JPH0444209A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPH0444209A JPH0444209A JP2149434A JP14943490A JPH0444209A JP H0444209 A JPH0444209 A JP H0444209A JP 2149434 A JP2149434 A JP 2149434A JP 14943490 A JP14943490 A JP 14943490A JP H0444209 A JPH0444209 A JP H0444209A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- reticle
- exposure
- alignment
- fine movement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、露光方法に関し、詳しくは、集積回路の製
造分野等で利用され、いわゆるステッパ等と呼ばれてい
る露光装置を用いる高精度な露光方法に関するものであ
る。
造分野等で利用され、いわゆるステッパ等と呼ばれてい
る露光装置を用いる高精度な露光方法に関するものであ
る。
超LSIの高集積化に伴って、現在ではハーフミクロン
級のパターン形成が要求されるようになってきており、
このようなパターン形成を能率的に行うには、露光方法
において、高速で行える超精密位置決め技術の実現が大
きな鍵を握っている現在の露光装置で主に用いられてい
る位置決め方法としては、ウェハ上のアライメントマー
クを計測して、この計測データをもとにショット中心位
置を算出し、レーザ干渉計等でウェハステージの位置決
めを行い、ウェハステージが目標の位置に停止した状態
で露光を行うようにしている。すなわち、目標位置と現
在位置との差を算出し、それに応じて適切な速度指令を
フィードバンクシステムを持つステージ駆動サーボ系に
出力する。そして、目標位置からの誤差量が所定の条件
を満たしたならば、ステージを停止させて露光を行うの
である。
級のパターン形成が要求されるようになってきており、
このようなパターン形成を能率的に行うには、露光方法
において、高速で行える超精密位置決め技術の実現が大
きな鍵を握っている現在の露光装置で主に用いられてい
る位置決め方法としては、ウェハ上のアライメントマー
クを計測して、この計測データをもとにショット中心位
置を算出し、レーザ干渉計等でウェハステージの位置決
めを行い、ウェハステージが目標の位置に停止した状態
で露光を行うようにしている。すなわち、目標位置と現
在位置との差を算出し、それに応じて適切な速度指令を
フィードバンクシステムを持つステージ駆動サーボ系に
出力する。そして、目標位置からの誤差量が所定の条件
を満たしたならば、ステージを停止させて露光を行うの
である。
ところが、上記した従来の位置決め方法では、ステージ
が停止するまでの時間が長くかかるために作業の高速化
が阻害されていると同時に、微視的にはステージを完全
に停止させることが困難であるためにウェハとレチクル
との重ね合わせ精度向上に限界があった。
が停止するまでの時間が長くかかるために作業の高速化
が阻害されていると同時に、微視的にはステージを完全
に停止させることが困難であるためにウェハとレチクル
との重ね合わせ精度向上に限界があった。
第9図は、従来の位置決め方法において、位置決めに要
する時間とステージの移動速度との関係を示している(
超精密位置決め技術専門委員会前刷集、研究例会71m
89−03:精密工学会)。ウェハステージは、移動開
始後約0.1秒で最高速度100 m/secに達し、
目標位置の手前的5I1mで急激な減速に入る。この際
、機械要素の非線形性を考慮してウェハステージを最適
に移動させたとしても、位置決めの最終段階で残留振動
が励起されてしまう。位置決めに要する時間の中で、こ
の残留振動を含めてウェハステージが停止するまでの時
間が非常に大きな割合を占めていることが判るつぎに、
第10図は、ステージの停止状態における微視的なステ
ージ位置を、横軸に時間、縦軸にステージ位置をとって
示している。図から明らかなように、ステージをサーボ
により停止させたとしても、微視的に見ると、位置決め
を行うレーザ測長値のゆらぎ、あるいは、外部振動から
励起される振動等で数10n閣のオーダーでステージは
揺らいでおり、完全な停止状態とは言えない。
する時間とステージの移動速度との関係を示している(
超精密位置決め技術専門委員会前刷集、研究例会71m
89−03:精密工学会)。ウェハステージは、移動開
始後約0.1秒で最高速度100 m/secに達し、
目標位置の手前的5I1mで急激な減速に入る。この際
、機械要素の非線形性を考慮してウェハステージを最適
に移動させたとしても、位置決めの最終段階で残留振動
が励起されてしまう。位置決めに要する時間の中で、こ
の残留振動を含めてウェハステージが停止するまでの時
間が非常に大きな割合を占めていることが判るつぎに、
第10図は、ステージの停止状態における微視的なステ
ージ位置を、横軸に時間、縦軸にステージ位置をとって
示している。図から明らかなように、ステージをサーボ
により停止させたとしても、微視的に見ると、位置決め
を行うレーザ測長値のゆらぎ、あるいは、外部振動から
励起される振動等で数10n閣のオーダーでステージは
揺らいでおり、完全な停止状態とは言えない。
以上のことから、従来の位置決め方法では、ウェハとレ
チクルの重ね合わせ精度は、前記揺らぎ量に相当する誤
差を含んでおり、この誤差以下の精度向上は不可能であ
った。また、ステージすなわちウェハが停止するまでの
時間が長くかかるためスループントの向上にも限界があ
った。そのため、次世代の半導体製造に要求される位置
決め精度およびスループントには充分に対応することが
出来ないという問題を有していた。
チクルの重ね合わせ精度は、前記揺らぎ量に相当する誤
差を含んでおり、この誤差以下の精度向上は不可能であ
った。また、ステージすなわちウェハが停止するまでの
時間が長くかかるためスループントの向上にも限界があ
った。そのため、次世代の半導体製造に要求される位置
決め精度およびスループントには充分に対応することが
出来ないという問題を有していた。
そこで、この発明の課題は、ウェハとレチクルの位置決
め精度を向上させるとともに位置決めに要する時間を短
縮させて、高精度かつ高スルーブツトを実現することの
できる露光方法を提供することにある−0 〔課題を解決するための手段〕 上記課題を解決するこの発明のうち、請求項1記載の露
光方法は、アライメントマークおよび露光パターンが描
かれたレチクルに複数のパルス発光を照射し、アライメ
ントマークが設けられたウェハにレチクルを投影して所
定の露光量を与える露光方法であり、ウェハとレチクル
を相対的に、水平面内で直交する2方向に周期的に微動
させ、かつ、両方向の微動の位相差を周期的に変化させ
ながら、露光位置におけるウェハとレチクルの重ね合わ
せ状態を前記アライメントマークをもとにアライメント
手段で検出し、ウェハとレチクルのアライメントマーク
が合致した瞬間に前記パルス発光を照射する。
め精度を向上させるとともに位置決めに要する時間を短
縮させて、高精度かつ高スルーブツトを実現することの
できる露光方法を提供することにある−0 〔課題を解決するための手段〕 上記課題を解決するこの発明のうち、請求項1記載の露
光方法は、アライメントマークおよび露光パターンが描
かれたレチクルに複数のパルス発光を照射し、アライメ
ントマークが設けられたウェハにレチクルを投影して所
定の露光量を与える露光方法であり、ウェハとレチクル
を相対的に、水平面内で直交する2方向に周期的に微動
させ、かつ、両方向の微動の位相差を周期的に変化させ
ながら、露光位置におけるウェハとレチクルの重ね合わ
せ状態を前記アライメントマークをもとにアライメント
手段で検出し、ウェハとレチクルのアライメントマーク
が合致した瞬間に前記パルス発光を照射する。
また、請求項2記載の露光方法は、アライメントマーク
および露光パターンが描かれたレチクルに複数のパルス
発光を照射し、アライメントマークが設けられたウェハ
にレチクルを投影して所定の露光量を与える露光方法で
あり、ウェハとレチクルを相対的にζ水平面内で直交す
る2方向に周期的に微動させ、かつ、両方向の微動の位
相差を周期的に変化させながら、露光位置におけるウェ
ハとレチクルの重ね合わせ状態を前記アライメントマー
クをもとにアライメント手段で検出してウェハとレチク
ルのアライメントマークが合致したときの微動原点から
の距離を求め、ついで、この微動原点からの距離を振幅
とし、かつ、位相差を一定にして、前記直交する2方向
に周期的にウェハを微動させながら、ウェハとレチクル
のアライメントマークが合致した瞬間に前記パルス発光
を照射する。
および露光パターンが描かれたレチクルに複数のパルス
発光を照射し、アライメントマークが設けられたウェハ
にレチクルを投影して所定の露光量を与える露光方法で
あり、ウェハとレチクルを相対的にζ水平面内で直交す
る2方向に周期的に微動させ、かつ、両方向の微動の位
相差を周期的に変化させながら、露光位置におけるウェ
ハとレチクルの重ね合わせ状態を前記アライメントマー
クをもとにアライメント手段で検出してウェハとレチク
ルのアライメントマークが合致したときの微動原点から
の距離を求め、ついで、この微動原点からの距離を振幅
とし、かつ、位相差を一定にして、前記直交する2方向
に周期的にウェハを微動させながら、ウェハとレチクル
のアライメントマークが合致した瞬間に前記パルス発光
を照射する。
この発明では、ウェハを目標位置に停止させてから露光
を行うのでなく、ウェハがレチクルに対して相対的に目
標位置付近まで移動した段階で、ウェハまたはレチクル
を目標位置付近で周期的に微動させながら、ウェハのア
ライメントマークとレチクルのアライメントマークが合
致した瞬間にパルス発光を照射して露光を行わせる。こ
のようなパルス発光による露光をウェハまたはレチクル
の周期的な微動に合わせて複数回繰り返せば、ウェハに
所定の露光光量を与えることができる。このときの個々
の露光時間が、ウェハまたはレチクルの微動速度に比べ
て充分に短ければ、露光中ウェハは常に目標位置で静止
していると見なすことができる。
を行うのでなく、ウェハがレチクルに対して相対的に目
標位置付近まで移動した段階で、ウェハまたはレチクル
を目標位置付近で周期的に微動させながら、ウェハのア
ライメントマークとレチクルのアライメントマークが合
致した瞬間にパルス発光を照射して露光を行わせる。こ
のようなパルス発光による露光をウェハまたはレチクル
の周期的な微動に合わせて複数回繰り返せば、ウェハに
所定の露光光量を与えることができる。このときの個々
の露光時間が、ウェハまたはレチクルの微動速度に比べ
て充分に短ければ、露光中ウェハは常に目標位置で静止
していると見なすことができる。
その結果、この方法では、ウェハが目標位置に停止する
前の、従来は残留振動が生じていた状態の段階から露光
を開始することができるので、その分だけ位置決めに要
する時間が短縮できる。また、ウェハに外部振動やレー
ザ測定値の揺らぎによる停止位置の微動があっても、ウ
ェハが目標位置にある瞬間のみに露光が行われるので、
ウェハの位置決め精度は極めて正確になり、高精度な露
光が可能になる。
前の、従来は残留振動が生じていた状態の段階から露光
を開始することができるので、その分だけ位置決めに要
する時間が短縮できる。また、ウェハに外部振動やレー
ザ測定値の揺らぎによる停止位置の微動があっても、ウ
ェハが目標位置にある瞬間のみに露光が行われるので、
ウェハの位置決め精度は極めて正確になり、高精度な露
光が可能になる。
なお、ウェハのアライメントマークとレチクルのアライ
メントマークが合致した瞬間にパルス発光させるには、
ウェハのアライメントマークがレチクルのアライメント
マークを横切る瞬間、すなわちウェハとレチクルの重ね
合わせ誤差がゼロになるタイミングをアライメント手段
で検出し、この検出信号をパルス発光光源のトリガー信
号に用いてパルス発光させればよく、アライメント手段
による検出からパルス発光までの遅延時間は、ウェハま
たはレチクルの微動速度に比べれば充分に短いので、ウ
ェハが確実に目標位置にある間にパルス発光による露光
が行える。また、アライメント手段で検出されたウェハ
とレチクルの位置誤差から、一定時間のちのウェハの位
置を予測すれば、前記の遅延時間も全く関係なくなり、
ウェハが正確に目標位置に存在する瞬間に確実にパルス
発光を行わせることも可能である。
メントマークが合致した瞬間にパルス発光させるには、
ウェハのアライメントマークがレチクルのアライメント
マークを横切る瞬間、すなわちウェハとレチクルの重ね
合わせ誤差がゼロになるタイミングをアライメント手段
で検出し、この検出信号をパルス発光光源のトリガー信
号に用いてパルス発光させればよく、アライメント手段
による検出からパルス発光までの遅延時間は、ウェハま
たはレチクルの微動速度に比べれば充分に短いので、ウ
ェハが確実に目標位置にある間にパルス発光による露光
が行える。また、アライメント手段で検出されたウェハ
とレチクルの位置誤差から、一定時間のちのウェハの位
置を予測すれば、前記の遅延時間も全く関係なくなり、
ウェハが正確に目標位置に存在する瞬間に確実にパルス
発光を行わせることも可能である。
特に、第1段階として、直交する2方向の微動の位相差
を周期的に変化させながら、ウェハとレチクルのアライ
メントマークが合致したときの微動原点からの距離を求
め、ついで、第2段階として、この微動原点からの距離
を振幅とし、かつ、位相差を一定にしてウェハまたはレ
チクルを微動させながら、ウェハとレチクルのアライメ
ントマークが合致した瞬間に前記パルス発光を照射すれ
ば、ウェハまたはレチクルの無駄な動きが少なくなるの
で、パルス発光の間隔を短くでき、露光作業が能率的に
行える。
を周期的に変化させながら、ウェハとレチクルのアライ
メントマークが合致したときの微動原点からの距離を求
め、ついで、第2段階として、この微動原点からの距離
を振幅とし、かつ、位相差を一定にしてウェハまたはレ
チクルを微動させながら、ウェハとレチクルのアライメ
ントマークが合致した瞬間に前記パルス発光を照射すれ
ば、ウェハまたはレチクルの無駄な動きが少なくなるの
で、パルス発光の間隔を短くでき、露光作業が能率的に
行える。
第1図は露光装置の全体構造を示し、第2図は主要部分
の分解状態を示している。
の分解状態を示している。
エキシマレーザ10は、外部からのトリガー信号により
パルス発光のタイミングが制御可能であり、エキシマレ
ーザ10からの発光は、集光光学系11、光路変換ミラ
ー12、コンデンサーレンズ13等の照明光学系を経て
、レチクル20に照射される。レチクル20には、直線
回折格子からなるアライメントマークと、ウェハに転写
しようとする露光パターンが描かれている。露光パター
ンは目的に応じて任意のパターンで実施でき、アライメ
ントマークは、従来の通常の露光方法と同様のものが用
いられる。レチクル20の下方には投影レンズ15があ
り、レチクル20は、投影レンズ15の物像面上に配置
されている。投影レンズ15の下方には、ウェハステー
ジ40が設けられ、ウェハステージ40の上に露光され
るウエハ301J<載せられる。
パルス発光のタイミングが制御可能であり、エキシマレ
ーザ10からの発光は、集光光学系11、光路変換ミラ
ー12、コンデンサーレンズ13等の照明光学系を経て
、レチクル20に照射される。レチクル20には、直線
回折格子からなるアライメントマークと、ウェハに転写
しようとする露光パターンが描かれている。露光パター
ンは目的に応じて任意のパターンで実施でき、アライメ
ントマークは、従来の通常の露光方法と同様のものが用
いられる。レチクル20の下方には投影レンズ15があ
り、レチクル20は、投影レンズ15の物像面上に配置
されている。投影レンズ15の下方には、ウェハステー
ジ40が設けられ、ウェハステージ40の上に露光され
るウエハ301J<載せられる。
ウェハステージ40は、基本的には、従来の通常の露光
装置におけるウェハステージと同様の構造でよいが、ウ
ェハステージ40の上に微動ステージ50が設けられ、
この微動ステージ50の上にウェハ30を載せるように
なっている点が、従来のウェハステージと異なる。
装置におけるウェハステージと同様の構造でよいが、ウ
ェハステージ40の上に微動ステージ50が設けられ、
この微動ステージ50の上にウェハ30を載せるように
なっている点が、従来のウェハステージと異なる。
ウェハステージ40の具体的構造は、例えば、第2図に
示すものが用いられる。微動ステージ50を載置する合
板部41がDCサーボモータ42およびボールネジ43
等からなる駆動手段で直線的に移動可能に取り付けられ
ているとともに、このDCサーボモータ42が固定され
た移動台44が、基台47に固定された別のDCサーボ
モータ45およびボールネジ46で、前記と直交する方
向に直線的に移動可能に取り付けられている。その結果
、前記台板部41は、XY両方向に自由に移動できるよ
うになっている0合板部41の移動は、ウェハ30表面
をステップ露光するためにXY方向に大きく移動させる
。
示すものが用いられる。微動ステージ50を載置する合
板部41がDCサーボモータ42およびボールネジ43
等からなる駆動手段で直線的に移動可能に取り付けられ
ているとともに、このDCサーボモータ42が固定され
た移動台44が、基台47に固定された別のDCサーボ
モータ45およびボールネジ46で、前記と直交する方
向に直線的に移動可能に取り付けられている。その結果
、前記台板部41は、XY両方向に自由に移動できるよ
うになっている0合板部41の移動は、ウェハ30表面
をステップ露光するためにXY方向に大きく移動させる
。
ウェハステージ40は、レーザ干渉計60で合板部41
の現在位置を測定できるようになっている。レーザ干渉
計60で検出された合板部41すなわち微動ステージ5
0およびウェハ30の位置と目標位置の差をもとにして
、前記DCサーボモータ42.45を作動させて、微動
ステージ50およびウェハ30を目標位置付近まで移動
させる、レーザ干渉計60の代わりに、リニアスケール
等の各種精密計測手段を用いることもできる。前記DC
サーボモータ42.45やボールネジ43.46だけで
も、ある程度は合板部41の位置決めを行えるが、モー
タ42.45の発熱等によるボールネジ43.46の熱
膨張その他の影響で数1以上の誤差が発生する可能性が
あるので、位置決め精度をより高め長時間の安定性を図
るには、レーザ干渉計60やリニアスケール等により正
確な位置合わせを行うのが好ましい。但し、この段階に
おける微動ステージ50およびウェハ30の位置決め精
度は、最終的な露光精度には直接は影響しないので、そ
れほど高精度にしておく必要はない、具体的には、レー
ザ干渉計60やリニアスケールを使った場合の位置決め
精度は、約±2fl以下にすることが可能である。
の現在位置を測定できるようになっている。レーザ干渉
計60で検出された合板部41すなわち微動ステージ5
0およびウェハ30の位置と目標位置の差をもとにして
、前記DCサーボモータ42.45を作動させて、微動
ステージ50およびウェハ30を目標位置付近まで移動
させる、レーザ干渉計60の代わりに、リニアスケール
等の各種精密計測手段を用いることもできる。前記DC
サーボモータ42.45やボールネジ43.46だけで
も、ある程度は合板部41の位置決めを行えるが、モー
タ42.45の発熱等によるボールネジ43.46の熱
膨張その他の影響で数1以上の誤差が発生する可能性が
あるので、位置決め精度をより高め長時間の安定性を図
るには、レーザ干渉計60やリニアスケール等により正
確な位置合わせを行うのが好ましい。但し、この段階に
おける微動ステージ50およびウェハ30の位置決め精
度は、最終的な露光精度には直接は影響しないので、そ
れほど高精度にしておく必要はない、具体的には、レー
ザ干渉計60やリニアスケールを使った場合の位置決め
精度は、約±2fl以下にすることが可能である。
第2図に詳しく示すように、微動ステージ5゜は、ウェ
ハ30を保持する保持板部56が枠状本体部55に取り
付けられ、この枠状本体部55が、傾斜調整機構48を
介してウェハステージ4゜の合板部41に取り付けられ
ている。傾斜調整機構48は、上下方向に伸縮自在なピ
エゾ素子がらなり、棒状本体部55を3個所で支持する
ようになっている。この3個所の傾斜調整機構48の高
さを調整することによって、枠状本体部55すなわちウ
ェハ30表面の傾きを任意の方向に微調整して正確な水
平状態に設置することが可能になる、枠状本体部55の
XY両方向に、アクチュエータ51.52と復帰スプリ
ング53.54とからなる駆動手段を備えている。アク
チュエータ5152は微動ステージ50全体を水平面内
でコンマ数n〜数Ion程度の範囲で強制的に揺動させ
ることができる。微動手段としては、前記した程度の微
動が可能であれば、各種の駆動機構が採用できるが、例
えば、電歪素子、いわゆるピエゾ素子を利用した微動手
段が好ましいものとなる。ピエゾ素子は、印加電圧や周
波数を変えることによって、作動ストロークや作動周波
数を自由に制御できる。
ハ30を保持する保持板部56が枠状本体部55に取り
付けられ、この枠状本体部55が、傾斜調整機構48を
介してウェハステージ4゜の合板部41に取り付けられ
ている。傾斜調整機構48は、上下方向に伸縮自在なピ
エゾ素子がらなり、棒状本体部55を3個所で支持する
ようになっている。この3個所の傾斜調整機構48の高
さを調整することによって、枠状本体部55すなわちウ
ェハ30表面の傾きを任意の方向に微調整して正確な水
平状態に設置することが可能になる、枠状本体部55の
XY両方向に、アクチュエータ51.52と復帰スプリ
ング53.54とからなる駆動手段を備えている。アク
チュエータ5152は微動ステージ50全体を水平面内
でコンマ数n〜数Ion程度の範囲で強制的に揺動させ
ることができる。微動手段としては、前記した程度の微
動が可能であれば、各種の駆動機構が採用できるが、例
えば、電歪素子、いわゆるピエゾ素子を利用した微動手
段が好ましいものとなる。ピエゾ素子は、印加電圧や周
波数を変えることによって、作動ストロークや作動周波
数を自由に制御できる。
微動ステージ50の動きは、単純な直線方向への揺動の
ほか、円弧や楕円を描くような曲線的な揺動、その他、
いわゆるリサージュ運動と呼ばれる複雑な動きを行わせ
てもよい、特に、微動ステージ50が、一定の平面範囲
内をくまなく動き回るようにしておけば、ウェハ3oと
レチクル2゜の位置合わせが確実に行える。
ほか、円弧や楕円を描くような曲線的な揺動、その他、
いわゆるリサージュ運動と呼ばれる複雑な動きを行わせ
てもよい、特に、微動ステージ50が、一定の平面範囲
内をくまなく動き回るようにしておけば、ウェハ3oと
レチクル2゜の位置合わせが確実に行える。
上記実施例では、レーザ干渉計60で、ウェハステージ
40の合板部41の位置を測定して位置合わせを行うよ
うにしているが、第3図に示すように、微動ステージ5
0の位置を測定するようになっているものを使用するこ
ともできる。
40の合板部41の位置を測定して位置合わせを行うよ
うにしているが、第3図に示すように、微動ステージ5
0の位置を測定するようになっているものを使用するこ
ともできる。
ツキニ、前記xY方向のアクチュエータ51゜52で微
動ステージ50を揺動させる場合、以下に説明するよう
な動きをさせるのが好ましい。
動ステージ50を揺動させる場合、以下に説明するよう
な動きをさせるのが好ましい。
まず、前記第2図に示した装置を用いる方法について説
明する。XY力方向アクチュエータ5152により微動
ステージ50もしくはウェハ30に与えるXY力方向微
動をそれぞれX、Yとして、 X=Asinωt Y=A sin ((1) t+δ)0 ≦δ≦36
0 “ ここで、Aは振幅、ωは振動周波数、tは時間を示し、
δを時間とともに連続的にスイープさせることによって
、微動ステージ50もしくはウェハ30の中心が描くリ
サージュ図形が、第4図に示すように、直線から楕円、
円弧へと連続的に変化しながら、第5図に示すように、
半径への円形範囲を(まな(動き回ることになる。
明する。XY力方向アクチュエータ5152により微動
ステージ50もしくはウェハ30に与えるXY力方向微
動をそれぞれX、Yとして、 X=Asinωt Y=A sin ((1) t+δ)0 ≦δ≦36
0 “ ここで、Aは振幅、ωは振動周波数、tは時間を示し、
δを時間とともに連続的にスイープさせることによって
、微動ステージ50もしくはウェハ30の中心が描くリ
サージュ図形が、第4図に示すように、直線から楕円、
円弧へと連続的に変化しながら、第5図に示すように、
半径への円形範囲を(まな(動き回ることになる。
上記のようにしてウェハ30を微動させながら、レーザ
干渉計60で、ウェハ30とレチクル20のアライメン
トマークの重ね合わせ状態を測定する。前記半径A内に
ウェハ30とレチクル20の合致点があれば、微動ステ
ージ50の微動によりウェハ30とレチクル20が正確
に重ね合わされる状態が必ずできる。すなわち、ウェハ
30がXY力方向一定の位置精度で位置決めされていて
、第5図の点線四角範囲内にウェハ30とレチクル20
のアライメントマークが合致する点があるとすれば、微
動範囲の外周円を、上記四角範囲に外接する大きさ以上
の半径Aに設定すればよい。
干渉計60で、ウェハ30とレチクル20のアライメン
トマークの重ね合わせ状態を測定する。前記半径A内に
ウェハ30とレチクル20の合致点があれば、微動ステ
ージ50の微動によりウェハ30とレチクル20が正確
に重ね合わされる状態が必ずできる。すなわち、ウェハ
30がXY力方向一定の位置精度で位置決めされていて
、第5図の点線四角範囲内にウェハ30とレチクル20
のアライメントマークが合致する点があるとすれば、微
動範囲の外周円を、上記四角範囲に外接する大きさ以上
の半径Aに設定すればよい。
言い換えれば、微動の振幅Aを、前記ウェハステージ4
0の合板部41の位置合わせ精度よりも少し広くなる程
度に設定しておけばよい。具体的には、例えば、位置決
め精度が±2μの場合には、A = 2.8 n程度に
設定すればよい。
0の合板部41の位置合わせ精度よりも少し広くなる程
度に設定しておけばよい。具体的には、例えば、位置決
め精度が±2μの場合には、A = 2.8 n程度に
設定すればよい。
前記δのスイープ速度が高いほど、ウェハ30とレチク
ル20の位置合わせが迅速に行え、パルス発光による露
光の間隔を短くできる。但し、微動手段の作動特性その
他の機構的制限もあるので、それらを考慮して出来るだ
け高速でスイープすればよい、具体的には、スイープ速
度を200Hzに設定すれば、1秒間に200回のパル
ス発光が行える。
ル20の位置合わせが迅速に行え、パルス発光による露
光の間隔を短くできる。但し、微動手段の作動特性その
他の機構的制限もあるので、それらを考慮して出来るだ
け高速でスイープすればよい、具体的には、スイープ速
度を200Hzに設定すれば、1秒間に200回のパル
ス発光が行える。
微動ステージ50上のウェハ30ならびにレチクル20
のアライメントマークの位置は、アライメント手段70
で測定される。アライメント手段70としては、従来の
露光装置で採用されている各種のアライメント機構を用
いることができるが、例えば、TTLホログラフィ−式
のアライメント機構が好ましいものである。アライメン
ト手段70では、投影レンズ15の露光エリア内のアラ
イメントマークとレチクル20上のアライメントマーク
のズレをオンアクシスにて検出する。そして、ウェハ3
0とレチクル20のアライメントマークが合致した瞬間
をアライメント信号により判断して、前記エキシマレー
ザ10にトリガー信号を送るようになっている。第1図
に示すアライメント手段70の構造は、ゼーマンレーザ
71を用いた光ヘテロダイン検出によるウェハ30とレ
チクル20の位置ズレ検出方式を採用している。
のアライメントマークの位置は、アライメント手段70
で測定される。アライメント手段70としては、従来の
露光装置で採用されている各種のアライメント機構を用
いることができるが、例えば、TTLホログラフィ−式
のアライメント機構が好ましいものである。アライメン
ト手段70では、投影レンズ15の露光エリア内のアラ
イメントマークとレチクル20上のアライメントマーク
のズレをオンアクシスにて検出する。そして、ウェハ3
0とレチクル20のアライメントマークが合致した瞬間
をアライメント信号により判断して、前記エキシマレー
ザ10にトリガー信号を送るようになっている。第1図
に示すアライメント手段70の構造は、ゼーマンレーザ
71を用いた光ヘテロダイン検出によるウェハ30とレ
チクル20の位置ズレ検出方式を採用している。
第7図は、アライメント手段70から得られる1軸方向
の位置検出信号の具体例を示しており、横軸にステージ
移動量すなわち位置ズレ量をとり、縦軸には、レチクル
20からのビート信号とディテクタ72で得られるウェ
ハ30からのビート信号との位相差をとっている。検出
信号は、レチクル20およびウェハ30上に形成されて
いる直線回折格子からなるアライメントマークの格子ピ
ッチの1/2の周期で変化している。そして、位相差ゼ
ロの時点が、レチクル20とウェハ30の重ね合わせ誤
差がゼロのときであり、この瞬間にパルス光源であるエ
キシマレーザ10にトリガー信号を送り、エキシマレー
ザ10を発光させて露光を行う。
の位置検出信号の具体例を示しており、横軸にステージ
移動量すなわち位置ズレ量をとり、縦軸には、レチクル
20からのビート信号とディテクタ72で得られるウェ
ハ30からのビート信号との位相差をとっている。検出
信号は、レチクル20およびウェハ30上に形成されて
いる直線回折格子からなるアライメントマークの格子ピ
ッチの1/2の周期で変化している。そして、位相差ゼ
ロの時点が、レチクル20とウェハ30の重ね合わせ誤
差がゼロのときであり、この瞬間にパルス光源であるエ
キシマレーザ10にトリガー信号を送り、エキシマレー
ザ10を発光させて露光を行う。
つぎに、露光手順について詳しく説明する。
予め機械的精度でプリアライメントされたウェハステー
ジ40上にウェハ30を載置し、このウェハ30内に設
けられた複数のアライメントマークを計測して各露光シ
ョットの中心座標を算出する。算出された座標から、露
光ショットが投影レンズ15の正規の露光位置にくるよ
うに、レーザ干渉計60の計測値を基にしてウェハステ
ージ40の合板部41を移動させる0合板部41すなわ
ちウェハ30の停止位置が目標位置に対して、前記回折
格子ピッチの1/4以下(約±2n)に入った段階で、
微動ステージ50のアクチュエータ51.52を作動さ
せ、約20082のスイープ速度で微動ステージ50を
周期的に微動させる。
ジ40上にウェハ30を載置し、このウェハ30内に設
けられた複数のアライメントマークを計測して各露光シ
ョットの中心座標を算出する。算出された座標から、露
光ショットが投影レンズ15の正規の露光位置にくるよ
うに、レーザ干渉計60の計測値を基にしてウェハステ
ージ40の合板部41を移動させる0合板部41すなわ
ちウェハ30の停止位置が目標位置に対して、前記回折
格子ピッチの1/4以下(約±2n)に入った段階で、
微動ステージ50のアクチュエータ51.52を作動さ
せ、約20082のスイープ速度で微動ステージ50を
周期的に微動させる。
アライメント手段70では、ウェハ30上の7ライメン
トマークとレチクル20上のアライメントマークの重ね
合わせ状態に応じて、第8図に示すような検出信号が得
られる。この検出信号のゼロクロス点Pで、レチクル2
0とウェハ30が完全に重ね合わされた状態になる。こ
のゼロクロス点Pで、アライメント手段70からトリガ
ー信号が発せられ、エキシマレーザ10から20nse
cのパルス発光が行われる。微動ステージ50の揺動に
伴って、周期的に表れるゼロクロス点Pで、つぎつぎに
パルス発光が繰り返される。なお、エキシマレーザ10
等のパルス発光光源がトリガー信号を受けてパルス光を
発光するまでの遅延時間は数μsecであるので、パル
ス光の発光時間は、微動ステージ50の移動速度に比べ
てはるかに短く、パルス光の発光時間中はウェハ30が
正規の位置で静止していると見なせる。
トマークとレチクル20上のアライメントマークの重ね
合わせ状態に応じて、第8図に示すような検出信号が得
られる。この検出信号のゼロクロス点Pで、レチクル2
0とウェハ30が完全に重ね合わされた状態になる。こ
のゼロクロス点Pで、アライメント手段70からトリガ
ー信号が発せられ、エキシマレーザ10から20nse
cのパルス発光が行われる。微動ステージ50の揺動に
伴って、周期的に表れるゼロクロス点Pで、つぎつぎに
パルス発光が繰り返される。なお、エキシマレーザ10
等のパルス発光光源がトリガー信号を受けてパルス光を
発光するまでの遅延時間は数μsecであるので、パル
ス光の発光時間は、微動ステージ50の移動速度に比べ
てはるかに短く、パルス光の発光時間中はウェハ30が
正規の位置で静止していると見なせる。
使用するレジストの感度によっても異なるが、通常は約
1秒(レーザ発光200回)で1個所の露光エリアに対
する露光が完了する。露光が完了すれば、微動ステージ
50の微動を止め、次ぎの露光エリアが露光位置にくる
ようにウェハステージ40を作動させてウェハ30を移
動する。このような作業を繰り返して、ウェハ30全体
の露光が行われる。
1秒(レーザ発光200回)で1個所の露光エリアに対
する露光が完了する。露光が完了すれば、微動ステージ
50の微動を止め、次ぎの露光エリアが露光位置にくる
ようにウェハステージ40を作動させてウェハ30を移
動する。このような作業を繰り返して、ウェハ30全体
の露光が行われる。
上記方法では、各露光シッット毎にウェハステージ40
の合板部41を移動させる際に、合板部41が停止する
前の段階から、微動ステージ50の周期的な微動を開始
し、パルス発光による露光を行う。その結果、合板部4
1が停止してから露光を開始する従来の方法に比べて、
1チツプ当たり0.1秒の作動時間が短縮でき、1枚の
ウェハ30に256回の露光を繰り返すとすれば、露光
作業時間が25.6秒も低減される。
の合板部41を移動させる際に、合板部41が停止する
前の段階から、微動ステージ50の周期的な微動を開始
し、パルス発光による露光を行う。その結果、合板部4
1が停止してから露光を開始する従来の方法に比べて、
1チツプ当たり0.1秒の作動時間が短縮でき、1枚の
ウェハ30に256回の露光を繰り返すとすれば、露光
作業時間が25.6秒も低減される。
なお、前記実施例では、発光時間が20nsecのエキ
シマレーザ10を用いたが、発光時間はウェハ30の移
動速度に比較して短いほどボケの少ない明瞭な露光が行
えるが、露光光量やパルス発光光源の能力により、適当
な発光時間に設定すればよい0通常、露光位置近傍にお
けるウェハ30の移動速度は10 m/see以下であ
るので、パルス発光光源の発光時間が10μsec以下
のものであれば、ウェハ30移動に伴う露光パターンの
ボケは0.1μ以下に抑えられ、充分な解像性能が得ら
れる。
シマレーザ10を用いたが、発光時間はウェハ30の移
動速度に比較して短いほどボケの少ない明瞭な露光が行
えるが、露光光量やパルス発光光源の能力により、適当
な発光時間に設定すればよい0通常、露光位置近傍にお
けるウェハ30の移動速度は10 m/see以下であ
るので、パルス発光光源の発光時間が10μsec以下
のものであれば、ウェハ30移動に伴う露光パターンの
ボケは0.1μ以下に抑えられ、充分な解像性能が得ら
れる。
つぎに、上記実施例とは異なる露光方法について説明す
る。この方法では、第3図に示す構造の露光装置を用い
る。すなわち、レーザ干渉計60が微動ステージ50の
位置を直接検出するようになっているのである。上記以
外の露光装置の構造および基本的な露光方法は前記実施
例と同様であるので、相違点を主にして説明する。
る。この方法では、第3図に示す構造の露光装置を用い
る。すなわち、レーザ干渉計60が微動ステージ50の
位置を直接検出するようになっているのである。上記以
外の露光装置の構造および基本的な露光方法は前記実施
例と同様であるので、相違点を主にして説明する。
まず、第6図(alに示すように、微動ステージ50を
振幅A、で位相差を変化させて微動させながら、レーザ
干渉計60等の計測手段で、ウェハ30とレチクル20
が合致するアライメント信号のゼロクロス点の座標X+
+)’+を検出する。つぎに、このゼロクロス点の座標
X++ y’をもとに、微動原点からの距離AIを下
式で求める。
振幅A、で位相差を変化させて微動させながら、レーザ
干渉計60等の計測手段で、ウェハ30とレチクル20
が合致するアライメント信号のゼロクロス点の座標X+
+)’+を検出する。つぎに、このゼロクロス点の座標
X++ y’をもとに、微動原点からの距離AIを下
式で求める。
A、= x、”+y。
つぎに、第6図(blに示すように、振幅を上記AI、
位相差を90°に切り換えて微動ステージ50をX7両
方向に周期的に揺動させれば、微動ステージ50は円運
動を行う、前記ゼロクロス点X++V+ は円運動軌跡
上に必ず存在するので、このゼロクロス点X1l)’l
でパルス発光を照射する。なお、前記位相差が90°ま
たは270°であれば円運動になるが、それ以外の一定
の位相差でも、楕円運動その他の一定のり号−ジュ図形
を描く0円以外のりサージュ図形の場合には、運動軌跡
上に前記ゼロクロス点が存在するように、前記座標xl
、ylをもとにしてXY方向の振幅を調整すればよい。
位相差を90°に切り換えて微動ステージ50をX7両
方向に周期的に揺動させれば、微動ステージ50は円運
動を行う、前記ゼロクロス点X++V+ は円運動軌跡
上に必ず存在するので、このゼロクロス点X1l)’l
でパルス発光を照射する。なお、前記位相差が90°ま
たは270°であれば円運動になるが、それ以外の一定
の位相差でも、楕円運動その他の一定のり号−ジュ図形
を描く0円以外のりサージュ図形の場合には、運動軌跡
上に前記ゼロクロス点が存在するように、前記座標xl
、ylをもとにしてXY方向の振幅を調整すればよい。
上記のような方法であれば、第6図(blに示した段階
で、ウェハとレチクルのアライメントマークが合致する
ゼロクロス点を必ず通過する一定のりサージュ図形のみ
を描くように運動させるので、微動ステージ50の微動
範囲が狭くなって無駄な動きが少なくなり、パルス発光
の間隔を短くすることができる結果、より効率的に露光
することができる。
で、ウェハとレチクルのアライメントマークが合致する
ゼロクロス点を必ず通過する一定のりサージュ図形のみ
を描くように運動させるので、微動ステージ50の微動
範囲が狭くなって無駄な動きが少なくなり、パルス発光
の間隔を短くすることができる結果、より効率的に露光
することができる。
なお、以上に説明した実施例は、何れもウェハ30を微
動させることによって、レチクル20とウェハ30のア
ライメントマークを合致させるようにしていたが、ウェ
ハ30は微動させずにレチクル20を微動させても、全
く同様の作用が果たせる。すなわち、ウェハ30とレチ
クル20は相対的に微動させればよいのである。レチク
ル2゜を微動させるには、前記したアクチュエータ51
52等の微動手段をレチクル20の保持部材等に設置し
ておけばよい。
動させることによって、レチクル20とウェハ30のア
ライメントマークを合致させるようにしていたが、ウェ
ハ30は微動させずにレチクル20を微動させても、全
く同様の作用が果たせる。すなわち、ウェハ30とレチ
クル20は相対的に微動させればよいのである。レチク
ル2゜を微動させるには、前記したアクチュエータ51
52等の微動手段をレチクル20の保持部材等に設置し
ておけばよい。
以上に述べたように、この発明にががる露光方法によれ
ば、ウェハとレチクルに相対的に周期的な微動を行わせ
、ウェハとレチクルの重ね合わせ誤差がゼロとなる瞬間
にパルス発光による露光を行うので、露光ショット毎に
ウェハを移動させて、ウェハが停止するまでの残留振動
がある状態でも、露光を開始することができる。したが
って、ウェハが停止してから露光を開始する従来の方法
に比べて、効率的に露光作業を行え、高スループ7ト化
を図ることができる。また、レーザ干渉計の揺らぎや外
部振動があっても、ウェハが正しい位置にある瞬間のみ
に露光が行われるので、露光精度が極めて正確になり、
露光作業の高精度化を図ることができる。さらに、ウェ
ハ自体の位置決め精度がそれほど高精度でなくても、実
際の露光は充分高精度に行えるので、ウェハステージの
駆動機構や位置決め機構の構造を簡単にして、装置コス
トを低減させることができる。
ば、ウェハとレチクルに相対的に周期的な微動を行わせ
、ウェハとレチクルの重ね合わせ誤差がゼロとなる瞬間
にパルス発光による露光を行うので、露光ショット毎に
ウェハを移動させて、ウェハが停止するまでの残留振動
がある状態でも、露光を開始することができる。したが
って、ウェハが停止してから露光を開始する従来の方法
に比べて、効率的に露光作業を行え、高スループ7ト化
を図ることができる。また、レーザ干渉計の揺らぎや外
部振動があっても、ウェハが正しい位置にある瞬間のみ
に露光が行われるので、露光精度が極めて正確になり、
露光作業の高精度化を図ることができる。さらに、ウェ
ハ自体の位置決め精度がそれほど高精度でなくても、実
際の露光は充分高精度に行えるので、ウェハステージの
駆動機構や位置決め機構の構造を簡単にして、装置コス
トを低減させることができる。
特に、ウェハまたはレチクルの微動を2段階に分け、第
1段階では、位相差を周期的に変化させることにより、
一定の面内をくまなく微動させて、ウェハとレチクルの
重ね合わせ誤差がゼロとなる座標点の微動原点からの距
離を求め、ついで、第2段階では、上記微動原点からの
距離を振幅とし、かつ、位相差を一定にしてウェハまた
はレチクルを微動させながら、パルス発光を行うように
すれば、ウェハまたはレチクルの運動に無駄が無くなり
、パルス発光の間隔を短くすることができるので、より
効率的に露光を行うことが可能である。
1段階では、位相差を周期的に変化させることにより、
一定の面内をくまなく微動させて、ウェハとレチクルの
重ね合わせ誤差がゼロとなる座標点の微動原点からの距
離を求め、ついで、第2段階では、上記微動原点からの
距離を振幅とし、かつ、位相差を一定にしてウェハまた
はレチクルを微動させながら、パルス発光を行うように
すれば、ウェハまたはレチクルの運動に無駄が無くなり
、パルス発光の間隔を短くすることができるので、より
効率的に露光を行うことが可能である。
第1図はこの発明の実施例に用いる露光装置の全体構成
図、第2図はウェハステージ部分の要部分解斜視図、第
3図は別の実施例に用いる露光装置の全体構成図、第4
図はxy両方向の微動の位相差を変えた場合のウェハの
運動軌跡線図、第5図はウェハの運動範囲と位置合わせ
誤差の関係を示す説明図、第6図fa) (blは別の
実施例におけるウェハの微動方法を示す説明図、第7図
はアライメント手段から得られる検出信号線図、第8図
はウェハを周期的に微動させた状態における検出信号と
時間の関係線図、第9図は従来におけるウェハステージ
の速度と位置決めに要する時間の関係線図、第10図は
ウェハステージの位置決め時におけるステージ位置と時
間の関係線図である。 10・・・エキシマレーザ 20・・・レチクル 30
・・・ウェハ 40・・・ウェハステージ 50・・・
微動ステージ 51.52・・・アクチュエータ 60
・・・レーザ干渉計 70・・・アライメント手段代理
人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名第 図 第3図 第2図 第4図 第 図 第6図 (G) (b) 第7図 第8図
図、第2図はウェハステージ部分の要部分解斜視図、第
3図は別の実施例に用いる露光装置の全体構成図、第4
図はxy両方向の微動の位相差を変えた場合のウェハの
運動軌跡線図、第5図はウェハの運動範囲と位置合わせ
誤差の関係を示す説明図、第6図fa) (blは別の
実施例におけるウェハの微動方法を示す説明図、第7図
はアライメント手段から得られる検出信号線図、第8図
はウェハを周期的に微動させた状態における検出信号と
時間の関係線図、第9図は従来におけるウェハステージ
の速度と位置決めに要する時間の関係線図、第10図は
ウェハステージの位置決め時におけるステージ位置と時
間の関係線図である。 10・・・エキシマレーザ 20・・・レチクル 30
・・・ウェハ 40・・・ウェハステージ 50・・・
微動ステージ 51.52・・・アクチュエータ 60
・・・レーザ干渉計 70・・・アライメント手段代理
人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名第 図 第3図 第2図 第4図 第 図 第6図 (G) (b) 第7図 第8図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 アライメントマークおよび露光パターンが描かれた
レチクルに複数のパルス発光を照射し、アライメントマ
ークが設けられたウェハにレチクルを投影して所定の露
光量を与える露光方法であり、ウェハとレチクルを相対
的に、水平面内で直交する2方向に周期的に微動させ、
かつ、両方向の微動の位相差を周期的に変化させながら
、露光位置におけるウェハとレチクルの重ね合わせ状態
を前記アライメントマークをもとにアライメント手段で
検出し、ウェハとレチクルのアライメントマークが合致
した瞬間に前記パルス発光を照射する露光方法。 2 アライメントマークおよび露光パターンが描かれた
レチクルに複数のパルス発光を照射し、アライメントマ
ークが設けられたウェハにレチクルを投影して所定の露
光量を与える露光方法であり、ウェハとレチクルを相対
的に、水平面内で直交する2方向に周期的に微動させ、
かつ、両方向の微動の位相差を周期的に変化させながら
、露光位置におけるウェハとレチクルの重ね合わせ状態
を前記アライメントマークをもとにアライメント手段で
検出してウェハとレチクルのアライメントマークが合致
したときの微動原点からの距離を求め、ついで、この微
動原点からの距離を振幅とし、かつ、位相差を一定にし
て、前記直交する2方向に周期的にウェハを微動させな
がら、ウェハとレチクルのアライメントマークが合致し
た瞬間に前記パルス発光を照射する露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149434A JPH0444209A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149434A JPH0444209A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0444209A true JPH0444209A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15475031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2149434A Pending JPH0444209A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0444209A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109690419A (zh) * | 2016-09-14 | 2019-04-26 | 佳能株式会社 | 检测装置、检测方法、图案化装置以及物品制造方法 |
-
1990
- 1990-06-07 JP JP2149434A patent/JPH0444209A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109690419A (zh) * | 2016-09-14 | 2019-04-26 | 佳能株式会社 | 检测装置、检测方法、图案化装置以及物品制造方法 |
| CN109690419B (zh) * | 2016-09-14 | 2021-09-14 | 佳能株式会社 | 检测装置、检测方法、图案化装置以及物品制造方法 |
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