JPH0444718U - - Google Patents

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JPH0444718U
JPH0444718U JP8763490U JP8763490U JPH0444718U JP H0444718 U JPH0444718 U JP H0444718U JP 8763490 U JP8763490 U JP 8763490U JP 8763490 U JP8763490 U JP 8763490U JP H0444718 U JPH0444718 U JP H0444718U
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resistor
field effect
effect transistor
terminal
bias circuit
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JP8763490U
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【図面の簡単な説明】
第１図はこの考案によるバイアス回路の実施例
を示す接続図、第２図〜第５図はこの考案を説明
するための図、第６図は従来のバイアス回路を示
す接続図である。 図中、Ｄ１は第１のゼナーダイオード、Ｅ１か
らＥ６は電界効果トランジスタの端子、Ｅ７から
Ｅ９は端子、Ｒ１からＲ７は抵抗、ＲＴ１からＲ
Ｔ３は正特性サーミスタ、ＴＲ１とＴＲ２は電界
効果トランジスタである。なお、図中同一符号は
同一又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 第１の電界効果トランジスタと、前記電界効果
    トランジスタのゲート端子と、前記第１の電界効
    果トランジスタのゲート端子に一方を接続すると
    ともに、他方をグランドに接地した第の抵抗と、
    前記第１の電界効果トランジスタのゲート端子に
    一方を接続した第２の抵抗と、前記第１の電界効
    果トランジスタのドレイン端子と、前記第１の電
    界効果トランジスタのドレイン端子に一方を接続
    した第３の抵抗と、前記第１の電界効果トランジ
    スタのグランドに接地したソース端子からなる第
    １の基本バイアス回路と、前記第１基本バイアス
    回路と同様な構成で、第２の電界効果トランジス
    タ、第２の電界効果トランジスタのゲート端子、
    第４の抵抗、第５の抵抗、第２の電界効果トラン
    ジスタのドレイン端子、第６の抵抗、第２の電界
    効果トランジスタのソース端子からなる第２の基
    本バイアス回路と、前記第１の基本バイアス回路
    の第２の抵抗の他方および、前記第２の基本バイ
    アス回路の第５の抵抗の他方に一方が接続された
    正極性サーミスタと、この正極性サーミスタの他
    方に一方が接続され他方がグランドに接地された
    ゼナーダイオードと、前記ゼナーダイオードの他
    方に一方を接続するとともに、他方をマイナス電
    源用端子に接続した第７の抵抗と、前記第１の基
    本バイアス回路の第３の抵抗の他方および、第２
    の基本バイアス回路の第６の抵抗の他方と接続し
    たプラス電源用端子と、グランド用端子とを備え
    たバイアス回路。
JP8763490U 1990-08-22 1990-08-22 Pending JPH0444718U (ja)

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