JPH0445170Y2 - - Google Patents
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- JPH0445170Y2 JPH0445170Y2 JP19209085U JP19209085U JPH0445170Y2 JP H0445170 Y2 JPH0445170 Y2 JP H0445170Y2 JP 19209085 U JP19209085 U JP 19209085U JP 19209085 U JP19209085 U JP 19209085U JP H0445170 Y2 JPH0445170 Y2 JP H0445170Y2
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- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
「考案の目的」
(産業上の利用分野)
本考案は可撓性磁気デイスクの記録トラツクに
対応した数のヘツド素子を選択的に切り換えて記
録、再生できるようにした可撓性磁気デイスク記
録再生装置に係り、特に、記録、再生時において
固定多素子磁気ヘツドに可撓性磁気デイスクを、
トラツクずれ等を生ずることなく確実に当接でき
るようにした可撓性磁気デイスク記録再生装置に
関するものである。
対応した数のヘツド素子を選択的に切り換えて記
録、再生できるようにした可撓性磁気デイスク記
録再生装置に係り、特に、記録、再生時において
固定多素子磁気ヘツドに可撓性磁気デイスクを、
トラツクずれ等を生ずることなく確実に当接でき
るようにした可撓性磁気デイスク記録再生装置に
関するものである。
(従来技術)
従来の可撓性磁気デイスク記録再生装置は、例
えば、第6図乃至第9図に示すような構成のもの
があつた。
えば、第6図乃至第9図に示すような構成のもの
があつた。
この、従来の装置は、可撓性磁気デイスク1の
記録トラツク数に対応した数のヘツド素子2aを
選択的に切り換えて記録、再生を行なう固定多素
子磁気ヘツド2と、その固定多素子磁気ヘツド2
に可撓性磁気デイスク1を当接させるためのパツ
ド機構3等で構成されている。
記録トラツク数に対応した数のヘツド素子2aを
選択的に切り換えて記録、再生を行なう固定多素
子磁気ヘツド2と、その固定多素子磁気ヘツド2
に可撓性磁気デイスク1を当接させるためのパツ
ド機構3等で構成されている。
上記した、パツド機構3には、第9図に示すよ
うに、可撓性磁気デイスク1を、固定多素子磁気
ヘツド2に当接させるための複数個の分割パツド
3a〜3dが設けられていた。この分割パツド3
a〜3dは、ソレノイド等を有する作動機構によ
つてそれぞれ独立して作動できるように構成さ
れ、固定多素子磁気ヘツド2のヘツド素子2aの
うち、記録または再生を行なうヘツド素子2aに
対応した、例えばパツド3aを、作動し、可撓性
磁気デイスク1を当接させるように構成されてい
た。
うに、可撓性磁気デイスク1を、固定多素子磁気
ヘツド2に当接させるための複数個の分割パツド
3a〜3dが設けられていた。この分割パツド3
a〜3dは、ソレノイド等を有する作動機構によ
つてそれぞれ独立して作動できるように構成さ
れ、固定多素子磁気ヘツド2のヘツド素子2aの
うち、記録または再生を行なうヘツド素子2aに
対応した、例えばパツド3aを、作動し、可撓性
磁気デイスク1を当接させるように構成されてい
た。
(考案が解決しようとする問題点)
しかし、上記した従来のものにおいては、可撓
性磁気デイスク1の上面側に、分割パツド3a〜
3dおよびその分割パツド作動用のソレノイド等
を有する作動機構が設置されていたため、可撓性
磁気デイスク1の両面を使用した記録、再生が不
可能な構造であつた。また、作動機構が、可撓性
磁気デイスク1の上面側に設置されるため、可撓
性磁気デイスク記録再生装置全体が、高さ方向に
大きくなる欠点があつた。更に、分割パツド3a
〜3dを、それぞれ独立して作動させるため、そ
の分割パツド個数分だけ、ソレノイド等を有する
作動機構を必要とし、コストダウンができにくい
構造であつた。
性磁気デイスク1の上面側に、分割パツド3a〜
3dおよびその分割パツド作動用のソレノイド等
を有する作動機構が設置されていたため、可撓性
磁気デイスク1の両面を使用した記録、再生が不
可能な構造であつた。また、作動機構が、可撓性
磁気デイスク1の上面側に設置されるため、可撓
性磁気デイスク記録再生装置全体が、高さ方向に
大きくなる欠点があつた。更に、分割パツド3a
〜3dを、それぞれ独立して作動させるため、そ
の分割パツド個数分だけ、ソレノイド等を有する
作動機構を必要とし、コストダウンができにくい
構造であつた。
本考案は上記した点に鑑みてなされたものであ
り、その目的とするところは、1個のソレノイド
等の駆動源で、固定多素子磁気ヘツドのヘツド素
子のうち、記録、再生するヘツド素子に可撓性磁
気デイスクを当接させることができるようにする
と共に、両面記録再生ができるようにした可撓性
磁気デイスク記録再生装置を提供することにあ
る。
り、その目的とするところは、1個のソレノイド
等の駆動源で、固定多素子磁気ヘツドのヘツド素
子のうち、記録、再生するヘツド素子に可撓性磁
気デイスクを当接させることができるようにする
と共に、両面記録再生ができるようにした可撓性
磁気デイスク記録再生装置を提供することにあ
る。
「考案の構成」
(問題を解決するための手段)
本考案に係る可撓性磁気デイスク記録再生装置
は、可撓性磁気デイスクの記録トラツク数に対応
した数のヘツド素子を有し、これらのヘツド素子
を選択的に切り換えて記録、再生を行なう固定多
素子磁気ヘツドと、ガイドと、このガイドに対向
した位置に配置して、前記可撓性磁気デイスクを
ガイドとの間に挟み込むパツドとを備え、前記ガ
イドは、可撓性磁気デイスクと接触する面を可撓
性磁気デイスクの半径方向に円弧状とし、前記固
定多素子磁気ヘツドの両側に所定の間隔を置いて
可撓性磁気デイスクの半径方向に配置するととも
に、前記円弧状の面の頂点を静止点として可撓性
磁気デイスクの中心方向又は外周方向に駆動機構
により回動変位して、可撓性磁気デイスクを固定
多素子磁気ヘツドの任意のヘツド素子の位置に当
接させるように構成して問題の解決を図つてい
る。
は、可撓性磁気デイスクの記録トラツク数に対応
した数のヘツド素子を有し、これらのヘツド素子
を選択的に切り換えて記録、再生を行なう固定多
素子磁気ヘツドと、ガイドと、このガイドに対向
した位置に配置して、前記可撓性磁気デイスクを
ガイドとの間に挟み込むパツドとを備え、前記ガ
イドは、可撓性磁気デイスクと接触する面を可撓
性磁気デイスクの半径方向に円弧状とし、前記固
定多素子磁気ヘツドの両側に所定の間隔を置いて
可撓性磁気デイスクの半径方向に配置するととも
に、前記円弧状の面の頂点を静止点として可撓性
磁気デイスクの中心方向又は外周方向に駆動機構
により回動変位して、可撓性磁気デイスクを固定
多素子磁気ヘツドの任意のヘツド素子の位置に当
接させるように構成して問題の解決を図つてい
る。
(作用)
固定多素子磁気ヘツドのヘツド素子のうち、記
録、再生を行なわせるヘツド素子の位置にガイド
を回動変位し、そのガイドとパツドで可撓性磁気
デイスクを挟み込むことにより、ヘツド素子に可
撓性磁気ヘツドを当接させることができる。更
に、上記のように構成することによつて、可撓性
磁気デイスクの両面記録再生を可能とすることが
できる。
録、再生を行なわせるヘツド素子の位置にガイド
を回動変位し、そのガイドとパツドで可撓性磁気
デイスクを挟み込むことにより、ヘツド素子に可
撓性磁気ヘツドを当接させることができる。更
に、上記のように構成することによつて、可撓性
磁気デイスクの両面記録再生を可能とすることが
できる。
(実施例)
本考案に係る可撓性磁気デイスク記録再生装置
の実施例を、第1図乃至第5図に基づいて説明す
る。
の実施例を、第1図乃至第5図に基づいて説明す
る。
まず、第1図乃至第4図に示す、この考案に係
る第1の実施例について説明する。
る第1の実施例について説明する。
図中、11は複数の記録トラツクを有する可撓
性磁気デイスクで、磁気デイスクセンタクプラン
機構(図示しない)によつてクランプされ、一定
速度で時計方向に回転されている。12は、可撓
性磁気デイスク11の下面側において、そのデイ
スク半径方向に配置されたかまぼこ形状の第1の
固定多素子磁気ヘツドで、可撓性磁気デイスク1
1の下面側の記録トラツク数に対応した数のヘツ
ド素子を有し、これらのヘツド素子を選択的に切
り換えて、可撓性磁気デイスク11の下面側に記
録、再生を行なうものである。13は、可撓性磁
気デイスク11の上面側において、そのデイスク
半径方向に配置されたかまぼこ形状の第2の固定
多素子磁気ヘツドで、可撓性磁気デイスク11の
上面側の記録トラツク数に対応した数のヘツド素
子を有し、これらのヘツド素子を選択的に切り換
えて、可撓性磁気デイスク11の上面側に記録、
再生を行なうものである。
性磁気デイスクで、磁気デイスクセンタクプラン
機構(図示しない)によつてクランプされ、一定
速度で時計方向に回転されている。12は、可撓
性磁気デイスク11の下面側において、そのデイ
スク半径方向に配置されたかまぼこ形状の第1の
固定多素子磁気ヘツドで、可撓性磁気デイスク1
1の下面側の記録トラツク数に対応した数のヘツ
ド素子を有し、これらのヘツド素子を選択的に切
り換えて、可撓性磁気デイスク11の下面側に記
録、再生を行なうものである。13は、可撓性磁
気デイスク11の上面側において、そのデイスク
半径方向に配置されたかまぼこ形状の第2の固定
多素子磁気ヘツドで、可撓性磁気デイスク11の
上面側の記録トラツク数に対応した数のヘツド素
子を有し、これらのヘツド素子を選択的に切り換
えて、可撓性磁気デイスク11の上面側に記録、
再生を行なうものである。
上記の第1の固定多素子磁気ヘツド12および
第2の固定多素子磁気ヘツド13は、第1図およ
び第4図に示すように、可撓性磁気デイスク11
の上、下面に互いに間隔を置いて平行に配置され
ている。
第2の固定多素子磁気ヘツド13は、第1図およ
び第4図に示すように、可撓性磁気デイスク11
の上、下面に互いに間隔を置いて平行に配置され
ている。
14は上記両磁気ヘツド12および13のヘツ
ド素子のうち記録、再生を行なわせるヘツド素子
の位置に回動変位して可撓性磁気デイスク11を
当接させるガイドである。このガイド14には、
両磁気ヘツド12,13の磁気ギヤツプ形成面1
2a,13aと平行でかつ両磁気ヘツド12,1
3の両側に配置された二股状のガイド部14aが
設けられている。ガイド部14aの上面には、可
撓性磁気デイスク11の下面と接触する円弧状の
接触面14bがそれぞれ形成されている。更に、
二股状のガイド部14aの下面には、上記接触面
14bの円弧とは逆向きの円弧状のスライド面1
4cが形成されている。このスライド面14c
は、下側の磁気ヘツド取付基台15に形成された
円弧状の案内面15aにスライド自在に載置され
ると共に、ガイド部14aの側壁と磁気ヘツド取
付基台15の側壁との間に取り付けたバネ16に
より案内面15aに押し当てられている。スライ
ド面14cは、載置された案内面15a上をスラ
イド変位する際、円弧状の接触面14aの一点を
静止点イとし、その静止点イを基点として可撓性
磁気デイスク11の中心方向、あるいは外周方向
にスライド変位し、ガイド部14全体を揺動する
ことができるようにしている。
ド素子のうち記録、再生を行なわせるヘツド素子
の位置に回動変位して可撓性磁気デイスク11を
当接させるガイドである。このガイド14には、
両磁気ヘツド12,13の磁気ギヤツプ形成面1
2a,13aと平行でかつ両磁気ヘツド12,1
3の両側に配置された二股状のガイド部14aが
設けられている。ガイド部14aの上面には、可
撓性磁気デイスク11の下面と接触する円弧状の
接触面14bがそれぞれ形成されている。更に、
二股状のガイド部14aの下面には、上記接触面
14bの円弧とは逆向きの円弧状のスライド面1
4cが形成されている。このスライド面14c
は、下側の磁気ヘツド取付基台15に形成された
円弧状の案内面15aにスライド自在に載置され
ると共に、ガイド部14aの側壁と磁気ヘツド取
付基台15の側壁との間に取り付けたバネ16に
より案内面15aに押し当てられている。スライ
ド面14cは、載置された案内面15a上をスラ
イド変位する際、円弧状の接触面14aの一点を
静止点イとし、その静止点イを基点として可撓性
磁気デイスク11の中心方向、あるいは外周方向
にスライド変位し、ガイド部14全体を揺動する
ことができるようにしている。
17はレバーで、上記した二股状のガイド部1
4aの一方の下端に一体的に(または固着して)
形成したもので、ガイド14を揺動させる駆動機
構18にレバーピン19によつて連結されてい
る。
4aの一方の下端に一体的に(または固着して)
形成したもので、ガイド14を揺動させる駆動機
構18にレバーピン19によつて連結されてい
る。
上記駆動機構18は、固定ラツク18aと移動
ラツク18bと、ソレノイド20の作動杆20
a,20bに回転できるよう直結され上記両ラツ
ク間に配置されたピニオン歯車18c,18d
と、移動ラツク18bの移動方向に対して垂直な
方向に形成されレバーピン19を挿入する長孔1
8fを有し移動ラツク18b上に固着した連結部
材18gとから構成されている。
ラツク18bと、ソレノイド20の作動杆20
a,20bに回転できるよう直結され上記両ラツ
ク間に配置されたピニオン歯車18c,18d
と、移動ラツク18bの移動方向に対して垂直な
方向に形成されレバーピン19を挿入する長孔1
8fを有し移動ラツク18b上に固着した連結部
材18gとから構成されている。
21は可撓性磁気デイスク11の上面側に配置
されたパツドで、ガイド14の接触面14bとの
間に、可撓性磁気デイスク11を挟み込み、その
可撓性磁気デイスク11を両磁気ヘツド12,1
3に当接させるものである。従つて、このパツド
21は、上側の磁気ヘツド取付基台22におけ
る、ガイド14の接触面14bと対向する位置に
設けられている。
されたパツドで、ガイド14の接触面14bとの
間に、可撓性磁気デイスク11を挟み込み、その
可撓性磁気デイスク11を両磁気ヘツド12,1
3に当接させるものである。従つて、このパツド
21は、上側の磁気ヘツド取付基台22におけ
る、ガイド14の接触面14bと対向する位置に
設けられている。
上記のパツド21の取り付け手段としては、第
2図および第3図に示すように、上側の磁気ヘツ
ド取付基台22の両側下面にガイド14の接触面
14bと相似形の円弧状とした板バネ23を設
け、その両板バネ23の下面にパツド21をそれ
ぞれ取り付けている。
2図および第3図に示すように、上側の磁気ヘツ
ド取付基台22の両側下面にガイド14の接触面
14bと相似形の円弧状とした板バネ23を設
け、その両板バネ23の下面にパツド21をそれ
ぞれ取り付けている。
上側の磁気ヘツド取付基台22は、可撓性磁気
デイスク11を磁気デイスクセンタクランプ機構
から取り脱したり、あるいはクランプを行なう時
には、その作業の障害とならない他の位置に移動
することができるように構成され、第1の固定多
素子磁気ヘツド12または第2の固定多素子磁気
ヘツド13によつて可撓性磁気デイスク11に記
録、再生を行なう時には、第2図乃至第4図に示
すような可撓性磁気デイスク11の上面にセツト
できるように構成されている。
デイスク11を磁気デイスクセンタクランプ機構
から取り脱したり、あるいはクランプを行なう時
には、その作業の障害とならない他の位置に移動
することができるように構成され、第1の固定多
素子磁気ヘツド12または第2の固定多素子磁気
ヘツド13によつて可撓性磁気デイスク11に記
録、再生を行なう時には、第2図乃至第4図に示
すような可撓性磁気デイスク11の上面にセツト
できるように構成されている。
なお、可撓性磁気デイスク11の下面側に配置
された第1の固定多素子磁気ヘツド12の磁気ギ
ヤツプ形成面12aの設置位置は、第4図に示す
ように、可撓性磁気デイスク11の回転方向に対
して、そのデイスクが接触する円弧の最頂部から
後方にわずかに離れた位置に配置している。一
方、可撓性磁気デイスク11の上面側に配置され
た第2の固定多素子磁気ヘツド13の磁気ギヤツ
プ形成面13の設置位置は、可撓性磁気デイスク
11の回転方向に対して、そのデイスクが接触す
る円弧の最頂部から前方にわずかに離れた位置に
配置されている。
された第1の固定多素子磁気ヘツド12の磁気ギ
ヤツプ形成面12aの設置位置は、第4図に示す
ように、可撓性磁気デイスク11の回転方向に対
して、そのデイスクが接触する円弧の最頂部から
後方にわずかに離れた位置に配置している。一
方、可撓性磁気デイスク11の上面側に配置され
た第2の固定多素子磁気ヘツド13の磁気ギヤツ
プ形成面13の設置位置は、可撓性磁気デイスク
11の回転方向に対して、そのデイスクが接触す
る円弧の最頂部から前方にわずかに離れた位置に
配置されている。
上記のように構成することによつて、可撓性磁
気デイスク11に対して、次のように記録、再生
を行なわせることができる。
気デイスク11に対して、次のように記録、再生
を行なわせることができる。
以下、便宜上、下側に配置した第1の固定多素
子磁気ヘツド12を、可撓性磁気デイスク11の
下面の内周部分、中央部分および外周部分の3つ
のトラツク群の記録トラツク数に対応した数のヘ
ツド素子群に分け、記録または再生を行なう場合
について説明する。
子磁気ヘツド12を、可撓性磁気デイスク11の
下面の内周部分、中央部分および外周部分の3つ
のトラツク群の記録トラツク数に対応した数のヘ
ツド素子群に分け、記録または再生を行なう場合
について説明する。
まず、可撓性磁気デイスク11の下面中央部分
のトラツク群に記録または再生する場合は、ソレ
ノイド20を作動させず、二股状のガイド部14
aに形成した円弧状の接触面14bの中央頂部の
静止点イを、第2図に示すように、可撓性磁気デ
イスク11の下面中央部分に位置させ、可撓性磁
気デイスク11の上面側に対向させて配置した一
対のパツド21とによつて、可撓性磁気デイスク
11を挟み込み、その磁気デイスク11の面ブレ
を押え込むと共に、第1の固定多素子磁気ヘツド
12の中央部分のヘツド素子群に当接させ、その
接触圧と接触面積とを、高密度記録、再生が可能
な値に保持する。次に、可撓性磁気デイスク11
の下面外周部分のトラツク群に記録または再生を
行なう場合は、ソレノイド20を可撓性磁気デイ
スク11の外周方向に吸引動作をさせる。する
と、ソレノイド20の作動杆20a,20bの先
端に回動できるよう取り付けられたピニオン歯車
18c,18dは、固定ラツク18a上を時計方
向に回転しつつ可撓性磁気デイスク11の外周方
向に移動する。
のトラツク群に記録または再生する場合は、ソレ
ノイド20を作動させず、二股状のガイド部14
aに形成した円弧状の接触面14bの中央頂部の
静止点イを、第2図に示すように、可撓性磁気デ
イスク11の下面中央部分に位置させ、可撓性磁
気デイスク11の上面側に対向させて配置した一
対のパツド21とによつて、可撓性磁気デイスク
11を挟み込み、その磁気デイスク11の面ブレ
を押え込むと共に、第1の固定多素子磁気ヘツド
12の中央部分のヘツド素子群に当接させ、その
接触圧と接触面積とを、高密度記録、再生が可能
な値に保持する。次に、可撓性磁気デイスク11
の下面外周部分のトラツク群に記録または再生を
行なう場合は、ソレノイド20を可撓性磁気デイ
スク11の外周方向に吸引動作をさせる。する
と、ソレノイド20の作動杆20a,20bの先
端に回動できるよう取り付けられたピニオン歯車
18c,18dは、固定ラツク18a上を時計方
向に回転しつつ可撓性磁気デイスク11の外周方
向に移動する。
このピニオン歯車18c,18dの回転移動動
作によつて、移動ラツク18bは、可撓性磁気デ
イスク11の外周方向にスライド移行する。移動
ラツク18bのスライド移行によつて、レバーピ
ン19は、第2図に示す位置から第3図に示すよ
うな位置に移動され、ガイド14は静止点イを基
点として揺動し、円弧状の接触面14bを可撓性
磁気デイスク11の外周部に回動変位する。この
接触面14bの回動変位によつて、パツド21と
による可撓性磁気デイスク11の挟み込み位置を
外周部分に変位する。よつて、可撓性磁気ヘツド
11の下面外周部分に、第1の固定多素子磁気ヘ
ツド12の外周部分に対応したヘツド素子源を当
接させることができ、その接触圧と接触面積と
を、高密度記録、再生が可能な値に保持させるこ
とができる。
作によつて、移動ラツク18bは、可撓性磁気デ
イスク11の外周方向にスライド移行する。移動
ラツク18bのスライド移行によつて、レバーピ
ン19は、第2図に示す位置から第3図に示すよ
うな位置に移動され、ガイド14は静止点イを基
点として揺動し、円弧状の接触面14bを可撓性
磁気デイスク11の外周部に回動変位する。この
接触面14bの回動変位によつて、パツド21と
による可撓性磁気デイスク11の挟み込み位置を
外周部分に変位する。よつて、可撓性磁気ヘツド
11の下面外周部分に、第1の固定多素子磁気ヘ
ツド12の外周部分に対応したヘツド素子源を当
接させることができ、その接触圧と接触面積と
を、高密度記録、再生が可能な値に保持させるこ
とができる。
更に、可撓性磁気デイスク11の下面内周部分
のトラツク群に記録、再生を行なう場合は、上記
した場合とは逆に、ソレノイド20を、可撓性磁
気デイスク11の内周方向に吸引動作させること
によつて、ガイド14の接触面14bを可撓性磁
気デイスク11の内周部分に回動変位し、パツド
21とによつて可撓性磁気デイスク11の挟み込
み位置を内周部分に変位する。よつて、可撓性磁
気デイスク11の下面内周部分に、第1の固定多
素子磁気ヘツド12の内周部分に対応したヘツド
素子群を当接させることができ、その接触圧と接
触面積とを、高密度記録、再生が可能な値に保持
させることができる。このように、ガイド14を
第1の固定多素子磁気ヘツド12のヘツド素子の
うち、記録または再生を行なわせるヘツド素子の
位置に回動変位して、可撓性磁気デイスク11を
パツド21との間に挟み込み可撓性磁気デイスク
11の面ブレを押え込むと共に、記録または再生
するヘツド素子群を可撓性磁気デイスク11に当
接させることができる。
のトラツク群に記録、再生を行なう場合は、上記
した場合とは逆に、ソレノイド20を、可撓性磁
気デイスク11の内周方向に吸引動作させること
によつて、ガイド14の接触面14bを可撓性磁
気デイスク11の内周部分に回動変位し、パツド
21とによつて可撓性磁気デイスク11の挟み込
み位置を内周部分に変位する。よつて、可撓性磁
気デイスク11の下面内周部分に、第1の固定多
素子磁気ヘツド12の内周部分に対応したヘツド
素子群を当接させることができ、その接触圧と接
触面積とを、高密度記録、再生が可能な値に保持
させることができる。このように、ガイド14を
第1の固定多素子磁気ヘツド12のヘツド素子の
うち、記録または再生を行なわせるヘツド素子の
位置に回動変位して、可撓性磁気デイスク11を
パツド21との間に挟み込み可撓性磁気デイスク
11の面ブレを押え込むと共に、記録または再生
するヘツド素子群を可撓性磁気デイスク11に当
接させることができる。
更に、上側の磁気ヘツド取付基台22に取り付
けた第2の固定多素子磁気ヘツド13によつて、
可撓性磁気デイスク11の上面側に記録、再生を
行なう場合は、上述した第1の固定多素子磁気ヘ
ツド12と同様の各部分の動作によつて、達成す
ることができる。
けた第2の固定多素子磁気ヘツド13によつて、
可撓性磁気デイスク11の上面側に記録、再生を
行なう場合は、上述した第1の固定多素子磁気ヘ
ツド12と同様の各部分の動作によつて、達成す
ることができる。
次に、第5図に示す、本考案に係る可撓性磁気
デイスク記録再生装置の第2の実施例につき説明
する。
デイスク記録再生装置の第2の実施例につき説明
する。
なお、上記した第1の実施例と同一部分は同一
符号で示している。
符号で示している。
この、第2の実施例は、可撓性磁気デイスク1
1の片面、例えば、下側のみ記録、再生を行なう
場合を示すものである。この場合は、可撓性磁気
デイスク11の上面側に、幅広のパツド24を設
けることをその構成の特長としている。
1の片面、例えば、下側のみ記録、再生を行なう
場合を示すものである。この場合は、可撓性磁気
デイスク11の上面側に、幅広のパツド24を設
けることをその構成の特長としている。
従つて、ガイド14の接触面14aとパツド2
4との間に可撓性磁気デイスク11を挟み込み、
その磁気デイスクの面ブレを押え込むと共に、記
録または再生するヘツド素子群を可撓性磁気デイ
スク11に当接させる動作は、上記した第1の実
施例の場合と同じである。
4との間に可撓性磁気デイスク11を挟み込み、
その磁気デイスクの面ブレを押え込むと共に、記
録または再生するヘツド素子群を可撓性磁気デイ
スク11に当接させる動作は、上記した第1の実
施例の場合と同じである。
「考案の効果」
本考案に係る可撓性磁気デイスク記録再生装置
によれば、可撓性磁気デイスクの記録トラツク数
に対応した数のヘツド素子を有し、これらのヘツ
ド素子を選択的に切り換えて記録、再生を行なう
固定多素子磁気ヘツドと、ガイドと、このガイド
に対向した位置に配置して、前記可撓性磁気デイ
スクをガイドとの間に挟み込むパツドとを備え、
前記ガイドは、可撓性磁気デイスクと接触する面
を可撓性磁気デイスクの半径方向に円弧状とし、
前記固定多素子磁気ヘツドの両側に所定の間隔を
置いて可撓性磁気デイスクの半径方向に配置する
とともに、前記円弧状の面の頂点を静止点として
可撓性磁気デイスクの中心方向又は外周方向に駆
動機構により回動変位して、可撓性磁気デイスク
を固定多素子磁気ヘツドの任意のヘツド素子の位
置に当接させるように構成したから、固定多素子
磁気ヘツドを固定状態のまま、可撓性磁気デイス
クをガイドとパツドとの間に挟持して面ブレを押
え込むと共に上記固定多素子磁気ヘツドを当接さ
せることができ、更に、可撓性磁気デイスクの両
面記録、再生ができるので、高密度化、マルチチ
ヤンネル化、および小形化が可能となる等の優れ
た特長がある。
によれば、可撓性磁気デイスクの記録トラツク数
に対応した数のヘツド素子を有し、これらのヘツ
ド素子を選択的に切り換えて記録、再生を行なう
固定多素子磁気ヘツドと、ガイドと、このガイド
に対向した位置に配置して、前記可撓性磁気デイ
スクをガイドとの間に挟み込むパツドとを備え、
前記ガイドは、可撓性磁気デイスクと接触する面
を可撓性磁気デイスクの半径方向に円弧状とし、
前記固定多素子磁気ヘツドの両側に所定の間隔を
置いて可撓性磁気デイスクの半径方向に配置する
とともに、前記円弧状の面の頂点を静止点として
可撓性磁気デイスクの中心方向又は外周方向に駆
動機構により回動変位して、可撓性磁気デイスク
を固定多素子磁気ヘツドの任意のヘツド素子の位
置に当接させるように構成したから、固定多素子
磁気ヘツドを固定状態のまま、可撓性磁気デイス
クをガイドとパツドとの間に挟持して面ブレを押
え込むと共に上記固定多素子磁気ヘツドを当接さ
せることができ、更に、可撓性磁気デイスクの両
面記録、再生ができるので、高密度化、マルチチ
ヤンネル化、および小形化が可能となる等の優れ
た特長がある。
第1図乃至第5図は、本考案に係る可撓性磁気
デイスク記録再生装置の実施例を示すものであつ
て、第1図は構成要部を示す一部分切欠した斜視
図、第2図および第3図は、ガイドとパツドとの
位置関係を示す側面図、第4図は第2図A−
A′線断面図、第5図はガイドとパツドとの関係
を示す要部の斜視図である。第6図乃至第9図
は、従来例を示すもので、第6図は構成要部を示
す側面図、第7図および第8図は、固定多素子磁
気ヘツドと可撓性磁気デイスクとの関係を示す斜
視図と平面図、第9図はパツドと可撓性磁気デイ
スクと固定多素子磁気ヘツドとの関係を示す側面
図である。 11……可撓性磁気デイスク、12……第1の
固定多素子磁気ヘツド、13……第2の固定多素
子磁気ヘツド、14……ガイド、14a……ガイ
ド部、14b……接触面、14c……スライド
面、18……駆動機構、21,24……パツド。
デイスク記録再生装置の実施例を示すものであつ
て、第1図は構成要部を示す一部分切欠した斜視
図、第2図および第3図は、ガイドとパツドとの
位置関係を示す側面図、第4図は第2図A−
A′線断面図、第5図はガイドとパツドとの関係
を示す要部の斜視図である。第6図乃至第9図
は、従来例を示すもので、第6図は構成要部を示
す側面図、第7図および第8図は、固定多素子磁
気ヘツドと可撓性磁気デイスクとの関係を示す斜
視図と平面図、第9図はパツドと可撓性磁気デイ
スクと固定多素子磁気ヘツドとの関係を示す側面
図である。 11……可撓性磁気デイスク、12……第1の
固定多素子磁気ヘツド、13……第2の固定多素
子磁気ヘツド、14……ガイド、14a……ガイ
ド部、14b……接触面、14c……スライド
面、18……駆動機構、21,24……パツド。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 可撓性磁気デイスクの記録トラツク数に対応
した数のヘツド素子を有し、これらのヘツド素
子を選択的に切り換えて記録、再生を行なう固
定多素子磁気ヘツドと、ガイドと、このガイド
に対向した位置に配置して、前記可撓性磁気デ
イスクをガイドとの間に挟み込むパツドとを備
え、前記ガイドは、可撓性磁気デイスクと接触
する面を可撓性磁気デイスクの半径方向に円弧
状とし、前記固定多素子磁気ヘツドの両側に所
定の間隔を置いて可撓性磁気デイスクの半径方
向に配置するとともに、前記円弧状の面の頂点
を静止点として可撓性磁気デイスクの中心方向
又は外周方向に駆動機構により回動変位して、
可撓性磁気デイスクを固定多素子磁気ヘツドの
任意のヘツド素子の位置に当接させるように構
成したことを特徴とする可撓性磁気デイスク記
録再生装置。 (2) 固定多素子磁気ヘツドは、可撓性磁気デイス
クの一方の面の記録トラツク数に対応した数の
ヘツド素子を有し、これらのヘツド素子を選択
的に切り換えて可撓性磁気デイスクの一方の面
側に記録再生を行なう第1の固定多素子磁気ヘ
ツドと、可撓性磁気デイスクの他方の面の記録
トラツク数に対応した数のヘツド素子を有し、
これらのヘツド素子を選択的に切り換えて可撓
性磁気デイスクの他方の面側に記録、再生を行
なう第2の固定多素子磁気ヘツドからなること
を特徴とする実用新案登録請求の範囲第1項記
載の可撓性磁気デイスク記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19209085U JPH0445170Y2 (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19209085U JPH0445170Y2 (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62101150U JPS62101150U (ja) | 1987-06-27 |
| JPH0445170Y2 true JPH0445170Y2 (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=31146843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19209085U Expired JPH0445170Y2 (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0445170Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-12-13 JP JP19209085U patent/JPH0445170Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62101150U (ja) | 1987-06-27 |
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