JPH0443814Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0443814Y2 JPH0443814Y2 JP16527386U JP16527386U JPH0443814Y2 JP H0443814 Y2 JPH0443814 Y2 JP H0443814Y2 JP 16527386 U JP16527386 U JP 16527386U JP 16527386 U JP16527386 U JP 16527386U JP H0443814 Y2 JPH0443814 Y2 JP H0443814Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical disk
- standard sample
- sample pieces
- film surface
- clamp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 61
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、レーザ光の反射率や透過率、あるい
は板厚など、光デイスクの物理的な諸特性を測定
する光デイスク検査装置において、これらの測定
系の校正に使用される基準板の改良に関するもの
である。
は板厚など、光デイスクの物理的な諸特性を測定
する光デイスク検査装置において、これらの測定
系の校正に使用される基準板の改良に関するもの
である。
一般に、光デイスク検査装置においては、光デ
イスクの諸特性を測定する前に、その測定系の校
正が行なわれる。また、この校正には種々の方法
があるが、値のわかつている標準試料を使用して
校正を行なうのが、検出器や電気回路などを含め
た測定系全体を一度に校正することができ、便利
である。
イスクの諸特性を測定する前に、その測定系の校
正が行なわれる。また、この校正には種々の方法
があるが、値のわかつている標準試料を使用して
校正を行なうのが、検出器や電気回路などを含め
た測定系全体を一度に校正することができ、便利
である。
しかしながら、このような校正方法では、数点
の測定点から補間して校正曲線を求めるために、
数種類の標準試料を用意して、これらの標準試料
を順次光学ヘツドの上部(レーザ光の照射位置)
に正確にセツトしなければならず、標準試料の交
換操作が容易ではない。
の測定点から補間して校正曲線を求めるために、
数種類の標準試料を用意して、これらの標準試料
を順次光学ヘツドの上部(レーザ光の照射位置)
に正確にセツトしなければならず、標準試料の交
換操作が容易ではない。
本考案は、上記のような従来装置の欠点をなく
し、複数の標準試料を順次光学ヘツドの上部に正
確にセツトすることのできる光デイスク検査装置
校正用基準板を簡単な構成により実現することを
目的としたものである。
し、複数の標準試料を順次光学ヘツドの上部に正
確にセツトすることのできる光デイスク検査装置
校正用基準板を簡単な構成により実現することを
目的としたものである。
本考案の光デイスク検査装置校正用基準板は、
所定の基準値に値付けされた複数の標準試料片
と、光デイスクのクランプ機構により共通にクラ
ンプされるクランプ部を有し前記複数の標準試料
片を同一円周上に配置するとともにこれら複数の
標準試料片をその反射膜面または透過膜面の位置
およびクランプ面からの高さが前記クランプ機構
にクランプされる通常の光デイスクの記録膜面と
一致するように保持する基板部とを具備するよう
にしたものである。
所定の基準値に値付けされた複数の標準試料片
と、光デイスクのクランプ機構により共通にクラ
ンプされるクランプ部を有し前記複数の標準試料
片を同一円周上に配置するとともにこれら複数の
標準試料片をその反射膜面または透過膜面の位置
およびクランプ面からの高さが前記クランプ機構
にクランプされる通常の光デイスクの記録膜面と
一致するように保持する基板部とを具備するよう
にしたものである。
このように、複数の標準試料片を基板部の同一
円周上に配置するとともに、、この基板部に光デ
イスクと同様のクランプ部を設けるようにする
と、複数の標準試料片を特別の治具などを使用す
ることなく光デイスクと共通のクランプ機構によ
りクランプすることができるとともに、基板部を
回転させるだけで、任意の標準試料片を光学ヘツ
ドの上部にセツトすることができる。また、複数
の標準試料片をその反射膜面または透過膜面の位
置およびクランプ面からの高さが前記クランプ機
構にクランプされる通常の光デイスクの記録膜面
と一致するように保持すると、各標準試料片が常
に光デイスクと同じ高さに保持されるようにな
り、実際の測定状態により近い条件で校正を行な
うことができる。さらに、各標準試料片の面積は
小さいので、均一性に優れている。
円周上に配置するとともに、、この基板部に光デ
イスクと同様のクランプ部を設けるようにする
と、複数の標準試料片を特別の治具などを使用す
ることなく光デイスクと共通のクランプ機構によ
りクランプすることができるとともに、基板部を
回転させるだけで、任意の標準試料片を光学ヘツ
ドの上部にセツトすることができる。また、複数
の標準試料片をその反射膜面または透過膜面の位
置およびクランプ面からの高さが前記クランプ機
構にクランプされる通常の光デイスクの記録膜面
と一致するように保持すると、各標準試料片が常
に光デイスクと同じ高さに保持されるようにな
り、実際の測定状態により近い条件で校正を行な
うことができる。さらに、各標準試料片の面積は
小さいので、均一性に優れている。
以下、図面を用いて、本考案の光デイスク検査
装置校正用基準板を説明する。
装置校正用基準板を説明する。
第1図は本考案の光デイスク検査装置校正用基
準板の一実施例を示す平面図、第2図はその断面
図である。図において、S0〜S11はそれぞれ
所定の基準値に値付けされた標準試料片、1は標
準試料片S0〜S11を同一円周上に保持する基
板部、2は基板部1の中心に設けられたクランプ
部、21はクランプ部2において光デイスクを回
転させるターンテーブルに当接するクランプ面で
ある。標準試料片S0〜S11は例えばガラス基
板により形成されており、一方の面には反射膜ま
たは透過膜3が被着されている。また、この基準
板が反射率または透過率に対するものであれば、
その板厚tは通常の光デイスクと等しく選ばれて
おり、板厚に対するものであれば、その値付けに
応じた値となつている。さらに、図に示すよう
に、基板部1は標準試料片S0〜S11をその反
射膜面または透過膜面3側を上にした状態で、し
かもその膜面のクランプ面21からの高さが通常
の光デイスクにおけるクランプ時の記録膜面の高
さと一致するように保持している。例えば、光デ
イスクがその基板部分を直接クランプされる形式
のものであれば、記録膜面の高さはその板厚と等
しくなるので、標準試料片S0〜S11は図に示
す如く、その底面がクランプ面21と一致するよ
うに保持される。また、光デイスクがクランプ用
のハブを有するものであれば、標準試料片S0〜
S11の高さも、そのハブの厚みを考慮して決定
される。
準板の一実施例を示す平面図、第2図はその断面
図である。図において、S0〜S11はそれぞれ
所定の基準値に値付けされた標準試料片、1は標
準試料片S0〜S11を同一円周上に保持する基
板部、2は基板部1の中心に設けられたクランプ
部、21はクランプ部2において光デイスクを回
転させるターンテーブルに当接するクランプ面で
ある。標準試料片S0〜S11は例えばガラス基
板により形成されており、一方の面には反射膜ま
たは透過膜3が被着されている。また、この基準
板が反射率または透過率に対するものであれば、
その板厚tは通常の光デイスクと等しく選ばれて
おり、板厚に対するものであれば、その値付けに
応じた値となつている。さらに、図に示すよう
に、基板部1は標準試料片S0〜S11をその反
射膜面または透過膜面3側を上にした状態で、し
かもその膜面のクランプ面21からの高さが通常
の光デイスクにおけるクランプ時の記録膜面の高
さと一致するように保持している。例えば、光デ
イスクがその基板部分を直接クランプされる形式
のものであれば、記録膜面の高さはその板厚と等
しくなるので、標準試料片S0〜S11は図に示
す如く、その底面がクランプ面21と一致するよ
うに保持される。また、光デイスクがクランプ用
のハブを有するものであれば、標準試料片S0〜
S11の高さも、そのハブの厚みを考慮して決定
される。
このように構成された基準板においては、基板
部1をクランプ部2を利用して光デイスク検査装
置のクランプ機構に装着するだけで、特別の治具
などを使用することなく、任意の標準試料片S0
〜S11を光学ヘツドの上部にセツトすることが
できる。また、各標準試料片S0〜S11の面積
は小さいので、均一性に優れている。なお、反射
率が0%の位置および透過率が100%の位置は、
試料片を設けず、素通しにしている。
部1をクランプ部2を利用して光デイスク検査装
置のクランプ機構に装着するだけで、特別の治具
などを使用することなく、任意の標準試料片S0
〜S11を光学ヘツドの上部にセツトすることが
できる。また、各標準試料片S0〜S11の面積
は小さいので、均一性に優れている。なお、反射
率が0%の位置および透過率が100%の位置は、
試料片を設けず、素通しにしている。
第3図は本考案の基準板を光デイスク検査装置
に装着した状態を示す構成図である。図は光デイ
スクの反射率測定における校正動作時を例示した
ものである。図において、前記第1図および第2
図と同様のものは同一符号を付して示す。4は光
デイスク検査装置における光デイスクのクランプ
機構、41はそのターンテーブル、5は光学ヘツ
ドである。光学ヘツド5は、一定光量のレーザ光
を出射するレーザ光源51、光アイソレータ5
2、レーザ光源51から出射されたレーザ光を収
束させ、標準試料片S0〜S11の反射面3上に
焦点を結ばせる対物レンズ53、標準試料片S0
〜S11からの反射光を光アイソレータ52を介
して検出するフオトセンサ54、フオトセンサ5
4の出力を増幅するアンプ55などにより構成さ
れている。
に装着した状態を示す構成図である。図は光デイ
スクの反射率測定における校正動作時を例示した
ものである。図において、前記第1図および第2
図と同様のものは同一符号を付して示す。4は光
デイスク検査装置における光デイスクのクランプ
機構、41はそのターンテーブル、5は光学ヘツ
ドである。光学ヘツド5は、一定光量のレーザ光
を出射するレーザ光源51、光アイソレータ5
2、レーザ光源51から出射されたレーザ光を収
束させ、標準試料片S0〜S11の反射面3上に
焦点を結ばせる対物レンズ53、標準試料片S0
〜S11からの反射光を光アイソレータ52を介
して検出するフオトセンサ54、フオトセンサ5
4の出力を増幅するアンプ55などにより構成さ
れている。
このような校正動作時においては、基板部1を
回転させるだけで、任意の標準試料片S0〜S1
1を光学ヘツド5の上部にセツトすることができ
る。したがつて、この時の標準試料片S0〜S1
1の値と測定出力SOとの関係をプロツトし、この
測定点間を補間すれば、対物レンズ53などの光
学系やフオトセンサ54、アンプ55などの電気
回路系を含めた測定系全体の校正曲線を一度に得
ることができる。また、各標準試料片S0〜S1
1における反射面の高さが通常の光デイスクにお
ける記録膜面の高さと等しく形成されているの
で、光学ヘツド5と反射膜3との距離が光デイス
クの測定時と等しくなり、フオーカスサーボの状
態など、実際の測定時に近い条件で校正動作を行
なうことができる。
回転させるだけで、任意の標準試料片S0〜S1
1を光学ヘツド5の上部にセツトすることができ
る。したがつて、この時の標準試料片S0〜S1
1の値と測定出力SOとの関係をプロツトし、この
測定点間を補間すれば、対物レンズ53などの光
学系やフオトセンサ54、アンプ55などの電気
回路系を含めた測定系全体の校正曲線を一度に得
ることができる。また、各標準試料片S0〜S1
1における反射面の高さが通常の光デイスクにお
ける記録膜面の高さと等しく形成されているの
で、光学ヘツド5と反射膜3との距離が光デイス
クの測定時と等しくなり、フオーカスサーボの状
態など、実際の測定時に近い条件で校正動作を行
なうことができる。
なお、上記の説明においては、光デイスクの反
射率測定時の校正動作を例示したが、測定項目が
変更された場合にも、基準板の装着方法は変ら
ず、所望の標準試料片S0〜S11を容易にセツ
トすることができる。また、光学ヘツド5として
は、光デイスクの下側からレーザ光を照射する形
式のものを例示したが、反対に、光デイスクの上
側からレーザ光を照射するものも存在する。この
ような場合には、光デイスクの記録膜面の位置は
デイスクの下側となるので、基準板における反射
膜面または透過膜面の位置および高さもこれに応
じて変更される。
射率測定時の校正動作を例示したが、測定項目が
変更された場合にも、基準板の装着方法は変ら
ず、所望の標準試料片S0〜S11を容易にセツ
トすることができる。また、光学ヘツド5として
は、光デイスクの下側からレーザ光を照射する形
式のものを例示したが、反対に、光デイスクの上
側からレーザ光を照射するものも存在する。この
ような場合には、光デイスクの記録膜面の位置は
デイスクの下側となるので、基準板における反射
膜面または透過膜面の位置および高さもこれに応
じて変更される。
以上説明したように、本考案の光デイスク検査
装置校正用基準板では、所定の基準値に値付けさ
れた複数の標準試料片と、光デイスクのクランプ
機構により共通にクランプされるクランプ部を有
し前記複数の標準試料片を同一円周上に配置する
とともにこれら複数の標準試料片をその反射膜面
または透過膜面の位置およびクランプ面からの高
さが前記クランプ機構にクランプされる通常の光
デイスクの記録膜面と一致するように保持する基
板部とを具備するようにしているので、複数の標
準試料片を特別の治具などを使用することなく光
デイスクと共通のクランプ機構によりクランプす
ることができ、基板部を回転させるだけで、任意
の標準試料片を順次光学ヘツドの上部に正確にセ
ツトすることのできる光デイスク検査装置校正用
基準板を簡単な構成により実現することができ
る。
装置校正用基準板では、所定の基準値に値付けさ
れた複数の標準試料片と、光デイスクのクランプ
機構により共通にクランプされるクランプ部を有
し前記複数の標準試料片を同一円周上に配置する
とともにこれら複数の標準試料片をその反射膜面
または透過膜面の位置およびクランプ面からの高
さが前記クランプ機構にクランプされる通常の光
デイスクの記録膜面と一致するように保持する基
板部とを具備するようにしているので、複数の標
準試料片を特別の治具などを使用することなく光
デイスクと共通のクランプ機構によりクランプす
ることができ、基板部を回転させるだけで、任意
の標準試料片を順次光学ヘツドの上部に正確にセ
ツトすることのできる光デイスク検査装置校正用
基準板を簡単な構成により実現することができ
る。
第1図および第2図は本考案の光デイスク検査
装置校正用基準板の一実施例を示す構成図、第3
図は本考案の光デイスク検査装置校正用基準板を
光デイスク検査装置に装着した状態の一例を示す
構成図である。 S0〜S11……標準試料片、1……基板部、
2……クランプ部、3……反射膜、4……クラン
プ機構、5……光学ヘツド。
装置校正用基準板の一実施例を示す構成図、第3
図は本考案の光デイスク検査装置校正用基準板を
光デイスク検査装置に装着した状態の一例を示す
構成図である。 S0〜S11……標準試料片、1……基板部、
2……クランプ部、3……反射膜、4……クラン
プ機構、5……光学ヘツド。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 所定の基準値に値付けされた複数の標準試料
片と、光デイスクのクランプ機構により共通に
クランプされるクランプ部を有し前記複数の標
準試料片を同一円周上に配置するとともにこれ
ら複数の標準試料片をその反射膜面または透過
膜面の位置およびクランプ面からの高さが前記
クランプ機構にクランプされる通常の光デイス
クの記録膜面と一致するように保持する基板部
とを具備してなる光デイスク検査装置校正用基
準板。 (2) 前記複数の標準試料片はそれぞれ所定の値付
けが行なわれているとともに、標準の光デイス
クと同じ板厚を有してなる前記実用新案登録請
求の範囲第1項記載の光デイスク検査装置校正
用基準板。 (3) 前記複数の標準試料片は板厚測定時の校正に
使用されるものであり、それぞれ所定の値付け
に応じた板厚を有するとともに、標準の光デイ
スクと同じ反射率を有してなる前記実用新案登
録請求の範囲第1項記載の光デイスク検査装置
校正用基準板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16527386U JPH0443814Y2 (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16527386U JPH0443814Y2 (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370065U JPS6370065U (ja) | 1988-05-11 |
| JPH0443814Y2 true JPH0443814Y2 (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=31095163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16527386U Expired JPH0443814Y2 (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0443814Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-10-28 JP JP16527386U patent/JPH0443814Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6370065U (ja) | 1988-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3364719B2 (ja) | 光学検査用のディスク、光学検査の処理方法、及び光学検査システム | |
| EP0152834A1 (en) | Apparatus for automatic measurement of stress in a transparent body by means of scattered light | |
| JPS603537A (ja) | ゴム・プラスチック用引張試験機 | |
| US3999866A (en) | Wafer test system with integrated calibration | |
| JPH0443814Y2 (ja) | ||
| JPH0443815Y2 (ja) | ||
| JP2505761Y2 (ja) | 光ディスク検査装置校正用基準板 | |
| JPH0626976Y2 (ja) | 光デイスク検査装置校正用基準板 | |
| JP4849709B2 (ja) | 平坦度等測定装置 | |
| US5044754A (en) | Apparatus and method for use in determining the optical transmission factor or density of a translucent element | |
| JPH0675035B2 (ja) | 反射率測定装置 | |
| JPH05149899A (ja) | 寸法変化測定器 | |
| JPH0663846B2 (ja) | 光ピツクアツプ装置 | |
| JPH03252513A (ja) | パラボラアンテナ面形状測定装置 | |
| JPH04246Y2 (ja) | ||
| US3738757A (en) | Refractometer | |
| JPS62284221A (ja) | 光デイスク用光学ヘツドのビ−ムスポツト径の測定方法 | |
| JPH0359404A (ja) | 光ビームの位置測定装置 | |
| JPH0510701A (ja) | 光デイスクダイヤルゲージ校正装置 | |
| JPS62293103A (ja) | 表面変位計測装置 | |
| JPS61150158A (ja) | タ−ンテ−ブル面と光ピツクアツプ光軸との垂直度調整方法 | |
| JPS63275057A (ja) | 光磁気情報検出装置 | |
| JPH0366737B2 (ja) | ||
| JPS62117151A (ja) | 光デイスク機械精度測定装置用較正デイスク | |
| JPH0684910B2 (ja) | 複屈折測定装置 |