
、酸素が大量に発生することで基板が酸化され、試料１
８に安定に、再現性良くパッシベーション膜を形成する
ことが出来る。
により、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ｎ）が基板上に堆積し
、酸素が大量に発生することで基板が酸化され、試料１
８に安定に、再現性良くパッシベーション膜を形成する
ことが出来る。
第３図にこのパッシベーション膜を用いた時のリーク電
流を示す。
流を示す。
（実施例７）
第７の実施例において、パッシベーション膜６の堆積方
法は、３０％の過酸化水素水に塩化銅（ｎ）の粉末を溶
解させ、加熱して規定の温度にした後、溶液中に試料１
８を浸漬し、一定時間その状態を保持するというもので
ある。試料１８の表面に均一にパッノベー／ヨン膜を形
成させるためＮ２ガスを溶液中に導入し、試料１８の表
面に気泡が付着しないようにした。塩化銅（ＩＩ）の濃
度は過酸化水素水に対してＩＰＰＭＰＰＭ以下温度は０
℃以上［０５°Ｃ以下であればパッシベーション膜は形
成される。最適条件は、塩化銅（ｎ）の濃度に関しては
、２５０ Ｐ ＰＭ以上２０００ ＰＰＭ以下、溶液温
度に関しては、５０℃以上１１５°Ｃ以下、酸化時間は
、３０分以上１時間以下である。
法は、３０％の過酸化水素水に塩化銅（ｎ）の粉末を溶
解させ、加熱して規定の温度にした後、溶液中に試料１
８を浸漬し、一定時間その状態を保持するというもので
ある。試料１８の表面に均一にパッノベー／ヨン膜を形
成させるためＮ２ガスを溶液中に導入し、試料１８の表
面に気泡が付着しないようにした。塩化銅（ＩＩ）の濃
度は過酸化水素水に対してＩＰＰＭＰＰＭ以下温度は０
℃以上［０５°Ｃ以下であればパッシベーション膜は形
成される。最適条件は、塩化銅（ｎ）の濃度に関しては
、２５０ Ｐ ＰＭ以上２０００ ＰＰＭ以下、溶液温
度に関しては、５０℃以上１１５°Ｃ以下、酸化時間は
、３０分以上１時間以下である。
この条件の時、ＩＯＡから５００Ａまでのパッジベージ
コン膜が成膜された。
コン膜が成膜された。
この時、溶液中では、Ｃｕ”は、一部触媒として作用し
、 ２Ｈ２０２→２Ｈ２０＋０２ ↑ なる反応が起こり、発生する酸素の一部がＣｕ”と反応
して、酸化銅（１）及び酸化銅（ｎ）をつくり、基板と
の物理的あるいは化学的吸着を起こして堆積する。また
、この酸素は、基板も酸化して酸化膜をつくる。さらに
、 ２Ｈ２０２＋ＣｕＣ１２→Ｃｕ（ＯＨＬ ＋２ＨＣ１＋
Ｑ２ ↑なる反応が起こると考えられる。ここで発生す
る酸素も試料１８を酸化し酸化膜を形成すると同時に、
水酸化銅が試料１８の表面に吸着して堆積する。
、 ２Ｈ２０２→２Ｈ２０＋０２ ↑ なる反応が起こり、発生する酸素の一部がＣｕ”と反応
して、酸化銅（１）及び酸化銅（ｎ）をつくり、基板と
の物理的あるいは化学的吸着を起こして堆積する。また
、この酸素は、基板も酸化して酸化膜をつくる。さらに
、 ２Ｈ２０２＋ＣｕＣ１２→Ｃｕ（ＯＨＬ ＋２ＨＣ１＋
Ｑ２ ↑なる反応が起こると考えられる。ここで発生す
る酸素も試料１８を酸化し酸化膜を形成すると同時に、
水酸化銅が試料１８の表面に吸着して堆積する。
これらの膜及び前記反応で生じた酸化銅（ｎ）がパッジ
ベージジン膜となる。
ベージジン膜となる。
以上のように、本実施例によれば銅（ｎ）イオンの存在
により、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）が基板上に堆積
し、酸素が大量に発生することで基板が酸化され、試料
１８に安定に、再現性良くパッシベーション膜を形成す
ることが出来る。
により、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）が基板上に堆積
し、酸素が大量に発生することで基板が酸化され、試料
１８に安定に、再現性良くパッシベーション膜を形成す
ることが出来る。
第３図にこのパッシベーション膜を用いた時のリーク電
流を示す。
流を示す。
（実施例８）
実施例７と同様の構成で、試料１８を陽極、白金を陰極
１Ｇとして電源１７から電流を流し、試料１８を陽極酸
化し５た。電流密度は、 ０．１ｍＡ／ｃｍ２以上１０
０ｍＡ／ａｍ’以下でパッジベージジン膜が形成可能で
ある。１に、適条件は、 １ｍＡ／ｃｍ２以上３１！１
Ａ／Ｃ！ｌ’以下である。
１Ｇとして電源１７から電流を流し、試料１８を陽極酸
化し５た。電流密度は、 ０．１ｍＡ／ｃｍ２以上１０
０ｍＡ／ａｍ’以下でパッジベージジン膜が形成可能で
ある。１に、適条件は、 １ｍＡ／ｃｍ２以上３１！１
Ａ／Ｃ！ｌ’以下である。
溶液温度、塩化銅（ＩＩ）の濃度の条件は、実施例７と
全く同じである。酸化時間は、１５分から３０分である
。
全く同じである。酸化時間は、１５分から３０分である
。
電流を流すことにより酸素イオンが試料にクーロン力で
引きつけられ、さらに水の電気分解も起こり、それによ
って発生した酸素によっても反応が促進される。この条
件の時、１００ＯＡ以上のパッシベーション膜が得られ
た。
引きつけられ、さらに水の電気分解も起こり、それによ
って発生した酸素によっても反応が促進される。この条
件の時、１００ＯＡ以上のパッシベーション膜が得られ
た。
酸化銅（１）、酸化銅（ＩＩＮ）が生しるときの反応式
は、実施例７と同じである。
は、実施例７と同じである。
以上のように、本実施例によれば銅（ＩＩ）イオンの存
在により、酸化銅（１）、酸化鋼（■）が基板上に堆積
し、酸素が大量に発生ずることで基板が酸化され、試料
１８に安定に、再現性良くパッシベーション膜を形成す
ることが出来る。
在により、酸化銅（１）、酸化鋼（■）が基板上に堆積
し、酸素が大量に発生ずることで基板が酸化され、試料
１８に安定に、再現性良くパッシベーション膜を形成す
ることが出来る。
第３図にこのパッシベーション膜を用いた時のリーク電
流を示す。
流を示す。
（実施例９）
第９の実施例において、パッシベーション膜６の堆積方
法は、３０％の過酸化水素水に塩化コバルト（ＩＩ）の
粉末を溶解させ、加熱してＷ定の温度にした後、溶液中
に試料１８を浸漬し、一定時間その状態を保持するとい
うものである。試料１８の表面に均一にパッシベーショ
ン膜を形成させるためＮ２ガスを溶液中に導入し、試料
１８の表面に気泡がイ」着しないようにした。塩化コバ
ルト（■）の濃度は過酸化水素水に対してＩＰＰＭ以上
、溶液温度は０ ”Ｃ以上１０５°Ｃ以下であればパッ
シベーション膜は形成される。最適条件は、塩化コバル
）（ＩＩ）の濃度に関しては、２５０ＰＰＭ以上２００
０ＰＰＭ以下、溶液温度に関しては、５０°Ｃ以上１０
５°Ｃ以下、酸化時間は、３０分以上１時間以下である
。
法は、３０％の過酸化水素水に塩化コバルト（ＩＩ）の
粉末を溶解させ、加熱してＷ定の温度にした後、溶液中
に試料１８を浸漬し、一定時間その状態を保持するとい
うものである。試料１８の表面に均一にパッシベーショ
ン膜を形成させるためＮ２ガスを溶液中に導入し、試料
１８の表面に気泡がイ」着しないようにした。塩化コバ
ルト（■）の濃度は過酸化水素水に対してＩＰＰＭ以上
、溶液温度は０ ”Ｃ以上１０５°Ｃ以下であればパッ
シベーション膜は形成される。最適条件は、塩化コバル
）（ＩＩ）の濃度に関しては、２５０ＰＰＭ以上２００
０ＰＰＭ以下、溶液温度に関しては、５０°Ｃ以上１０
５°Ｃ以下、酸化時間は、３０分以上１時間以下である
。
こノ条件の時、５０Ａから６０ＯＡまでのパッシベーシ
ョン膜が成膜された。
ョン膜が成膜された。
この時、溶液中では、Ｃｏ２”は、一部触媒として作用
し、 ２Ｈ２０２→２Ｈ２０→０２↑ なる反応が起こる。この酸素がＣｏ２”と反応して、酸
化コバルトを生成し、基板に吸着する。さらにこの酸素
は基板の酸化もし、酸化膜をつくる。さらに、 ＣＯＣｌ２＋２Ｈ２０２→Ｃ０（ＯＨｈ”２ＨＣ１＋０
２↑なる反応も起こり、基板上に水酸化コバルトが物理
的あるいは化学的に吸着する。以上の酸化コバルト、水
酸化コバルト及び基板の酸化膜が、バソシベーシ誉ン膜
となるわ番プである。
し、 ２Ｈ２０２→２Ｈ２０→０２↑ なる反応が起こる。この酸素がＣｏ２”と反応して、酸
化コバルトを生成し、基板に吸着する。さらにこの酸素
は基板の酸化もし、酸化膜をつくる。さらに、 ＣＯＣｌ２＋２Ｈ２０２→Ｃ０（ＯＨｈ”２ＨＣ１＋０
２↑なる反応も起こり、基板上に水酸化コバルトが物理
的あるいは化学的に吸着する。以上の酸化コバルト、水
酸化コバルト及び基板の酸化膜が、バソシベーシ誉ン膜
となるわ番プである。
以」二のように、本実施例によればコバルト（ＩＩ）イ
オンの存在により、酸化コバルト、水酸化コバルトが基
板上に堆積し、酸素が大量に発生ずることで基板上に酸
化膜を形成することで試料１８に安定に、再現性良くパ
ッジベージジン膜を形成することが出来る。
オンの存在により、酸化コバルト、水酸化コバルトが基
板上に堆積し、酸素が大量に発生ずることで基板上に酸
化膜を形成することで試料１８に安定に、再現性良くパ
ッジベージジン膜を形成することが出来る。
第３図にこのパッシベーション膜を用いた時のリーク電
流を示す。
流を示す。
（実施例１０）
実施例９と同様の構成で、試料１８を陽極、白金を陰極
１６として電源１７から電流を流し、試料１８を陽極酸
化しまた。電流密度は、０．ｌｌＩ＋Ａ／ｃｍ２以上１
００ｍＡ／以上１思０ ある。最適条件は．１ｍＡ／ｃｍ２以」二３ｍＡ／ｃＩ
１１２以下である。
１６として電源１７から電流を流し、試料１８を陽極酸
化しまた。電流密度は、０．ｌｌＩ＋Ａ／ｃｍ２以上１
００ｍＡ／以上１思０ ある。最適条件は．１ｍＡ／ｃｍ２以」二３ｍＡ／ｃＩ
１１２以下である。
溶液温度、塩化コバルト（■）の濃度の条件は、実施例
７と全く同じである。酸化時間は．１５分から３０分で
ある。電流を流すことにより水の電気分解か起こり、そ
れによって発生した酸素により反応が促進される。この
条件の時、１００ＯＡ以上のパッジベージジン膜が得ら
れた。酸化コバルト、水酸化コバルトの生しる反応式は
、実施例９と同しである。
７と全く同じである。酸化時間は．１５分から３０分で
ある。電流を流すことにより水の電気分解か起こり、そ
れによって発生した酸素により反応が促進される。この
条件の時、１００ＯＡ以上のパッジベージジン膜が得ら
れた。酸化コバルト、水酸化コバルトの生しる反応式は
、実施例９と同しである。
以上のように、本実施例によればコバル１−（ＩＩ）イ
オンの存在により、酸化コバルト、水酸化コバルトが基
板」１に堆積し、酸素が大量に発生ずることで基板上に
酸化膜を形成することで試料１８に安定に、再現性良く
パッジベージジン膜を形成することが出来る。
オンの存在により、酸化コバルト、水酸化コバルトが基
板」１に堆積し、酸素が大量に発生ずることで基板上に
酸化膜を形成することで試料１８に安定に、再現性良く
パッジベージジン膜を形成することが出来る。
第３図にこのパッシベーション膜を用いた時のリーク電
流を示す。
流を示す。
（実施例１１）
第１１の実施例において、パッジベージロン膜６の堆積
方法は、３０％の過酸化水素水に塩化クロム（ＩＩ）の
粉末を溶解させ、加熱して規定の温度にした後、溶液中
に試料１８を浸漬し、一定時間その状態を保持するとい
うものである。試料１８の表面に均一にパッジベージロ
ン膜を形成させるためＮ２ガスを溶液中に導入し、試料
１８の表面に気泡が付着しないようにした。塩化クロム
（ＩＩ）の濃度は過酸化水素水に対してＩＰＰＭ以上、
溶液温度は０℃以上１０５℃以下であればパッジベージ
ロン膜は形成すれる。最適条件は、塩化クロム（ｎ）の
濃度に関しては、２５０ＰＰＭ以上２０００ＰＰＭ以下
、溶液温度に関しては、５０℃以上１０５℃以下、酸化
時間は、３０分以上１時間以下である。
方法は、３０％の過酸化水素水に塩化クロム（ＩＩ）の
粉末を溶解させ、加熱して規定の温度にした後、溶液中
に試料１８を浸漬し、一定時間その状態を保持するとい
うものである。試料１８の表面に均一にパッジベージロ
ン膜を形成させるためＮ２ガスを溶液中に導入し、試料
１８の表面に気泡が付着しないようにした。塩化クロム
（ＩＩ）の濃度は過酸化水素水に対してＩＰＰＭ以上、
溶液温度は０℃以上１０５℃以下であればパッジベージ
ロン膜は形成すれる。最適条件は、塩化クロム（ｎ）の
濃度に関しては、２５０ＰＰＭ以上２０００ＰＰＭ以下
、溶液温度に関しては、５０℃以上１０５℃以下、酸化
時間は、３０分以上１時間以下である。
この条件の時、５０Ａから６００Ａまでのパッシベーシ
ョン膜が成膜された。
ョン膜が成膜された。
この時、溶液中では、Ｃｒ”は、一部触媒として作用し
、 ２Ｈ２０２→２Ｈ２０＋０２↑ なる反応が起こる。この酸素がＣｒ２°と反応して、酸
化クロムを生成、シ、基板に吸着する。さらにこの酸素
は基板の酸化もし、酸化膜をつくる。さらに、 Ｃｒ０１ｇ＋２Ｂ２０２＋ ０ｒ（ＯＨ）２＋２Ｈｃｌ
＋０２ ↑なる反応も起こり、基板上に水酸化クロムが
物理的あるいは化学的に吸着する。以上の酸化クロム、
水酸化クロム及び基板の酸化膜が、パッシベーション膜
となるわけである。
、 ２Ｈ２０２→２Ｈ２０＋０２↑ なる反応が起こる。この酸素がＣｒ２°と反応して、酸
化クロムを生成、シ、基板に吸着する。さらにこの酸素
は基板の酸化もし、酸化膜をつくる。さらに、 Ｃｒ０１ｇ＋２Ｂ２０２＋ ０ｒ（ＯＨ）２＋２Ｈｃｌ
＋０２ ↑なる反応も起こり、基板上に水酸化クロムが
物理的あるいは化学的に吸着する。以上の酸化クロム、
水酸化クロム及び基板の酸化膜が、パッシベーション膜
となるわけである。
以上のように、本実施例によればクロム（ＩＩ）イオン
の存在により、酸化クロム、水酸化クロムが基板上に堆
積し、酸素が大量に発生することで基板上に酸化膜を形
成することで試料１８に安定に、再現性良くパッシベー
ション膜を形成することが出来る。
の存在により、酸化クロム、水酸化クロムが基板上に堆
積し、酸素が大量に発生することで基板上に酸化膜を形
成することで試料１８に安定に、再現性良くパッシベー
ション膜を形成することが出来る。
第３図にこのパッシベーション膜を用いた時のリーク電
流を示す。
流を示す。
（実施例１２）
実施例１１と同様の構成で、試料１８を陽極、白金を陰
極１６として電源１７から電流を流し、試料１８を陽極
酸化した。電流密度は、 ０．１ｍＡ／ｃｍ２以上１０
０ｍＡ／ｃｍ２以下でパッシベーション膜が形成可能で
ある。最適条件は、１ｍＡ／ｃｍ２以上３ｍＡ／ａｍ２
以下である。
極１６として電源１７から電流を流し、試料１８を陽極
酸化した。電流密度は、 ０．１ｍＡ／ｃｍ２以上１０
０ｍＡ／ｃｍ２以下でパッシベーション膜が形成可能で
ある。最適条件は、１ｍＡ／ｃｍ２以上３ｍＡ／ａｍ２
以下である。
溶液温度、塩化クロム（ｎ）の濃度の条件は、実施例７
と全く同じである。酸化時間は、１５分から３０分であ
る。電流を流すことにより水の電気分解が起こり、それ
によって発生した酸素により反応が促進される。この条
件の時、ｌｏＱＯＡ以上のパッシベーション膜が得られ
た。酸化クロム、水酸化クロムの生じる反応式は、実施
例１１と同じである。
と全く同じである。酸化時間は、１５分から３０分であ
る。電流を流すことにより水の電気分解が起こり、それ
によって発生した酸素により反応が促進される。この条
件の時、ｌｏＱＯＡ以上のパッシベーション膜が得られ
た。酸化クロム、水酸化クロムの生じる反応式は、実施
例１１と同じである。
以上のように、本実施例によればクロム（ＩＩ）イオン
の存在により、酸化クロム、水酸化クロムが基板上に堆
積し、酸素が大量に発生することで基板上に酸化膜を形
成することで試料１８に安定に、再現性良（パッシベー
ション膜を形成することが出来る。
の存在により、酸化クロム、水酸化クロムが基板上に堆
積し、酸素が大量に発生することで基板上に酸化膜を形
成することで試料１８に安定に、再現性良（パッシベー
ション膜を形成することが出来る。
第３図にこのパッシベーション膜を用いた時のリーク電
流を示す。
流を示す。
以上、ＩｎＰ系の化合物について説明したが、ＧａＡｓ
系の化合物半導体、ＩｎＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＳｂ等にお
いても同様である。
系の化合物半導体、ＩｎＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＳｂ等にお
いても同様である。
なお、実施例１〜８において、金属イオン供給源として
塩化物を使用したが、これらの金属イオンの他のハロゲ
ン化物、硫酸塩、カルボン酸塩であってもよい。また、
実施例２．４．６．８，１０．１２にお０て、定電流法
で陽極酸化を行なったが、定電圧法で陽極酸化を行なっ
てもよく、定電流法と定電圧法の組合せで陽極酸化を行
なってもよい。
塩化物を使用したが、これらの金属イオンの他のハロゲ
ン化物、硫酸塩、カルボン酸塩であってもよい。また、
実施例２．４．６．８，１０．１２にお０て、定電流法
で陽極酸化を行なったが、定電圧法で陽極酸化を行なっ
てもよく、定電流法と定電圧法の組合せで陽極酸化を行
なってもよい。
発明の効果
以上のように本発明は、次に述べるような効果がある。
請求項（１）の効果は、過酸化水素水にＦｅ”を添加す
ることにより、化合物半導体上に鉄の酸化物及び水酸化
物を堆積し、さらにＦｅ２＋の触媒作用により、過酸化
水素を分解して酸素を発生させ、その酸素により化合物
半導体に酸化膜を形成し、パッシベーション膜を安定に
かつ再現性良（形成することが出来ることである。
ることにより、化合物半導体上に鉄の酸化物及び水酸化
物を堆積し、さらにＦｅ２＋の触媒作用により、過酸化
水素を分解して酸素を発生させ、その酸素により化合物
半導体に酸化膜を形成し、パッシベーション膜を安定に
かつ再現性良（形成することが出来ることである。
請求項（２）の効果は、通電することで請求項（１）の
効果に加え、反応時間が短くなることである。
効果に加え、反応時間が短くなることである。
請求項（３）の効果は、過酸化水素水にＦｐ ３ ＋を
添加することにより、化合物半導体」二に鉄の酸化物及
び水酸化物を堆積し、さらにＦｅ’″′の触媒作用によ
り、過酸化水素を分解Ｌｌで酸素を発生させ、その酸素
により化合物半導体に酸化膜を形成１９、パッシベーシ
ョン膜を安定にかつ再現性良く形成することが出来るこ
とである。
添加することにより、化合物半導体」二に鉄の酸化物及
び水酸化物を堆積し、さらにＦｅ’″′の触媒作用によ
り、過酸化水素を分解Ｌｌで酸素を発生させ、その酸素
により化合物半導体に酸化膜を形成１９、パッシベーシ
ョン膜を安定にかつ再現性良く形成することが出来るこ
とである。
請求項（４）の効果は、通電することで請求項（３）の
効果に加え、反応時間が短くなることである。
効果に加え、反応時間が短くなることである。
請求項（５）の効果は、過酸化水素水にＣｕ”を添加す
ることにより、化合物半導体上に銅の酸化物を堆積１７
、さらにＣ１１゛の触媒作用により、過酸化水素を分解
して酸素を発生させ、その酸素により化合物半導体に酸
化膜を形成し、パッシベーション膜を安定にかつ再現性
良く形成することが出来ることである。
ることにより、化合物半導体上に銅の酸化物を堆積１７
、さらにＣ１１゛の触媒作用により、過酸化水素を分解
して酸素を発生させ、その酸素により化合物半導体に酸
化膜を形成し、パッシベーション膜を安定にかつ再現性
良く形成することが出来ることである。
請求項（６）の効果は、請求項（５）の効果に加え、通
電することで、反応時間が短くなることである。
電することで、反応時間が短くなることである。
請求項（７）の効果は、過酸化水素水にＣｕ”を添加す
ることにより、化合物半導体上に銅の酸化物を堆積し、
さらにＣｕ２−の触媒作用により、過酸化水素を分解し
て酸素を発生させ、その酸素により化合物半導体に酸化
膜を形成し、パ、ツシベーシーン膜を安定にかつ再現性
良く形成することが出来ることである。
ることにより、化合物半導体上に銅の酸化物を堆積し、
さらにＣｕ２−の触媒作用により、過酸化水素を分解し
て酸素を発生させ、その酸素により化合物半導体に酸化
膜を形成し、パ、ツシベーシーン膜を安定にかつ再現性
良く形成することが出来ることである。
請求項（８）の効架は、請求項（７）の効果に加え、通
電することで、反応時間が短くなることである。
電することで、反応時間が短くなることである。
請求項（９）の効果は、過酸化水素水にＣｏ２“を添加
することにより、化合物半導体上にコバルトの酸化物及
び水酸化物を堆積し、さらにＣ０２゛の触媒作用により
、過酸化水素を分解して酸素を発生させ、その酸素によ
り化合物半導体に酸化膜を形成し、パッシベーション膜
を安定にかつ再現性良く形成することが出来る。
することにより、化合物半導体上にコバルトの酸化物及
び水酸化物を堆積し、さらにＣ０２゛の触媒作用により
、過酸化水素を分解して酸素を発生させ、その酸素によ
り化合物半導体に酸化膜を形成し、パッシベーション膜
を安定にかつ再現性良く形成することが出来る。
請求項（１０）の効果は、請求項（９）の効果に加え、
反応時間を短くすることである。
反応時間を短くすることである。
請求項（１１）の効果は、過酸化水素水にＣｒ２’を添
加することにより、化合物半導体上にクロムの酸化物及
び水酸化物を堆積し、さらにＣｒ２＋の触媒作用により
、過酸化水素を分解して酸素を発生させ、その酸素によ
り化合物半導体に酸化膜を形成し、パッシベーション膜
を安定にかつ再現性良く形成することが出来る。
加することにより、化合物半導体上にクロムの酸化物及
び水酸化物を堆積し、さらにＣｒ２＋の触媒作用により
、過酸化水素を分解して酸素を発生させ、その酸素によ
り化合物半導体に酸化膜を形成し、パッシベーション膜
を安定にかつ再現性良く形成することが出来る。
請求項（１２）の効果は、請求項（１１）の効果に加え
、反応時間を短くすることである。
、反応時間を短くすることである。
第１図はこの発明を適用することが出来る一実施例のホ
トトランジスタの概念断面図、第２図はこの発明を実施
するための製造装置の概念図、第３図はバイアス電圧に
対するリーク電流の変化を示す特性図、第４〜１５図は
過酸化水素水への添加物の濃度、または溶液温度に対す
るパッシベーション膜の成長膜厚を示す図である。 】 争や−ＩｎＰ基板、 ２ｍ＊ｏエミッタ、 ３１１
＠ １ベース、４ ＊ ｓ ｓフレフタ、５ｅｅ争電
極、６・ｅ＠パッシベーション膜、７ ＠ ６１１ Ｎ
２ガス導入用バイブ、８・・φ過酸化水素水導入用バイ
ブ、９１１＠・金属イオン原料導入用パイプ、１０・・
ｅＮ２ガス。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名／ −−−
１，ｒＬＦ基ｆ￥Ｌ ？−エミッタ ３− へ′−ス ４−°−コレクタ ５−−− ｊ ｆ＆ １−−− ｐｉツシ＜−シｖ ７ ＲＩＬ第 ２図 ？−＆Ｘイχン原判−導入軍ノマイデ ｔｏ−Ｎｚ ｔＪ”ｘｍ＋ Ｍノず４７゜１１・−Ｘ瓦
１１ ｆ２・−ＭＬＷｋ化ボ素水【全溝イオン〉見合歳１３−
攬拝子 １４・・・声ロー用ヒータ １５−゛攬ネ手子Ｎ！１転機 Ｉ６・−ＰｆＬｔ極 ｌグー・・ １１ 涜 １８°°゛試計（基板ン ノずツシベーシｌンＩｌｌ！ｔして５ｔ６ｚｋ用し＼ｒ
；とさパー７ ＞ベー’ｉｑ ンＲＩＬｅして５ｔｓｒ
ＪａＬＷ４イｒ＝トｙＨｚＯｔ＊区Ｆｅ”ｂ＼ら２ぐツ
シベーレ曹ン線１杉残しに区きＨｚＯｔｙｇｖＦｔ”か
うパッジベージ、 ７１１９１ ｕ ＠ Ｘしｆｃｔき
第 ４図 ｔＬイヒを文（１）ｗＪＬ度１′：吋する八−受用１厚
ＨｚＯｔ水とＣｒ ｅ′−らノマソシベー”／Ｍ＞膿
ｔｗｏ域ｔ ｒ＝Ｅさ第 図 Ｚ ４ ４ ８ ｒａ ｔｚ叩Ｊｆ
ｆｔ五−（ＶＪ １１質じＣ〕 第 図 第 図 丁冨−化か買ＩＩＩ）１攬１・端一ずう成長膜厚１１イ
し、ｉ町 （１）に１吋すり族１ト」延４１θ （ＦＦｒ′１） 第 図 第 図 、ｒθ Δρ １−贋Ｃ’ｅ ） う蚤：Ｎ（−Ｊ 第１Ｏ図 第１２図 １イし、慟φ町 （互ン 濃ハそｌ：寸する刀−１トシ
ｌ。力１゜１イ（−コバルト（ｒｔ）５濃度Ｉ−、月−
〇八１岐膿暮ｌθρＯ （ＦビＩ＋１） 第 図 Ａ屓Ｖｔ） う［４、（’ｉＪ
トトランジスタの概念断面図、第２図はこの発明を実施
するための製造装置の概念図、第３図はバイアス電圧に
対するリーク電流の変化を示す特性図、第４〜１５図は
過酸化水素水への添加物の濃度、または溶液温度に対す
るパッシベーション膜の成長膜厚を示す図である。 】 争や−ＩｎＰ基板、 ２ｍ＊ｏエミッタ、 ３１１
＠ １ベース、４ ＊ ｓ ｓフレフタ、５ｅｅ争電
極、６・ｅ＠パッシベーション膜、７ ＠ ６１１ Ｎ
２ガス導入用バイブ、８・・φ過酸化水素水導入用バイ
ブ、９１１＠・金属イオン原料導入用パイプ、１０・・
ｅＮ２ガス。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名／ −−−
１，ｒＬＦ基ｆ￥Ｌ ？−エミッタ ３− へ′−ス ４−°−コレクタ ５−−− ｊ ｆ＆ １−−− ｐｉツシ＜−シｖ ７ ＲＩＬ第 ２図 ？−＆Ｘイχン原判−導入軍ノマイデ ｔｏ−Ｎｚ ｔＪ”ｘｍ＋ Ｍノず４７゜１１・−Ｘ瓦
１１ ｆ２・−ＭＬＷｋ化ボ素水【全溝イオン〉見合歳１３−
攬拝子 １４・・・声ロー用ヒータ １５−゛攬ネ手子Ｎ！１転機 Ｉ６・−ＰｆＬｔ極 ｌグー・・ １１ 涜 １８°°゛試計（基板ン ノずツシベーシｌンＩｌｌ！ｔして５ｔ６ｚｋ用し＼ｒ
；とさパー７ ＞ベー’ｉｑ ンＲＩＬｅして５ｔｓｒ
ＪａＬＷ４イｒ＝トｙＨｚＯｔ＊区Ｆｅ”ｂ＼ら２ぐツ
シベーレ曹ン線１杉残しに区きＨｚＯｔｙｇｖＦｔ”か
うパッジベージ、 ７１１９１ ｕ ＠ Ｘしｆｃｔき
第 ４図 ｔＬイヒを文（１）ｗＪＬ度１′：吋する八−受用１厚
ＨｚＯｔ水とＣｒ ｅ′−らノマソシベー”／Ｍ＞膿
ｔｗｏ域ｔ ｒ＝Ｅさ第 図 Ｚ ４ ４ ８ ｒａ ｔｚ叩Ｊｆ
ｆｔ五−（ＶＪ １１質じＣ〕 第 図 第 図 丁冨−化か買ＩＩＩ）１攬１・端一ずう成長膜厚１１イ
し、ｉ町 （１）に１吋すり族１ト」延４１θ （ＦＦｒ′１） 第 図 第 図 、ｒθ Δρ １−贋Ｃ’ｅ ） う蚤：Ｎ（−Ｊ 第１Ｏ図 第１２図 １イし、慟φ町 （互ン 濃ハそｌ：寸する刀−１トシ
ｌ。力１゜１イ（−コバルト（ｒｔ）５濃度Ｉ−、月−
〇八１岐膿暮ｌθρＯ （ＦビＩ＋１） 第 図 Ａ屓Ｖｔ） う［４、（’ｉＪ
Claims (12)
- （１）化合物半導体の表面パッシベーションにおいて、
過酸化水素水と２価の鉄イオン（Ｆｅ＾２＾＋）とを共
存させた溶液中で、前記Ｆｅ＾２＾＋の濃度と前記溶液
の温度を制御しながら化合物半導体表面にその半導体の
酸化膜、水酸化鉄、酸化鉄（II）及び酸化鉄（III）を
堆積して形成することを特徴とする化合物半導体のパッ
シベーション膜の製造方法。 - （２）請求項第１項記載の溶液中でＦｅ＾２＾＋の濃度
と溶液温度を制御しながら陽極酸化することにより、化
合物半導体表面にその半導体の酸化膜、水酸化鉄、酸化
鉄（II）及び酸化鉄（III）を堆積して形成することを
特徴とする化合物半導体のパッシベーション膜の製造方
法。 - （３）２価の鉄イオンに代えて３価の鉄イオンを用いた
請求項第１項記載の化合物半導体のパッシベーション膜
の製造方法。 - （４）２価の鉄イオンに代えて３価の鉄イオンを用いた
請求項第２項記載の化合物半導体のパッシベーション膜
の製造方法。 - （５）化合物半導体の表面パッシベーションにおいて、
過酸化水素水と１価の銅イオン（Ｃｕ＾＋）を共存させ
た溶液中で、前記Ｃｕ＾＋の濃度と前記溶液の温度を制
御することにより、化合物半導体表面にその半導体の酸
化膜、酸化銅（ I ）、酸化銅（II）及び水酸化銅を堆
積して形成することを特徴とする化合物半導体のパッシ
ベーション膜の製造方法。 - （６）請求項第５項記載の溶液中でＣｕ＾＋の濃度と溶
液の温度を制御しながら陽極酸化することにより、化合
物半導体表面にその半導体の酸化膜、酸化銅（ I ）、
酸化銅（II）及び水酸化銅を堆積して形成することを特
徴とする化合物半導体のパッシベーション膜の製造方法
。 - （７）化合物半導体の表面パッシベーションにおいて、
過酸化水素水と２価の銅イオン（Ｃｕ＾２＾＋）を共存
させた溶液中で、前記Ｃｕ＾２＾＋の濃度と前記溶液の
温度を制御することにより、化合物半導体表面にその半
導体の酸化膜、酸化銅（ I ）、酸化銅（II）及び水酸
化銅を堆積して形成することを特徴とする化合物半導体
のパッシベーション膜の製造方法。 - （８）請求項第５項記載の溶液中で、Ｃｕ＾２＾＋の濃
度と溶液の温度を制御しながら陽極酸化することにより
、化合物半導体表面にその半導体の酸化膜、酸化銅（
I ）、酸化銅（II）及び水酸化銅を堆積して形成するこ
とを特徴とする化合物半導体のパッシベーション膜の製
造方法。 - （９）化合物半導体の表面パッシベーションにおいて、
過酸化水素水と２価のコバルトイオン（Ｃｏ＾２＾＋）
とを共存させた溶液中で、前記Ｃｏ＾２＾＋の濃度と前
記溶液の温度を制御することにより、化合物半導体表面
にその半導体の酸化膜、酸化コバルト及び水酸化コバル
トを堆積して形成することを特徴とする化合物半導体の
パッシベーション膜の製造方法。 - （１０）請求項第７項記載の溶液中でＣｏ＾２＾＋の濃
度と溶液温度を制御しながら陽極酸化することにより、
化合物半導体表面にその半導体の酸化膜、酸化コバルト
及び水酸化コバルトを堆積して形成することを特徴とす
る化合物半導体のパッシベーション膜の製造方法。 - （１１）化合物半導体の表面パッシベーションにおいて
、過酸化水素水と２価のクロムイオン（Ｃｒ＾２＾＋）
とを共存させた溶液中で、前記Ｃｏ＾２＾＋の濃度と前
記溶液の温度を制御することにより、化合物半導体表面
にその半導体の酸化膜、酸化クロム及び水酸化クロムを
堆積して形成することを特徴とする化合物半導体のパッ
シベーション膜の製造方法。 - （１２）請求項第７項記載の溶液中でＣｒ＾２＾＋の濃
度と溶液温度を制御しながら陽極酸化することにより、
化合物半導体表面にその半導体の酸化膜、酸化クロム及
び水酸化クロムを堆積して形成することを特徴とする化
合物半導体のパッシベーション膜の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2147806A JPH088256B2 (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 化合物半導体のパッシベーション膜の製造方法 |
| US07/711,023 US5147827A (en) | 1990-06-06 | 1991-06-06 | Method for producing a passivation film of InP compound semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2147806A JPH088256B2 (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 化合物半導体のパッシベーション膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442928A true JPH0442928A (ja) | 1992-02-13 |
| JPH088256B2 JPH088256B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=15438637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2147806A Expired - Lifetime JPH088256B2 (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 化合物半導体のパッシベーション膜の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5147827A (ja) |
| JP (1) | JPH088256B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5441684A (en) * | 1993-09-24 | 1995-08-15 | Vlsi Technology, Inc. | Method of forming molded plastic packages with integrated heat sinks |
| US6392256B1 (en) | 1996-02-01 | 2002-05-21 | Cielo Communications, Inc. | Closely-spaced VCSEL and photodetector for applications requiring their independent operation |
| US6001664A (en) * | 1996-02-01 | 1999-12-14 | Cielo Communications, Inc. | Method for making closely-spaced VCSEL and photodetector on a substrate |
| US6985082B1 (en) * | 2001-07-12 | 2006-01-10 | The Ohio State University Reasearch Foundation | Carbon monoxide sensor and method of use |
| US9269851B2 (en) * | 2011-11-15 | 2016-02-23 | Newsouth Innovations Pty Limited | Metal contact scheme for solar cells |
| KR102392059B1 (ko) * | 2013-07-29 | 2022-04-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| KR102099881B1 (ko) * | 2013-09-03 | 2020-05-15 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| CN113745965A (zh) * | 2020-05-27 | 2021-12-03 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种液体环境下解理钝化半导体激光器腔面的方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE792614A (fr) * | 1971-12-13 | 1973-03-30 | Western Electric Co | Procede de realisation d'une couche d'oxyde sur un semi-conducteur |
| US3914465A (en) * | 1972-09-25 | 1975-10-21 | Bell Telephone Labor Inc | Surface passivation of GaAs junction laser devices |
| US3844904A (en) * | 1973-03-19 | 1974-10-29 | Bell Telephone Labor Inc | Anodic oxidation of gallium phosphide |
| US3859178A (en) * | 1974-01-17 | 1975-01-07 | Bell Telephone Labor Inc | Multiple anodization scheme for producing gaas layers of nonuniform thickness |
| US4026741A (en) * | 1976-06-16 | 1977-05-31 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Technique for preparation of stoichiometric III-V compound semiconductor surfaces |
-
1990
- 1990-06-06 JP JP2147806A patent/JPH088256B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-06-06 US US07/711,023 patent/US5147827A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH088256B2 (ja) | 1996-01-29 |
| US5147827A (en) | 1992-09-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101061261B (zh) | 硫酸循环型清洗系统以及硫酸循环型过硫酸供给装置 | |
| US5543030A (en) | Method for producing electrolyzed water | |
| TWI589735B (zh) | 用以在控制電解液中之陽離子時電鍍半導體晶圓之方法及設備 | |
| JP2000510913A (ja) | 酸化可能なめっきアニオンおよびカチオンの酸化を低減するための電気めっき装置およびプロセス | |
| JPH0442928A (ja) | 化合物半導体のパッシベーション膜の製造方法 | |
| CN107868959A (zh) | 一种增大泡沫镍电极电化学活性面积的刻蚀方法 | |
| Vanmaekelbergh et al. | On the electrical impedance due to the anodic dissolution of silicon in HF solutions | |
| CN109962228A (zh) | 用于微生物燃料电池的Co-MOF-GO薄膜的制备方法及其构建的MFCs | |
| TWI252216B (en) | Functional water, method and apparatus of producing the same, and method and apparatus of rinsing electronic parts therewith | |
| CN109786800B (zh) | 采用泡沫镍基镀铜电极的热再生氨电池及制备方法 | |
| JP2897637B2 (ja) | ウエット処理装置 | |
| JPH06333918A (ja) | 絶縁酸化膜の形成方法及び半導体装置 | |
| Haroutiounian et al. | Electrochemical and photoelectrochemical behavior and selective etching of III–V semiconductors in H 2 O 2 as redox system | |
| Barkey et al. | A Reaction‐Plane Model for the Open‐Circuit Potential of Copper in Aerated Copper Sulfate Solution | |
| JPH03202489A (ja) | マンガンおよびマンガン合金めつき方法 | |
| JP2006228899A (ja) | 硫酸リサイクル型洗浄システム | |
| CN111910233A (zh) | 一种适用于pemfc大规模的不锈钢双极板表面改性方法 | |
| Hasegawa et al. | An electrochemical investigation of additive effect in trench-filling of ULSI interconnects by electroless copper deposition | |
| JP3437716B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法及びこれに用いられる洗浄装置 | |
| Hoare | A voltammetric study of the reduction of chromic acid on bright platinum | |
| Takenouchi | Behavior of hydrogen nanobubbles in alkaline electrolyzed water and its rinse effect for sulfate ion remained on nickel-plated surface | |
| Tamilmani et al. | Electrochemical treatment of simulated copper CMP wastewater using boron doped diamond thin film electrodes-a feasibility study | |
| Radhakrishnamurthy et al. | Kinetics of hydrogen evolution reaction on a stainless steel electrode | |
| Okinaka et al. | Cyanoaurate (III) formation and its effect on current efficiency in gold plating | |
| JP2006278838A (ja) | 硫酸リサイクル型洗浄システム |