JPH0444281A - 圧電素子の駆動装置 - Google Patents

圧電素子の駆動装置

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JPH0444281A
JPH0444281A JP2148518A JP14851890A JPH0444281A JP H0444281 A JPH0444281 A JP H0444281A JP 2148518 A JP2148518 A JP 2148518A JP 14851890 A JP14851890 A JP 14851890A JP H0444281 A JPH0444281 A JP H0444281A
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発胡は圧電素子の駆動装置に関する。
〔従来の技術〕
電源用コンデンサに充電された電荷を充電用コイルを介
して圧電素子に充電し、圧電素子に充電された電荷を放
電用コイルを介して放電するようにした圧電素子の充放
電装置が公知である。しかしながらこの場合には放電電
荷が無駄に消費されるという問題がある。
そこで放電電荷の一部を電源用コンデンサにより回収し
て電力消費量を低減するようにした圧電素子の充放電装
置が公知である(実開昭62−117251号公報参照
)。
〔発閂が解決しようとする課題〕
この充放電装置は原理的には第8図に示すように圧電素
子PZTに充電された電荷を放電用コイルL2を介して
接地側に放電させる第1の放電経路と、圧電素子PZT
に充電された電荷を放電用コイルL2を介して電源用コ
ンデンサCの高電位側に放電させる第2の放電経路とを
具備している。
電源用コンデンサCは高電圧発生装置Eにより充電され
、スイッチング素子S1がオンになると電源用コンデン
サCに充電された電荷が充電用コイルLlを介して圧電
素子PZTに充電させる。放電時には丈ず初めにスイッ
チング素子s3をオンにして圧電素子PZTに充電され
た電荷を第2の放電経路を介して放電することにより放
電電荷を電源用コンデンサCにより回収し、次いでスイ
ッチング素子S3をオフにすると共にスイッチング素子
S2をオンにして圧電素子PZTに充電された電荷を第
1の放電経路を介して放電するようにしている。このよ
うに電源用コンデンサCは高電圧発生装置Eにより充電
されることに加えて放電電荷によっても充電されるので
電力消費量を低減することができる。
ところで圧電素子PZTの放電時の端子電圧が大きな負
電圧になると圧電素子PZTの分極状態が変化し、圧電
素子FATの伸縮量が小さくなると共に圧電素子PZT
が発熱するという分極劣化を生ずる。従って圧電素子P
ZTの端子電圧が放電時に大きな負電圧となるないよう
にしなければならない。また、放電時の圧電素子PZT
の端子電圧によって圧電素子PZTの伸縮量を制御しつ
るので放電時の圧電素子PZTの端子電圧を自由に設定
しうろことが好ましい。しかしながら上述の実開昭62
−117251号公報に記載された充放電装置では放電
時の圧電素子PZTの端子電圧が負電圧になるのを成る
程度は抑制することができるものの十分に抑制すること
ができず、ましてや放電時の圧電素子の端子電圧を予め
定められた正電圧に制御することは全く不可能であると
いう問題がある。次にこれについて第8図および第9図
を参照しつつ説明する。
第8図において電源用コンデンサCの静電容量は圧電素
子PZTの静電容量に比べてはるかに大きい。また、高
電圧発生装置Eは320(V)程度の高電圧を発生して
おり、従って電源用コンデンサCの高電位側端子電圧は
ほぼ320(V)となっている。このような状態でスイ
ッチング素子S1がオンにされると圧電素子PZTが充
電され、圧電素子PZT(7)i子電圧は600(V)
程度となる。このような状態で最初にスイッチング素子
S3がオンとされ、次いでスイッチング素子S2がオン
とされて放電が開始され、このときの圧電素子PZTの
端子電圧Vの変化が第9図(A)、  (B)、  (
C)に示されている。
第9図(A)はスイッチング素子s3のオン時間が短か
い場合を示している。スイッチング素子S3がオンにな
ると圧電素子PZTに充電された電荷は第2の放電経路
を介して電源用コンデンサCにより回収されるがこのと
きスイッチング素子S3のオン時間が短かいためにこの
間に圧電素子PZTの端子電圧Vはさほど低下しない。
次いでスイッチング素子S3がオフにされてスイッチン
グ素子S2がオンにされると圧電素子PZTに充電され
た電荷は第1の放電回路を介して放電される。このとき
圧電素子PZTと放電用コイルL2は共振回路を構成す
るので放電完了後の圧電素子PZTの端子電圧Vは負電
圧となるが、この負電圧の大きさはスイッチング素子S
2がオンになって第1の放電経路に放電が開始されたと
きの圧電素子PZTの端子電圧V(正電圧)のほぼ1/
3となる。第9図(A)に示す場合にはスイッチング素
子S2がオンになったときの圧電素子PZTの端子電圧
Vが600(V)よりわずかばかり低い電圧となってい
るので放電完了後の圧電素子PZTの端子電圧Vはほぼ
−200(V)となる。
第9図(B)はスイッチング素子S3のオン時間を若干
長くした場合、即ち圧電素子PZTの端子電圧Vが4C
1O(V)程度まで低下したときにスイッチング素子S
3をオフにしてスイッチング素子S2をオンにした場合
を示している。この場合には放電完了後の圧電素子PZ
Tの端子に発生する負電圧は若干小さくなってほぼ−1
50(V)となる。
第9図(C)は第2の放電経路による放電作用が完了す
るまでスイッチング素子s3をオンにしておいてその後
スイッチング素子S2をオンにした場合を示している。
スイッチング素子s3がオンになると圧電素子PZT、
電源用コンデンサCおよび放電用コイルL2が共振回路
を構成し、このときにも放電完了後における圧電素子P
ZTの端子電圧は電源用コンデンサCの高電位側端子電
圧(はぼ320(V))を基準とした放電開始時の圧電
素子PZTの端子電圧Vの1/3程度電源用コンデンサ
Cの高電位側端子電圧に対して低下する。即ち、放電開
始時における電源用コンデンサCの高電位側端子電圧を
基準とした圧電素子PZTの端子電圧Vはほぼ300(
V)であるから放電完了後における圧電素子PZTの端
子電圧Vは200(V)前後となり、スイッチング素子
S2がオンとされない限り、圧電素子PZTの端子電圧
Vは21)0(V)前後に維持される。第9図(C)は
圧電素子PZTの端子電圧Vが200(V)前後まで低
下したときにスイッチング素子S2がオンとされた場合
を示している。この場合にも放電完了後において圧電素
子PZTの端子に発生する負電圧は放電開始時における
圧電素子PZTの端子電圧Vの173程度となり、従っ
て放電完了後に圧電素子PZTの端子に発生する負電圧
は−80(V)程度となる。なお、この場合放電作用が
終結する前にスイッチング素子S2をオフにすると、即
ちスイッチング素子S2のオン時間を短かくするとスイ
ッチング素子S2をオフにするときに放電用コイルL2
に蓄えられたエネルギが一気に放出されるたtにスイッ
チング素子S2が破損する。従って放電作用が完了する
までスイッチング素子S2をオフとすることはできず、
斯くして放電完了後における圧電素子PZTの端子電圧
Vは−80(V)程度になってしまう。このように圧電
素子PZTに充電された電荷を第2の放電経路を介して
放電させた後に第1の放電経路を介して放電すると放電
完了後における圧電素子PZTの端子電圧Vを−80(
V)程度よりも小さい負電圧とすることはできず、まし
てや正の一定電圧とすることはできない。
ところが圧電素子PZTに充電された電荷を第1の放電
経路を介して放電させた後に第2の放電回路を介して放
電させると放電完了後における圧電素子PZTの端子電
圧Vを−200(V)から+200(V)の間の任意の
電圧に設定する二とができる。次にこれについて第9図
CD)、  (E)、  (F)を参照しつつ説明する
即ち、スイッチング素子S2をオンにすると圧電素子P
ZTに充電されている電荷は第1の放電経路を介して放
電を開始し、斯くして圧電素子PZTの端子電圧Vが低
下し始める。次いでスイッチング素子S2をオフにし、
スイッチング素子S3をオンにすると今度は第2の放電
経路を介して放電が開始される。
第9図(D)に示されるようにスイッチング素子S2の
オン時間が短かいときはスイッチング素子S3のみをオ
ンにしたときと同時になる。従ってこのときには第9図
(C)を参照しつつ説明したように放電完了後における
圧電素子PZTの端子電圧Vは200(V)程度となる
これに対してスイッチング素子S2のオン時間をかなり
長くすると第9図(A)に示される場合と同様になり、
このときには放電完了後における圧電素子PZTの端子
電圧Vは−200(V)程度となる。
次にスイッチング素子S3のオン時間がこれら両極端の
中間である場合について説明する。この場合にはエネル
ギで考えた方が考えやすいのでエネルギで説明する。
スイッチング素子S2がオンにされて圧電素子PZTに
充電されている電荷の放電が開始されると圧電素子PZ
Tはエネルギを放出し続け、圧電素子PZTの端子電圧
Vは低下し続ける。圧電素子PZTがエネルギの放出を
開始すると放電用コイルL2には第1の放電経路を示す
矢印方向に電流が流れ続け、放電用コイルL2にはエネ
ルギが次第に蓄積される。次いでスイッチング素子S2
がオフとされてスイッチング素子S3がオンとされると
放電用コイルL2に蓄積されたエネルギが第2の放電経
路を介して電源用コンデンサCに与えられ、斯くして7
4源用コンデンサCが充電される。一方、スイッチング
素子82オフとされてスイッチング素子S3がオンとさ
れてからも暫らくの間、放電用コイルL2には電流が流
れ続けるために圧電素子PZTの端子電圧υ“が低下し
続ける。
次いで放電用コイルL2に電流が流れなくなると、即ち
放電が完了すると圧電素子PZTの端子電圧Vが一定電
圧となる。即ち、第9図(E)、  (F)に示すよう
にスイッチング素子S2のオン時間によって放電完了時
における圧電素子PZTの端子電圧Vが変化し、この圧
電素子PZTの端子電圧Vはスイッチング素子S2のオ
ン時間が長くなるほど低くなる。この場合、放電完了後
における圧電素子PZTの端子電圧Vはスイッチング素
子S2のオン時間を変えることによって−200(V)
から+200(V)の範囲で自由に変えることができる
本発明の目的は放電完了後における圧電素子の端子電圧
を広い範囲に亘って変えることのできる圧電素子の駆動
装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明によれば圧電素子に充電された電荷を放電用コイ
ルを介して接地側に放電させる第1の放電経路と、圧電
素子に充電された電荷を放電用コイルを介して電源用コ
ンデンサの高電位側に放電させる第2の放電経路とを具
備した圧電素子の駆動装置において、第1の放電経路と
第2の放電経路内に第1の放電経路を介して放電させた
後に第2の放電経路を介して放電させる放電経路切換手
段を設けている。
〔作 用〕
放電時には圧Ns子に充電された電荷がまず初めに放電
用コイルを介して接地側に放電され、次いで放電用コイ
ルを介して電源用コンデンサの高電位側に放電される。
〔実施例〕
以下本発明を燃料噴射制御用ピエゾ圧電素子の駆動装置
を例にとって説明する。
まず初めに第7図を参照してピエゾ圧電素子を用いた燃
料噴射弁について説明する。
第7図を参照すると燃料噴射弁1はそのハウジング2内
に摺動可能に挿入されてノズル口3の開閉制御をするニ
ードル4と、ニードル4の円錐状受圧面5周りに形成さ
れたニードル加圧室6と、ハウジング2内に摺動可能に
挿入されたピストン7と、ハウジング2とピストン7間
に挿入されたピエゾ圧電素子PZTと、ピストン7をピ
エゾ圧電素子PZTに向けて付勢する皿ばね8と、ニー
ドル4とピストン7間に形成された圧力制御室9と、ニ
ードル4をノズル口3に向けて付勢する圧縮ばね10と
を具備する。圧力制御室9はニードル4周りに形成され
た絞り通路11を介してニードル加圧室6に連結され、
ニードル加圧室6は燃料通路12および燃料分配管13
を介して高圧の燃料で満たされている蓄圧室14内に連
結される。従ってニードル加圧室6内には蓄圧室14内
の高圧の燃料が導かれ、この高圧燃料の一部は絞り通路
11を介して圧力制御室9内に送り込まれる。斯くして
ニードル加圧室6内および圧力制御室9内の燃料圧は蓄
圧室14内とほぼ同じ高圧となっている。
ピエゾ圧電素子PZTに充電された電荷が放電されてピ
エゾ圧電素子PZTが収縮するとピストン7が上昇する
ために圧力制御室9内の燃料圧が急激に低下する。その
結果、ニードル4が上昇し、ノズル口3からの燃料噴射
が開始される。燃料噴射が行われている間、ニードル加
圧室6内の燃料が絞り通路11を介して圧力制御室9に
送り込まれるために圧力制御室9内の燃料圧は次第に上
昇する。次いでピエゾ圧電素子PZTに電荷が放電され
てピエゾ圧電素子PZTが伸長するとピストン7が下降
するために圧力制御室9内の燃料圧が急激に上昇する。
その結果、ニードル4が下降してノズル口3を閉鎖し、
斯くして燃料噴射が停止せしめられる。燃料噴射が停止
されている間、圧力制御室9内の燃料が絞り通路11を
介してニードル加圧室6内に流出するた於に圧力制御室
9内の燃料圧は徐々に低下し、元の高圧に戻る。
次に第1図を参照して第7図に示すピエゾ圧電素子PZ
Tの駆動装置について説明する。
第1図には制御装置20によって制御されるピエゾ圧電
素子PZTの駆動装置30が示されている。
第1図を参照すると高電圧発生装置Eの高電位側がダイ
オードDeを介して電源用コンデンサCの高電位側に接
続されており、従って電源用コンデンサCはダイオード
Deを介して高電圧発生装置Eにより充電される。電源
用コンデンサCの高電位側はスイッチング素子Sl、充
電用コイルL1およびダイオードDIを介してピエゾ圧
電素子PZTの端子に接続され、ダイオードD1とピエ
ゾ圧電素子PZTの端子との接続点は放電用コイルL2
、ダイオードD2およびスイッチング素子S2を介して
接地側に接続される。また、放電用コイルL2とダイオ
ードD2の接続点はスイッチング素子S3およびダイオ
ードD3を介してダイオードDeと電源用コンデンサC
の接続点に接触される。電源用コンデンサCの静電容量
はピエゾ圧電素子PZTの静電容量に比べてかなり大き
い。
第1図に示す実施例では高電圧発生装置Eが320(V
)程度の出力電圧を発生しており、従って電源用コンデ
ンサCの高電位側の電圧も320(V)程度となってい
る。第1図および第8図かられかるように第1図に示す
駆動装置30は第8図に示す駆動装置と同じである。従
って第1図において放電用コイルL2、ダイオードD2
およびスイッチング素子S2が第1の放電経路を形成し
ており、放電用コイルL2、スイッチング素子S3およ
びダイオードD3が第2の放電経路を形成している。
制御装置20は3つの単安定マルチバイブレーク21.
22.23を具えており、各スイッチング素子Sl、3
2.33は対応する単安定マルチバイブレーク21,2
2.23のa力信号によって制御される。
また、制御装置20は噴射開始パルスと噴射完了パルス
を出力する。単安定マルチバイブレーク21はこの噴射
完了パルスによって作動せしめられ、単安定マルチバイ
ブレータ22.23はこの噴射開始パルスによって作動
せしめられる。
次に第2図を参照しつつピエゾ圧電素子PZTが充電さ
れている状態からピエゾ圧電素子PZTの作動が開始さ
れた場合について説明する。
第2図に示されるように制御装置20が噴射開始パルス
を出力すると単安定マルチバイブレータ22・23の出
力電圧は高レベルとなり、その結果スイッチング素子S
2.S3がオンとされる。次いで単安定マルチバイブレ
ータ22の出力電圧は予め定められた設定時間t2経過
後に低レベルとなり、従ってスイッチング素子S2はt
2時間だけオンとなる。一方、単安定マルチバイブレー
ク23の出力電圧は設定時間t2よりも長い予め定tら
れた設定時間t3経過後に低レベルとなり、従ってスイ
ッチング素子S3はt3時間だけオンとなる。
スイッチング素子S2.S3がオンになると放電用コイ
ルL2とダイオードD2の接続点の電圧が急激に低下し
、ピエゾ圧電素子PZTに充電されている電荷の放電が
開始される。このとき放電電流はスイッチング素子S3
を流れず、スイッチング素子S2のみを流れる。即ち、
ピエゾ圧電素子PZTに充電された電荷は放電用コイル
L2、ダイオードD2、スイッチング素子S2からなる
第1の放電経路を介して接地側に放電され、その結果ピ
エゾ圧電素子PZTの端子電圧Vが次第に低下する。次
いでスイッチング素子S2がオフになると放電用コイル
L2に蓄えられたエネルギがスイッチング素子S3およ
びダイオードD3を介して電源用コンデンサCに供給さ
れる。即ち、ピエゾ圧電素子PZTに充電されている電
荷は放電用コイルL2、スイッチング素子s3、ダイオ
ードD3からなる第2の放電経路を介して電源用コンデ
ンサCの高電位側に放電される。従って放電電流の一部
が電源用コンデンサCによって回収されることになる。
次いでピエゾ圧電素子PZTの放電作用が完了するとピ
エゾ圧電素子PZTの端子電圧Vは一定電圧に維持され
る。次いでスイッチング素子S3がオフにされる。即ち
、設定時間t、はピエゾ圧電素子PZTの放電作用が完
了した後にスイッチング素子S3がオフとなるように定
於られている。
噴射開始パルスが出されてから噴射時間Tを経過すると
噴射完了パルスが出される。噴射完了パルスが8される
と単安定マルチバイブレーク21の8カ電圧は予め設定
された時間t1高レベルとなり、その結果スイッチング
素子S1は設定時間t1だけオンにされる。スイッチン
グ素子S1がオンにされると電源用コンデンサCに充電
された電荷がスイッチング素子S1、充電用コイルL1
およびダイオードDIを介してピエゾ圧電素子PZTに
充電される。
第2図に示されるように第1図に示す実施例は放電完了
後におけるピエゾ圧電素子PZTの端子電圧Vがほぼ−
60(V)となるようにした場合を示している。しかし
ながら第9図(D)、  (E)。
(F)を参−照して前に説明したように放電完了後のピ
エゾ圧電素子PZTの端子電圧Vはスイッチング素子S
2のオン時間t2を変えることによって−200(V)
から+200(V)の範囲で自由に変化させることがで
きる。即ち、第1図に示す実施例では単安定マルチバイ
ブレーク22により定まる設定時間t2を変えることに
よって放電完了後のピエゾ圧電素子PZTの端子電圧V
を負電圧或いは正電圧の広い範囲に亘って変えることが
できる。
第3図に別の実施例を示す。この実施例では第1図に示
す駆動装置30に鎖線で囲んだ制御回路40が追加され
ている。この制御回路40はピエゾ圧電素子PZTに並
列接続された一対の直列抵抗R1゜R2と、コンパレー
タ41と、双安定マルチバイブレータ42とにより構成
され、スイッチング素子S2は双安定マルチバイブレー
ク42の8力信号によって制御される。抵抗R,,R2
の接続点はコンパレータ41の反転入力端子に接続され
、コンパレータ41の非反転入力端子よ基準電源43に
接続される。また、コンパレータ41の8力端子は双安
定マルチバイブレータ42のリセット入力端子Rに接続
され、双安定マルチバイブレーク42のセット入力端子
Sには噴射開始パルスが入力される。
次に第4図を参照しつつ第3図に示す駆動装置の作動に
ついて説明する。
第4図に示されるように噴射開始パルスが出されると双
安定マルチバイブレーク42の出力電圧が高レベルとな
り、スイッチング素子S2がオンにされる。同時に単安
定マルチバイブレーク23の出力電圧が高レベルとなり
、スイッチング素子S3がオンにされる。次いでピエゾ
圧′r4s子PZTの出力電圧Vが低下し、抵抗R1、
R2の接続点の電圧が低下してこの電圧が基準電源43
の基準電圧よりも低下するとコンパレータ41の出力電
圧が高レベルとなる。コンパレータ41の出力電圧が高
レベルになるとこれがトリガとなって双安定マルチバイ
ブレータ42の出力電圧が低レベルとなり、スイッチン
グ素子S2がオフとされる。従ってこの実施例ではスイ
ッチング素子S2がオンになる時間t2が基準電源43
の基準電圧で定まる。云い換えるとこの実施例では基準
電R43の基準電圧を変えることによって放電完了後の
ピエゾ圧電素子PZTの出力電圧Vを−200(V)か
ら+200(V)の範囲で任意に変えることができる。
第5図に別の実施例を示す。この実施例では第1図に示
す駆動装置30に鎖線で囲んだ制御回路50が追加され
ている。この制御回路50はピエゾ圧電素子PZTに並
列接続された一対の直列抵抗RR2と、最小ピークホー
ルド回路51と、第1のコンパレータ52と、第1の積
分器53と、第2のコンパレータ54と、第2の積分器
55と、双安定マルチバイブレーク56とにより構成さ
れ、スイッチング素子S2は双安定マルチバイブレーク
56の出力信号によって制御される。抵抗R,,R2の
接続点は最小ピークホールド回路51の入力端子に接続
され、最小ピークホールド回路51の出力端子は第1の
コンパレータ52の非反転入力端子に接続される。
第1コンパレータ52の反転入力端子は基準電源57に
接続される。第1コンパレータ52の出力端子は第1積
分器53を介して第2コンパレータ54の反転入力端子
に接続され、単安定マルチバイブレータ23の8カ端子
は第281分器55を介して第2コンパレータ54の非
反転入力端子に接続される。第2コンパレータ54の出
力端子は双安定マルチバイブレーク56のリセット入力
端子Rおよび最小ピークホールド回路51に接続され、
双安定マルチバイブレータ56のセット入力端子Sには
噴射開始パルスが人力される。
次に第6図を参照しつつ第5図に示す駆動装置の作動に
ついて説明する。
第4図に示されるように噴射開始パルスが出されると双
安定マルチバイブレーク56の出力電圧が高レベルとな
り、スイッチング素子s2がオンにされる。同時に単安
定マルチバイブレータ23の出力電圧が高レベルとなり
、スイッチング素子s3がオンになる。一方、単安定マ
ルチバイブレーク23の出力電圧が高レベルになると第
2積分器55の8カ電圧v2が上昇を開始する。次いで
ピエゾ圧電素子PZTの出力電圧Vが低下し、第2積分
器55の出力電圧V2が第1積分器53の出力電圧V1
よりも高くなると第2コンパレータ54f1711力%
E圧が高レベルとなる。コンパレータ54の出力電圧が
高レベルになるとこれがトリガとなって双安定マルチハ
イフレーク42の8力電圧が低レベルとナリ、スイッチ
ング素子S2がオフとされる。同時に最小ピークホール
ド回路51がリセットされる。
次いでピエゾ圧電素子PZTの放電作用が完了してピエ
ゾ圧電素子PZTの端子電圧が最も低下するとこの最も
低下したときのピエゾ圧電素子PZTの端子電圧Vが最
小ピークホールド回路51によりホールドされ、最小ピ
ークボールド回路51は最も低下したときのピエゾ圧電
素子PZTの端子電圧Vを出力する。最小ピークホール
ド回路57の出力電圧が基準電源57の基準電圧V0よ
りも高いときは第1コンパレータ52の出力電圧は高レ
ベルとなり、最小ピークホールド回路57の出力電圧が
基準電圧v0よりも低いときは第1コンパレータ52の
出力電圧は低レベルとなる。第1コンパレータ52の出
力電圧は第1積分器53により積分されて第2コンパレ
ータ54の反転入力端子に印加される。ピエゾ圧電素子
PZTの最小端子電圧Vが基準電圧v0よりも低いとき
は第1コンパレータ52の出力電圧が低レベルとなるた
めに第1積分器52の出力電圧が徐々に低下する。第1
積分器52の出力電圧が低下するとスイッチング素子S
2のオン時間t2が短かくなるためにピエゾ圧電素子P
ZTの最小端子電圧Vが上昇する。これに対してピエゾ
圧電素子PzTの最小端子電圧Vが基準電圧voよりも
高いときは第1コンパレータ52の出力電圧が高レベル
となるために第1積分器52の出力電圧が徐々に上昇す
る。第1積分器52の出力電圧が上昇するとスイッチン
グ素子S2のオン時間t2が長くなるためにピエゾ圧電
素子PZTの最小端子電圧Vが低下する。このようにし
てピエゾ圧電素子PZTの最小端子電圧Vが基準電圧V
に正確に一致せしめられる。従ってこの実施例では基準
電圧Voを−200(V)から+200(V)の範囲で
変えることによりピエゾ圧電素子PZTの最小端子電圧
Vを基準電圧V。に対応した−200(V)から+20
0(V)の範囲の目標電圧に正確に一致せしすることが
できる。
なお、最小ピークホールド回路51は第5図において破
線で示すように単安定マルチバイブレータ23の出力電
圧の立下りをトリガとしてリセットすることもできる。
この場合には最小ピークボールド回路51の出力電圧は
第6図において破線で示すように変化する。
〔発明の効果〕
放電完了後の圧電素子の端子電圧を負電圧或いは正電圧
の任意の電圧に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は圧電素子駆動回路図、第2図はタイムチャート
、第3図は別の実施例を示す圧電素子駆動回路図、第4
図はタイムチャート、第5図は更に別の実施例を示す圧
電素子駆動回路図、第6図はタイムチャート、第7図は
燃料噴射弁の側面断面図、第8図は放電経路のちがいに
よる放電作用の差異を説明するための圧電素子駆動回路
図、第9図は放電時の圧電素子の端子電圧変化を示す線
図である。 E・・・高電圧発生装置、 C・・・電源用コンデンサ
、De  ・ Di 、D2 、D3−ダイオード、S
L、S2.S3・・・スイッチング素子、Ll・・・充
電用コイノベ L2・・・放電用コイル、PZT・・・
圧電素子、 21.22.23・・・単安定マルチバイブレーク。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  圧電素子に充電された電荷を放電用コイルを介して接
    地側に放電させる第1の放電経路と、圧電素子に充電さ
    れた電荷を放電用コイルを介して電源用コンデンサの高
    電位側に放電させる第2の放電経路とを具備した圧電素
    子の駆動装置において、上記第1の放電経路と第2の放
    電経路内に第1の放電経路を介して放電させた後に第2
    の放電経路を介して放電させる放電経路切換手段を設け
    た圧電素子の駆動装置。
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