JPH0443626A - Ｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線露光方法Info
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- JPH0443626A JPH0443626A JP2149990A JP14999090A JPH0443626A JP H0443626 A JPH0443626 A JP H0443626A JP 2149990 A JP2149990 A JP 2149990A JP 14999090 A JP14999090 A JP 14999090A JP H0443626 A JPH0443626 A JP H0443626A
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- chamber
- synchrotron radiation
- ray
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、シンクロトロン放射光を半導体リングラフ
ィ用の光源に用いるｘＩｉ！露光方法に関する。
ィ用の光源に用いるｘＩｉ！露光方法に関する。
近年、半導体デバイスの設計ルールがクォータミクロン
の領域に入り始め、光リングラフィに代わり得る転写技
術として、シンクロトロン放射光リングラフィが期待さ
れている。二わはシンクロトロン放射光が連続スペクト
ルを持ち、且つその中に強力で指向性の強い軟ＸＩを含
ｋ。
の領域に入り始め、光リングラフィに代わり得る転写技
術として、シンクロトロン放射光リングラフィが期待さ
れている。二わはシンクロトロン放射光が連続スペクト
ルを持ち、且つその中に強力で指向性の強い軟ＸＩを含
ｋ。
でおり、このような軟ＸＩＡがスループット及び解像性
の点からもリソグラフィ技術のＸ線源として理想的であ
るからである。
の点からもリソグラフィ技術のＸ線源として理想的であ
るからである。
第３図は、超高真空の電子蓄積リング（１）で軌道上を
光速に近い速さで周回している＠子が偏向電磁石（２）
によって偏向せしめられた時に放出するシンクロ１〜ロ
ン放射光をリングラフィに用いる場合の装置構成を示し
ている。このシンクロトロン放射光はビー１３ラインに
３）を通って途中斜入射型反射ミラー（４）で重重方向
に振動的に振られ、ベリリウム薄膜、シリコンメンブレ
ンやシリコンナイトライドメンブレン等で構成されるＸ
線透過窓（５）を通過した後、大気やヘリウム雰囲気等
で満たされたチャンバ（９）内に設置されるアライナ（
６）に進入する。そして該アライナ（６）中でレジスト
の付着した被露光板状物（８）（シリコンウェハ等）に
マスク（７）パターンを転写することになる。
光速に近い速さで周回している＠子が偏向電磁石（２）
によって偏向せしめられた時に放出するシンクロ１〜ロ
ン放射光をリングラフィに用いる場合の装置構成を示し
ている。このシンクロトロン放射光はビー１３ラインに
３）を通って途中斜入射型反射ミラー（４）で重重方向
に振動的に振られ、ベリリウム薄膜、シリコンメンブレ
ンやシリコンナイトライドメンブレン等で構成されるＸ
線透過窓（５）を通過した後、大気やヘリウム雰囲気等
で満たされたチャンバ（９）内に設置されるアライナ（
６）に進入する。そして該アライナ（６）中でレジスト
の付着した被露光板状物（８）（シリコンウェハ等）に
マスク（７）パターンを転写することになる。
しかし、蓄積リング（１）内を周回している電子は該蓄
積リング（１）内に発生した微量ガスイオン等に衝突し
て失われ、この蓄積リング（１）内の電流は次第に低下
することになる９そのため、シンクロトロン放射光出力
（強度）は、この蓄積電流の低ｒに伴って全波長域で急
速りこ低下する（この池数射光の減衰については、放射
光透過窓（５）や前記チャンバ（９）内の雰囲気中にお
いてもあるが、こ扛らは放射光の経時的減衰に関しては
殆ど関与していない）。
積リング（１）内に発生した微量ガスイオン等に衝突し
て失われ、この蓄積リング（１）内の電流は次第に低下
することになる９そのため、シンクロトロン放射光出力
（強度）は、この蓄積電流の低ｒに伴って全波長域で急
速りこ低下する（この池数射光の減衰については、放射
光透過窓（５）や前記チャンバ（９）内の雰囲気中にお
いてもあるが、こ扛らは放射光の経時的減衰に関しては
殆ど関与していない）。
一方、リソグラフィではレジスト面に一定の光量が必要
どされている。普通のフォトリソグラフィでは、光源（
例えば紫外線等）の照射強度が一定であるので、常に一
定時間の露光で必要な光量が得られることになる３これ
に対し、蓄積リング（１）の放射光出力の減少は、必然
的に蓄積電流減少分だけ露光時間を増加させて、レジス
ト感度に対応した光量を獲得できるようにする必要性を
生ずることになる８ 即ち、蓄＠＠流が１／ｅＬ二なる寿命時間は長くても１
０時間、最大の出力を得ようとすれば２〜３時間と短い
ため、この状態では減衰度は−０，７４％ノ分の大きさ
となる。理想的なアライナの特性でも８インチウェハ当
りの露光時間は８８秒かかるのであるから、〕−枚露光
している間に１％以上の露光時間髪増すことになる。又
。
どされている。普通のフォトリソグラフィでは、光源（
例えば紫外線等）の照射強度が一定であるので、常に一
定時間の露光で必要な光量が得られることになる３これ
に対し、蓄積リング（１）の放射光出力の減少は、必然
的に蓄積電流減少分だけ露光時間を増加させて、レジス
ト感度に対応した光量を獲得できるようにする必要性を
生ずることになる８ 即ち、蓄＠＠流が１／ｅＬ二なる寿命時間は長くても１
０時間、最大の出力を得ようとすれば２〜３時間と短い
ため、この状態では減衰度は−０，７４％ノ分の大きさ
となる。理想的なアライナの特性でも８インチウェハ当
りの露光時間は８８秒かかるのであるから、〕−枚露光
している間に１％以上の露光時間髪増すことになる。又
。
１０時間使った場合には、２３７倍の露光時間になる。
本発明は以」二のような問題に鑑み創案されたもので、
シンクロトロン放射光出力の時間的変動に対応して放射
光光路途中における該放射光の減衰呈を調整し、Ｘ線強
度が一定になるようにして一定時間で一定照射光量の露
光が可能になるようにしようとするものである。
シンクロトロン放射光出力の時間的変動に対応して放射
光光路途中における該放射光の減衰呈を調整し、Ｘ線強
度が一定になるようにして一定時間で一定照射光量の露
光が可能になるようにしようとするものである。
そのため本発明法は、シンクロトロン放射光の光路途中
をチャンバで囲み、蓄積電流の変動乃至はシンクロトロ
ン放射光の出力変動に応じて、該チャンバ内の界囲傑の
組成や圧力更には放射光の雰囲気中通過長さのうち１乃
至２以上をコントロールすることで放射光のｘ、１成分
の減衰を制御することを基本的特徴とし、ている。
をチャンバで囲み、蓄積電流の変動乃至はシンクロトロ
ン放射光の出力変動に応じて、該チャンバ内の界囲傑の
組成や圧力更には放射光の雰囲気中通過長さのうち１乃
至２以上をコントロールすることで放射光のｘ、１成分
の減衰を制御することを基本的特徴とし、ている。
上述のように放射光透過窓からアライナに至るまでの放
射光光路途中は通常チャンバで囲まれてヘリウム雰囲気
や大気等で満たされ、更に該チャンバ内は精密な圧カコ
ントロール及びガス純度の制御がなされており、一定の
Ｘ線透過率に保持されている。しかしこのような構成は
、前述した蓄積電流の経時的な減衰を何ら予定しておら
ず、そのためＸ線透過率を一定に保持したままでは蓄積
電流乃至は放射光出力の経時的な減衰に伴う露光時の照
射光量の経時的な変動を抑止することができない。
射光光路途中は通常チャンバで囲まれてヘリウム雰囲気
や大気等で満たされ、更に該チャンバ内は精密な圧カコ
ントロール及びガス純度の制御がなされており、一定の
Ｘ線透過率に保持されている。しかしこのような構成は
、前述した蓄積電流の経時的な減衰を何ら予定しておら
ず、そのためＸ線透過率を一定に保持したままでは蓄積
電流乃至は放射光出力の経時的な減衰に伴う露光時の照
射光量の経時的な変動を抑止することができない。
本発明の構成は、上記放射光出力の減衰に件ってチャン
バ内の放射光光路中のＸ線透過率を、上述のような要素
のコントロールにより制御せんとするものである。
バ内の放射光光路中のＸ線透過率を、上述のような要素
のコントロールにより制御せんとするものである。
そしてチャンバ内雰囲気組成のコントロールについては
、Ｘ線吸収の少ない例えばヘリウム雰囲気とこれより吸
収率の高い例えば人気や窒素ガス等との混合率を変える
ことにより行なうものであり、本発明では、放射光出力
の減衰に伴ってＸＲ吸収の少ない雰囲気の′純度を高め
る制御を行なう。
、Ｘ線吸収の少ない例えばヘリウム雰囲気とこれより吸
収率の高い例えば人気や窒素ガス等との混合率を変える
ことにより行なうものであり、本発明では、放射光出力
の減衰に伴ってＸＲ吸収の少ない雰囲気の′純度を高め
る制御を行なう。
又、チャンバ内雰囲気圧力のコントロールに−）いては
、例えばチャンバ内を満たす雰囲気の注入量の調１等に
よって行なわれ、通常その量が多くなると該ガス分子に
よるＸ線吸収量が相対的に増え、逆にその量が少なくな
るとＸ線吸収量が減ることになる。そのため本発明では
放射光出力の減衰に伴ってチャンバ内雰囲気の注入量を
減らす（減圧する）制御を行なう。
、例えばチャンバ内を満たす雰囲気の注入量の調１等に
よって行なわれ、通常その量が多くなると該ガス分子に
よるＸ線吸収量が相対的に増え、逆にその量が少なくな
るとＸ線吸収量が減ることになる。そのため本発明では
放射光出力の減衰に伴ってチャンバ内雰囲気の注入量を
減らす（減圧する）制御を行なう。
更にチャンバ内における放射光の雰囲気中通過長さのコ
ントロールについては、例えば放射光透過窓の位置を変
えることにより行なう。
ントロールについては、例えば放射光透過窓の位置を変
えることにより行なう。
第１図は本発明法の実施に用いられたシンクロトロン放
射光露光装置の概要を示しており。
射光露光装置の概要を示しており。
図中（１）は電子蓄積リング、（２）は該リング（１）
の構成要素の一つである偏向電磁石であり、本実施例で
はそのうちの一つに付設されたビームライン（３）から
取り出されるシンクロ１−ロン放射光を用いたＸ線露光
用の設備が８置されている。
の構成要素の一つである偏向電磁石であり、本実施例で
はそのうちの一つに付設されたビームライン（３）から
取り出されるシンクロ１−ロン放射光を用いたＸ線露光
用の設備が８置されている。
このＸ線霞光ａＳでは、ビームライン（３）の途中に放
射光の照射領域を拡大せしめる斜入射型反射ミラー（４
）が設置され、又、該ビームライン（３）の端部に厚さ
２５μｍのベリリウム膜で構成された放射光透過窓（５
）が設けられ、超高真空のビームライン（３）側とアラ
イナ（６）側が隔てられている。このアライナ（６）側
は、該放射光透過窓（５）以降のマスク（７）及びレジ
スト塗布ウェハ（８）に至るまでの放射光光路全体がチ
ャンバ（９）で包囲されており、その中はヘリウムガス
を主成分とする雰囲気で満たされている。
射光の照射領域を拡大せしめる斜入射型反射ミラー（４
）が設置され、又、該ビームライン（３）の端部に厚さ
２５μｍのベリリウム膜で構成された放射光透過窓（５
）が設けられ、超高真空のビームライン（３）側とアラ
イナ（６）側が隔てられている。このアライナ（６）側
は、該放射光透過窓（５）以降のマスク（７）及びレジ
スト塗布ウェハ（８）に至るまでの放射光光路全体がチ
ャンバ（９）で包囲されており、その中はヘリウムガス
を主成分とする雰囲気で満たされている。
本実施例では図示しないヘリウムガスタンクと大気送風
ブロアを備え、ガス注入量調整装置（１０）により上記
チャンバ（９）内の雰囲気制御ができ、且つ圧力調整弁
（図示なし）によりチャンバ（９）内の内圧を一定に保
持している。
ブロアを備え、ガス注入量調整装置（１０）により上記
チャンバ（９）内の雰囲気制御ができ、且つ圧力調整弁
（図示なし）によりチャンバ（９）内の内圧を一定に保
持している。
又、蓄積リング（１）の電子軌道を周回している電子ビ
ームの強度を測定する電流モニタ（１１）を該蓄積リン
グ（１）中に！９置すると共に、このモニタ信号を制御
計算機（１２）に入力して蓄積電流ＩＡの検出値を表示
する。
ームの強度を測定する電流モニタ（１１）を該蓄積リン
グ（１）中に！９置すると共に、このモニタ信号を制御
計算機（１２）に入力して蓄積電流ＩＡの検出値を表示
する。
更に本実施例ではチャンバ（９）中に０７分圧モニタ（
図示なし）とウェハ（８）レジスト塗布面部にシリコン
ダイオードからなるＸ線強度センサ（図示なし、但し放
射光透過窓（５）から３００＋ｍ＋＋の距離の位置であ
る）が設けられ、実験中の雰囲気組成の感知とＸ線強度
の測定に使用した。
図示なし）とウェハ（８）レジスト塗布面部にシリコン
ダイオードからなるＸ線強度センサ（図示なし、但し放
射光透過窓（５）から３００＋ｍ＋＋の距離の位置であ
る）が設けられ、実験中の雰囲気組成の感知とＸ線強度
の測定に使用した。
実験ではまずチャンバ（９）内の大気をヘリウムガスで
置換し、０置分圧モニタによって０置濃度を測定したと
ころ、５００ｐｐｍであることを確認し、従って空餐１
の混入が２０００ｐｐｍであると判った。
置換し、０置分圧モニタによって０置濃度を測定したと
ころ、５００ｐｐｍであることを確認し、従って空餐１
の混入が２０００ｐｐｍであると判った。
次に、電子蓄積リング（１）の蓄積電流１ケを前記電流
モニタ（１１）によって測定したところ当初２００ｍＡ
であった。
モニタ（１１）によって測定したところ当初２００ｍＡ
であった。
その状態でシンクロトロン放射光をアライナ（６）側に
取り出し、放射光透過窓（５）から３００１［。
取り出し、放射光透過窓（５）から３００１［。
の位置に設置した前記Ｘ線強度センサの出力が初期状態
で１０ｍＶになるように調整した。又、ヘリウム雰囲気
は２３℃、１気圧に調整した。
で１０ｍＶになるように調整した。又、ヘリウム雰囲気
は２３℃、１気圧に調整した。
そして蓄積電流２００ｗ＋Ａの状態で最初のウェハ（８
）に露光を行なった時、Ｘ線強度センサの出力が１０ｍ
Ｖであることを確認し、露光時間３．６秒で１ショット
の露光を終了した。この後の現像処理は９０秒で終了し
適正であった。
）に露光を行なった時、Ｘ線強度センサの出力が１０ｍ
Ｖであることを確認し、露光時間３．６秒で１ショット
の露光を終了した。この後の現像処理は９０秒で終了し
適正であった。
その後電流モニタ（１１）でリング（１）中の蓄積電流
の減少が確認され、それに鴫比例してＸ線強度センサの
出力が減少する傾向が見られた。
の減少が確認され、それに鴫比例してＸ線強度センサの
出力が減少する傾向が見られた。
そこで本発明者等は前記ガス注入量調整装置（１０）に
よりチャンバ（９）内に高純度のヘリウムを注入してヘ
リウム純度を向上させ、Ｘ線強度センサの出力をｌｏｍ
Ｖに保持し、露光作業を継続した。
よりチャンバ（９）内に高純度のヘリウムを注入してヘ
リウム純度を向上させ、Ｘ線強度センサの出力をｌｏｍ
Ｖに保持し、露光作業を継続した。
４５分後前記蓄積電流は１７５ｍＡまで減少していたが
、０．、分圧モニタでは０２濃度］、８０ｐｐｍを示し
ており、この時もＸ線強度センサの出力は］Ｏｍνであ
った。
、０．、分圧モニタでは０２濃度］、８０ｐｐｍを示し
ており、この時もＸ線強度センサの出力は］Ｏｍνであ
った。
この間霧光電信の再現性は良く、現像処理９０秒で０．
２５μｍパターンが精度よく形成できたく但し、アライ
メン１〜重ね合せ精度は０．０８μｍである）。
２５μｍパターンが精度よく形成できたく但し、アライ
メン１〜重ね合せ精度は０．０８μｍである）。
次いでこれまでの露光を中断［７、前記電子蓄積リング
（１）にビームの追加入射夕行なって蓄積電流を２００
ｍＡに復帰させた。又、チャンバ（９）内のヘリウム雰
囲気も０２ｆＡ度が５００ρ［１１１１になるまでその
純度を落どして、以後同様に露光を継続した。
（１）にビームの追加入射夕行なって蓄積電流を２００
ｍＡに復帰させた。又、チャンバ（９）内のヘリウム雰
囲気も０２ｆＡ度が５００ρ［１１１１になるまでその
純度を落どして、以後同様に露光を継続した。
以りの実験を通（７て、Ｘ線霞光時に蓄積電流乃至は放
射光出力の紅時的な減衰（一対応させて、放射光光路途
中のＸ線成分の減衰を制御することで、一定時間で一定
照射光呈の露光が実現できることが確認された。又、そ
の結果得られたレジス１〜パターンの再現性が向上し、
従来Ｘ線マスクのＸ線吸収に伴う発熱が主因とされる現
象により生じていた転写位置精度の劣化も防止できるこ
とが明らかとなった。更に本発明法は追加入射を行なう
電子蓄積リングに対しても適用可能であり、蓄積効率が
向上するためシンクロ１−ロンの運転に伴う放射線の発
生量を低減し、安全性を向上させる波及効果が得られた
。
射光出力の紅時的な減衰（一対応させて、放射光光路途
中のＸ線成分の減衰を制御することで、一定時間で一定
照射光呈の露光が実現できることが確認された。又、そ
の結果得られたレジス１〜パターンの再現性が向上し、
従来Ｘ線マスクのＸ線吸収に伴う発熱が主因とされる現
象により生じていた転写位置精度の劣化も防止できるこ
とが明らかとなった。更に本発明法は追加入射を行なう
電子蓄積リングに対しても適用可能であり、蓄積効率が
向上するためシンクロ１−ロンの運転に伴う放射線の発
生量を低減し、安全性を向上させる波及効果が得られた
。
第２図は本発明法の実施装置の他の一例を示している。
この実施装置では、ビームライン（３）が放射光透過窓
（５）側近傍で２つに分離され、その間に伸縮性のある
超高真空用ベローズ（１３）が介装されてつながってい
る。又このビー１１ライン（３）先端側がパルスモータ
（１４）及びボールネジ（１５）の働きによって光源た
る電子蓄積リング（１）側及びアライナ（６）側に図示
しないガイドに沿って移動できるようになっている。そ
して該ビームライン（３）先端側に放射光透過窓（５）
が固定され、このビームライン（３）先端側の移動に伴
って放射光透過窓（５）も移動することになる。更にこ
の放射光透過窓（５）はチャンバ（９）開口部周囲に気
密に固着された伸縮性のある他のベローズ（１６）の他
端が固着しており、チャンバ（９）内に外部雰囲気の侵
入を防止しつつ、該チャンバ（９）における前記放射光
透過窓（５）の前後の移動を許容できるようになってい
る。
（５）側近傍で２つに分離され、その間に伸縮性のある
超高真空用ベローズ（１３）が介装されてつながってい
る。又このビー１１ライン（３）先端側がパルスモータ
（１４）及びボールネジ（１５）の働きによって光源た
る電子蓄積リング（１）側及びアライナ（６）側に図示
しないガイドに沿って移動できるようになっている。そ
して該ビームライン（３）先端側に放射光透過窓（５）
が固定され、このビームライン（３）先端側の移動に伴
って放射光透過窓（５）も移動することになる。更にこ
の放射光透過窓（５）はチャンバ（９）開口部周囲に気
密に固着された伸縮性のある他のベローズ（１６）の他
端が固着しており、チャンバ（９）内に外部雰囲気の侵
入を防止しつつ、該チャンバ（９）における前記放射光
透過窓（５）の前後の移動を許容できるようになってい
る。
以上の構成によって放射光透過窓（５）はパルスモータ
（１４）等により蓄積リング（１）側及びアライナ（６
）側に移動できるようになりつつも、ビームライン（３
）内は超高真空に保たれ、又チャンバ（９）内は一定濃
度のヘリウム雰囲気に制御されている。尚、前記放射光
透過窓（５）の移動によってチャンバ（９）内の圧力が
変動しないように該チャンバ（９）内は圧力制御されて
いる。
（１４）等により蓄積リング（１）側及びアライナ（６
）側に移動できるようになりつつも、ビームライン（３
）内は超高真空に保たれ、又チャンバ（９）内は一定濃
度のヘリウム雰囲気に制御されている。尚、前記放射光
透過窓（５）の移動によってチャンバ（９）内の圧力が
変動しないように該チャンバ（９）内は圧力制御されて
いる。
以上のような構成にした結果、放射光透過窓（５）の移
動によってチャンバ（９）内界囲気中のシンクロトロン
放射光通過距離が変化することになり、放射光のＸ線成
分の減衰をコン１ヘロールすることが可能となる。
動によってチャンバ（９）内界囲気中のシンクロトロン
放射光通過距離が変化することになり、放射光のＸ線成
分の減衰をコン１ヘロールすることが可能となる。
以上詳述した本発明によれば、Ｘ線鱈光時の蓄積電流乃
至放射光出力の経時的な減衰に対応させて放射光光路途
中のＸ線成分の減衰を制御することで、定エネルギ密度
露光が達成でき、露光時のスループット向−りが可能と
なる。
至放射光出力の経時的な減衰に対応させて放射光光路途
中のＸ線成分の減衰を制御することで、定エネルギ密度
露光が達成でき、露光時のスループット向−りが可能と
なる。
又、１つの電子蓄積リングに複数台の露光装置が配備さ
ｉｂた場合、各々の露光装置を別々の露光量で制御する
ことも可能となる。
ｉｂた場合、各々の露光装置を別々の露光量で制御する
ことも可能となる。
第１図は本発明法の実施実験を行なったＸ線露光設備の
装置構成の概要を示す説明図、第２図は本発明法の実施
装置の一例を示す説明図、第３図は電子蓄積リングから
発せられるシンクロトロン放射光をリソグラフィに用い
る場合の装置構成を示す説明図である。 図中、（１）は電子蓄積リング、（２）は偏向電磁石、
（３）はビームライン、（４）は斜入射型反射ミラー、
（５）は放射光透過窓、（６）はアライナ、（７）はマ
スク、（８）はウェハ、（９）はチャンバ、（１０）は
ガス注入量調整装置、（１１）は電流モニタ、（１２）
は制御計算機を各示す。
装置構成の概要を示す説明図、第２図は本発明法の実施
装置の一例を示す説明図、第３図は電子蓄積リングから
発せられるシンクロトロン放射光をリソグラフィに用い
る場合の装置構成を示す説明図である。 図中、（１）は電子蓄積リング、（２）は偏向電磁石、
（３）はビームライン、（４）は斜入射型反射ミラー、
（５）は放射光透過窓、（６）はアライナ、（７）はマ
スク、（８）はウェハ、（９）はチャンバ、（１０）は
ガス注入量調整装置、（１１）は電流モニタ、（１２）
は制御計算機を各示す。
Claims (1)
- シンクロトロン放射光を光源としたＸ線露光方法におい
て、該放射光光路の途中をチャンバで囲み、蓄積電流の
変動乃至はシンクロトロン放射光の出力変動に応じて、
該チャンバ内の雰囲気の組成や圧力更には放射光の雰囲
気中通過長さのうち１乃至２以上をコントロールするこ
とで放射光のＸ線成分の減衰を制御することを特徴とす
るＸ線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149990A JPH0443626A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | Ｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149990A JPH0443626A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | Ｘ線露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0443626A true JPH0443626A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15487058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2149990A Pending JPH0443626A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | Ｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0443626A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0588579A1 (en) * | 1992-09-14 | 1994-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Synchrotron X-ray exposure method |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP2149990A patent/JPH0443626A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0588579A1 (en) * | 1992-09-14 | 1994-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Synchrotron X-ray exposure method |
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