JPH0444322A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0444322A JPH0444322A JP15339690A JP15339690A JPH0444322A JP H0444322 A JPH0444322 A JP H0444322A JP 15339690 A JP15339690 A JP 15339690A JP 15339690 A JP15339690 A JP 15339690A JP H0444322 A JPH0444322 A JP H0444322A
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- JP
- Japan
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- pressure
- cleaning
- silicon substrate
- trench
- trench groove
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にシリコン基
板にトレンチ溝を形成する工程後の洗浄工程の改良に関
するものである。
板にトレンチ溝を形成する工程後の洗浄工程の改良に関
するものである。
シリコン基板にトレンチ溝を形成する工程を含む半導体
装置の製造方法において通常、常圧（大気圧）下で洗浄
処理を行っている。
装置の製造方法において通常、常圧（大気圧）下で洗浄
処理を行っている。
すなわち、通常はシリコン基板の表面において、一部を
除いてレジストなどのマスクを被着形成しておき、ウェ
ットエンチングまたはドライエツチングによりシリコン
基板に所定の深さのトレンチ溝を形成する。マスクを除
去した後、第２図に示すようにトレンチ溝３を形成した
シリコン基板２を、洗浄槽Ｉ内に入っている純水や洗浄
液５に大気圧中で浸漬して、シリコン基板２の表面およ
びトレンチ溝３の内部を洗浄する。
除いてレジストなどのマスクを被着形成しておき、ウェ
ットエンチングまたはドライエツチングによりシリコン
基板に所定の深さのトレンチ溝を形成する。マスクを除
去した後、第２図に示すようにトレンチ溝３を形成した
シリコン基板２を、洗浄槽Ｉ内に入っている純水や洗浄
液５に大気圧中で浸漬して、シリコン基板２の表面およ
びトレンチ溝３の内部を洗浄する。
−Ｃ的には、周知のホトリソグラフィ技術を利用してシ
リコン基板の所定位置に数μｍφ〜数百μｍφ（または
数μｍ口〜数百μｍ口）のトレンチ溝を形成し、その後
シリコン基板表面に形成される自然酸化膜などのエツチ
ングを行ったり純水にてトレンチ溝内部を洗浄したりす
るといった洗浄処理を行う。
リコン基板の所定位置に数μｍφ〜数百μｍφ（または
数μｍ口〜数百μｍ口）のトレンチ溝を形成し、その後
シリコン基板表面に形成される自然酸化膜などのエツチ
ングを行ったり純水にてトレンチ溝内部を洗浄したりす
るといった洗浄処理を行う。
〔発明が解決しようとする課題］
ところで、トレンチ溝のアスペクト比（深さ／溝幅）は
比較的大きいために、上述した洗浄過程において、洗浄
液がトレンチ溝内部に侵入し難くなっている。特に、こ
のトレンチ溝内部に異物が入ってくると製作すべき半導
体素子の品質低下を招くとこにもなりかねないので、ト
レンチ溝へ洗浄液が完全に侵入することが望ましい。
比較的大きいために、上述した洗浄過程において、洗浄
液がトレンチ溝内部に侵入し難くなっている。特に、こ
のトレンチ溝内部に異物が入ってくると製作すべき半導
体素子の品質低下を招くとこにもなりかねないので、ト
レンチ溝へ洗浄液が完全に侵入することが望ましい。
しかしながら洗浄液の表面張力の効果等により少しは入
るが確実に充満していないことが分かった。
るが確実に充満していないことが分かった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、トレ
ンチ溝内部を確実に洗浄できる半導体装置の製造方法を
得ることを目的としている。
ンチ溝内部を確実に洗浄できる半導体装置の製造方法を
得ることを目的としている。
本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン基板にトレ
ンチ溝を形成した後、該トレンチ溝及びシリコン基板表
面を洗浄する工程として、減圧下で洗浄液に浸漬し、雰
囲気を大気圧に戻して洗浄する工程を備えたものである
。
ンチ溝を形成した後、該トレンチ溝及びシリコン基板表
面を洗浄する工程として、減圧下で洗浄液に浸漬し、雰
囲気を大気圧に戻して洗浄する工程を備えたものである
。
この発明に係る半導体装置の製造方法は、上記洗浄工程
に代えて、減圧雰囲気でシリコン基板を洗浄液内に浸漬
し、雰囲気を大気圧に戻した後さらに加圧して洗浄する
加圧洗浄工程を備えたものである。
に代えて、減圧雰囲気でシリコン基板を洗浄液内に浸漬
し、雰囲気を大気圧に戻した後さらに加圧して洗浄する
加圧洗浄工程を備えたものである。
この発明においては、洗浄工程にてシリコン基板を減圧
下で洗浄液に浸漬した後、雰囲気を大気圧に戻すように
したから、圧力差により洗浄液がトレンチ溝内に入って
いくようになり、トレンチ溝内部を確実に洗浄できる。
下で洗浄液に浸漬した後、雰囲気を大気圧に戻すように
したから、圧力差により洗浄液がトレンチ溝内に入って
いくようになり、トレンチ溝内部を確実に洗浄できる。
この発明においては、減圧雰囲気でシリコン基板を洗浄
液内に浸漬し、雰囲気を大気圧に戻した後さらに加圧し
て洗浄するようにしたから、より深いトレンチ溝の洗浄
が可能となる。
液内に浸漬し、雰囲気を大気圧に戻した後さらに加圧し
て洗浄するようにしたから、より深いトレンチ溝の洗浄
が可能となる。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を説明するための図であり、図において、１はチャンバ
、２は該チャンバｌ内に配置されたシリコン基板、３は
該シリコン基板２に形成されたトレンチ溝、４は上記チ
ャンバｌに形成された減圧用の吸排気口（減圧口）、５
は給水口である。
を説明するための図であり、図において、１はチャンバ
、２は該チャンバｌ内に配置されたシリコン基板、３は
該シリコン基板２に形成されたトレンチ溝、４は上記チ
ャンバｌに形成された減圧用の吸排気口（減圧口）、５
は給水口である。
次に製造方法について説明する。
チャンバ１内にトレンチ溝３が形成されているシリコン
基板２を入れておき、チャンバ１を密閉する。その後、
減圧口４から減圧ポンプを用いて、チャンバ１内の空気
を外に出す。充分に減圧した後、給水口５から純水や洗
浄液を流し込む。シリコン基板２が充分に浸漬されるま
で給水を続ける。
基板２を入れておき、チャンバ１を密閉する。その後、
減圧口４から減圧ポンプを用いて、チャンバ１内の空気
を外に出す。充分に減圧した後、給水口５から純水や洗
浄液を流し込む。シリコン基板２が充分に浸漬されるま
で給水を続ける。
その後大気圧に戻し、洗浄を行う。この場合真空度がよ
い方が洗浄液はトレンチ溝３内により深く入り込む。
い方が洗浄液はトレンチ溝３内により深く入り込む。
この理由について説明すると、トレンチ溝３を洗浄液に
浸漬させると、液面でトレンチ溝３の入口が塞がれてし
まう。つまりトレンチ溝３内に気泡が発生してしまうの
である。この気泡により、洗浄液がトレンチ内に入って
いかなくなるのである。そこで、減圧から大気圧にして
、圧力差を用いることによってトレンチ溝３内にとり残
された気泡の体積収縮を起こさせるのである。つまり、
トレンチ溝３内の気圧を減圧にしておき、洗浄液内に浸
漬させ、トレンチ溝３の人口を洗浄液の液面で塞ぎ、そ
の後雰囲気を大気圧に戻してやれば、圧力差（ボイルの
法則）により、液面がトレンチ溝３内奥まで入り込んで
いくことになる。
浸漬させると、液面でトレンチ溝３の入口が塞がれてし
まう。つまりトレンチ溝３内に気泡が発生してしまうの
である。この気泡により、洗浄液がトレンチ内に入って
いかなくなるのである。そこで、減圧から大気圧にして
、圧力差を用いることによってトレンチ溝３内にとり残
された気泡の体積収縮を起こさせるのである。つまり、
トレンチ溝３内の気圧を減圧にしておき、洗浄液内に浸
漬させ、トレンチ溝３の人口を洗浄液の液面で塞ぎ、そ
の後雰囲気を大気圧に戻してやれば、圧力差（ボイルの
法則）により、液面がトレンチ溝３内奥まで入り込んで
いくことになる。
このように本実施例では、シリコン基板を減圧下で洗浄
液に浸漬した後、雰囲気を大気圧に戻すようにしたので
、圧力差により洗浄液がトレンチ溝内に入っていくよう
になり、トレンチ溝内部を確実に洗浄できる。この結果
トレンチ溝内に例えばキャパシタなどを構成する膜を高
品質な状態で形成できるなど、製作すべき半導体素子の
品質歩留まりを向上できる効果がある。
液に浸漬した後、雰囲気を大気圧に戻すようにしたので
、圧力差により洗浄液がトレンチ溝内に入っていくよう
になり、トレンチ溝内部を確実に洗浄できる。この結果
トレンチ溝内に例えばキャパシタなどを構成する膜を高
品質な状態で形成できるなど、製作すべき半導体素子の
品質歩留まりを向上できる効果がある。
なお、この実施例では減圧後、洗浄液に浸漬し、雰囲気
を大気圧に戻し、大気圧中で洗浄する例を示したが、減
圧後洗浄液に浸漬し、チャンバー１内を大気圧に戻しさ
らに加圧し、この加圧状態でシリコン基板の洗浄を行う
ようにしてもよい。
を大気圧に戻し、大気圧中で洗浄する例を示したが、減
圧後洗浄液に浸漬し、チャンバー１内を大気圧に戻しさ
らに加圧し、この加圧状態でシリコン基板の洗浄を行う
ようにしてもよい。
第３図はこのような構成の本発明の第２の実施例を示し
ており、第１図の実施例と異なるところは、減圧口４の
代わりに減圧及び加圧用の吸排気口（減圧、加圧口）１
４を設けたところである。
ており、第１図の実施例と異なるところは、減圧口４の
代わりに減圧及び加圧用の吸排気口（減圧、加圧口）１
４を設けたところである。
その他は第１図と全く同じである。この場合加圧中で洗
浄を２行っているので、減圧から加圧への圧力差が大き
いことから洗浄液はよりトレンチ溝の奥深くまで入り込
むこととなり、より深いトレンチ溝３の洗浄が可能とな
る。
浄を２行っているので、減圧から加圧への圧力差が大き
いことから洗浄液はよりトレンチ溝の奥深くまで入り込
むこととなり、より深いトレンチ溝３の洗浄が可能とな
る。
以上のように、本発明によれば、シリコン基板にトレン
チ溝を形成した後、該トレンチ溝及びシリコン基板表面
を減圧下で洗浄液に浸漬し、雰囲気を大気圧に戻して洗
浄するようにしたので、洗浄液がトレンチ内奥まで入り
込むこととなり、適切な処理条件でトレンチ溝の内部を
確実に洗浄させることができ、製作すべき半導体素子の
品質。
チ溝を形成した後、該トレンチ溝及びシリコン基板表面
を減圧下で洗浄液に浸漬し、雰囲気を大気圧に戻して洗
浄するようにしたので、洗浄液がトレンチ内奥まで入り
込むこととなり、適切な処理条件でトレンチ溝の内部を
確実に洗浄させることができ、製作すべき半導体素子の
品質。
歩留まりを向上できる効果がある。
またこの発明によれば、減圧雰囲気でシリコン基板を洗
浄液内に浸漬し、雰囲気を大気圧に戻した後さらに加圧
して洗浄するようにしたので、より深いトレンチ溝の洗
浄が可能となり、より多くのタイプの半導体素子の洗浄
を行うことができる。
浄液内に浸漬し、雰囲気を大気圧に戻した後さらに加圧
して洗浄するようにしたので、より深いトレンチ溝の洗
浄が可能となり、より多くのタイプの半導体素子の洗浄
を行うことができる。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を説明するための模式図、第２図は従来例の半導体装置
の製造方法を示す模式図、第３図は本発明の第２の実施
例による半導体装置の製造方法を説明するための模式図
である。 図において、１はチャンバ、２はシリコン基板、３はト
レンチ溝、４は減圧口、５は給水口、１４は減圧、加圧
口である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
を説明するための模式図、第２図は従来例の半導体装置
の製造方法を示す模式図、第３図は本発明の第２の実施
例による半導体装置の製造方法を説明するための模式図
である。 図において、１はチャンバ、２はシリコン基板、３はト
レンチ溝、４は減圧口、５は給水口、１４は減圧、加圧
口である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）シリコン基板にトレンチ溝を形成する第１の工程
及びその後該トレンチ溝及びシリコン基板表面を洗浄す
る第２の工程を含む半導体装置の製造方法において、 上記第２の工程は、 シリコン基板を減圧雰囲気で洗浄液内に浸漬し、その後
雰囲気を大気圧に戻して洗浄する洗浄工程であることを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）請求項１記載の半導体装置の製造方法において、 第２の工程を、上記洗浄工程に代えて、シリコン基板を
減圧雰囲気で洗浄液内に浸漬し、雰囲気を大気圧に戻し
た後さらに加圧して洗浄する加圧洗浄工程としたことを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15339690A JPH0444322A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15339690A JPH0444322A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0444322A true JPH0444322A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15561582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15339690A Pending JPH0444322A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0444322A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014170928A1 (ja) * | 2013-04-18 | 2014-10-23 | 国立大学法人東北大学 | マイクロ空室の内壁面処理方法 |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP15339690A patent/JPH0444322A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014170928A1 (ja) * | 2013-04-18 | 2014-10-23 | 国立大学法人東北大学 | マイクロ空室の内壁面処理方法 |
| CN105122425A (zh) * | 2013-04-18 | 2015-12-02 | 国立大学法人东北大学 | 微空腔的内壁面处理方法 |
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