JPH0443284B2 - - Google Patents

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JPH0443284B2
JPH0443284B2 JP57079213A JP7921382A JPH0443284B2 JP H0443284 B2 JPH0443284 B2 JP H0443284B2 JP 57079213 A JP57079213 A JP 57079213A JP 7921382 A JP7921382 A JP 7921382A JP H0443284 B2 JPH0443284 B2 JP H0443284B2
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sensor
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heater
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Takashi Takeuchi
Hideaki Takahashi
Haruyoshi Kondo
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    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/20—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature
    • G05D23/24—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature the sensing element having a resistance varying with temperature, e.g. a thermistor
    • G05D23/2401—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature the sensing element having a resistance varying with temperature, e.g. a thermistor using a heating element as a sensing element
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/1902—Control of temperature characterised by the use of electric means characterised by the use of a variable reference value
    • G05D23/1904—Control of temperature characterised by the use of electric means characterised by the use of a variable reference value variable in time

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Control Of Temperature (AREA)
  • Feedback Control In General (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
  • Combined Controls Of Internal Combustion Engines (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、例えば自動車エンジン制御用のセン
サ等のように定温制御される対象の温度調節装置
に関する。
センサの検知出力に温度依存性がある場合、セ
ンサに加熱部を設けて、センサが一定温度になる
よう加熱することにより、温度によるセンサ出力
の誤差を低減することが行なわれている。このセ
ンサの加熱の方法の1つとしてヒータ等の加熱部
に定電圧を印加する方法があるが、この方法は最
終到達温度に達するまでの時間が非常に長くなる
ので、センサを即時作動させることができなかつ
た。また、この方法はセンサの放熱状態が悪けれ
ば温度が高くなり過ぎ、センサの設置個所の風速
が高いなどの放熱が過ぎれば温度が低くなり過ぎ
るという欠点があつた。この欠点を解消する従来
の他の方法としては、センサの温度を検出し、そ
の検出に基いてセンサ温度が一定になるよう加熱
部への電力の供給を制御する定温加熱制御方法が
ある。この方法は一定温度にすることができる
が、昇温のレートが高くなりすぎることがあつ
た。とくに、基板の片面にマイクロヒータを設
け、他の片面にガス検知部を設けたセンサの定温
加熱制御を行なうのに、ヒータ材として抵抗温度
係数の高いものを用いて、ヒータの抵抗から温度
を検出し、独立の感温素子を省いて温度制御を行
なう技術がある。この方法によるときは温度検出
の遅れが軽減できるため、入力電力を大きくする
ことができ、温度上昇レートを高くすることがで
きる。しかし、上記センサの場合には昇温レート
が高すぎると、熱歪によつて基板が割れたり、ヒ
ータがガス検知部が劣化したりするという問題点
があつた。
本発明にこれらの問題点を解決するためになさ
れたものであつて、温度調節装置において、温度
上昇のレートを比較的高くして速やかに目標温度
に到達できるようにするとともに、温度上昇のレ
ートが高過ぎて熱歪による障害が生ずるというこ
とがないようにすることを目的とするものであ
る。
本発明は、上昇目的を達成するために、温度調
節をすべき対象、例えばセンサの温度を検出し、
これを設定した目標温度と比較して、そのらの温
度の差によつて加熱部(ヒータ)を制御して定温
制御する温度調節装置において、温度調節をすべ
き対象の温度上昇の速度がその対象の温度上昇速
度の許容値を越えないように抑制するための温度
上昇レート制御手段と、目標温度近傍で、制御系
を温度上昇レート制御手段から目標温度保持手段
に自動的に切り替える最小値選択手段とを設けた
ことを特徴とするものである。
本発明の一実施態様によれば、前記温度上昇速
度制御手段は、温度上昇レートを検出する温度上
昇レート検知手段と、許容できる温度上昇レート
を設定する温度上昇レート設定手段を有してお
り、これにより実際の温度上昇レートが設定した
温度上昇レート以上にならないように抑制され
る。
また、本発明の他の実施態様によれば、前記温
度上昇レート制御手段は、温度上昇の勾配を指定
するためのランプレート設定手段と、指定された
ランプレートに従つて一定の関数を発生するラン
プ関数発生手段とを有しており、これによりヒー
タ加熱の初期に、ランプ関数によつて決まる電力
に従つて温度上昇レートが限定される。
以下、図面により詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例の概略を示すブロツ
ク図である。センサを加熱するためのヒータ1の
抵抗から温度を検出する温度検知部2の出力と、
センサの温度を設定する温度設定部3の出力とは
第1比較部4へ供給され、この第1比較部4でこ
れらの検出温度と設定温度が比較され、差が出さ
れる。その差は第1増幅部5で増幅されて、最小
値選択部6へ入力される。
一方、温度検知部2で検出した温度は温度上昇
レート検知部7にも入力される。この温度上昇レ
ート検知部7はその入力から温度上昇レートを検
出して、その検出出力を第2の比較部8の一方の
入力に供給する。温度上昇レート設定部9には使
用するセンサに許容できる温度上昇レートが予め
設定されており、その設定値は第2比較部8の他
方の入力端に供給される。第2比較部8では、検
出された温度上昇レートと設定された温度上昇レ
ートの2つの入力が比較され、差が出される。そ
の差を表わす出力は第2増幅器10で増幅され、
最小値選択部6へ入力される。最小値選択部6で
は第1増幅部5の出力と第2増幅部10の出力と
を比較して低い方の値が選択され、選択された値
に基いてヒータの加熱制御が行なわれる。
このように構成することにより、ヒータ加熱の
初期には温度設定部3の設定値よりも温度検知部
2で検出される実際の温度が非常に低いので、第
1増幅器5の出力は大きな値になる。この値によ
りヒータの加熱の制御を行なうと温度上昇レート
が高くなる。この温度上昇レートは温度上昇レー
ト検知部7によつて検出され、第2比較部8で温
度上昇レート設定部9の設定値との差がとられる
が、ヒータ加熱の初期に前述のように温度上昇レ
ートが急増し、従つて第2比較部8の出力は急速
に零に近づく。最小値選択部6は、第1増幅部5
と第2増幅部10の出力の小さい方の値を選ぶの
で、検出した温度上昇レートが設定した温度上昇
レートに近づくと、第2増幅部10の出力を選択
し、温度上昇レートが設定した温度上昇レートを
越えないようにヒータの加熱を制御する。
このように、温度上昇レートが大きくなろうと
すると抑制されて、設定した温度上昇レート以上
で温度上昇するのを防止する。
ヒータ温度が設定値に近くなると第1増幅部5
の出力が小さくなつて、ヒータ温度の上昇が抑制
されて一定の温度に制御される。
第2図は、第1図の実施例をもう少し詳細に示
すブロツク図である。最小値選択部6からの出力
信号(電圧又は電流等)は電力増幅部61に入力
し、電力増幅部61からの出力は電流検出部21
を経由してヒータ1の一端に入力し、ヒータ1の
他端は便宜上接地しておく。電力増幅部61の出
力と接地間には電圧検出部22を設ける。電圧検
出部22の出力信号(電圧又は電流)と電流検出
部21の出力信号を比演算部23に導く。比演算
部23の出力信号を抵抗温度変換部24へ入力
し、その出力を第1比較部4および微分部71へ
入力する。その他の構成は第1図と同様である。
以上のように構成された第2図の実施例の動作
について説明する。ヒータ1の抵抗はヒータ1に
印加した電圧とヒータ1に流れる電流Iとの比で
ある。従つて、電圧検出部22で求めた電圧に対
応する信号と、電流検出部21で求めた電流に対
応する信号の比(商)を求めると、その値がヒー
タの抵抗に対応する値になつている。又、白金
Pt、タングステンW、ニツケルNi等の材料から
なるヒータの抵抗は温度上昇に対してほぼ直線的
に増加する。従つて、温度とヒータの抵抗との間
には対応関係があり、別途、感温体(熱電対や感
温抵抗体)を設けなくてもヒータの温度を知るこ
とができる。それ故、抵抗温度変換部24におい
て、ヒータ抵抗(又はそれに対応した電圧又は電
流等の信号)から温度(又はそれに対応した電圧
又は電流等の信号)に変換することができる。
又、電力増幅部61では最小値選択部6からの出
力信号(電圧又は電流等)を増幅し、ヒータ1を
目的温度に加熱するのに必要な大きさの電圧およ
び電流等にして、ヒータ1へ供給する。なお、そ
の他の部分の作用は第1図の回路と同じである。
第3図は、本発明の他の実施例を示すものであ
る。第1図および第2図に示した実施例と異なる
点は温度上昇レート設定部および温度上昇レート
検知部等を設けるかわりに、ランプレート設定部
11およびランプ関数発生部12を設けた点であ
る。このため、ヒータ加熱の初期の動作として
は、ランプ関数によつて決まる電力(電圧又は電
流)に従つて温度上昇速度が限定される。第1図
および第2図に示す実施例に比べて第3図の実施
例は簡易に構成できるという利点がある。
第4図は、第3図にブロツク図として示された
実施例の詳細な回路例を示すもので、この実施例
は5酸化ニオブ(Nb2O5)酸素センサに適用した
温度調節装置の例である。
同図において、ヒータ(抵抗RN)を一辺とし、
抵抗R1,R2,R3および可変抵抗VR1で構成した
ホイートストンブリツジ回路はヒータ1の加熱と
温度検出わ兼ねる部分である。可変抵抗VR1は、
抵抗R1とR2の接続点に固定端の一端が接続され、
抵抗R3とヒータの接続点に固定端の他端が接続
され、抵抗R2とR3の接続点に可動端子が接続さ
れている。抵抗R2には抵抗R13が並列接続されて
いる。そして抵抗R1とヒータ1の接続点は演算
増幅器OP1の負極側の入力部に接続され、抵抗R2
とR3の接続点は演算増幅器OP1の正極側の入力部
に接続されている。演算増幅器OP1の出力部は抵
抗R4を介して、ダイオードD1の陽極に接続され
るとともに、演算増幅器OP3の正極側の入力部に
接続されている。ダイオードD1の陰極は演算増
幅器OP2の出力部に接続されている。演算増幅器
OP3の出力部は、その負極側入力部へ帰還され、
また演算増幅器OP5の負極側入力およびトランジ
スタTR1のベースへ接続される。トランジスタ
TR1はNPN型のパワーダーリントントランジス
タであり、そのコレクタは正電源線30に接続さ
れ、エミツタは抵抗R1とR2の接続点へ接続され
ている。ヒータ1と抵抗R3の接続点は0〔V〕の
線31に接続される。
抵抗R5の一端は正電源線30へ接続され、他
端は定電圧ダイオードZD1の陰極へ接続されてい
る。定電圧ダイオードZD1の陽極は0〔V〕の線
31に接続され、そのダイオードZD1の両端には
可変抵抗VR2が接続され、同ダイオードZD1の陰
極はまた抵抗R7を経由して演算増幅器OP2の正極
側の入力部へ接続される。可変抵抗器VR2の分圧
端子は抵抗R6を経由して演算増幅器OP2の負極側
の入力部へ接続されている。演算増幅器OP2の出
力部はコンデンサC1を介してその負極側の入力
部へ接続されている。トランジスタTR1のベース
と演算増幅器OP1の負極側の入力部との間にはコ
ンデンサC2が接続されている。
定電圧ダイオードZD2の陰極は正電源線30
に、陽極は抵抗R8の一端にそれぞれ接続され、
その陽極と抵抗R8の接続点は演算増幅器OP5の正
極側入力部に接続され、抵抗R8の他端は0〔V〕
の線へ接続されている。演算増幅器OP5の出力部
に発光ダイオードLED2が抵抗R1を介して接続さ
れている。
以上に説明した部分は温度調節装置の構成であ
る。次に酸素センサの検出回路部分の構成につい
て説明する。
抵抗R10、可変抵抗VR3およびNb2O5センサの
抵抗R14からなるホイートストンブリツジを形成
し、可変抵抗VR3と抵抗R10の接続点は正電源線
へ接続され、可変抵抗VR3とNb2O5センサの抵抗
R14の接続点は0〔V〕の線へ接続されている。
可変抵抗VR3の可動片は演算増幅器OP4の正極側
の入力へ接続され、抵抗R10とNb2O5センサの抵
抗R14の接続点は演算増幅器OP4の負極側の入力
部へ接続されている。演算増幅器OP4の出力部に
は、抵抗R11、発光ダイオードLED1および抵抗
R12の直列回路が接続され、発光ダイオード
LED1と抵抗R12の接続点は出力端子に接続され
る。
次に、以上のように構成された本発明の実施例
の動作について説明する。
抵抗R1とヒータ抵抗RNの分圧により温度を検
出する。この部分は第3図(および第1図、第2
図)の温度検知部に相当する。可変抵抗VR1、抵
抗R13とR2の並列接続および抵抗R3の分圧により
目標温度を設定する。この部分は第3図(および
第1図、第2図)の温度設定部に相当する。演算
増幅器OP1はこれらの温度検知部と温度設定部に
相当する部分からの電圧差を増幅する機能を有
し、第3図(および第1図、第2図)の第1比較
部と第1増幅部に相当する。抵抗R5と定電圧ダ
イオードZD1の分圧により正電源電圧が変動した
場合においても定電圧ダイオードの両端には一定
の電圧が発生する。その一定電圧を可変定電圧
VR2で分圧して、抵抗R6へ供給する。抵抗R6を
流れた電流はコンデンサC1を充電してランプ関
数を発生する。演算増幅器OP1の出力電圧が演算
増幅器OP2の出力電圧より大きい場合にはダイオ
ードD1を通じて電流が流れてダイオードD1の陽
極の電圧を引き下げる。逆に演算増幅器OP1の出
力電圧より演算増幅器OP2の出力電圧の方が大き
い場合にはダイオードD1には電流は流れず、演
算増幅器OP1の出力電圧とダイオードD1の陽極電
圧はほぼ等しくなる。演算増幅器OP3は負帰還接
続であるので、その出力電圧は正極側の入力電圧
と等しくなり電流増幅の機能を有している。コン
デンサC1、抵抗R6、可変抵抗VR2および定電圧
ダイオードZD1からなる部分が第3図のランプレ
ート設定部に相当する。演算増幅器OP2が第3図
のランプ関数発生部に相当する。前述のダイオー
ドD1は、第1比較部・増幅部相当の演算増幅器
OP1の出力とランプ関数発生部相当の演算増幅器
OP2とを比較し、演算増幅器OP2の出力の方が小
さいときにはその演算増幅器OP2の出力を選択す
るので、第3図の最小値選択部に相当する。
ヒータの抵抗が正の温度関数を有するものを用
いた場合には、ヒータ電圧の上昇とヒータ抵抗の
上昇とが対応する。そのため、ヒータを含む部分
のブリツジ回路と演算増幅器OP1およびOP2とト
ランジスタTR1を含む部分で負帰還回路を構成し
ており、同ブリツジ回路の左側部分の分圧比と右
側部分の分圧比の差がこの回路全体の増幅ゲイン
の逆数に等しくなつたときに釣合いが取れて定常
状態に到る。演算増幅器のゲインは104〜108倍程
度と非常に高いから、その逆数は10-4〜10-8とな
り極めて小さく通常は無視してさしつかえない。
従つて、この負帰還回路はヒータの抵抗がある一
定の値となるよう機能する。ヒータの抵抗と温度
は特定の関係を有するから、ヒータの抵抗が特定
の一定値に制御されることは、温度が特定の一定
の温度になることを意味する。このようにして温
度調節機能を果たすのである。
ヒータ加熱の初期には、ヒータ抵抗は小さいの
で演算増幅器OP1の正極側入力部への入力に比べ
負極側の入力部が小さく、従つて演算増幅器OP1
の出力は比較的大きい。もし、演算増幅器OP2の
ランプ関数発生部がないとしたら、その大きい出
力によつてトランジスタTR1は制御され、ホイー
トストンブリツジに大きな電流が流れ、ヒータ1
は急速に加熱され、ヒータを設けたセンサが熱に
より破損される恐れがある。しかし、ランプ関数
発生部である演算増幅器OP2があり、ヒータ加熱
の初期にはその演算増幅器OP2の出力はコンデン
サC1の充電に従つて徐々に大きくなるものであ
る。従つてヒータ加熱の初期にはダイオードD1
が導通し、演算増幅器OP2の出力が演算増幅器
OP3を介してトランジスタTR1を制御するので、
ヒータの温度が急上昇するのを抑制することがで
きる。
ヒータ加熱電力と温度の関係は低い周波数では
追従するが、高い周波数では充分に追従すること
はできないから、負帰還の関係が維持できなくな
る。それで高い周波数ではトランジスタ等の位相
遅れも手伝つて正帰還の関係になつて発振する場
合がある。発振することは不都合であつてその対
策としてコンデンサC2を入れる。このコンデン
サC2は周波数が高くなる程インピーダンスが低
下して負帰還ゲインを上げる働きをするので発振
が抑制されて回路が安定に作動するのに寄与す
る。
コンデンサC3は電源ラインの高周波における
インピーダンスを下げる働きをする。電源ライン
のインピーダンスが高いと、電源ラインを通して
不要な結合を生じ、往々にして正帰還を生じて発
振に到り、前記と同様の不都合を生じる。なお、
電源に高周波インピーダンスの低いものを用いた
場合にはコンデンサC3を省くことができる場合
もある。
演算増幅器OP5は前記負帰還増幅器を構成して
いる温度調節部が正常に働いているかどうかを確
認するためのものである。即ち、演算増幅器OP1
およびOP3の出力電圧、およびトランジスタTR1
のエミツタ電圧が正常な動作範囲(大体、電源電
圧の2V内外程度)にあれば、演算増幅器OP5の
出力電圧が電源電圧近くになり発光ダイオード
LED2が点灯して正常であることを表示する。
ヒータからの放熱電力量が増加したり、電源電
圧が低下したりして、ヒータを特定温度に維持す
るのに必要な電力を供給することができなくなつ
た場合には、定電圧ダイオードZD2と抵抗R8の接
続点の電圧よりも演算増幅器OP3の電圧の方が高
くなり、演算増幅器OP5の出力電圧がO〔V〕近
くになり、発光ダイオードLED2が消灯して異常
を知らせる。逆に電源電圧が高過ぎる場合には
TR1の消費電力が大きくなつて電力損失が大きく
なると共に発熱による温度上昇も問題になる。そ
れ故、発光ダイオードLED2が消灯する最低の電
圧に電源電圧を設定すれば、温度調節の正常な作
動と最低限の電力損失となり好都合である。
酸素センサの検出回路部分の動作について説明
するに、Nb2O5センサの抵抗をRNとし、正電源
電圧をE、可変抵抗VR3の可動片の電圧をV1、
抵抗R10とRNの接続点の電圧をV2とすると、V2
よりもV1の方が大きいとき演算増幅器OP4の出
力電圧はほぼ電源電圧Eに近くなり、V1よりV2
の方が大きいとき演算増幅器OP4の出力電圧はほ
ぼ0〔V〕に近くなる。抵抗R11とR12は演算増幅
器OP4の出力電圧を分圧して小さくする働きをす
る。可変抵抗VR3の抵抗RVR3とする。可変抵抗
VR3の可動片と接地間の抵抗をR′VR3とする。
V1=ER′VR3/RVR3 V2=ERN/RN+R10 演算増幅器OP4の出力がほぼEになるのはV1
>V2のときであるので、 ER′VR3/RVR3>ERN/RN+R10 となる。
Nb2O5センサの働きとしては燃料過剰状態で低
抵抗、燃料希薄状態で高抵抗になるので、抵抗
R10,R′VR3を適当に選ぶことにより、燃料過剰状
態でV1>V2、燃料希薄状態でV1<V2になるよう
にすることができる。そのように選べば抵抗R12
の端子電圧VR12は燃料過剰状態において、 VR12≒ER12/R11+R12 燃料希薄状態において、 VR12≒0 となる。このようにすることにより酸素濃淡電池
型の酸素センサと同等の出力にすることができ
る。発光ダイオードLED1は燃料過剰のときに点
灯して表示する。
第5図は、従来技術および本発明のヒータ加熱
初期におけるヒータの温度上昇の特性を示す図で
あり、横軸は時間を縦軸は温度を示している。
定温加熱の制御を行なわずに定電圧印加等の方
法で加熱をした場合には第5図のc,d,e曲線
の如く、最終到達温度に達する迄の時間が非常に
長くなるので、センサを即時作動させることがで
きない。又、放熱状態が悪ければcの如く温度が
高くなり過ぎる。又、風速が高いほどの放熱状態
が良ければeの如く温度が低くなり過ぎる。一
方、従来技術により定温加熱を行なつた場合には
aの如くなり、一定温度にすることができるが、
昇温のレートが高くなりすぎるため、センサの劣
化が起る。
本発明によるときはbの如くなり、センサが許
容できる昇温レートで昇温するので、劣化の問題
は解消できると共に短時間に目標温度に到達でき
る。従つて、エンジン制御用センサ等に本技術を
適用した場合には、エンジン始動直後から空燃比
の制御をすることができるから非常に好都合であ
り、燃費改善、排気エミツシヨン改善にも役立
つ。
以上の通り、本発明によれば、目標温度近傍
で、制御系を、温度上昇レート検知手段、温度上
昇レート設定手段及び比較手段(或いはランプレ
ート設定手段及びランプ関数発生手段)からなる
温度上昇レート抑制手段から、温度検知手段、温
度設定手段及び比較手段からなる目標温度保持手
段に、最小値選択手段によつて自動的に切り替え
るようにすることにより、温度上昇過程において
温度上昇レートが高すぎて、熱歪により基板が破
壊されたり、センサ及びヒータが劣化するのを防
止できると共に、制御系の回路が非常に簡単且つ
小型になる上、動作も単純で信頼性が高くなると
いう効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の概略ブロツク図、
第2図は第1図をさらに具体的に示したブロツク
図、第3図は本発明の他の実施例の概略ブロツク
図、第4図は第3図の実施例の詳細な回路例を示
す図、第5図は、従来技術および本発明のヒータ
加熱初期におけるヒータの温度上昇の特性を示す
図である。 1……ヒータ、2……温度検知部、3……温度
設定部、4……第1比較部、5……第1増幅部、
6……最小値選択部、7……温度上昇レート検知
部、8……第2比較部、9……温度上昇レート設
定部、10……第2増幅部、11……ランプレー
ト設定部、12……ランプ関数発生部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ガス検知用のセンサを片面に設け、前記セン
    サを加熱して前記センサの温度を調節するヒータ
    を他の片面に設けた基板と、 前記センサの温度を検出する温度検知手段と、 前記センサの目標温度を設定する温度設定手段
    と、 前記温度検知手段の出力と前記温度設定手段の
    出力とを比較して、両者の差に応じた信号を出力
    する第1の比較手段と、 前記温度検知手段の出力から温度上昇レートを
    検出する温度上昇レート検知手段と、 前記センサ、前記基板或いは前記ヒータの許容
    できる温度上昇レートを設定する温度上昇レート
    設定手段と、 前記温度上昇レート検知手段の出力と前記温度
    上昇レート設定手段の出力とを比較して、両者の
    差に応じた信号を出力する第2の比較手段と、 前記第1の比較手段の出力と前記第2の比較手
    段の出力とを比較して、出力の低い方を選択する
    ことにより、前記目標温度近傍に達すると、前記
    温度上昇レートを越えないように抑制する動作か
    ら、前記目標温度を保持する動作に自動的に切り
    替える最小値選択手段と からなることを特徴とする温度調節装置。 2 ガス検知用のセンサを片面に設け、前記セン
    サを加熱して前記センサの温度を調節するヒータ
    を他の片面に設けた基板と、 前記センサの温度を検出する温度検知手段と、 前記センサの目標温度を設定する温度設定手段
    と、 前記温度検知手段の出力と前記温度設定手段の
    出力とを比較して、両者の差に応じた信号を出力
    する比較手段と、 温度上昇レートを設定するランプレート設定手
    段と、 設定された前記温度上昇レートに従つて一定の
    関数を発生するランプ関数発生手段と、 前記比較手段の出力と前記ランプ関数発生手段
    の出力とを比較して、出力の低い方を選択するこ
    とにより、前記目標温度近傍に達すると、前記温
    度上昇レートを越えないように抑制する動作か
    ら、前記目標温度を保持する動作に自動的に切り
    替える最小値選択手段と からなることを特徴とする温度調節装置。
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