JPH0445261A - 真空部材の脱ガス方法と真空部材および電子ビーム発生装置 - Google Patents
真空部材の脱ガス方法と真空部材および電子ビーム発生装置Info
- Publication number
- JPH0445261A JPH0445261A JP2150987A JP15098790A JPH0445261A JP H0445261 A JPH0445261 A JP H0445261A JP 2150987 A JP2150987 A JP 2150987A JP 15098790 A JP15098790 A JP 15098790A JP H0445261 A JPH0445261 A JP H0445261A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- vacuum member
- degassing
- high temperature
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は 真空容器中で使用する真空部材の脱ガス方法
真空部材およびその真空部材を使用した電子ビーム発
生装置に関する。
真空部材およびその真空部材を使用した電子ビーム発
生装置に関する。
従来の技術
従来より、金入 非金属の基板上に物理蒸着法（ＰＶＤ
）あるいは化学蒸着法（ＣＶＤ）等によってさまざまな
機能を有する膜を形成し それらを電子デバイスの一要
素部品として使用しているものが多くみられる。特番へ
大画面ディスプレイにおいて法 製膜スビーＫ 製膜
された膜の特性から溶射製膜法によって大面積基板にセ
ラミックス等の絶縁皮膜を形成した絶縁基板を使用する
ことが多ｔも 以下に従来の真空部材の脱ガス方法を説明すも第７図は
溶射製膜法によって製膜された膜の断面図であム 図に
おいて、７０は真空部材、 ７１は基板 ７２は気孔
７３は溶射膜であも 溶射膜７３においては膜の表面上
だけではなく、偏平化された溶射粒子の隙間にはＩ（ａ
ｏ、ＣＯ２，Ｃｏ等のガスが大量に吸着されていも こ
のような真空部材７０を平板型デイスプレィなどに使用
した場合 デイスプレィを構成する真空容器内でのガス
の発生による汚染が問題となム この問題を解決するた
め＋Ｑ 従来から真空部材を予め真空中で脱ガスした
後、デイスプレィなどの真空容器中に組み込む方法がと
られていも 第８図は従来の脱ガス方法に使用される脱ガス装置の部
分切り欠き斜視図であム このような脱ガス装置を使用
した脱ガス方法を以下に説明すム真空部材８０は基板８
１とその基板８１上に形成された溶射膜８２から構成さ
れていも この真空部材８０を真空チャンバ８３内に設
置し 真空ポンプ８４で真空チャンバ８３内を排気し
加熱ヒータ８５で真空チャンバ８３全体を加熱すも真空
部材８０から放出されたガスの量は真空計８６で測定さ
れ 真空部材８０の表面温度は放射温度計８７で測定さ
れも 発明が解決しようとする課題 しかしながら上記従来の構成でζよ 真空部材に対する
加熱が主に対ぬ 放射によるものであり、また真空部材
使用時に高温となる領域以外をも高温とするため非効率
であるととも番ミ 真空部材全体が高温に曝されるこ
とから特に溶剤膜と基板との熱膨張率が異なる場合には
熱による歪が発生するという課題を有してい九 また平板型デイスプレィでは線条ヒータが通常７００℃
に加熱され また第９図に示す溶射膜の脱ガス性能特性
図に示すように溶射膜（９１で示す脱ガス特性）が金属
基板（９２で示す脱ガス特性）と同等の脱ガス性能を確
保するためには６５０℃−４時間の真空加熱処理が必要
であるが、従来の脱ガス方法では４５０℃以上に真空部
材を加熱することができないという課題を有してい九本
発明は上記従来の課題を解決するもので、真空中で高温
使用される真空部材から効率的に脱ガスを行う真空部材
の脱ガス方法を提供することを目的とすム 課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明の真空部材の脱ガス方
法１１ その真空部材が使用中に高温になる領域のみ
を予め真空中で選択的に加熱し その部分から吸着ガス
を脱離させるものであム作用 この構成によって、脱ガスを効率的に行うことができる
ととも（脱ガス処理中に真空部材が破損したり、歪んだ
りすることがなく、さらに平板デイスプレィなどのヒー
タ支持部材に使用して高性能を維持できる真空部材の脱
ガス処理ができも実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明すも 第１図は本発明の一実施例における脱ガス方法を示す構
成図であム この図において、 ■は真空部抹 ２は真
空部材］を構成する金属薄板材であり、片面に溶射法に
よりセラミックス絶縁皮膜３が形成されている。４は所
定パターンを有する孔＠５は孔部４の上部に当接したヒ
ータであり、電源６により通電加熱されム ７はヒータ
５を絶縁皮Ｍ３に所定の圧力で押し付けるための加圧治
具であａ 第２図は本発明の脱ガス方法に使用する脱ガス装置の部
分切り欠き斜視図であも 図において、８は真空部材１
からの放出ガスを調べるのに用いる真空計、 ９は真空
チャンｔ＜ ＩＯは加熱脱ガス時に真空部材１の表面
温度分布を調べる放射温度計、 １１は真空ポンプであ
ム また真空チャンバ９は全体を加熱できるようにその
外壁に外部ヒータ１２が取り付けられていも このよう
に真空部材１を設置した真空チャンバ９内を真空ポンプ
１１で排気し ある程度の真空度に達した収 ヒータ５
に通電して選択的に真空部材ｌを加熱すも真空部材１は
その加熱された領域のみが高温となり、吸着ガスを放出
すム 第３図にヒータ５を使用して真空部材１を加熱
したときの真空部材１内の温度分布を示も 図において
、 １３は等混線であム このように部分的に高温に加
熱されることか収 熱膨張率の異なる複数種の材料層か
らなる真空部材でも加熱による歪を緩和できも また真
空部材１を電子ビーム発生装置の線条カソード支持部材
として使用すると、より安定した電子ビームをを得るこ
とできも 第４図は本発明における他の実施例における真空部材の
脱ガス方法を示す構成図であａ 図において、 １４は
セラミックス絶縁皮膜３を加熱するためのレーザ光源で
あって、第１図に示す実施例におけるヒータ５をレーザ
光源１４による加熱に置き換えたものであり、第２図の
脱ガス処理装置内に配置して脱ガス処理を行うものであ
ム このレーザ光源１４を使用することにより、脱ガス
処理のみではなく、セラミックス絶縁皮膜３の一部を溶
融して膜質を向上させることができも第５図は本発明に
おける脱ガス方法により脱ガス処理した真空部材を用い
た電子ビーム発生装置の要部斜視図であも ガラスなど
の背面基板１５の表面には導電性膜によりストライプ状
の制御電極１６が形成されていも 画面の乱れ ちらつ
き等の原因となる線条カソード１７の振動を防止するた
めに設置されるカソード支持部材 １８には電子ビーム
を通過させる孔部１９が制御電極１６に対応して設けら
れていも 線条カソード１７はカソード支持部材１８上
に孔部１９を横断して当接し架張されていも このカソ
ード支持部材１８は厚み０． ２ｍｍ程度の金属基板２
０の上にアルミナ等のセラミックス絶縁皮膜２１を数十
〜数百μｍ程度溶射製膜法により設けた真空部材を加工
したものであム ２２はカソード支持部材１８を支える
ための絶縁板、 ２３は予め高温で脱ガス処理された領
域である。
）あるいは化学蒸着法（ＣＶＤ）等によってさまざまな
機能を有する膜を形成し それらを電子デバイスの一要
素部品として使用しているものが多くみられる。特番へ
大画面ディスプレイにおいて法 製膜スビーＫ 製膜
された膜の特性から溶射製膜法によって大面積基板にセ
ラミックス等の絶縁皮膜を形成した絶縁基板を使用する
ことが多ｔも 以下に従来の真空部材の脱ガス方法を説明すも第７図は
溶射製膜法によって製膜された膜の断面図であム 図に
おいて、７０は真空部材、 ７１は基板 ７２は気孔
７３は溶射膜であも 溶射膜７３においては膜の表面上
だけではなく、偏平化された溶射粒子の隙間にはＩ（ａ
ｏ、ＣＯ２，Ｃｏ等のガスが大量に吸着されていも こ
のような真空部材７０を平板型デイスプレィなどに使用
した場合 デイスプレィを構成する真空容器内でのガス
の発生による汚染が問題となム この問題を解決するた
め＋Ｑ 従来から真空部材を予め真空中で脱ガスした
後、デイスプレィなどの真空容器中に組み込む方法がと
られていも 第８図は従来の脱ガス方法に使用される脱ガス装置の部
分切り欠き斜視図であム このような脱ガス装置を使用
した脱ガス方法を以下に説明すム真空部材８０は基板８
１とその基板８１上に形成された溶射膜８２から構成さ
れていも この真空部材８０を真空チャンバ８３内に設
置し 真空ポンプ８４で真空チャンバ８３内を排気し
加熱ヒータ８５で真空チャンバ８３全体を加熱すも真空
部材８０から放出されたガスの量は真空計８６で測定さ
れ 真空部材８０の表面温度は放射温度計８７で測定さ
れも 発明が解決しようとする課題 しかしながら上記従来の構成でζよ 真空部材に対する
加熱が主に対ぬ 放射によるものであり、また真空部材
使用時に高温となる領域以外をも高温とするため非効率
であるととも番ミ 真空部材全体が高温に曝されるこ
とから特に溶剤膜と基板との熱膨張率が異なる場合には
熱による歪が発生するという課題を有してい九 また平板型デイスプレィでは線条ヒータが通常７００℃
に加熱され また第９図に示す溶射膜の脱ガス性能特性
図に示すように溶射膜（９１で示す脱ガス特性）が金属
基板（９２で示す脱ガス特性）と同等の脱ガス性能を確
保するためには６５０℃−４時間の真空加熱処理が必要
であるが、従来の脱ガス方法では４５０℃以上に真空部
材を加熱することができないという課題を有してい九本
発明は上記従来の課題を解決するもので、真空中で高温
使用される真空部材から効率的に脱ガスを行う真空部材
の脱ガス方法を提供することを目的とすム 課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明の真空部材の脱ガス方
法１１ その真空部材が使用中に高温になる領域のみ
を予め真空中で選択的に加熱し その部分から吸着ガス
を脱離させるものであム作用 この構成によって、脱ガスを効率的に行うことができる
ととも（脱ガス処理中に真空部材が破損したり、歪んだ
りすることがなく、さらに平板デイスプレィなどのヒー
タ支持部材に使用して高性能を維持できる真空部材の脱
ガス処理ができも実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明すも 第１図は本発明の一実施例における脱ガス方法を示す構
成図であム この図において、 ■は真空部抹 ２は真
空部材］を構成する金属薄板材であり、片面に溶射法に
よりセラミックス絶縁皮膜３が形成されている。４は所
定パターンを有する孔＠５は孔部４の上部に当接したヒ
ータであり、電源６により通電加熱されム ７はヒータ
５を絶縁皮Ｍ３に所定の圧力で押し付けるための加圧治
具であａ 第２図は本発明の脱ガス方法に使用する脱ガス装置の部
分切り欠き斜視図であも 図において、８は真空部材１
からの放出ガスを調べるのに用いる真空計、 ９は真空
チャンｔ＜ ＩＯは加熱脱ガス時に真空部材１の表面
温度分布を調べる放射温度計、 １１は真空ポンプであ
ム また真空チャンバ９は全体を加熱できるようにその
外壁に外部ヒータ１２が取り付けられていも このよう
に真空部材１を設置した真空チャンバ９内を真空ポンプ
１１で排気し ある程度の真空度に達した収 ヒータ５
に通電して選択的に真空部材ｌを加熱すも真空部材１は
その加熱された領域のみが高温となり、吸着ガスを放出
すム 第３図にヒータ５を使用して真空部材１を加熱
したときの真空部材１内の温度分布を示も 図において
、 １３は等混線であム このように部分的に高温に加
熱されることか収 熱膨張率の異なる複数種の材料層か
らなる真空部材でも加熱による歪を緩和できも また真
空部材１を電子ビーム発生装置の線条カソード支持部材
として使用すると、より安定した電子ビームをを得るこ
とできも 第４図は本発明における他の実施例における真空部材の
脱ガス方法を示す構成図であａ 図において、 １４は
セラミックス絶縁皮膜３を加熱するためのレーザ光源で
あって、第１図に示す実施例におけるヒータ５をレーザ
光源１４による加熱に置き換えたものであり、第２図の
脱ガス処理装置内に配置して脱ガス処理を行うものであ
ム このレーザ光源１４を使用することにより、脱ガス
処理のみではなく、セラミックス絶縁皮膜３の一部を溶
融して膜質を向上させることができも第５図は本発明に
おける脱ガス方法により脱ガス処理した真空部材を用い
た電子ビーム発生装置の要部斜視図であも ガラスなど
の背面基板１５の表面には導電性膜によりストライプ状
の制御電極１６が形成されていも 画面の乱れ ちらつ
き等の原因となる線条カソード１７の振動を防止するた
めに設置されるカソード支持部材 １８には電子ビーム
を通過させる孔部１９が制御電極１６に対応して設けら
れていも 線条カソード１７はカソード支持部材１８上
に孔部１９を横断して当接し架張されていも このカソ
ード支持部材１８は厚み０． ２ｍｍ程度の金属基板２
０の上にアルミナ等のセラミックス絶縁皮膜２１を数十
〜数百μｍ程度溶射製膜法により設けた真空部材を加工
したものであム ２２はカソード支持部材１８を支える
ための絶縁板、 ２３は予め高温で脱ガス処理された領
域である。
第６図は第５図をＡ−Ａ線で切断した電子ビーム発生装
置の要部断面図であム 背面基板１５上に形成されたス
トライプ状の制御電極１６上に絶縁板２２が設置される
とともに 線条カソード１７の前方には電子ビーム取り
出し電極２４が配置されも この電子ビーム取り出し電
極２４に電位を与えて電子ビーム２５を取り出し 電子
ビーム２５の変調は制御電極１６へ印加される制御電圧
によって行う。図では省略した力交 電子ビーム２５の
前方には水平または垂直偏向電極があり、この偏向電極
により走査された電子ビーム２５が蛍光体に衝突し 画
像を表示すも ここで使用するカソード支持部材１８６
友 線条カソード１７が当接する領域を予め選択的に加
熱し脱ガス処理したものであム またカソード支持部材
１８を選択加熱処理する前に全体を低温で脱ガス処理す
ることも効果があも このように本実施例の脱ガス方法で４１ 簡単に必要
とする領域のみを脱ガスすることができ、またこの方法
により必要領域のみを脱ガスされた真空部材は低歪で精
度もよく、この真空部材をカソード支持部材に使用する
ことにより電子ビームに悪影響を及ぼす有害ガスの発生
がなく、電子ビーム特性の優れた電子ビーム発生装置を
得ることができる。
置の要部断面図であム 背面基板１５上に形成されたス
トライプ状の制御電極１６上に絶縁板２２が設置される
とともに 線条カソード１７の前方には電子ビーム取り
出し電極２４が配置されも この電子ビーム取り出し電
極２４に電位を与えて電子ビーム２５を取り出し 電子
ビーム２５の変調は制御電極１６へ印加される制御電圧
によって行う。図では省略した力交 電子ビーム２５の
前方には水平または垂直偏向電極があり、この偏向電極
により走査された電子ビーム２５が蛍光体に衝突し 画
像を表示すも ここで使用するカソード支持部材１８６
友 線条カソード１７が当接する領域を予め選択的に加
熱し脱ガス処理したものであム またカソード支持部材
１８を選択加熱処理する前に全体を低温で脱ガス処理す
ることも効果があも このように本実施例の脱ガス方法で４１ 簡単に必要
とする領域のみを脱ガスすることができ、またこの方法
により必要領域のみを脱ガスされた真空部材は低歪で精
度もよく、この真空部材をカソード支持部材に使用する
ことにより電子ビームに悪影響を及ぼす有害ガスの発生
がなく、電子ビーム特性の優れた電子ビーム発生装置を
得ることができる。
発明の効果
以上のように本発明は真空部材が使用中に高温となる領
域を予め選択的に真空中で高温加熱することにより、真
空部材を変形させることなく吸着ガスを脱離させること
ができ、またこのように処理された真空部材を電子ビー
ム発生装置に使用してその性能品質を高めることのでき
る優れた真空部材の脱ガス方法 真空部材およびその真
空部材を使用した電子ビーム発生装置を実現できるもの
であム
域を予め選択的に真空中で高温加熱することにより、真
空部材を変形させることなく吸着ガスを脱離させること
ができ、またこのように処理された真空部材を電子ビー
ム発生装置に使用してその性能品質を高めることのでき
る優れた真空部材の脱ガス方法 真空部材およびその真
空部材を使用した電子ビーム発生装置を実現できるもの
であム
第１図は本発明の一実施例における脱ガス方法を示す構
成図 第２図は本発明の脱ガス方法に使用する脱ガス処
理装置の部分切り欠き斜視図 第３図はヒータを使用し
て加熱したときの真空部材内の温度分布医 第４図は本
発明における他の実施例における真空部材の脱ガス方法
を示す構成医第５図は本発明における脱ガス方法により
脱ガス処理した真空部材を用いた電子ビーム発生装置の
要部斜視医 第６図は第５図をＡ−Ａ線で切断した電子
ビーム発生装置の要部断面図 第７図は溶射製膜法によ
って製膜された膜の断面図 第８図は従来の脱ガス方法
に使用される脱ガス装置の部分切り欠き斜視医 第９図
は溶射膜の脱ガス性能特性図であも １・・・真空部材、 ５・・化−久 ６・・・電洗代理
人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第 図 第 図 第 図 第 図 ｑ？
成図 第２図は本発明の脱ガス方法に使用する脱ガス処
理装置の部分切り欠き斜視図 第３図はヒータを使用し
て加熱したときの真空部材内の温度分布医 第４図は本
発明における他の実施例における真空部材の脱ガス方法
を示す構成医第５図は本発明における脱ガス方法により
脱ガス処理した真空部材を用いた電子ビーム発生装置の
要部斜視医 第６図は第５図をＡ−Ａ線で切断した電子
ビーム発生装置の要部断面図 第７図は溶射製膜法によ
って製膜された膜の断面図 第８図は従来の脱ガス方法
に使用される脱ガス装置の部分切り欠き斜視医 第９図
は溶射膜の脱ガス性能特性図であも １・・・真空部材、 ５・・化−久 ６・・・電洗代理
人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第 図 第 図 第 図 第 図 ｑ？
Claims (6)
- （１）真空部材が使用中に高温となる領域を予め選択的
に真空中で高温加熱し、吸着ガスを脱離させる真空部材
の脱ガス方法。 - （２）高温加熱する手段が、真空部材が使用中に高温と
なる領域の形状に合わせた形状を有するヒータによる請
求項１記載の真空部材の脱ガス方法。 - （３）高温加熱する手段が、レーザ光照射による請求項
１記載の真空部材の脱ガス方法。 - （４）溶射成膜法によって表面に絶縁膜が形成された金
属基板を真空中で使用する時に高温となる領域を予め高
温加熱して吸着ガスを脱離させた真空部材。 - （５）高温加熱する前に絶縁膜を形成した金属基板が低
温で脱ガス処理された請求項４記載の真空部材。 - （６）制御電極としてのパターン導電膜を有する背面基
板と、その背面基板上の所定形状のパターン導電膜に交
差して設けた絶縁膜と、電子放射物質を保持する線条カ
ソードと、その線条カソードを支持する線条カソード支
持部材と、線条カソードの前方に配設された電子ビーム
取り出し電極とを備え前記線条カソード支持部材が請求
項４または５記載の真空部材からなる電子ビーム発生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150987A JPH0445261A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 真空部材の脱ガス方法と真空部材および電子ビーム発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150987A JPH0445261A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 真空部材の脱ガス方法と真空部材および電子ビーム発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0445261A true JPH0445261A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15508811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2150987A Pending JPH0445261A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 真空部材の脱ガス方法と真空部材および電子ビーム発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0445261A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007100218A (ja) * | 2006-12-18 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置、およびターゲットとバッキングプレート |
| JP2010236094A (ja) * | 2010-05-31 | 2010-10-21 | Toshiba Corp | 真空成膜装置用部品の製造方法 |
| JP2011094239A (ja) * | 2011-01-21 | 2011-05-12 | Toshiba Corp | 真空成膜装置用部品の製造方法 |
| US7942975B2 (en) | 2004-11-08 | 2011-05-17 | Tokyo Electron Limited | Ceramic sprayed member-cleaning method |
| CN107868942A (zh) * | 2016-09-27 | 2018-04-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种去气腔室及其去气方法和半导体处理设备 |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP2150987A patent/JPH0445261A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7942975B2 (en) | 2004-11-08 | 2011-05-17 | Tokyo Electron Limited | Ceramic sprayed member-cleaning method |
| JP2007100218A (ja) * | 2006-12-18 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置、およびターゲットとバッキングプレート |
| JP2010236094A (ja) * | 2010-05-31 | 2010-10-21 | Toshiba Corp | 真空成膜装置用部品の製造方法 |
| JP2011094239A (ja) * | 2011-01-21 | 2011-05-12 | Toshiba Corp | 真空成膜装置用部品の製造方法 |
| CN107868942A (zh) * | 2016-09-27 | 2018-04-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种去气腔室及其去气方法和半导体处理设备 |
| WO2018058898A1 (zh) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种去气方法、去气腔室和半导体处理设备 |
| CN107868942B (zh) * | 2016-09-27 | 2019-11-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种去气腔室及其去气方法和半导体处理设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4323573B2 (ja) | フラット・パネル表示装置の製造方法 | |
| KR100588774B1 (ko) | 웨이퍼 서셉터 | |
| JP3492325B2 (ja) | 画像表示装置の製造方法 | |
| US2363781A (en) | Apparatus for and method of applying metallic coatings by thermal evaporation | |
| JP2694668B2 (ja) | 基板保持装置 | |
| JP3266076B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置及びその実施に使用する対向電極 | |
| JP2921499B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0445261A (ja) | 真空部材の脱ガス方法と真空部材および電子ビーム発生装置 | |
| US4306515A (en) | Vacuum-deposition apparatus | |
| JPH0661335A (ja) | 半導体製造装置用の基板保持プレート | |
| US3464907A (en) | Triode sputtering apparatus and method using synchronized pulsating current | |
| US3749662A (en) | Heated substrate support station for sputtering systems | |
| JPS62203328A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0335825B2 (ja) | ||
| JPS6350463A (ja) | イオンプレ−テイング方法とその装置 | |
| US20130277204A1 (en) | Vapour deposition | |
| JPH0247252A (ja) | 複合材料膜の製造方法 | |
| JPH04293782A (ja) | プラズマ化学気相堆積装置 | |
| JP2967770B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2905512B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS63213664A (ja) | イオンプレ−テイング装置 | |
| JPH0525616A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| TW484163B (en) | Apparatus for removing contaminants | |
| KR200273007Y1 (ko) | 전계방출표시소자용 게터를 실장하기 위한 구조체 | |
| JPH02274867A (ja) | 複合材料膜の製造方法 |