JPH0444614B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0444614B2 JPH0444614B2 JP61057341A JP5734186A JPH0444614B2 JP H0444614 B2 JPH0444614 B2 JP H0444614B2 JP 61057341 A JP61057341 A JP 61057341A JP 5734186 A JP5734186 A JP 5734186A JP H0444614 B2 JPH0444614 B2 JP H0444614B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- sintered body
- glass
- glass powder
- mgo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
〔技術分野〕
この発明は、銀、銀−パラジウム、金などの低
抵抗金属と同時焼成でき、高集積化したLSIを多
数搭載するための多層配線基板などの絶縁材料を
製造するのに用いられるガラス粉末焼結体の製造
方法に関する。 〔背景技術〕 近年、高集積化したLSIや各種の素子を多数搭
載するための多層配線基板では、小型化や高信頼
性の要求が高まるにつれてセラミツクス材の多層
配線基板の利用が拡がつてきている。セラミツク
ス材の多層基板は、アルミナを主材にしてグリー
ンシート上に高融点金属（Mo，Ｗ等）の導体配
線を厚膜技術により印刷形成する。そのあと、こ
のグリーンシートを貼り合わせて積層した多層グ
リーンシートを約1500〜1600℃の高温非酸化雰囲
気中で焼成する。 しかし、上述のようなアルミナを主材料とする
多層配線基板では、アルミナの高い比誘電率と、
高い抵抗値を有する極細高融点金属配線によつ
て、基板配線中を伝搬する信号の伝達時間が長く
なり、高速化の要望に応え難かつた。もちろん、
高抵抗の高融点金属材料の代わりに、低抵抗金属
材料（Au，Ag，Ag−Pd，Cu等）を使つて配線
を形成することも考えられる。しかしながら、上
記の各低抵抗金属材料は融点が1000℃付近であ
り、アルミナの焼結温度よりもはるかに低くなつ
ている。そのため、仮に用いたとしても、焼結以
前に配線パターンが融解して表面張力で収縮し断
線してしまうという問題があつた。 この問題を解決するため、ガラス、あるいはガ
ラス粉末焼結体（ガラス−セラミツクス体）の多
層配線基板が提案されている。 このようなガラス粉末焼結体、とくに、SiO2
−Al2O3−MgO系（以下に、「コーデイエライト
系」と記す）の具体例が、特公昭59−22399号公
報、特開昭59−178752号公報、特公昭57−6257号
公報、および、特公昭59−46900号公報に記載さ
れている。しかし、特公昭59−46900号公報以外
の上記公報に記載されているガラス粉末焼結体
は、いずれも、組成にNa，Ｋ，Li，Pbの比較的
イオン伝導性の高い元素を含んでいることから、
マイグレーシヨン現象が生ずる。そのため、基板
としてもつとも重要な特性である絶縁性の劣化が
生じやすいという問題がある。一方、特公昭59−
46900号公報に記載されているガラス粉末焼結体
は、上記のイオン伝導性の高い元素をほとんど含
んでおらず、上記マイグレーシヨンに伴う絶縁性
の劣化というものはない。しかしながら、特公昭
59−46900号公報記載のガラス粉末焼結体は、950
℃近辺の焼成温度で緻密な焼結体を得られるので
あるが、さらに、誘電率を下げたいという要求が
依然として残る。 一方、純粋なコーデイエライトガラス（2Al2
O3・2MgO・5SiO2）は、昔から知られているよ
うに、その誘電率が4.1と小さい。しかしながら、
このコーデイエライトガラスは、焼成を1000℃を
かなり越える温度で行うようにしなければ、析出
結晶が完全なα−コーデイエライトにならず、μ
−コーデイエライトが多くない、目的に合うよう
な電気特性や熱膨張率が得られないばかりか、α
型とμ型の混在した再現性の悪い結晶体した得ら
れない。 〔発明の目的〕 この発明は、このような事情に鑑みて、1000℃
以下の低い温度での焼成で十分緻密化され、誘電
率も低く、しかも多層配線基板材料として用いて
も、マイグレーシヨン現象による絶縁劣化の心配
がないガラス粉末焼結体を容易に製造することの
できる方法を提供することを目的としている。 〔発明の開示〕 この発明者らは、このような目的を達成するた
めに、鋭意検討を行いコーデイエライト系のガラ
ス組成物に対して４〜10重量％のB2O3を添加す
るようにすれば、さらに、低温で焼成でき、μ−
コーデイエライトからα−コーデイエライトへの
転移も1000℃以下で行えることを見出した。この
ガラス組成物から得られる焼結体（ガラスセラミ
ツクス）は、アルミナの持つ比較的高い誘電率
（96％アルミナで約10）に比べ低いレベルになつ
ているが、十分なものではなかつた。このため、
さらに、誘電率を下げるべく研究を重ねた結果、
この発明を完成するに至つた。 したがつて、この発明は、SiO248〜63重量％，
Al2O310〜25重量％，B2O3４〜10重量％，
MgO10〜25重量％を主成分とするガラス組成物
において、前記MgOのうちの３〜20重量％が
BaO，SrOおよびCaOからなる群より選ばれた少
なくとも１つに置換されてなるガラス組成物の粉
末の成形体を焼成するようにするガラス粉末焼結
体の製造方法を要旨とする。 以下に、この発明にかかるガラス粉末焼結体の
製造方法を詳しく説明する。 上記組成範囲のSiO2−Al2O3−MgO−B2O3系
のガラス組成物のうちのMgOを、Bao，SrO，
CaOなどのアルカリ土類金属酸化物で３〜20重量
％置換しても、置換されていない上記組成範囲の
SiO2−Al2O3−MgO−B2O3系のガラス組成物と
同様に、850℃付近、少なくとも950℃以下の焼成
温度で緻密な非多孔質の焼結体を得ることができ
る。得られた焼結体は、置換されていないSiO2
−Al2O3−MgO−B2O3系のガラス組成物のそれ
に比べて誘電率が低くなる。ガラス原料の融解温
度も1400℃で十分であるため、通常の粘土ルツボ
や溶解炉で間に合い、製造上からも都合がよい。
このガラス組成物に３重量％以下、好ましくは
0.5〜２重量％の核発生剤を添加するようにする
と、焼結体の結晶をより確実にα−コーデイエラ
イトとすることができる。核発生剤としては、
TiO2，ZrO2，SnO2，P2O5，ZnO，MoO3，Ta2
O5，Nb2O5，As2O3，Li2Ｏなどが挙げられる。 SiO2の組成割合が63重量％を越えると、緻密
な焼結体となり難い。48重量％を下回ると、結晶
化温度が上昇して、950℃以下の焼成温度では十
分に結晶化することができなかつたり、緻密化が
難しくなる。 Al2O3の組成割合が25重量％を越えると、焼結
できる温度が上昇して、950℃以下の焼成温度で
は十分な焼結が行えない。10重量％を下回ると、
コーデイエライト結晶が少なくなり、SiO2−
MgO系の結晶が多く析出するので比誘電率が上
昇する。 MgOの組成割合が25重量％を越えると、恐ら
くは、ケイ酸マグネシウムが析出するためと思わ
れるが、変形が大きくなり実用性に乏しい。10重
量％を下回ると、緻密な焼結体となり難い。 B2O3の組成割合が10重量％を越えると、ガラ
ス相が多く、発泡しやすくなり、焼成可能な温度
範囲も狭くなる。また、機械的強度も弱く実用性
に乏しくなる。４重量％を下回ると、ガラス粉末
の表面層の結晶化が急激に進みすぎるため緻密な
焼結体となり難い。 MgOと置換するROの置換率は、20重量％を越
えると、MgO成分が少なくなるため、α−コー
デイエライト結晶の析出が悪くなり、電気特性が
悪くなる。３重量％を下回ると、効果が現れな
い。 核発生剤は、３重量％を越えると、結晶化が急
激に進みすぎて緻密な焼結体とならない。 つぎに、この発明の実施例で使うガラス組成物
について詳しく説明する。 第１表の実施例１〜14および比較例１〜４に示
す割合の組成となるように各酸化物を調合し、そ
れぞれをアルミナ質ルツボ内に入れて約1400℃の
加熱温度下で溶融した。このようにして得られた
溶融液を水中に投下して、透明性のガラス組成物
（フリツト）を得た。この組成物を、乾式または
湿式で、アルミナ質ボールミル中で十分粉砕し
て、平均粒径１〜10μmのガラス粉末とした。 このガラス粉末にポリブチルメタクリレート樹
脂、フタル酸ジブチル、トルエン等を加え混練
し、減圧下で脱泡処理しスラリーを得た。そのあ
と、スラリーを用いてドクタブレード法によりフ
イルムシート上に0.2mm厚の連続した乾燥シート
を作成した。この乾燥シートをフイルムシートか
らはがし、打ち抜きして適当な大きさのグリーン
シートとした。つぎに、個々のグリーンシートに
スルホールおよび低抵抗金属材料による配線パタ
ーンを印刷形成した。スルホールと配線パターン
を形成したグリーンシート複数枚を積層し、プレ
ス成形により成形体とした。 この積層グリーンシートを、まず、毎時150℃
の速度で500℃まで昇温し、２時間45分そのまま
で保持してグリーンシート中の有機物質を除去し
た。その後毎時200℃の速度で第１表に示した所
定の焼成温度まで昇温し、この焼成温度出３時間
保持して積層グリーンシートを焼成した。このの
ち、毎時110℃の速度で400℃まで降温し、以後、
自然放冷して焼結体を得た。 このようにして得た実施例および比較例の焼結
体について比誘電率および吸水率を測定し、その
結果を第１表に示した。比誘電率の測定は、1M
Hzの周波数で行つた。吸水率の測定は、JIS Ｃ−
2141に従つて行つた。
抵抗金属と同時焼成でき、高集積化したLSIを多
数搭載するための多層配線基板などの絶縁材料を
製造するのに用いられるガラス粉末焼結体の製造
方法に関する。 〔背景技術〕 近年、高集積化したLSIや各種の素子を多数搭
載するための多層配線基板では、小型化や高信頼
性の要求が高まるにつれてセラミツクス材の多層
配線基板の利用が拡がつてきている。セラミツク
ス材の多層基板は、アルミナを主材にしてグリー
ンシート上に高融点金属（Mo，Ｗ等）の導体配
線を厚膜技術により印刷形成する。そのあと、こ
のグリーンシートを貼り合わせて積層した多層グ
リーンシートを約1500〜1600℃の高温非酸化雰囲
気中で焼成する。 しかし、上述のようなアルミナを主材料とする
多層配線基板では、アルミナの高い比誘電率と、
高い抵抗値を有する極細高融点金属配線によつ
て、基板配線中を伝搬する信号の伝達時間が長く
なり、高速化の要望に応え難かつた。もちろん、
高抵抗の高融点金属材料の代わりに、低抵抗金属
材料（Au，Ag，Ag−Pd，Cu等）を使つて配線
を形成することも考えられる。しかしながら、上
記の各低抵抗金属材料は融点が1000℃付近であ
り、アルミナの焼結温度よりもはるかに低くなつ
ている。そのため、仮に用いたとしても、焼結以
前に配線パターンが融解して表面張力で収縮し断
線してしまうという問題があつた。 この問題を解決するため、ガラス、あるいはガ
ラス粉末焼結体（ガラス−セラミツクス体）の多
層配線基板が提案されている。 このようなガラス粉末焼結体、とくに、SiO2
−Al2O3−MgO系（以下に、「コーデイエライト
系」と記す）の具体例が、特公昭59−22399号公
報、特開昭59−178752号公報、特公昭57−6257号
公報、および、特公昭59−46900号公報に記載さ
れている。しかし、特公昭59−46900号公報以外
の上記公報に記載されているガラス粉末焼結体
は、いずれも、組成にNa，Ｋ，Li，Pbの比較的
イオン伝導性の高い元素を含んでいることから、
マイグレーシヨン現象が生ずる。そのため、基板
としてもつとも重要な特性である絶縁性の劣化が
生じやすいという問題がある。一方、特公昭59−
46900号公報に記載されているガラス粉末焼結体
は、上記のイオン伝導性の高い元素をほとんど含
んでおらず、上記マイグレーシヨンに伴う絶縁性
の劣化というものはない。しかしながら、特公昭
59−46900号公報記載のガラス粉末焼結体は、950
℃近辺の焼成温度で緻密な焼結体を得られるので
あるが、さらに、誘電率を下げたいという要求が
依然として残る。 一方、純粋なコーデイエライトガラス（2Al2
O3・2MgO・5SiO2）は、昔から知られているよ
うに、その誘電率が4.1と小さい。しかしながら、
このコーデイエライトガラスは、焼成を1000℃を
かなり越える温度で行うようにしなければ、析出
結晶が完全なα−コーデイエライトにならず、μ
−コーデイエライトが多くない、目的に合うよう
な電気特性や熱膨張率が得られないばかりか、α
型とμ型の混在した再現性の悪い結晶体した得ら
れない。 〔発明の目的〕 この発明は、このような事情に鑑みて、1000℃
以下の低い温度での焼成で十分緻密化され、誘電
率も低く、しかも多層配線基板材料として用いて
も、マイグレーシヨン現象による絶縁劣化の心配
がないガラス粉末焼結体を容易に製造することの
できる方法を提供することを目的としている。 〔発明の開示〕 この発明者らは、このような目的を達成するた
めに、鋭意検討を行いコーデイエライト系のガラ
ス組成物に対して４〜10重量％のB2O3を添加す
るようにすれば、さらに、低温で焼成でき、μ−
コーデイエライトからα−コーデイエライトへの
転移も1000℃以下で行えることを見出した。この
ガラス組成物から得られる焼結体（ガラスセラミ
ツクス）は、アルミナの持つ比較的高い誘電率
（96％アルミナで約10）に比べ低いレベルになつ
ているが、十分なものではなかつた。このため、
さらに、誘電率を下げるべく研究を重ねた結果、
この発明を完成するに至つた。 したがつて、この発明は、SiO248〜63重量％，
Al2O310〜25重量％，B2O3４〜10重量％，
MgO10〜25重量％を主成分とするガラス組成物
において、前記MgOのうちの３〜20重量％が
BaO，SrOおよびCaOからなる群より選ばれた少
なくとも１つに置換されてなるガラス組成物の粉
末の成形体を焼成するようにするガラス粉末焼結
体の製造方法を要旨とする。 以下に、この発明にかかるガラス粉末焼結体の
製造方法を詳しく説明する。 上記組成範囲のSiO2−Al2O3−MgO−B2O3系
のガラス組成物のうちのMgOを、Bao，SrO，
CaOなどのアルカリ土類金属酸化物で３〜20重量
％置換しても、置換されていない上記組成範囲の
SiO2−Al2O3−MgO−B2O3系のガラス組成物と
同様に、850℃付近、少なくとも950℃以下の焼成
温度で緻密な非多孔質の焼結体を得ることができ
る。得られた焼結体は、置換されていないSiO2
−Al2O3−MgO−B2O3系のガラス組成物のそれ
に比べて誘電率が低くなる。ガラス原料の融解温
度も1400℃で十分であるため、通常の粘土ルツボ
や溶解炉で間に合い、製造上からも都合がよい。
このガラス組成物に３重量％以下、好ましくは
0.5〜２重量％の核発生剤を添加するようにする
と、焼結体の結晶をより確実にα−コーデイエラ
イトとすることができる。核発生剤としては、
TiO2，ZrO2，SnO2，P2O5，ZnO，MoO3，Ta2
O5，Nb2O5，As2O3，Li2Ｏなどが挙げられる。 SiO2の組成割合が63重量％を越えると、緻密
な焼結体となり難い。48重量％を下回ると、結晶
化温度が上昇して、950℃以下の焼成温度では十
分に結晶化することができなかつたり、緻密化が
難しくなる。 Al2O3の組成割合が25重量％を越えると、焼結
できる温度が上昇して、950℃以下の焼成温度で
は十分な焼結が行えない。10重量％を下回ると、
コーデイエライト結晶が少なくなり、SiO2−
MgO系の結晶が多く析出するので比誘電率が上
昇する。 MgOの組成割合が25重量％を越えると、恐ら
くは、ケイ酸マグネシウムが析出するためと思わ
れるが、変形が大きくなり実用性に乏しい。10重
量％を下回ると、緻密な焼結体となり難い。 B2O3の組成割合が10重量％を越えると、ガラ
ス相が多く、発泡しやすくなり、焼成可能な温度
範囲も狭くなる。また、機械的強度も弱く実用性
に乏しくなる。４重量％を下回ると、ガラス粉末
の表面層の結晶化が急激に進みすぎるため緻密な
焼結体となり難い。 MgOと置換するROの置換率は、20重量％を越
えると、MgO成分が少なくなるため、α−コー
デイエライト結晶の析出が悪くなり、電気特性が
悪くなる。３重量％を下回ると、効果が現れな
い。 核発生剤は、３重量％を越えると、結晶化が急
激に進みすぎて緻密な焼結体とならない。 つぎに、この発明の実施例で使うガラス組成物
について詳しく説明する。 第１表の実施例１〜14および比較例１〜４に示
す割合の組成となるように各酸化物を調合し、そ
れぞれをアルミナ質ルツボ内に入れて約1400℃の
加熱温度下で溶融した。このようにして得られた
溶融液を水中に投下して、透明性のガラス組成物
（フリツト）を得た。この組成物を、乾式または
湿式で、アルミナ質ボールミル中で十分粉砕し
て、平均粒径１〜10μmのガラス粉末とした。 このガラス粉末にポリブチルメタクリレート樹
脂、フタル酸ジブチル、トルエン等を加え混練
し、減圧下で脱泡処理しスラリーを得た。そのあ
と、スラリーを用いてドクタブレード法によりフ
イルムシート上に0.2mm厚の連続した乾燥シート
を作成した。この乾燥シートをフイルムシートか
らはがし、打ち抜きして適当な大きさのグリーン
シートとした。つぎに、個々のグリーンシートに
スルホールおよび低抵抗金属材料による配線パタ
ーンを印刷形成した。スルホールと配線パターン
を形成したグリーンシート複数枚を積層し、プレ
ス成形により成形体とした。 この積層グリーンシートを、まず、毎時150℃
の速度で500℃まで昇温し、２時間45分そのまま
で保持してグリーンシート中の有機物質を除去し
た。その後毎時200℃の速度で第１表に示した所
定の焼成温度まで昇温し、この焼成温度出３時間
保持して積層グリーンシートを焼成した。このの
ち、毎時110℃の速度で400℃まで降温し、以後、
自然放冷して焼結体を得た。 このようにして得た実施例および比較例の焼結
体について比誘電率および吸水率を測定し、その
結果を第１表に示した。比誘電率の測定は、1M
Hzの周波数で行つた。吸水率の測定は、JIS Ｃ−
2141に従つて行つた。
【表】
以上に述べたこの発明にかかるガラス粉末焼結
体の製造方法は、下記の顕著な効果を一挙に奏す
ることができまる。 (a) 1000℃以下の低い温度での焼成で十分に緻密
化することが出来きる。 これは、粉末のガラス組成が「SiO248〜63
％重量、Al2O310〜25重量、B2O3４〜10重量
％、MgO10〜25重量％（25重量％は含まず）
を主成分とするガラス組成物において、前記
MgOのうちの３〜20重量％がBaO，SrOおよ
びCaOからなる群より選ばれた少なくとも１つ
で置換されてなる」という組成だからである。 (b) 得られたガラス粉末焼結体が低誘電率であ
る。 これも、粉末のガラス組成が上記の組成であ
ることに起因する。 (c) マイグレーシヨン劣化の心配がない。 これは、この発明に用いるガラス粉末のガラ
ス組成がアルカリ金属元素を構成成分の中に含
まないからである。この結果、多層配線基板用
材料として適したガラス粉末焼結体が得られ
る。 (d) 上のように特性に優れたガラス粉末焼結体が
容易に製造できる。 これは、この発明の場合、格別に困難な工程
が新たに加わるわけでなく、肝心のガラス粉末
もつ粉末も所定組成となるように原料配合に留
意する程度のことで簡単に作成することが出
来、容易に実施できるからである。
体の製造方法は、下記の顕著な効果を一挙に奏す
ることができまる。 (a) 1000℃以下の低い温度での焼成で十分に緻密
化することが出来きる。 これは、粉末のガラス組成が「SiO248〜63
％重量、Al2O310〜25重量、B2O3４〜10重量
％、MgO10〜25重量％（25重量％は含まず）
を主成分とするガラス組成物において、前記
MgOのうちの３〜20重量％がBaO，SrOおよ
びCaOからなる群より選ばれた少なくとも１つ
で置換されてなる」という組成だからである。 (b) 得られたガラス粉末焼結体が低誘電率であ
る。 これも、粉末のガラス組成が上記の組成であ
ることに起因する。 (c) マイグレーシヨン劣化の心配がない。 これは、この発明に用いるガラス粉末のガラ
ス組成がアルカリ金属元素を構成成分の中に含
まないからである。この結果、多層配線基板用
材料として適したガラス粉末焼結体が得られ
る。 (d) 上のように特性に優れたガラス粉末焼結体が
容易に製造できる。 これは、この発明の場合、格別に困難な工程
が新たに加わるわけでなく、肝心のガラス粉末
もつ粉末も所定組成となるように原料配合に留
意する程度のことで簡単に作成することが出
来、容易に実施できるからである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ SiO248〜63重量％，Al2O310〜25重量％、B2
O3４〜10重量％，MgO10〜25重量％（25重量％
は含まず）を主成分とするガラス組成物におい
て、前記MgOのうちの３〜20重量％がBaO，
SrOおよびCaOからなる群より選ばれた少なくと
も１つで置換されてなるガラス組成物の粉末の成
形体を焼成するようにするガラス粉末焼結体の製
造方法。 ２ ガラス組成物には、TiO2，ZrO2，SnO2，P2
O5，ZnO，MoO3，Ta2O5，Nb2O5，As2O3およ
びLi2Ｏからなる群より選ばれた少なくとも１つ
の核発生剤が主成分に対し３重量％以下の割合で
添加されてなる特許請求の範囲第１項記載のガラ
ス粉末焼結体の製造方法。 ３ 成形体の焼成の温度が1000℃以下である特許
請求の範囲第１項または第２項記載のガラス粉末
焼結体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61057341A JPS62216939A (ja) | 1986-03-15 | 1986-03-15 | ガラス粉末焼結体の製造方法 |
| US07/004,198 US4764486A (en) | 1986-01-23 | 1987-01-16 | Sintered glass-powder product |
| DE19873701973 DE3701973A1 (de) | 1986-01-23 | 1987-01-23 | Produkt aus gesintertem glaspulver |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61057341A JPS62216939A (ja) | 1986-03-15 | 1986-03-15 | ガラス粉末焼結体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62216939A JPS62216939A (ja) | 1987-09-24 |
| JPH0444614B2 true JPH0444614B2 (ja) | 1992-07-22 |
Family
ID=13052867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61057341A Granted JPS62216939A (ja) | 1986-01-23 | 1986-03-15 | ガラス粉末焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62216939A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2852311B1 (fr) * | 2003-03-13 | 2005-04-15 | Fils de verre aptes a renforcer des matieres organiques et/ou inorganiques, procede de fabrication desdits fils de verre et composition utilisee |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5946900A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-16 | 株式会社荏原製作所 | 放射性廃棄物の焼却法 |
| JPS5992943A (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-29 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 結晶化ガラス体 |
| JPS60141642A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-26 | Tdk Corp | 高温度安定低膨脹ガラス |
-
1986
- 1986-03-15 JP JP61057341A patent/JPS62216939A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62216939A (ja) | 1987-09-24 |
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