JPH0445565A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH0445565A JPH0445565A JP2154308A JP15430890A JPH0445565A JP H0445565 A JPH0445565 A JP H0445565A JP 2154308 A JP2154308 A JP 2154308A JP 15430890 A JP15430890 A JP 15430890A JP H0445565 A JPH0445565 A JP H0445565A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- resin
- bed part
- semiconductor element
- leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は樹脂封止型半導体装置に係わり特に、いわゆる
多ビン型の樹脂封止型半導体装置に好適するものである
。
多ビン型の樹脂封止型半導体装置に好適するものである
。
（従来の技術）
樹脂封止型半導体装置は安価で量産性に優れていること
から主流を占めており、近年進められている高集積化や
多機能化に伴って大チップ（Ｃｈ ｉ ｐ）化や多ビン
（Ｐｉｎ）化も進展しているのが現状である。従って、
１８０ピンや２００ピンを超える大型の樹脂封止型半導
体装置も出現している。
から主流を占めており、近年進められている高集積化や
多機能化に伴って大チップ（Ｃｈ ｉ ｐ）化や多ビン
（Ｐｉｎ）化も進展しているのが現状である。従って、
１８０ピンや２００ピンを超える大型の樹脂封止型半導
体装置も出現している。
ところで本発明に係わる樹脂封止型半導体装置に組込ま
れる半導体素子は例えばシリコン（ＳｉＱｉｃｏｎ）か
らなり所定の導電性を示す半導体チップに反導電性また
は高濃度の不純物を注入・拡散して造り込まれる能動素
子、受動素子及び抵抗などの回路成分からなる群がら選
定した一種または複数種である。
れる半導体素子は例えばシリコン（ＳｉＱｉｃｏｎ）か
らなり所定の導電性を示す半導体チップに反導電性また
は高濃度の不純物を注入・拡散して造り込まれる能動素
子、受動素子及び抵抗などの回路成分からなる群がら選
定した一種または複数種である。
リードフレーム（Ｌｅａｄ Ｆｒａｍｅ）を利用する
大型の樹脂封止型半導体装置の組立工程にあっては高集
積化や多機能化に対応して製造する半導体素子のコスト
（Ｃｏｓｔ）削減のために半導体チップのサイズ（Ｓ
ｉ ｚ ｅ）をシュリンク（Ｓｈｒｉｎｋ）する方向に
あるのに対して、高集積化や多機能化に伴って必要とな
る多ピン化に応じてリードフレームに形成するインナー
リード（Ｉｎｎｅｒ Ｌｅａｄ以後リードと記載する
）数も増さなければならない。
大型の樹脂封止型半導体装置の組立工程にあっては高集
積化や多機能化に対応して製造する半導体素子のコスト
（Ｃｏｓｔ）削減のために半導体チップのサイズ（Ｓ
ｉ ｚ ｅ）をシュリンク（Ｓｈｒｉｎｋ）する方向に
あるのに対して、高集積化や多機能化に伴って必要とな
る多ピン化に応じてリードフレームに形成するインナー
リード（Ｉｎｎｅｒ Ｌｅａｄ以後リードと記載する
）数も増さなければならない。
多ピンの中で例えば１８０ピンや２００ビン用のリード
をベッド部周囲の３６０度内に配置するためにはピッチ
（Ｐｉｔｃｈ）が０．２ｍｍ、幅Ｑ、１ｍｍと製造限界
に達しているのが現状である。従って第１図ａの平面図
に示すように、半導体素子１を例えば接着剤を介してマ
ウントされた板状ベッド部２の周りに設置するり一ド３
・・・にはフィルム（Ｆ ｉ Ｑ ｍ）状で環状の例え
ばポリイミド（ＰｏＱｙ ｌｍ１ｄ）樹脂を固着して
機械的強度を補強すると共に変形を防止して、いわゆる
ワイヤーボンディング（Ｗｉｒｅ Ｂｏｎｄｉ −ｎ
ｇ）に備えている。
をベッド部周囲の３６０度内に配置するためにはピッチ
（Ｐｉｔｃｈ）が０．２ｍｍ、幅Ｑ、１ｍｍと製造限界
に達しているのが現状である。従って第１図ａの平面図
に示すように、半導体素子１を例えば接着剤を介してマ
ウントされた板状ベッド部２の周りに設置するり一ド３
・・・にはフィルム（Ｆ ｉ Ｑ ｍ）状で環状の例え
ばポリイミド（ＰｏＱｙ ｌｍ１ｄ）樹脂を固着して
機械的強度を補強すると共に変形を防止して、いわゆる
ワイヤーボンディング（Ｗｉｒｅ Ｂｏｎｄｉ −ｎ
ｇ）に備えている。
前記のようにピン数が多くなるにつれてリードの幅やピ
ッチが減少するので、先端とベッド部間の距離はピン数
の少ない半導体素子用のものよりどうしても大きくする
傾向にあるのに加えて、前述のように半導体チップもシ
ュリンクされるので、両者間を結ぶ金属細線のループ（
Ｌ ｏ ｏ ｐ）長もピン数の少ない半導体素子に比べ
て大きくなる傾向となる。
ッチが減少するので、先端とベッド部間の距離はピン数
の少ない半導体素子用のものよりどうしても大きくする
傾向にあるのに加えて、前述のように半導体チップもシ
ュリンクされるので、両者間を結ぶ金属細線のループ（
Ｌ ｏ ｏ ｐ）長もピン数の少ない半導体素子に比べ
て大きくなる傾向となる。
（発明が解決しようとする課題）
大型の樹脂封止型半導体装置ではリードフレームに形成
するリードのファインピッチ（Ｆｉ−ｎｅ Ｐｉｔｃ
ｈ）化の限界から、リード側におけるボンディング位置
はピン数に比例して外側に拡大する傾向に推移している
。特に、２００ピンを超えるものではワイヤーボンディ
ングで形成される金属細線ループ長が４ｍｍを超えるも
のも出現し、第２図ａに明らかにしたような金属細線７
の曲りや、第２図すの側面図に示した垂れ下がりが増大
している。この結果、樹脂封止工程での短絡事故などの
発生により品質や信頼性の面で大きな課題となっている
。このような現象は金属細線７により形成されるループ
長が長くなる程多発する。また、第３図ａの上面図には
リード２側に施すボンディング工程時の金属細線７の入
線角度Ａとパッド側に−おける入線角度Ｂの成す角θが
大きい程金属細線７の曲りや、垂れの発生量が増すこと
が知られている。また第３図すに示すようにボンディン
グ工程を行うボンダー（Ｂｏｎｄｅ−ｒ）に設置され金
属細線７を繰りだすキャピラリイ（ＣａｐｉＱＱａｒｙ
）８直下の金属細線７の曲率半径（Ｒ）をできるだけ小
さくするような努力が対策として採られている。しかし
、製品の設計上の制約を伴っているのが現状である。
するリードのファインピッチ（Ｆｉ−ｎｅ Ｐｉｔｃ
ｈ）化の限界から、リード側におけるボンディング位置
はピン数に比例して外側に拡大する傾向に推移している
。特に、２００ピンを超えるものではワイヤーボンディ
ングで形成される金属細線ループ長が４ｍｍを超えるも
のも出現し、第２図ａに明らかにしたような金属細線７
の曲りや、第２図すの側面図に示した垂れ下がりが増大
している。この結果、樹脂封止工程での短絡事故などの
発生により品質や信頼性の面で大きな課題となっている
。このような現象は金属細線７により形成されるループ
長が長くなる程多発する。また、第３図ａの上面図には
リード２側に施すボンディング工程時の金属細線７の入
線角度Ａとパッド側に−おける入線角度Ｂの成す角θが
大きい程金属細線７の曲りや、垂れの発生量が増すこと
が知られている。また第３図すに示すようにボンディン
グ工程を行うボンダー（Ｂｏｎｄｅ−ｒ）に設置され金
属細線７を繰りだすキャピラリイ（ＣａｐｉＱＱａｒｙ
）８直下の金属細線７の曲率半径（Ｒ）をできるだけ小
さくするような努力が対策として採られている。しかし
、製品の設計上の制約を伴っているのが現状である。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
板状ベッド部に固着する半導体素子と、前記板状ベッド
部を囲んで設置するリード部と、前記半導体素子に形成
するパッド部と、前記パッド部とリード部先端部分を結
ぶ金属細線に対応する位置から外周部までの全領域に設
置する非導電性フィルム状部材と、前記半導体素子、金
属細線及び非導電性フィルム状部材を被覆する封止樹脂
層と。
部を囲んで設置するリード部と、前記半導体素子に形成
するパッド部と、前記パッド部とリード部先端部分を結
ぶ金属細線に対応する位置から外周部までの全領域に設
置する非導電性フィルム状部材と、前記半導体素子、金
属細線及び非導電性フィルム状部材を被覆する封止樹脂
層と。
前記封止樹脂層より外部に導出するアウターリードに本
発明に係わる樹脂封止型半導体装置の特徴がある。
発明に係わる樹脂封止型半導体装置の特徴がある。
（作用）
このようにリードフレームにおけるベッド部を除いた外
周部とリードの先端部を結ぶ金属細線領域から外周部ま
での全領域に非導電性フィルム状部材を被覆することに
より金属細線の自由度を大きくして垂れや曲りを防止す
るものである。
周部とリードの先端部を結ぶ金属細線領域から外周部ま
での全領域に非導電性フィルム状部材を被覆することに
より金属細線の自由度を大きくして垂れや曲りを防止す
るものである。
（実施例）
本発明に係わる実施例を第６図ａ（平面図）、第６図す
の断面図及び第７図（平面図）を参照して説明するが、
理解を助けるために従来技術と同一の部品にも新番号を
付ける。リードフレームにマウントした半導体素子に樹
脂封止工程を施して製造する樹脂封止型半導体素子の中
でいわゆる多ピン構造即ち１８０ビン〜２００ピン以上
のリードを備えたものに本発明は最も有効である。この
ような多ビン構造の樹脂封止型半導体素子の組立工程に
利用するリードフレームは従来と同様に金属板をプレス
（Ｐｒｅｓｓ）工程により所定のバターン（Ｐａｔｔｅ
ｒｎ）に打抜いたものであり、いわゆる各半導体素子用
の板状ベッドをほぼ中心に設置した枠体（図示せず）を
複数個形成し、枠体数により長尺用か短尺用に区別する
のが通常である。このようなリードフレームの枠体を起
点としてリードが形成され、その一つは板状ベッドに直
結して安定させている。また、リードの大部分はベッド
の周囲に向かって配置しその先端を遊端としていわゆる
インナーリードとして機能させ、樹脂封止工程後外部に
導出した部分はいわゆるアウターリードとして機能する
が、前記のように本発明では総称してリードと記載する
。
の断面図及び第７図（平面図）を参照して説明するが、
理解を助けるために従来技術と同一の部品にも新番号を
付ける。リードフレームにマウントした半導体素子に樹
脂封止工程を施して製造する樹脂封止型半導体素子の中
でいわゆる多ピン構造即ち１８０ビン〜２００ピン以上
のリードを備えたものに本発明は最も有効である。この
ような多ビン構造の樹脂封止型半導体素子の組立工程に
利用するリードフレームは従来と同様に金属板をプレス
（Ｐｒｅｓｓ）工程により所定のバターン（Ｐａｔｔｅ
ｒｎ）に打抜いたものであり、いわゆる各半導体素子用
の板状ベッドをほぼ中心に設置した枠体（図示せず）を
複数個形成し、枠体数により長尺用か短尺用に区別する
のが通常である。このようなリードフレームの枠体を起
点としてリードが形成され、その一つは板状ベッドに直
結して安定させている。また、リードの大部分はベッド
の周囲に向かって配置しその先端を遊端としていわゆる
インナーリードとして機能させ、樹脂封止工程後外部に
導出した部分はいわゆるアウターリードとして機能する
が、前記のように本発明では総称してリードと記載する
。
ところで、集積度の大きい例えばＡＳＩＣ（ＡｐｐＱｉ
ｃａｔｉｏｎ ５ｐｅｃｉｆｉ−ｃ Ｍｅｍｏｒｙ
）などのように多くの出力端子を備えた多ピン構造の半
導体素子に適用するリードフレームは当然対応したリー
ドを形成しなければならない。このために１８０ピン〜
２００ピン以上のリードの形成は技術的限界に達してお
り、リードと半導体素子の出力端子即ちノくラド（Ｐ−
ａｄ）間をボンディング工程により結ぶ金属細線のルー
プが長くなる傾向にある。と言うのは、限界に達してい
る多ビンの先端は、どうしてもビン数が増えるにつれて
ベッドから離し、一方半導体素子用基板の寸法はシュリ
ンクしてコストの削減方向を採るためである。このよう
な背景の下で１８０ビン〜２００ピン以上のリードのピ
ッチが０゜２ｍｍ、リードの幅がＱ、 １ｍｍであり
、先端が遊端となっているリードの補強が不可欠となっ
てくる。即ち、リードと半導体素子のパッド間にはボン
ディング工程による金属細線を接続するに際しくＴＡＢ
法もある）、リードフレームの材質もＦｅ−Ｎｉ系合金
、Ｆｅ系金属更に銅または銅合金が、金属細線もＡ ｕ
％ Ａ １更に銅または銅系金属か適用されているの
で、硬い金属細線ではより軟らかいものより荷重を大き
くする必要がある。
ｃａｔｉｏｎ ５ｐｅｃｉｆｉ−ｃ Ｍｅｍｏｒｙ
）などのように多くの出力端子を備えた多ピン構造の半
導体素子に適用するリードフレームは当然対応したリー
ドを形成しなければならない。このために１８０ピン〜
２００ピン以上のリードの形成は技術的限界に達してお
り、リードと半導体素子の出力端子即ちノくラド（Ｐ−
ａｄ）間をボンディング工程により結ぶ金属細線のルー
プが長くなる傾向にある。と言うのは、限界に達してい
る多ビンの先端は、どうしてもビン数が増えるにつれて
ベッドから離し、一方半導体素子用基板の寸法はシュリ
ンクしてコストの削減方向を採るためである。このよう
な背景の下で１８０ビン〜２００ピン以上のリードのピ
ッチが０゜２ｍｍ、リードの幅がＱ、 １ｍｍであり
、先端が遊端となっているリードの補強が不可欠となっ
てくる。即ち、リードと半導体素子のパッド間にはボン
ディング工程による金属細線を接続するに際しくＴＡＢ
法もある）、リードフレームの材質もＦｅ−Ｎｉ系合金
、Ｆｅ系金属更に銅または銅合金が、金属細線もＡ ｕ
％ Ａ １更に銅または銅系金属か適用されているの
で、硬い金属細線ではより軟らかいものより荷重を大き
くする必要がある。
このような工程では当然一定のループ長による接続が望
ましいが、先端が遊端となっている多ピン用リードの機
械的補強としてポリイミド樹脂が利用されているのは従
来技術欄に示した通りである。
ましいが、先端が遊端となっている多ピン用リードの機
械的補強としてポリイミド樹脂が利用されているのは従
来技術欄に示した通りである。
第６図ａに示すように、板状べ・ソド部１０の外周部か
らり−、ド１１の先端間に対応するリードフレーム１２
部分を覆ってフィルム状ポリイミド樹脂即ち非導電性フ
ィルム状部材１３によるテーピング（Ｔａｐｉｎｇ）を
施す。これは板状べ・ソド部１０にマウントする半導体
素子１４より大きく、板状ベッド部１０より小さい開口
（図示せず）を設けて半導体素子１４をエポキシ（Ｅ
ｐ ｏ ｘ ｙ）樹脂１６などの接着剤により直接板状
ベッド部１０に取付ける。その外側はリード１１の先端
より一定の距離だけ僅かに大きく形成する。ボンディン
グ工程では半導体素子１４に形成したパッド１７と金属
細線１８間の接続が第１ボンデイング工程であり、これ
に続くリード１１と金属細線１８間を結ぶのが第２ボン
デイングである。従って、第２ボンデイングを行う位置
には非導電性フィルム状部材１３の外側即ちリードフレ
ーム１２の枠体（図示せず）に近い方向付近を選定する
。
らり−、ド１１の先端間に対応するリードフレーム１２
部分を覆ってフィルム状ポリイミド樹脂即ち非導電性フ
ィルム状部材１３によるテーピング（Ｔａｐｉｎｇ）を
施す。これは板状べ・ソド部１０にマウントする半導体
素子１４より大きく、板状ベッド部１０より小さい開口
（図示せず）を設けて半導体素子１４をエポキシ（Ｅ
ｐ ｏ ｘ ｙ）樹脂１６などの接着剤により直接板状
ベッド部１０に取付ける。その外側はリード１１の先端
より一定の距離だけ僅かに大きく形成する。ボンディン
グ工程では半導体素子１４に形成したパッド１７と金属
細線１８間の接続が第１ボンデイング工程であり、これ
に続くリード１１と金属細線１８間を結ぶのが第２ボン
デイングである。従って、第２ボンデイングを行う位置
には非導電性フィルム状部材１３の外側即ちリードフレ
ーム１２の枠体（図示せず）に近い方向付近を選定する
。
このようにしてリードフレームの板状ベッド部１０とリ
ード１１が固定されるので、変形に対して強くなる。
ード１１が固定されるので、変形に対して強くなる。
この結果、ボンディング工程における金属細線の入線角
度θが大きい場合でも、これを繰りだすキャピラリイ（
第３図す参照）直下の曲率半径Ｒの最下点は常に非導電
性フィルム状部材１３に対応する上方に位置する。従っ
て入線角度θが大きさに左右されずに曲げや垂れのない
良好なループ形状が得られる。しかも、非導電性フィル
ム状部材１３は結線領域のほぼ全域を覆っているので、
板状ベッド部１０の寸法が半導体素子１４よりかなり大
きい場合金属細線］８が板状ベッド部１０にタッチ（Ｔ
ｏｕｔｃｈ）することが防止できる。
度θが大きい場合でも、これを繰りだすキャピラリイ（
第３図す参照）直下の曲率半径Ｒの最下点は常に非導電
性フィルム状部材１３に対応する上方に位置する。従っ
て入線角度θが大きさに左右されずに曲げや垂れのない
良好なループ形状が得られる。しかも、非導電性フィル
ム状部材１３は結線領域のほぼ全域を覆っているので、
板状ベッド部１０の寸法が半導体素子１４よりかなり大
きい場合金属細線］８が板状ベッド部１０にタッチ（Ｔ
ｏｕｔｃｈ）することが防止できる。
本実施例ではフィルム状ポリイミド樹脂を例として説明
したが例えば紙を主体とする耐熱性の非導電性のフィル
ムでも良く、更に形状は四角形に限らず樹脂封止工程に
おける封止樹脂の流れを考慮して第７図に明らかにした
ように部分的に窓１９を形成しても差支えない。
したが例えば紙を主体とする耐熱性の非導電性のフィル
ムでも良く、更に形状は四角形に限らず樹脂封止工程に
おける封止樹脂の流れを考慮して第７図に明らかにした
ように部分的に窓１９を形成しても差支えない。
［発明の効果］
本発明では■リードに対する金属細線の入線角度に左右
されずに常に安定したループ形状が得られ、設計の自由
度が高い。■金属細線のボンディングにおける金属細線
の垂れを完全に防止できる。■リードフレームのベッド
部とリードをテーピングするために変形に強くダイボン
ディング（Ｄｉｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ）工程でのリード
フレーム分離が容易である。などの品質信頼性上の効果
があり、第４図に示す凸状のヒータ（Ｈｅａ−ｔｅｒ）
治工具８または第５図に明らかにしたデプレス（Ｄｅｐ
ｒｅｓｓ）型のリードフレーム９など一切必要ないので
、汎用性に富み、樹脂封止型半導体装置の品種切替えも
容易であるなどにより、半導体素子の組立用装置の稼働
率の向上も期待できる。
されずに常に安定したループ形状が得られ、設計の自由
度が高い。■金属細線のボンディングにおける金属細線
の垂れを完全に防止できる。■リードフレームのベッド
部とリードをテーピングするために変形に強くダイボン
ディング（Ｄｉｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ）工程でのリード
フレーム分離が容易である。などの品質信頼性上の効果
があり、第４図に示す凸状のヒータ（Ｈｅａ−ｔｅｒ）
治工具８または第５図に明らかにしたデプレス（Ｄｅｐ
ｒｅｓｓ）型のリードフレーム９など一切必要ないので
、汎用性に富み、樹脂封止型半導体装置の品種切替えも
容易であるなどにより、半導体素子の組立用装置の稼働
率の向上も期待できる。
第１図ａは従来の樹脂封止型半導体装置の部分平面図、
第１図すは第１図ａの断面 図、第２図ａは金属細線の
曲りの状態を示す平面図、第２図すは金属細線の垂れの
状態を示す側面図、第３図ａは金属細線の曲りの発生要
因となる要因図、第３図ｂ１第４図及び第５図は従来の
対策を示す図、第６図ａは本発明に係わる実施例を示す
平面図、第６図すは第６図ａの断面図、第７図は本発明
の他の実施例を示す平面図である。 １．１４：半導体素子、 ２．１０：ベッド部、３．１
１： リード、 ４．１３：非導電性フィルム状部材、 ５．１６：接着剤層、 ６．１７：バッド、７．１８
：金属細線、 ８：キャビラリイ、１９：窓。 代理人 弁理士 大 胡 典 大 筒 図 第 図 １９：＠、 第 図 第 図
第１図すは第１図ａの断面 図、第２図ａは金属細線の
曲りの状態を示す平面図、第２図すは金属細線の垂れの
状態を示す側面図、第３図ａは金属細線の曲りの発生要
因となる要因図、第３図ｂ１第４図及び第５図は従来の
対策を示す図、第６図ａは本発明に係わる実施例を示す
平面図、第６図すは第６図ａの断面図、第７図は本発明
の他の実施例を示す平面図である。 １．１４：半導体素子、 ２．１０：ベッド部、３．１
１： リード、 ４．１３：非導電性フィルム状部材、 ５．１６：接着剤層、 ６．１７：バッド、７．１８
：金属細線、 ８：キャビラリイ、１９：窓。 代理人 弁理士 大 胡 典 大 筒 図 第 図 １９：＠、 第 図 第 図
Claims (1)
- 板状ベッド部に固着する半導体素子と、前記板状ベッ
ド部を囲んで設置するリード部と、前記半導体素子に形
成するパッド部と、前記パッド部とリード部先端部分を
結ぶ金属細線に対応する位置から外周部までの全領域に
設置する非導電性フィルム状部材と、前記半導体素子、
金属細線及び非導電性フィルム状部材を被覆する封止樹
脂層と、前記封止樹脂層より外部に導出するアウターリ
ードを具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2154308A JPH0445565A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2154308A JPH0445565A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0445565A true JPH0445565A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15581280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2154308A Pending JPH0445565A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0445565A (ja) |
-
1990
- 1990-06-13 JP JP2154308A patent/JPH0445565A/ja active Pending
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