JPH06260393A - 位置決め装置 - Google Patents
位置決め装置Info
- Publication number
- JPH06260393A JPH06260393A JP5047672A JP4767293A JPH06260393A JP H06260393 A JPH06260393 A JP H06260393A JP 5047672 A JP5047672 A JP 5047672A JP 4767293 A JP4767293 A JP 4767293A JP H06260393 A JPH06260393 A JP H06260393A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- height
- stage
- wafer
- substrate
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】被処理基板の垂直方向よりレーザ測長器により
高さを測長することにより、光学式焦点検出器と併用し
て、高精度に高さ及び傾斜量を制御することを目的とす
る。 【構成】ウェーハ２と平面ミラー９を備えたトップテー
ブル１０は、粗Ｚステージ１３により上下する。Ｚ方向
の絶対高さは、Ｚレーザ測長系１７にて平面ミラー９を
使用して測長する。光学式焦点検出器は、まず、この平
面ミラー９上に測定光２１を反射させ、干渉縞信号２５
より基準位相を算出する。次に、ウェーハ２に測定光２
１を反射させ、基準位相との位相差によりＺ方向の高
さ，目標値を補正する制御を行う。
高さを測長することにより、光学式焦点検出器と併用し
て、高精度に高さ及び傾斜量を制御することを目的とす
る。 【構成】ウェーハ２と平面ミラー９を備えたトップテー
ブル１０は、粗Ｚステージ１３により上下する。Ｚ方向
の絶対高さは、Ｚレーザ測長系１７にて平面ミラー９を
使用して測長する。光学式焦点検出器は、まず、この平
面ミラー９上に測定光２１を反射させ、干渉縞信号２５
より基準位相を算出する。次に、ウェーハ２に測定光２
１を反射させ、基準位相との位相差によりＺ方向の高
さ，目標値を補正する制御を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子製造のリソ
グラフィ工程に用いられる、露光装置や電子線描画装置
に関わり、特にウェーハ等の基板を載置して２次元移動
させると共に、この基板を所定の平面に対して傾斜させ
る機構を有する、特に高精度な位置決め精度が必要な位
置決め装置に関する。
グラフィ工程に用いられる、露光装置や電子線描画装置
に関わり、特にウェーハ等の基板を載置して２次元移動
させると共に、この基板を所定の平面に対して傾斜させ
る機構を有する、特に高精度な位置決め精度が必要な位
置決め装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路のフォトグラフィ工程に
おいて、縮小投影露光装置・所謂ステッパーが現在主流
となっている。この装置は、フォトマスクの原版である
レチクルに形成されたパターンを、投影レンズを介して
ウェーハ上のフォトレジスト層に露光するものであり、
一回の露光フィールドがウェーハサイズよりも小さいた
め、ウェーハを載置するステージを２次元的に移動さ
せ、ステップアンドリピート方式で露光する。従来より
この種の装置では、ウェーハの露光位置でフォーカスを
検出し、投影光学系の光軸方向のＺ位置（垂直方向）を
制御する、オートフォーカス機構が必須のものである。
最近では、投影レンズの高解像化のために焦点深度が浅
くなり、ウェーハ面の凹凸，傾斜による露光領域内での
解像，線幅の均一性の低下が問題となってきた。このた
め、露光領域ごとにウェーハの水平位置を検出制御する
機構（レベリング機構）が提案されている。しかし、従
来は特願平2−14818号公報記載の如く、光学式焦点位置
検出器のみではなく、エア・マイクロメータ方式ギャッ
ブ検出器を併用していた。
おいて、縮小投影露光装置・所謂ステッパーが現在主流
となっている。この装置は、フォトマスクの原版である
レチクルに形成されたパターンを、投影レンズを介して
ウェーハ上のフォトレジスト層に露光するものであり、
一回の露光フィールドがウェーハサイズよりも小さいた
め、ウェーハを載置するステージを２次元的に移動さ
せ、ステップアンドリピート方式で露光する。従来より
この種の装置では、ウェーハの露光位置でフォーカスを
検出し、投影光学系の光軸方向のＺ位置（垂直方向）を
制御する、オートフォーカス機構が必須のものである。
最近では、投影レンズの高解像化のために焦点深度が浅
くなり、ウェーハ面の凹凸，傾斜による露光領域内での
解像，線幅の均一性の低下が問題となってきた。このた
め、露光領域ごとにウェーハの水平位置を検出制御する
機構（レベリング機構）が提案されている。しかし、従
来は特願平2−14818号公報記載の如く、光学式焦点位置
検出器のみではなく、エア・マイクロメータ方式ギャッ
ブ検出器を併用していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来例による光
学式焦点位置検出器は、高さを検出できるストロークが
１０μｍと短く、ウェーハの厚みむら５０μｍを吸収す
る事は不可能である。そのためエア・マイクロメータ方
式検出器にて、ウェーハをＺステージにてレンズの正焦
点まで移動させ、そこから光学式焦点位置検出器にて、
高さ及び傾きを測定していた。エア・マイクロメータ方
式検出器は、ウェーハ傾き検出機能を持たせるため、ウ
ェーハ面に最低３ヶ所の微小ノズルから一定圧の気体を
噴射し、その背圧を検出し、各ノズルとウェーハ面との
間隔を平均して、ウェーハ面高さを検出するため、ノズ
ル下面とウェーハ面とのギャップを６０μｍしか設けら
れず、大きな異物が混入した場合、ウェーハ面に傷をつ
ける恐れがある。さらにワークエリアが狭くメンテナン
スが困難であり、エア・マイクロメータ方式検出器はシ
ステムが大きいため装置占有面積が大きく、調整時間も
長くかかった。又、エアの元圧変動により、高さ位置検
出誤差を生じた。本発明は、システムを小型化し、さら
に高精度にウェーハ面高さ及び傾きを検出し、位置決め
できる位置決め装置を提供することにある。
学式焦点位置検出器は、高さを検出できるストロークが
１０μｍと短く、ウェーハの厚みむら５０μｍを吸収す
る事は不可能である。そのためエア・マイクロメータ方
式検出器にて、ウェーハをＺステージにてレンズの正焦
点まで移動させ、そこから光学式焦点位置検出器にて、
高さ及び傾きを測定していた。エア・マイクロメータ方
式検出器は、ウェーハ傾き検出機能を持たせるため、ウ
ェーハ面に最低３ヶ所の微小ノズルから一定圧の気体を
噴射し、その背圧を検出し、各ノズルとウェーハ面との
間隔を平均して、ウェーハ面高さを検出するため、ノズ
ル下面とウェーハ面とのギャップを６０μｍしか設けら
れず、大きな異物が混入した場合、ウェーハ面に傷をつ
ける恐れがある。さらにワークエリアが狭くメンテナン
スが困難であり、エア・マイクロメータ方式検出器はシ
ステムが大きいため装置占有面積が大きく、調整時間も
長くかかった。又、エアの元圧変動により、高さ位置検
出誤差を生じた。本発明は、システムを小型化し、さら
に高精度にウェーハ面高さ及び傾きを検出し、位置決め
できる位置決め装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明においてはエア・マイクロメータ方式検出器
を廃止し、Ｚレーザ測長器により正焦点高さをＺステー
ジを移動させながら測長し、露光領域とに光学式焦点検
出器によりウェーハの水平位置を検出制御したものであ
る。
に、本発明においてはエア・マイクロメータ方式検出器
を廃止し、Ｚレーザ測長器により正焦点高さをＺステー
ジを移動させながら測長し、露光領域とに光学式焦点検
出器によりウェーハの水平位置を検出制御したものであ
る。
【０００５】
【作用】ウェーハをウェーハチャックに固定後、レーザ
測長器により正焦点高さをＺステージを移動させながら
検出後、高さの位置決めを行う。次に、レーザ測長器に
て検出した基準面を、光学式焦点検出器にて測定し、こ
の結果を高さの基準とする。次にウェーハ面を光学式焦
点検出器にて検出し、基準面からの差を高さの測長値に
加算し、帰還制御を行うことにより、高精度にウェーハ
面高さ及び傾きを検出し、位置決めを行うことができ
る。
測長器により正焦点高さをＺステージを移動させながら
検出後、高さの位置決めを行う。次に、レーザ測長器に
て検出した基準面を、光学式焦点検出器にて測定し、こ
の結果を高さの基準とする。次にウェーハ面を光学式焦
点検出器にて検出し、基準面からの差を高さの測長値に
加算し、帰還制御を行うことにより、高精度にウェーハ
面高さ及び傾きを検出し、位置決めを行うことができ
る。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図１〜図３
に基づき説明する。
に基づき説明する。
【０００７】図１は、本発明の適用対策となる投影露光
装置の一構成例を示す概略図である。図１において投影
露光装置では、露光照明系６により出た露光光が、レテ
ィクル５のパターン及び縮小レンズ７を通して、ステー
ジ１上の固定されたウェーハに投影しパターンの転写が
行われる。このパターン転写を行うに際し、ステージ１
はレーザ測長系４により０.００８μｍ の精度で位置計
測され、ある一定ピッチを繰り返し、サーボモータ等の
ステージ駆動機構３にて移動し、±０.０２μｍの精度
で位置決めされる。
装置の一構成例を示す概略図である。図１において投影
露光装置では、露光照明系６により出た露光光が、レテ
ィクル５のパターン及び縮小レンズ７を通して、ステー
ジ１上の固定されたウェーハに投影しパターンの転写が
行われる。このパターン転写を行うに際し、ステージ１
はレーザ測長系４により０.００８μｍ の精度で位置計
測され、ある一定ピッチを繰り返し、サーボモータ等の
ステージ駆動機構３にて移動し、±０.０２μｍの精度
で位置決めされる。
【０００８】図２は、一実施例を示す概念図である。ウ
ェーハ２を真空吸着にて固定するウェーハチャック８
と、ウェーハ２と同じ高さ及び傾きに調整された平面ミ
ラー９を備えたトップテーブル１０は、粗Ｘステージ１
１と微動枠１２の間に、１／５０のテーパのＭサビより
構成された粗Ｚステージ１３を、ＤＣモータ１４を回転
させ送りネジ１５にて出し入れする事により上下動作を
行う。この粗Ｚステージ１３は、高さ方向精度±０.０
２μｍ 精度の、マグネセンサ等の原点センサ１６を設
置し、Ｚ方向の原点としている。Ｚ方向の絶対高さは、
縮小レンズ７の横に設置したＺレーザ測長系１７にて測
定し、粗Ｚコントローラ１８を通して制御を行う。光学
式焦点検出器は、レーザ１８より放出したレーザを、プ
リズム１９にて参照光２０と測定光２１に分割し、２枚
のミラー２２に反射後、レンズ２３にて集光しＣＣＤ２
４に入れる。ＣＣＤ２４にて干渉縞信号２５を出力し、
ＦＦＴ２６にてスペクトルの最大位置検出２７し、傾き
と高さ演算２８を行う。傾きの目標値は、微Ｚコントロ
ーラ２９にて微動枠１２上に３本設置してある微Ｚピエ
ゾ３０を駆動し、ＭＧＳ（マグネセンサ）３１にて移動
量を測定し、傾きの制御を行う。
ェーハ２を真空吸着にて固定するウェーハチャック８
と、ウェーハ２と同じ高さ及び傾きに調整された平面ミ
ラー９を備えたトップテーブル１０は、粗Ｘステージ１
１と微動枠１２の間に、１／５０のテーパのＭサビより
構成された粗Ｚステージ１３を、ＤＣモータ１４を回転
させ送りネジ１５にて出し入れする事により上下動作を
行う。この粗Ｚステージ１３は、高さ方向精度±０.０
２μｍ 精度の、マグネセンサ等の原点センサ１６を設
置し、Ｚ方向の原点としている。Ｚ方向の絶対高さは、
縮小レンズ７の横に設置したＺレーザ測長系１７にて測
定し、粗Ｚコントローラ１８を通して制御を行う。光学
式焦点検出器は、レーザ１８より放出したレーザを、プ
リズム１９にて参照光２０と測定光２１に分割し、２枚
のミラー２２に反射後、レンズ２３にて集光しＣＣＤ２
４に入れる。ＣＣＤ２４にて干渉縞信号２５を出力し、
ＦＦＴ２６にてスペクトルの最大位置検出２７し、傾き
と高さ演算２８を行う。傾きの目標値は、微Ｚコントロ
ーラ２９にて微動枠１２上に３本設置してある微Ｚピエ
ゾ３０を駆動し、ＭＧＳ（マグネセンサ）３１にて移動
量を測定し、傾きの制御を行う。
【０００９】図３は、高さの制御法の制御ブロック図で
ある。高さの目標値３２に対し、Ｚレーザ測長系１７か
ら平面ミラー９までの距離が、Ｚレーザ現在値３５とな
り、その値を基準とする光学式焦点検出器の測定光２１
を、平面ミラー９に反射させ、その時の干渉縞信号２５
より基準位相を算出する。次に、光学式焦点検出器の測
定光２１をウェーハ２に反射させ、前記基準位相との位
相差３８をＤＡＣ３３に入れ、ＰＩＤ制御３４を通して
ＤＣモータ１４を回転させ、送りネジ１５により粗Ｚス
テージ１２を移動させて、高さ目標値３２になるまで繰
り返すことにより、高精度なウェーハ面高さの位置決め
を行うことができる。
ある。高さの目標値３２に対し、Ｚレーザ測長系１７か
ら平面ミラー９までの距離が、Ｚレーザ現在値３５とな
り、その値を基準とする光学式焦点検出器の測定光２１
を、平面ミラー９に反射させ、その時の干渉縞信号２５
より基準位相を算出する。次に、光学式焦点検出器の測
定光２１をウェーハ２に反射させ、前記基準位相との位
相差３８をＤＡＣ３３に入れ、ＰＩＤ制御３４を通して
ＤＣモータ１４を回転させ、送りネジ１５により粗Ｚス
テージ１２を移動させて、高さ目標値３２になるまで繰
り返すことにより、高精度なウェーハ面高さの位置決め
を行うことができる。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、エア・マイクロメータ
方式検出器を廃止でき、エアの元圧変動等による誤差を
生じることもなくなり、高精度にウェーハ面高さ及び傾
きの位置決めを行える効果がある。又、ウェーハ面上の
ワークエリアも広がり、メンテナンスもしやすくなる。
さらに、エア・マイクロメータユニットを廃止すること
により、装置の占有面積も小さくなり、装置の調整時間
も短くなる等の効果もある。
方式検出器を廃止でき、エアの元圧変動等による誤差を
生じることもなくなり、高精度にウェーハ面高さ及び傾
きの位置決めを行える効果がある。又、ウェーハ面上の
ワークエリアも広がり、メンテナンスもしやすくなる。
さらに、エア・マイクロメータユニットを廃止すること
により、装置の占有面積も小さくなり、装置の調整時間
も短くなる等の効果もある。
【図１】本発明の適用対象となる、投影露光装置の一構
成例を示す概略斜視図である。
成例を示す概略斜視図である。
【図２】本発明の一実施例を示す概念図である。
【図３】本発明の制御ブロック図である。
１…ステージ、２…ウェーハ、３…サーボモータ（ステ
ージ駆動機構）、４…レーザ測長系、５…レティクル、
６…露光照明系、７…縮少レンズ、８…ウェーハチャッ
ク、９…平面ミラー、１０…トップテーブル、１１…粗
Ｘステージ、１２…微動枠、１３…粗Ｚステージ、１４
…ＤＣモータ、１５…送りネジ、１６…原点センサ、１
７…Ｚレーザ測長系、１８…粗Ｚコントローラ、１９…
プリズム、２０…参照光、２１…測定光、２２…ミラ
ー、２３…レンズ、２４…ＣＣＤ、２５…干渉縞信号、
２６…ＦＦＴ、２７…スペクトルの最大位置検出、２８
…傾き，高さ演算、２９…微Ｚコントローラ、３０…微
Ｚピエゾ、３１…マグネセンサ、３２…高さ目標値、３
３…ＤＡＣ、３４…ＰＩＤ制御、３５…Ｚレーザ現在
値、３６…平面ミラー上での基準位相算出、３７…ウェ
ーハ上での位相差算出、３８…位相差。
ージ駆動機構）、４…レーザ測長系、５…レティクル、
６…露光照明系、７…縮少レンズ、８…ウェーハチャッ
ク、９…平面ミラー、１０…トップテーブル、１１…粗
Ｘステージ、１２…微動枠、１３…粗Ｚステージ、１４
…ＤＣモータ、１５…送りネジ、１６…原点センサ、１
７…Ｚレーザ測長系、１８…粗Ｚコントローラ、１９…
プリズム、２０…参照光、２１…測定光、２２…ミラ
ー、２３…レンズ、２４…ＣＣＤ、２５…干渉縞信号、
２６…ＦＦＴ、２７…スペクトルの最大位置検出、２８
…傾き，高さ演算、２９…微Ｚコントローラ、３０…微
Ｚピエゾ、３１…マグネセンサ、３２…高さ目標値、３
３…ＤＡＣ、３４…ＰＩＤ制御、３５…Ｚレーザ現在
値、３６…平面ミラー上での基準位相算出、３７…ウェ
ーハ上での位相差算出、３８…位相差。
Claims (2)
- 【請求項１】被処理基板を保持するとともに、該基板を
予め定められた基準平面内で、２次元的に移動させるた
めのＸ，Ｙステージと、該Ｘ，Ｙステージに設けられ、
前記基準面とほぼ垂直方向に可動なＺステージと、該Ｚ
ステージに設けられ、該基板を前記基準面に対して、任
意の方向に傾斜可能なレベリングステージと、該基板の
傾斜量を検出する検出手段を有する装置において、被処
理基板の垂直方向よりレーザ測長器により、高さを測長
することを特徴とする位置決め装置。 - 【請求項２】請求項１において、上記Ｚステージ上に、
被処理基板と同等の高さ及び傾きの平面ミラーを設け、
傾斜量検出装置において、該平面ミラーと被処理基板を
比較して、制御する手段を備えたことを特徴とする位置
決め装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5047672A JPH06260393A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 位置決め装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5047672A JPH06260393A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 位置決め装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260393A true JPH06260393A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12781764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5047672A Pending JPH06260393A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 位置決め装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260393A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786131A (ja) * | 1993-09-13 | 1995-03-31 | Nikon Corp | 露光装置 |
| WO2003010803A1 (en) * | 2001-07-26 | 2003-02-06 | Seiko Epson Corporation | Exposure device, exposure method, method of producing semiconductor device, electrooptic device, and electronic equipment |
| EP1674939A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-28 | ASML Netherlands BV | Level sensor, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7148494B2 (en) | 2004-12-29 | 2006-12-12 | Asml Netherlands B.V. | Level sensor, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1439428A3 (en) * | 2003-01-14 | 2009-05-13 | ASML Netherlands B.V. | Level sensor for lithographic apparatus |
| KR101109966B1 (ko) * | 2003-11-19 | 2012-02-24 | 뉴 인덱스 에이에스 | 근접 검출기 |
| WO2012050375A3 (ko) * | 2010-10-13 | 2012-06-28 | 주식회사 고영테크놀러지 | 측정장치 및 이의 보정방법 |
| JP2018045147A (ja) * | 2016-09-15 | 2018-03-22 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び物品の製造方法 |
| WO2026057045A1 (zh) * | 2024-09-13 | 2026-03-19 | 北京芯东来半导体科技有限公司 | 一种高精度的调平装置、调平台以及调平方法 |
-
1993
- 1993-03-09 JP JP5047672A patent/JPH06260393A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786131A (ja) * | 1993-09-13 | 1995-03-31 | Nikon Corp | 露光装置 |
| WO2003010803A1 (en) * | 2001-07-26 | 2003-02-06 | Seiko Epson Corporation | Exposure device, exposure method, method of producing semiconductor device, electrooptic device, and electronic equipment |
| JPWO2003010803A1 (ja) * | 2001-07-26 | 2004-11-18 | セイコーエプソン株式会社 | 露光装置、露光方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
| US7049617B2 (en) | 2001-07-26 | 2006-05-23 | Seiko Epson Corporation | Thickness measurement in an exposure device for exposure of a film with a hologram mask, exposure method and semiconductor device manufacturing method |
| JP4861605B2 (ja) * | 2001-07-26 | 2012-01-25 | セイコーエプソン株式会社 | 露光装置 |
| EP1439428A3 (en) * | 2003-01-14 | 2009-05-13 | ASML Netherlands B.V. | Level sensor for lithographic apparatus |
| KR101109966B1 (ko) * | 2003-11-19 | 2012-02-24 | 뉴 인덱스 에이에스 | 근접 검출기 |
| EP1674939A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-28 | ASML Netherlands BV | Level sensor, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7148494B2 (en) | 2004-12-29 | 2006-12-12 | Asml Netherlands B.V. | Level sensor, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| WO2012050375A3 (ko) * | 2010-10-13 | 2012-06-28 | 주식회사 고영테크놀러지 | 측정장치 및 이의 보정방법 |
| US9250071B2 (en) | 2010-10-13 | 2016-02-02 | Koh Young Technology Inc. | Measurement apparatus and correction method of the same |
| JP2018045147A (ja) * | 2016-09-15 | 2018-03-22 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び物品の製造方法 |
| WO2026057045A1 (zh) * | 2024-09-13 | 2026-03-19 | 北京芯东来半导体科技有限公司 | 一种高精度的调平装置、调平台以及调平方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6549271B2 (en) | Exposure apparatus and method | |
| US6287734B2 (en) | Exposure method | |
| US5502311A (en) | Method of and apparatus for detecting plane position | |
| US5365051A (en) | Projection exposure apparatus | |
| US5742067A (en) | Exposure method and apparatus therefor | |
| JP3401769B2 (ja) | 露光方法、ステージ装置、及び露光装置 | |
| US9046788B2 (en) | Method for monitoring focus on an integrated wafer | |
| JP3308063B2 (ja) | 投影露光方法及び装置 | |
| JP3282751B2 (ja) | 走査型露光装置、及び該装置を用いる素子製造方法 | |
| US5737063A (en) | Projection exposure apparatus | |
| JP5386463B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
| JPH0257333B2 (ja) | ||
| JPH1145846A (ja) | 走査型露光方法及び装置 | |
| JP2004014876A (ja) | 調整方法、空間像計測方法及び像面計測方法、並びに露光装置 | |
| EP0349632A1 (en) | APPARATUS AND METHOD FOR DETECTION / ADJUSTMENT OF FREE SPACE FOR LITHOGRAPHIC MACHINE. | |
| JPH06260393A (ja) | 位置決め装置 | |
| JPH09223650A (ja) | 露光装置 | |
| JP3218466B2 (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JPH11186129A (ja) | 走査型露光方法及び装置 | |
| JP3305448B2 (ja) | 面位置設定装置、露光装置、及び露光方法 | |
| JP2001015422A (ja) | 投影露光方法、投影露光装置、及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JPH10294257A (ja) | 基板の面位置制御方法及び制御装置、並びに露光方法及び露光装置 | |
| JPH10177950A (ja) | ステージ装置及び投影光学装置 | |
| US6798516B1 (en) | Projection exposure apparatus having compact substrate stage | |
| CN111443577B (zh) | 用于曝光设备的调整装置、方法及曝光设备 |