JPH0589815A - 電子線応用装置 - Google Patents
電子線応用装置Info
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- JPH0589815A JPH0589815A JP3247995A JP24799591A JPH0589815A JP H0589815 A JPH0589815 A JP H0589815A JP 3247995 A JP3247995 A JP 3247995A JP 24799591 A JP24799591 A JP 24799591A JP H0589815 A JPH0589815 A JP H0589815A
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- speed
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高速にかつ高精度に描画、検出、試験等を行な
う。 【構成】電子線２を放射する電子源１と電子線２を絞る
対物レンズ５との間に電子線２を偏向する補正用偏向器
１１を設け、検出器７、８でステージ６の位置および速
度を検出し、偏向器制御装置９、１０によりステージの
位置および速度に応じて補正用偏向器１１の偏向量を制
御する。
う。 【構成】電子線２を放射する電子源１と電子線２を絞る
対物レンズ５との間に電子線２を偏向する補正用偏向器
１１を設け、検出器７、８でステージ６の位置および速
度を検出し、偏向器制御装置９、１０によりステージの
位置および速度に応じて補正用偏向器１１の偏向量を制
御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は連続移動方式の電子線
描画装置、パタン検査装置、動作試験装置等の電子線応
用装置に関するものである。
描画装置、パタン検査装置、動作試験装置等の電子線応
用装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子線描画装置において、高速にかつ高
精度に描画を行なうには、描画方式が重要であり、描画
方式にはステ−ジのステップ アンド リピ−ト方式と
連続移動方式とがある。ステップ アンド リピ−ト方
式は描画中はステ−ジを停止させ、描画領域を描画し終
えたあと、ステ−ジを次の偏向領域にまで移動し、再び
描画を行なう方式である。これに対して、連続移動方式
はステ−ジを連続的に移動しながら描画を行なう方式で
ある。
精度に描画を行なうには、描画方式が重要であり、描画
方式にはステ−ジのステップ アンド リピ−ト方式と
連続移動方式とがある。ステップ アンド リピ−ト方
式は描画中はステ−ジを停止させ、描画領域を描画し終
えたあと、ステ−ジを次の偏向領域にまで移動し、再び
描画を行なう方式である。これに対して、連続移動方式
はステ−ジを連続的に移動しながら描画を行なう方式で
ある。
【０００３】従来はビ−ムの偏向距離をある程度大きく
とったステップ アンドリピ−ト方式を用いた電子線描
画装置が多かった。しかし、電子線描画装置のスル−プ
ット向上のためのステージの移動速度の高速化には限界
がある。そこで、最近になり、描画のスル−プットの観
点から、連続移動方式で電子線の偏向距離を大きくした
電子線描画装置が注目されるようになってきている。
とったステップ アンドリピ−ト方式を用いた電子線描
画装置が多かった。しかし、電子線描画装置のスル−プ
ット向上のためのステージの移動速度の高速化には限界
がある。そこで、最近になり、描画のスル−プットの観
点から、連続移動方式で電子線の偏向距離を大きくした
電子線描画装置が注目されるようになってきている。
【０００４】図７は従来の連続移動方式の電子線描画装
置を示す概略図、図８は図７に示した電子線描画装置の
一部を示す概略斜視図である。図において、１は電子
源、２は電子源１から放射された電子線、３は電子線２
の通過位置に設けられた静電形の描画用偏向器、４は描
画用偏向器３を制御する偏向器制御装置、５は描画用偏
向器３の下方に設けられた対物レンズ、６は対物レンズ
５の下方に設けられたステージで、ステージ６は駆動装
置（図示せず）によってＸ、Ｙ方向に移動される。
置を示す概略図、図８は図７に示した電子線描画装置の
一部を示す概略斜視図である。図において、１は電子
源、２は電子源１から放射された電子線、３は電子線２
の通過位置に設けられた静電形の描画用偏向器、４は描
画用偏向器３を制御する偏向器制御装置、５は描画用偏
向器３の下方に設けられた対物レンズ、６は対物レンズ
５の下方に設けられたステージで、ステージ６は駆動装
置（図示せず）によってＸ、Ｙ方向に移動される。
【０００５】この電子線描画装置においては、駆動装置
が試料（図示せず）が載置されたステージ６をＸ、Ｙ方
向に移動しながら、偏向器制御装置４が描画信号に基づ
いて描画用偏向器３を制御し、描画用偏向器３が電子線
２を偏向し、対物レンズ５が電子ビーム２絞って、試料
上にパタンを描画する。
が試料（図示せず）が載置されたステージ６をＸ、Ｙ方
向に移動しながら、偏向器制御装置４が描画信号に基づ
いて描画用偏向器３を制御し、描画用偏向器３が電子線
２を偏向し、対物レンズ５が電子ビーム２絞って、試料
上にパタンを描画する。
【０００６】しかし、この電子線描画装置においては、
電子線２を大きく絞り、かつ電子線２の偏向量をスル−
プットの観点から従来のサブｍｍから数ｍｍに拡大する
という二つの要求を満たすため、対物レンズ５の直径を
大きくしている。このため、対物レンズ５の磁場がステ
ージ６上に漏れるから、ステ−ジ６の内部に渦電流が発
生し、この渦電流によって発生する磁場により、電子線
２の軌道が曲げられ、電子線の照射位置誤差が生ずる。
その結果、描画パタンの位置精度が低下する。
電子線２を大きく絞り、かつ電子線２の偏向量をスル−
プットの観点から従来のサブｍｍから数ｍｍに拡大する
という二つの要求を満たすため、対物レンズ５の直径を
大きくしている。このため、対物レンズ５の磁場がステ
ージ６上に漏れるから、ステ−ジ６の内部に渦電流が発
生し、この渦電流によって発生する磁場により、電子線
２の軌道が曲げられ、電子線の照射位置誤差が生ずる。
その結果、描画パタンの位置精度が低下する。
【０００７】これを避けるため、ステ−ジ６をセラミッ
ク等の絶縁物で製作するという試みが、真空科学技術雑
誌（J. Vac. Sci. Technol.）Ｂ ５（１）、１月／２
月１９８７年 ６１〜６５頁に掲載されている。
ク等の絶縁物で製作するという試みが、真空科学技術雑
誌（J. Vac. Sci. Technol.）Ｂ ５（１）、１月／２
月１９８７年 ６１〜６５頁に掲載されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ステ−ジ６を
セラミック等の絶縁物で製作したとしても、ステ−ジ６
の金属部品を皆無にすることは不可能であリ、ステ−ジ
６の金属部品に渦電流が発生し、この渦電流によって発
生する磁場により、電子線２の軌道が曲げられる。とく
に、半導体素子の構造が微細化されているから、ステ−
ジ６の金属部品に発生する渦電流の影響も無視すること
ができない。
セラミック等の絶縁物で製作したとしても、ステ−ジ６
の金属部品を皆無にすることは不可能であリ、ステ−ジ
６の金属部品に渦電流が発生し、この渦電流によって発
生する磁場により、電子線２の軌道が曲げられる。とく
に、半導体素子の構造が微細化されているから、ステ−
ジ６の金属部品に発生する渦電流の影響も無視すること
ができない。
【０００９】この発明は上述の課題を解決するためにな
されたもので、高速にかつ高精度に描画、検出、試験等
を行なうことができる電子線応用装置を提供することを
目的とする。
されたもので、高速にかつ高精度に描画、検出、試験等
を行なうことができる電子線応用装置を提供することを
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明においては、電子源と、上記電子源から放
射された電子線を絞る対物レンズと、試料が載置される
ステージとを有する連続移動方式の電子線応用装置にお
いて、上記電子線を偏向する偏向器と、上記ステージの
速度を検出する検出器と、上記検出器によって検出され
た上記ステージの速度に応じて上記偏向器の偏向量を制
御する偏向器制御装置とを設ける。
め、この発明においては、電子源と、上記電子源から放
射された電子線を絞る対物レンズと、試料が載置される
ステージとを有する連続移動方式の電子線応用装置にお
いて、上記電子線を偏向する偏向器と、上記ステージの
速度を検出する検出器と、上記検出器によって検出され
た上記ステージの速度に応じて上記偏向器の偏向量を制
御する偏向器制御装置とを設ける。
【００１１】この場合、上記検出器として上記ステージ
の位置および速度を検出するものを用い、上記偏向器制
御装置として上記検出器によって検出されたステージの
位置および速度に応じて上記偏向器の偏向量を制御する
ものを用いてもよい。
の位置および速度を検出するものを用い、上記偏向器制
御装置として上記検出器によって検出されたステージの
位置および速度に応じて上記偏向器の偏向量を制御する
ものを用いてもよい。
【００１２】また、上記偏向器制御装置として上記ステ
ージの位置および速度に対する上記偏向器の偏向量のテ
ーブルを記憶しているものを用いてもよい。
ージの位置および速度に対する上記偏向器の偏向量のテ
ーブルを記憶しているものを用いてもよい。
【００１３】上記電子線応用装置を電子線描画装置とす
る。
る。
【００１４】
【作用】この電子線応用装置においては、直径の大きな
対物レンズからもれた磁場によりステ−ジの内部に渦電
流が発生し、この渦電流によって発生する磁場により、
電子線の軌道が曲げられたとしても、電子線の偏向量を
補正することにより、電子線の照射位置誤差を減じるこ
とができる。
対物レンズからもれた磁場によりステ−ジの内部に渦電
流が発生し、この渦電流によって発生する磁場により、
電子線の軌道が曲げられたとしても、電子線の偏向量を
補正することにより、電子線の照射位置誤差を減じるこ
とができる。
【００１５】
【実施例】図１はこの発明に係る電子線描画装置を示す
概略図、図２は図１に示した電子線描画装置の一部を示
すブロック図である。図において、７、８はそれぞれス
テージ６のＸ、Ｙ方向の位置Ｐｘ、Ｐｙおよび速度Ｖ
ｘ、Ｖｙを検出する検出器、１２、１３はステージ６に
固定されたミラー（図示せず）で反射されたレーザ光か
らステージ６のＸ、Ｙ方向の位置Ｐｘ、Ｐｙを検出する
位置検出器、１４、１５は位置検出器１２、１３からの
位置Ｐｘ、Ｐｙの信号を２．５６μｓだけ遅延させる遅
延回路、１６、１７は位置検出器１２、１３からの位置
Ｐｘ、Ｐｙの信号と遅延回路１６からの遅延信号とから
速度Ｖｘ、Ｖｙを演算する速度演算器で、位置検出器１
２、１３、遅延回路１４、１５、速度演算器１６、１７
により速度と位置の検出器７、８が構成されている。１
１は描画用偏向器３と対物レンズ５との間に設けられた
静電形の補正用偏向器、９、１０は位置Ｐｘ、Ｐｙおよ
び速度Ｖｘ、Ｖｙに応じて補正用偏向器１１のＸ方向、
Ｙ方向の偏向量を制御する偏向器制御装置で、偏向器制
御装置９、１０には速度Ｖｘ、Ｖｙに対する位置Ｐｘ、
ＰｙにおけるＸ方向、Ｙ方向の偏向量の補正量のテーブ
ルがあらかじめ記憶されている。
概略図、図２は図１に示した電子線描画装置の一部を示
すブロック図である。図において、７、８はそれぞれス
テージ６のＸ、Ｙ方向の位置Ｐｘ、Ｐｙおよび速度Ｖ
ｘ、Ｖｙを検出する検出器、１２、１３はステージ６に
固定されたミラー（図示せず）で反射されたレーザ光か
らステージ６のＸ、Ｙ方向の位置Ｐｘ、Ｐｙを検出する
位置検出器、１４、１５は位置検出器１２、１３からの
位置Ｐｘ、Ｐｙの信号を２．５６μｓだけ遅延させる遅
延回路、１６、１７は位置検出器１２、１３からの位置
Ｐｘ、Ｐｙの信号と遅延回路１６からの遅延信号とから
速度Ｖｘ、Ｖｙを演算する速度演算器で、位置検出器１
２、１３、遅延回路１４、１５、速度演算器１６、１７
により速度と位置の検出器７、８が構成されている。１
１は描画用偏向器３と対物レンズ５との間に設けられた
静電形の補正用偏向器、９、１０は位置Ｐｘ、Ｐｙおよ
び速度Ｖｘ、Ｖｙに応じて補正用偏向器１１のＸ方向、
Ｙ方向の偏向量を制御する偏向器制御装置で、偏向器制
御装置９、１０には速度Ｖｘ、Ｖｙに対する位置Ｐｘ、
ＰｙにおけるＸ方向、Ｙ方向の偏向量の補正量のテーブ
ルがあらかじめ記憶されている。
【００１６】つぎに、図３により速度Ｖｘ、Ｖｙに対す
る位置Ｐｘ、ＰｙにおけるＸ方向、Ｙ方向の偏向量の補
正量のテーブルの作成方法について説明する。まず、ス
テージ６に試料を載置し、ステージ６をほぼ０の速度で
Ｘ方向に移動し、試料上に１００メッシュの第１の格子
パタンを描画する。つぎに、ステージ６を１０ｍｍ／ｓ
の速度でＸ方向に移動し、同一試料上に同様の１００メ
ッシュの第２の格子パタンを描画する。つぎに、第１の
格子パタンの交差点に対する第２の格子パタンの交差点
のずれ量すなわちステージ６を１０ｍｍ／ｓの速度でＸ
方向に移動したときの位置Ｐｘ、ＰｙにおけるＸ方向、
Ｙ方向の偏向量の補正量を検出する。つぎに、上述と同
様にして、ステージ６を１０ｍｍ／ｓの速度でＹ方向に
移動したときの位置Ｐｘ、ＰｙにおけるＸ方向、Ｙ方向
の偏向量の補正量を検出する。さらに、上述と同様にし
て、ステージ６を２０ｍｍ／ｓ、４０ｍｍ／ｓ、８０ｍ
ｍ／ｓ、１６０ｍｍ／ｓの速度でＸ方向、Ｙ方向に移動
したときの位置Ｐｘ、ＰｙにおけるＸ方向、Ｙ方向の偏
向量の補正量を検出する。つぎに、これらの検出値に基
づいて、速度Ｖｘ、Ｖｙに対する位置Ｐｘ、Ｐｙにおけ
るＸ方向の偏向量の補正量のテーブルおよび速度Ｖｘ、
Ｖｙに対する位置Ｐｘ、ＰｙにおけるＹ方向の偏向量の
補正量のテーブルを作成する。
る位置Ｐｘ、ＰｙにおけるＸ方向、Ｙ方向の偏向量の補
正量のテーブルの作成方法について説明する。まず、ス
テージ６に試料を載置し、ステージ６をほぼ０の速度で
Ｘ方向に移動し、試料上に１００メッシュの第１の格子
パタンを描画する。つぎに、ステージ６を１０ｍｍ／ｓ
の速度でＸ方向に移動し、同一試料上に同様の１００メ
ッシュの第２の格子パタンを描画する。つぎに、第１の
格子パタンの交差点に対する第２の格子パタンの交差点
のずれ量すなわちステージ６を１０ｍｍ／ｓの速度でＸ
方向に移動したときの位置Ｐｘ、ＰｙにおけるＸ方向、
Ｙ方向の偏向量の補正量を検出する。つぎに、上述と同
様にして、ステージ６を１０ｍｍ／ｓの速度でＹ方向に
移動したときの位置Ｐｘ、ＰｙにおけるＸ方向、Ｙ方向
の偏向量の補正量を検出する。さらに、上述と同様にし
て、ステージ６を２０ｍｍ／ｓ、４０ｍｍ／ｓ、８０ｍ
ｍ／ｓ、１６０ｍｍ／ｓの速度でＸ方向、Ｙ方向に移動
したときの位置Ｐｘ、ＰｙにおけるＸ方向、Ｙ方向の偏
向量の補正量を検出する。つぎに、これらの検出値に基
づいて、速度Ｖｘ、Ｖｙに対する位置Ｐｘ、Ｐｙにおけ
るＸ方向の偏向量の補正量のテーブルおよび速度Ｖｘ、
Ｖｙに対する位置Ｐｘ、ＰｙにおけるＹ方向の偏向量の
補正量のテーブルを作成する。
【００１７】図１、図２に示した電子線描画装置におい
ては、試料が載置されたステージ６を移動するととも
に、電子線２を描画用偏向器３で偏向して、試料上にパ
ターンを描画するときに、電子線２の偏向量は補正用偏
向器１１により位置Ｐｘ、Ｐｙ、速度Ｖｘ、Ｖｙに応じ
て補正される。
ては、試料が載置されたステージ６を移動するととも
に、電子線２を描画用偏向器３で偏向して、試料上にパ
ターンを描画するときに、電子線２の偏向量は補正用偏
向器１１により位置Ｐｘ、Ｐｙ、速度Ｖｘ、Ｖｙに応じ
て補正される。
【００１８】このような電子線描画装置においては、対
物レンズ５の直径を大きくし、ステ−ジ６の内部に渦電
流が発生し、この渦電流によって発生する磁場により、
電子線２の軌道が曲げられたとしても、電子線２の照射
位置誤差に応じて電子線の偏向量を補正することができ
るから、高速にかつ高精度に描画を行なうことができ
る。
物レンズ５の直径を大きくし、ステ−ジ６の内部に渦電
流が発生し、この渦電流によって発生する磁場により、
電子線２の軌道が曲げられたとしても、電子線２の照射
位置誤差に応じて電子線の偏向量を補正することができ
るから、高速にかつ高精度に描画を行なうことができ
る。
【００１９】図４はこの発明に係る他の電子線描画装置
の一部を示すブロック図である。図において、１８、１
９は位置Ｐｘ、Ｐｙおよび速度Ｖｙに応じて補正用偏向
器１１のＸ方向、Ｙ方向の偏向量を制御する偏向器制御
装置で、偏向器制御装置１８、１９には速度Ｖｙに対す
る位置Ｐｘ、ＰｙにおけるＸ方向、Ｙ方向の偏向量の補
正量のテーブルがあらかじめ記憶されている。そして、
この電子線描画装置においては、ステージ６をＹ方向に
移動しているときにのみ描画を行ない、ステージ６をＸ
方向に移動しているときには、描画を行なわない。
の一部を示すブロック図である。図において、１８、１
９は位置Ｐｘ、Ｐｙおよび速度Ｖｙに応じて補正用偏向
器１１のＸ方向、Ｙ方向の偏向量を制御する偏向器制御
装置で、偏向器制御装置１８、１９には速度Ｖｙに対す
る位置Ｐｘ、ＰｙにおけるＸ方向、Ｙ方向の偏向量の補
正量のテーブルがあらかじめ記憶されている。そして、
この電子線描画装置においては、ステージ６をＹ方向に
移動しているときにのみ描画を行ない、ステージ６をＸ
方向に移動しているときには、描画を行なわない。
【００２０】この電子線描画装置においては、偏向器制
御装置１８、１９の記憶容量が偏向器制御装置９、１０
の記憶容量と等しい場合には、偏向器制御装置１８、１
９に記憶させるたテーブルを偏向器制御装置９、１０に
記憶させたテーブルよりも詳細にすることができるか
ら、図１、図２に示した電子線描画装置よりも正確に補
正することができるので、さらに高精度に描画を行なう
ことができる。
御装置１８、１９の記憶容量が偏向器制御装置９、１０
の記憶容量と等しい場合には、偏向器制御装置１８、１
９に記憶させるたテーブルを偏向器制御装置９、１０に
記憶させたテーブルよりも詳細にすることができるか
ら、図１、図２に示した電子線描画装置よりも正確に補
正することができるので、さらに高精度に描画を行なう
ことができる。
【００２１】図５はこの発明に係る他の電子線描画装置
の一部を示すブロック図である。図において、２０、２
１は速度Ｖｙに応じて補正用偏向器１１のＸ方向、Ｙ方
向の偏向量を制御する偏向器制御装置で、偏向器制御装
置２０、２１には速度Ｖｙに対するＸ方向、Ｙ方向の偏
向量の補正量のテーブルがあらかじめ記憶されている。
そして、この電子線描画装置においては、ステージ６を
Ｙ方向に移動しているときにのみ描画を行ない、ステー
ジ６をＸ方向に移動しているときには、描画を行なわ
ず、またステージ６の物質的構成が位置Ｐｘ、Ｐｙに対
して均質である。
の一部を示すブロック図である。図において、２０、２
１は速度Ｖｙに応じて補正用偏向器１１のＸ方向、Ｙ方
向の偏向量を制御する偏向器制御装置で、偏向器制御装
置２０、２１には速度Ｖｙに対するＸ方向、Ｙ方向の偏
向量の補正量のテーブルがあらかじめ記憶されている。
そして、この電子線描画装置においては、ステージ６を
Ｙ方向に移動しているときにのみ描画を行ない、ステー
ジ６をＸ方向に移動しているときには、描画を行なわ
ず、またステージ６の物質的構成が位置Ｐｘ、Ｐｙに対
して均質である。
【００２２】この電子線描画装置においては、偏向器制
御装置２０、２１の記憶容量が偏向器制御装置１８、１
９の記憶容量と等しい場合には、偏向器制御装置２０、
２１に記憶させるたテーブルを偏向器制御装置１８、１
９に記憶させたテーブルよりもさらに詳細にすることが
できるから、図４に示した電子線描画装置よりも正確に
補正することができるので、極めて高精度に描画を行な
うことができる。
御装置２０、２１の記憶容量が偏向器制御装置１８、１
９の記憶容量と等しい場合には、偏向器制御装置２０、
２１に記憶させるたテーブルを偏向器制御装置１８、１
９に記憶させたテーブルよりもさらに詳細にすることが
できるから、図４に示した電子線描画装置よりも正確に
補正することができるので、極めて高精度に描画を行な
うことができる。
【００２３】図６はこの発明に係る他の電子線描画装置
を示す概略図である。図において、２２は描画用偏向器
３を制御する偏向器制御装置で、偏向器制御装置２２に
は速度Ｖｘ、Ｖｙに対する位置Ｐｘ、ＰｙにおけるＸ方
向、Ｙ方向の偏向量の補正量のテーブルがあらかじめ記
憶されており、偏向器制御装置２２は描画信号と速度Ｖ
ｘ、Ｖｙに対する位置Ｐｘ、ＰｙにおけるＸ方向、Ｙ方
向の偏向量の補正量の信号とが重畳した信号により描画
用偏向器３を制御する。
を示す概略図である。図において、２２は描画用偏向器
３を制御する偏向器制御装置で、偏向器制御装置２２に
は速度Ｖｘ、Ｖｙに対する位置Ｐｘ、ＰｙにおけるＸ方
向、Ｙ方向の偏向量の補正量のテーブルがあらかじめ記
憶されており、偏向器制御装置２２は描画信号と速度Ｖ
ｘ、Ｖｙに対する位置Ｐｘ、ＰｙにおけるＸ方向、Ｙ方
向の偏向量の補正量の信号とが重畳した信号により描画
用偏向器３を制御する。
【００２４】この電子線描画装置においては、電子線２
の偏向量が描画用偏向器３において位置Ｐｘ、Ｐｙ、速
度Ｖｘ、Ｖｙに応じて補正される。
の偏向量が描画用偏向器３において位置Ｐｘ、Ｐｙ、速
度Ｖｘ、Ｖｙに応じて補正される。
【００２５】なお、上述実施例においては、電子線描画
装置について説明したが、パタン検査装置、動作試験装
置等の他の電子線応用装置にもこの発明を適用すること
ができる。
装置について説明したが、パタン検査装置、動作試験装
置等の他の電子線応用装置にもこの発明を適用すること
ができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る電
子線応用装置においては、対物レンズの直径を大きくし
たとしても、電子線の照射位置誤差に応じて電子線の偏
向量を補正することができるから、高速にかつ高精度に
描画、検出、試験等を行なうことができる。このよう
に、この発明の効果は顕著である。
子線応用装置においては、対物レンズの直径を大きくし
たとしても、電子線の照射位置誤差に応じて電子線の偏
向量を補正することができるから、高速にかつ高精度に
描画、検出、試験等を行なうことができる。このよう
に、この発明の効果は顕著である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る電子線描画装置を示す概略図で
ある。
ある。
【図２】図１に示した電子線描画装置の一部を示すブロ
ックである。
ックである。
【図３】偏向量の補正量のテーブルの作成方法を説明す
るための図である。
るための図である。
【図４】この発明に係る他の電子線描画装置の一部を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図５】この発明に係る他の電子線描画装置の一部を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図６】この発明に係る他の電子線描画装置を示す概略
図である。
図である。
【図７】従来の連続移動方式の電子線描画装置を示す概
略図である。
略図である。
【図８】図７に示した電子線描画装置の一部を示す概略
斜視図である。
斜視図である。
１…電子源 ２…電子線 ３…描画用偏向器 ５…対物レンズ ６…ステージ ７、８…検出器 ９、１０…偏向器制御装置 １１…補正用偏向器 １８〜２１…偏向器制御装置 ２２…偏向器制御装置
Claims (4)
- 【請求項１】電子源と、上記電子源から放射された電子
線を絞る対物レンズと、試料が載置されるステージとを
有する連続移動方式の電子線応用装置において、上記電
子線を偏向する偏向器と、上記ステージの速度を検出す
る検出器と、上記検出器によって検出された上記ステー
ジの速度に応じて上記偏向器の偏向量を制御する偏向器
制御装置とを具備することを特徴とする電子線応用装
置。 - 【請求項２】上記検出器として上記ステージの位置およ
び速度を検出するものを用い、上記偏向器制御装置とし
て上記検出器によって検出されたステージの位置および
速度に応じて上記偏向器の偏向量を制御するものを用い
たことを特徴とする請求項１に記載の電子線応用装置。 - 【請求項３】上記偏向器制御装置として上記ステージの
位置および速度に対する上記偏向器の偏向量のテーブル
を記憶しているものを用いたことを特徴とする請求項２
に記載の電子線応用装置。 - 【請求項４】上記電子線応用装置が電子線描画装置であ
ることを特徴とする請求項１に記載の電子線応用装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3247995A JPH0589815A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 電子線応用装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3247995A JPH0589815A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 電子線応用装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0589815A true JPH0589815A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17171628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3247995A Pending JPH0589815A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 電子線応用装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0589815A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6930756B2 (en) | 2002-07-18 | 2005-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| US7057193B2 (en) | 2002-08-30 | 2006-06-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| JP2008277373A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2010219283A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Nuflare Technology Inc | 校正ブロックの製造方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| DE102015104510A1 (de) | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Elektrophotographisches photosensitives Element, Verfahren zum Herstellen des elektrophotographischen photosensitiven Elements, Prozesskartusche und elektrophotographischer Apparat |
| DE102015104495A1 (de) | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Elektrophotographisches photoempfindliches element, verfahren zur herstellung eines elektrophotographischen photoempfindlichen elements, prozesskartusche und elektrophotographischer apparat |
-
1991
- 1991-09-26 JP JP3247995A patent/JPH0589815A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6930756B2 (en) | 2002-07-18 | 2005-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| US7057193B2 (en) | 2002-08-30 | 2006-06-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| JP2008277373A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2010219283A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Nuflare Technology Inc | 校正ブロックの製造方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| DE102015104510A1 (de) | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Elektrophotographisches photosensitives Element, Verfahren zum Herstellen des elektrophotographischen photosensitiven Elements, Prozesskartusche und elektrophotographischer Apparat |
| DE102015104495A1 (de) | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Elektrophotographisches photoempfindliches element, verfahren zur herstellung eines elektrophotographischen photoempfindlichen elements, prozesskartusche und elektrophotographischer apparat |
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