JPH0444735U - - Google Patents

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JPH0444735U
JPH0444735U JP8763990U JP8763990U JPH0444735U JP H0444735 U JPH0444735 U JP H0444735U JP 8763990 U JP8763990 U JP 8763990U JP 8763990 U JP8763990 U JP 8763990U JP H0444735 U JPH0444735 U JP H0444735U
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voltage
effect transistor
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mos
mos field
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JP8763990U
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【図面の簡単な説明】
第１図は請求項１に関わる考案の一実施例の構
成図、第２図は第１図例における電位変化波形図
、第３図は請求項２に関わる考案の一実施例のブ
ロツク図、第４図は第３図例の具体的回路図、第
５図は第３図例における入力容量電荷量の変化波
形図、第６図は請求項２に関わる考案の他の実施
例のブロツク図、第７図は第６図例の具体的回路
図、第８図は請求項２に関わる考案のさらに他の
実施例のブロツク図、第９図は第８図例の具体的
回路図、第１０図はパワーＭＯＳ ＦＥＴの寄生
容量説明図、第１１図はパワーＭＯＳ ＦＥＴの
ゲート電極入力端交流等価回路図、第１２図およ
び第１３図は従来例における入力容量電荷量の変
化波形図である。 １……ゲート電極オーバードライブ用電源部、
２……パワーＭＯＳ ＦＥＴオン状態保持用電源
部、３，３ａ……ゲート電極印加電圧選択部、４
……ゲート電極電位レベル検知部、５，５ａ……
パワーＭＯＳ ＦＥＴ駆動回路部、６……パワー
ＭＯＳ ＦＥＴ、７……負荷電流検知部、８……
ＶＤＳ電圧検出部。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ＭＯＳ形電界効果トランジスタのゲート電
    極とソース電極との間に接続され、そのツエナー
    電圧が上記ＭＯＳ形電界効果トランジスタのしき
    い電圧近辺であるツエナーダイオードと、 ＭＯＳ形電界効果トランジスタ駆動指令信号に
    従つて、上記しきい電圧よりも高い電圧を上記Ｍ
    ＯＳ形電界効果トランジスタのゲート電極に供給
    する手段と、 を備えたことを特徴とするＭＯＳ形電界効果トラ
    ンジスタの駆動装置。 (2) ＭＯＳ形電界効果トランジスタがオン状態
    であるかオフ状態であるかを検出する検出手段と
    、 上記ＭＯＳ形電界効果トランジスタがオン状態
    となるに必要なしきい電圧近辺の第１の電圧を発
    生する第１の電圧源と、 上記第１の電圧よりも高い第２の電圧を発生す
    る第２の電圧源と、 上記検出手段からの検出信号に従つて、上記Ｍ
    ＯＳ形電界効果トランジスタがオフ状態である場
    合には、上記第２の電圧源からの第２の電圧を選
    択し、上記ＭＯＳ形電界効果トランジスタがオン
    状態である場合には、上記第１の電圧源からの第
    １の電圧を選択する電圧選択手段と ＭＯＳ形電界効果トランジスタ駆動指令信号に
    従つて、上記電圧選択手段によつて選択された第
    １の電圧または第２の電圧を上記ＭＯＳ形電界効
    果トランジスタに供給し、上記ＭＯＳ形電界効果
    トランジスタを駆動する駆動手段と、 を備えたことを特徴とするＭＯＳ形電界効果トラ
    ンジスタの駆動装置。
JP8763990U 1990-08-22 1990-08-22 Pending JPH0444735U (ja)

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ID=31820159

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6316722B2 (ja) * 1982-06-04 1988-04-11 Nippon Kogaku Kk

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6316722B2 (ja) * 1982-06-04 1988-04-11 Nippon Kogaku Kk

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