JPH0443627A - 荷電ビーム描画装置 - Google Patents
荷電ビーム描画装置Info
- Publication number
- JPH0443627A JPH0443627A JP2152182A JP15218290A JPH0443627A JP H0443627 A JPH0443627 A JP H0443627A JP 2152182 A JP2152182 A JP 2152182A JP 15218290 A JP15218290 A JP 15218290A JP H0443627 A JPH0443627 A JP H0443627A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electromagnetic field
- specimen
- charged particle
- particle beam
- charged beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は荷電ビーム描画装置に関し、特に高精度に描画
位置を再現する荷電ビーム描画装置に関する。
位置を再現する荷電ビーム描画装置に関する。
［従来の技術］
従来の荷電ビーム描画装置は、電子線描画装置を例にと
ると、第３図に示すように、電子銃ｌから放射された電
子線が第１形成絞り２．投影レンズ；３．第２形成絞り
４．対物レンズ５を通過することによって収束され、偏
向器６によって試料７Ｉ−に照射、描画される。例えば
、この装置は特公昭６２−３５２６３号、特公昭６Ｊ−
３４５１（、Ｆ等に開示されている。
ると、第３図に示すように、電子銃ｌから放射された電
子線が第１形成絞り２．投影レンズ；３．第２形成絞り
４．対物レンズ５を通過することによって収束され、偏
向器６によって試料７Ｉ−に照射、描画される。例えば
、この装置は特公昭６２−３５２６３号、特公昭６Ｊ−
３４５１（、Ｆ等に開示されている。
［発明が解決しようとする課題］
従来の荷電ビーム描画袋ｒｌでは、ビームを偏向させて
描画を行っているが、ビームの位置を測定、確認するた
めには描画後のパターンで確認しなければならず、補正
をするために数回の描画、確認が必要であり、時間がか
かるばかりでなく、所望のパターン精度が得にくい等の
問題点があった。
描画を行っているが、ビームの位置を測定、確認するた
めには描画後のパターンで確認しなければならず、補正
をするために数回の描画、確認が必要であり、時間がか
かるばかりでなく、所望のパターン精度が得にくい等の
問題点があった。
本発明の目的は、ビームの位置を測定確認させることに
より、前記問題点を解決した荷電ビ・−ム描画装置を提
供することにある。
より、前記問題点を解決した荷電ビ・−ム描画装置を提
供することにある。
〔課題を解決するための手段ｊ
前記目的を達成するため１本発明に係る荷電ビーム描画
装置においては、電磁場検出器と、偏向器とを有し、荷
電ビームを試料面上に結像させてパターンを露光する荷
電ビーム描画装置であって、電磁場検出器は、荷電ビー
ムにより生じる電磁場を測定することにより、試料面上
での該荷電ビームの位置を計測するものであり、 偏向器は、前記電磁場検出器からの位置信号に基づいて
荷電ビームの位置を設定位置に補正するものであり、ま
た、前記電磁場検出器は、荷電ビーム軸を中心としてそ
の両側に対をなして配設されたものであり、少なくとも
２対の電磁場検出器の組を有するものである。
装置においては、電磁場検出器と、偏向器とを有し、荷
電ビームを試料面上に結像させてパターンを露光する荷
電ビーム描画装置であって、電磁場検出器は、荷電ビー
ムにより生じる電磁場を測定することにより、試料面上
での該荷電ビームの位置を計測するものであり、 偏向器は、前記電磁場検出器からの位置信号に基づいて
荷電ビームの位置を設定位置に補正するものであり、ま
た、前記電磁場検出器は、荷電ビーム軸を中心としてそ
の両側に対をなして配設されたものであり、少なくとも
２対の電磁場検出器の組を有するものである。
〔作用Ｊ
本発明の荷電ビーム描画装置は、第１図に示すように、
対物レンズ６と試料７の間に電磁場検出器８を備えてお
り、荷電ビームが流れる場合に生じる電磁場を検出器８
にて測定検出（−ること（こより、荷電ビームの位置を
常時検出し、その位置信号を偏向系にフィードバックす
ることにより、ビーム位置の補正を行うものである。
対物レンズ６と試料７の間に電磁場検出器８を備えてお
り、荷電ビームが流れる場合に生じる電磁場を検出器８
にて測定検出（−ること（こより、荷電ビームの位置を
常時検出し、その位置信号を偏向系にフィードバックす
ることにより、ビーム位置の補正を行うものである。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図により説明する。
第１図は本発明を電子線描画装置に適用した実施例を示
す構成図である。
す構成図である。
図において、電子銃１は、試料７に対しその上方位置に
下方に向けて設置されており、電子銃１と試料７との間
には、電子銃ｌからの電子線（荷電ビーム）の軸に沿っ
て、ブランキング電極９゜第１形成絞り２．投影レンズ
３．第２形成絞り４゜対物レンズ５．偏向器６．電磁場
検出器８が順に配設しである。電磁場検出器８は第２図
に示すように、電子線１０を中心としてその両側に対を
なしてＸＹ力方向配設された２組の電磁場検出器８ａと
８ｂ、８ｃと８ｄを有している。電磁場検出器８は、電
子線１０により生じる磁界の変化を測定して電子線１０
の位置を検出するものである。偏向器６は、電子線１０
を中心としてＸＹ力方向配設されており、電磁場検出器
８の位置信号に基づいて電子線１０を偏向して位置補正
を行う。
下方に向けて設置されており、電子銃１と試料７との間
には、電子銃ｌからの電子線（荷電ビーム）の軸に沿っ
て、ブランキング電極９゜第１形成絞り２．投影レンズ
３．第２形成絞り４゜対物レンズ５．偏向器６．電磁場
検出器８が順に配設しである。電磁場検出器８は第２図
に示すように、電子線１０を中心としてその両側に対を
なしてＸＹ力方向配設された２組の電磁場検出器８ａと
８ｂ、８ｃと８ｄを有している。電磁場検出器８は、電
子線１０により生じる磁界の変化を測定して電子線１０
の位置を検出するものである。偏向器６は、電子線１０
を中心としてＸＹ力方向配設されており、電磁場検出器
８の位置信号に基づいて電子線１０を偏向して位置補正
を行う。
第１図に示すように、電子銃１から放射された電子線が
第１形成絞り２を通過した後、投影レンズ３によって第
２形成絞り４Ｊ−、に収束される。この第２形成絞り４
で所望の形状に形成された電子線はさらに対物レンズ５
によって試料７上に収束される。試料７」二に収束され
た電子線は、ＸＹ力方向それぞれ配置された偏向器６に
よって試料７１−の任意の位置に偏向され、所定の露光
量になると、ブランキング電極９によって電子線を遮断
することにより、所望のパターンが試料７ Ｌに描画で
きる。
第１形成絞り２を通過した後、投影レンズ３によって第
２形成絞り４Ｊ−、に収束される。この第２形成絞り４
で所望の形状に形成された電子線はさらに対物レンズ５
によって試料７上に収束される。試料７」二に収束され
た電子線は、ＸＹ力方向それぞれ配置された偏向器６に
よって試料７１−の任意の位置に偏向され、所定の露光
量になると、ブランキング電極９によって電子線を遮断
することにより、所望のパターンが試料７ Ｌに描画で
きる。
このように電子線を偏向させた場合の電子線の位置を、
電子線が通過する時に生じる電磁場をＸＹ力方向それぞ
れ配置した電磁場検出器８で測定検出する。電磁場検出
器８は第２図に示すようにＸＹ力方向２組の電磁場検出
器８ａ、 ８ｂ、 ８ｃ、 ８ｄを配置している。１ｉ
磁場検出器８ａ〜８ｄとしては、例えばコイルを用いる
。
電子線が通過する時に生じる電磁場をＸＹ力方向それぞ
れ配置した電磁場検出器８で測定検出する。電磁場検出
器８は第２図に示すようにＸＹ力方向２組の電磁場検出
器８ａ、 ８ｂ、 ８ｃ、 ８ｄを配置している。１ｉ
磁場検出器８ａ〜８ｄとしては、例えばコイルを用いる
。
第２図に示すように、電子線１ｏの回りには磁界が発生
ずる。荷電ビーム描画装置では頻繁にビームのオン、オ
フを繰返しているため、磁界に変位が生じる。この磁界
の変位を電磁場検出器８ａ−・８ｄが検出すると、電流
の変化として出力される。電子線１０の位置が電磁場検
出器８．３〜８ｄがら等距離にある揚台は各検出器がら
の出方は同じであるが、等距離でないと出力に差が生じ
る。このように、電磁場検出器を用いて重ｆ−線１ｏの
絶対位置を決定するには、最初に基準試料で電子線１ｏ
の位置を検出して求め、記憶しておけばよい。
ずる。荷電ビーム描画装置では頻繁にビームのオン、オ
フを繰返しているため、磁界に変位が生じる。この磁界
の変位を電磁場検出器８ａ−・８ｄが検出すると、電流
の変化として出力される。電子線１０の位置が電磁場検
出器８．３〜８ｄがら等距離にある揚台は各検出器がら
の出方は同じであるが、等距離でないと出力に差が生じ
る。このように、電磁場検出器を用いて重ｆ−線１ｏの
絶対位置を決定するには、最初に基準試料で電子線１ｏ
の位置を検出して求め、記憶しておけばよい。
次に実際の試寧４７を描画する場合は、１拭料７ Ｌの
アライメントマークを検出してスケーリング。
アライメントマークを検出してスケーリング。
ローテーション等のデータを取り込み、基１′＄１！試
料で記憶しであるデータと合わせて計算することにより
、実際の試料７Ｆにスケーリング、ローテーション等を
考慮した１−での正確なバターニングができる。
料で記憶しであるデータと合わせて計算することにより
、実際の試料７Ｆにスケーリング、ローテーション等を
考慮した１−での正確なバターニングができる。
また、通常の描画中でも常時電子線の位置を検出し、位
置情報を偏向器６にフィードバックしているため、描画
位置の再現精度は非常に高い。
置情報を偏向器６にフィードバックしているため、描画
位置の再現精度は非常に高い。
上記実施例では電磁場検出器をＸＹ力方向２対としたが
、８辺４対とすれば処理速度は遅くなるが、さらに電子
線の位置補正の精度が向上する。
、８辺４対とすれば処理速度は遅くなるが、さらに電子
線の位置補正の精度が向上する。
また、電子線描画装置として可変成形型を例として説明
したが、ガウシアンビーム型であっても同様である。
したが、ガウシアンビーム型であっても同様である。
実施例では電子線描画装置に適用した例を示したが、荷
電粒子線描画装置についても同様に適用できる。この場
合、荷電粒子線描画装置では電子銃ｌのかわりに、液体
金属を使用したイオン銃を用いるだけで、その他の構成
は第１図の通りである。イオンビームであっても電磁場
は生じるために前記実施例で示した場合と同様の効果を
得ることができる。
電粒子線描画装置についても同様に適用できる。この場
合、荷電粒子線描画装置では電子銃ｌのかわりに、液体
金属を使用したイオン銃を用いるだけで、その他の構成
は第１図の通りである。イオンビームであっても電磁場
は生じるために前記実施例で示した場合と同様の効果を
得ることができる。
［発明の効果１
以上説明したように本発明は、対物レンズと試料の間に
備えた電磁場検出器によって荷電ビームの位置を常時検
出し、偏向系にフィードバックを行っているので、−度
調整を行えば長期間に渡り安定した描画位置再現精度を
得ることができるという効果を有する。
備えた電磁場検出器によって荷電ビームの位置を常時検
出し、偏向系にフィードバックを行っているので、−度
調整を行えば長期間に渡り安定した描画位置再現精度を
得ることができるという効果を有する。
第１図は本発明の一実施例に係る荷電ビーム描画装置を
示す構成図、第２図は電磁場検出器を示す図、第３図は
従来の荷電ビーム描画装置を示す構成図である。
示す構成図、第２図は電磁場検出器を示す図、第３図は
従来の荷電ビーム描画装置を示す構成図である。
Claims (2)
- （１）電磁場検出器と、偏向器とを有し、荷電ビームを
試料面上に結像させてパターンを露光する荷電ビーム描
画装置であって、 電磁場検出器は、荷電ビームにより生じる電磁場を測定
することにより、試料面上での該荷電ビームの位置を計
測するものであり、 偏向器は、前記電磁場検出器からの位置信号に基づいて
荷電ビームの位置を設定位置に補正するものであること
を特徴とする荷電ビーム描画装置。 - （２）前記電磁場検出器は、荷電ビーム軸を中心として
その両側に対をなして配設されたものであり、少なくと
も２対の電磁場検出器の組を有するものであることを特
徴とする請求項第（１）項記載の荷電ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2152182A JPH0443627A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 荷電ビーム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2152182A JPH0443627A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 荷電ビーム描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0443627A true JPH0443627A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15534850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2152182A Pending JPH0443627A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 荷電ビーム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0443627A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007279686A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-10-25 | Kuresutetsuku:Kk | 電子ビーム記録装置 |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP2152182A patent/JPH0443627A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007279686A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-10-25 | Kuresutetsuku:Kk | 電子ビーム記録装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03108312A (ja) | 荷電ビームの非点収差補正方法 | |
| JP3288794B2 (ja) | 荷電ビーム補正方法及びマーク検出方法 | |
| CA1103813A (en) | Apparatus for electron beam lithography | |
| JPH0324771B2 (ja) | ||
| JPH05256918A (ja) | 粒子線検査方法 | |
| JPH1073424A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| US4891524A (en) | Charged particle beam exposure system and method of compensating for eddy current effect on charged particle beam | |
| JP3400608B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JP3697494B2 (ja) | ビームエッジぼけ量測定方法及びリフォーカス量決定方法、これらの方法に用いられるステンシルマスク並びに荷電粒子ビーム露光方法及び装置 | |
| JP3393996B2 (ja) | 荷電ビーム描画装置及び荷電ビームの非点収差補正方法 | |
| JPH0589815A (ja) | 電子線応用装置 | |
| JP3550476B2 (ja) | 荷電粒子ビーム加工方法および加工装置 | |
| JPH08227840A (ja) | 荷電粒子線描画装置における調整方法および描画方法 | |
| JP4095218B2 (ja) | 荷電ビーム露光方法及び露光装置 | |
| JPH09190788A (ja) | 集束ビームの測定方法 | |
| JPH04116915A (ja) | 描画ビーム径調整方法 | |
| JP2653967B2 (ja) | 分析電子顕微鏡 | |
| JP3455005B2 (ja) | 荷電ビーム露光装置 | |
| JPS61220259A (ja) | 電子ビ−ム装置 | |
| JPS5986219A (ja) | 荷電ビ−ム光学鏡筒 | |
| JPH0691001B2 (ja) | 荷電ビ−ム制御方法 | |
| JP2001099815A (ja) | 粒子線磁気モーメント分析装置 | |
| JPH10289860A (ja) | 投影光学系のビーム調整方法および投影光学系 | |
| JP2005032958A (ja) | 荷電粒子線装置の照明条件調整方法、及び露光方法 | |
| JP2618919B2 (ja) | 電子線描画方法及び電子線描画装置 |