JPH0445712B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明はモジユール式ガス取扱装置に関する
ものであり、更に詳しくは多くの流路をその中に
有したモジユール式のブロツクであつて例えば半
導体の製造などで用いられる有害または高価なガ
スを取扱うものに関するものである。

なおこの明細書においては『モジユール』なる
用語を用いるが、これは全体的に多数の標準部品
からなりかつその組立および一部変更が容易なよ
うな集合体をいう。

（従来技術） ガスや液体などの流体を取扱うシステムとして
は、種々のものが多年に亙つて知られている。特
に鉄などの材料からなるブロツク上に多数の流体
取扱弁を架設する技術が良く知られている。その
ようなシステムにおいては種々の流路に弁を仲介
させて、これにより流路を開いたり閉じたりして
いる。加えてこれらのシステムをモジユール化す
ることおよびそのようなモジユールを互いに連結
するこもよく知られている。

このようなモジユール式システムに関してはた
だ単にガスを取扱うというに留まらず、特殊な条
件下例えば高真空条件下でガスを取扱うことが研
究されている。また非常に融通性に富んだシステ
ム、および流路間をあまり過剰に接続する必要な
しにこのようなシステムを着脱自在に互いに連結
することも研究されている。更に高価なガスを取
扱てしかも流路内でのガスの損失を最小限にする
技術も研究されている。このようなシステムは特
に半導体の製造時に水晶の成長を促すプロセスに
有用であるが、一般に非常に高価なガスを取扱う
ものであるから非常に注意深くこれを制御監視す
る必要がある。

上記のようなガスの処理に際しては、特にこれ
を単一のモジユールブロツク内に組み込むとする
と、複雑なロジツク型式の流れ回路を該モジユー
ル内に構成することになる。

このように単一のモジユール内に組み込まれた
ロジツク型式の流れ回路において処理すべきガス
を切り換えるに際しては、次のガス（新ガス）の
導入前に、最初のガス（旧ガス）により汚染され
ている流れ回路内を完全に洗い流してやる必要が
ある。この発明が対象とするような半導体製造の
水晶成長システムにおいて用いる希少で危険およ
び／または高価なガスの場合には特にその必要が
ある。しかし従来このような洗い流し作業を成功
裡に行なうには、流れ回路が構成上極めて制約さ
れたものとなるのを免れなかつた。与えられた流
れ回路がいかなる構成のものであつてもこのよう
な洗い流しを完全に行なうためには、極めて複雑
な作業を必要としたのである。

（発明の要旨） この発明の目的は、単一のブロツクに組み込ま
れたロジツク型式の流れ回路におけるガス切換え
に際しての流れ回路の洗流し作業を、回路構成に
一切の制約を掛けることなく、簡単な構成で行な
うことにある。

すなわちこの発明の基本構成においては、第２
図および第９図に示すように、単一の流路ブロツ
ク１内にその表面に複数のポートを形成する複数
のガス流路を貫通延在せしめ、第１の弁流路２１
ｂには第１の弁入口孔１３ｂまたは１５ｂと第１
の弁２５b′により制御される第１の弁座４６ｂま
たは４６b′とを設け、第２の弁流路２１ｃには第
２の弁入口孔１３ｃまたは１３ｂと第２の弁２５
c′により制御される第22の弁座４６ｃまたは４６
ｂとを設け、第１のガス流路５４または５２が第
２の弁入口孔と第２の弁座との間の所定の位置お
いて第２の弁流路２１ｃを横断して延在し、かつ
第２のガス流路５８または５４が第２の弁座を横
断して延在するように構成したものである。

このように構成した結果、第２の弁座を閉じて
旧ガスの流れを断ち、第１の弁により第１の弁座
を開いて第１のガス流路５４または５２に新ガス
を流せば、この新ガスが上記の所定の位置から第
２の弁流路２１ｃに流れ込んでその洗流しを行な
うのである。

（実施態様） 第１図に示すモジユール式流路ブロツク１は耐
食性の不活性なステンレスから形成されており、
空洞がなくてしかも内部亀裂に対して抵抗力を有
してたものである。その寸法は例えば４”x41／
２”x11／２”程度の原材料にミリングやボーリ
ングなどの機械加工を加えたものである。

この例の場合モジユール式流路ブロツク１は長
方形をしており、その側方に突出部２ａを具えた
上面２と、底面１１と、壁３および５を具えた左
側面と、壁７および９を具えた右側面と、壁４お
よび６および８を具えた前面と、壁１０を具えた
後面とを有している。また後記するようにその
種々の面には超高真空弁を架設する架設機構を有
している。モジユール式流路ブロツク１内には多
数のガス流路が形成されており、これらはそれぞ
れガスポート１７ａ〜１７ｆに連通している。上
面２に形成されたガスポート１７ｂと底面１１に
形成されたガスポート１７ｄとは流路７０，７２
により接続されており、更にこれらの流路は後記
する弁により互いに適宜接続されている。

更に上面２に形成されたガスポート１７ｃはガ
ス流路６６と６８により底面１１に形成されたガ
スポート１７ｅに接続されており、上面２に形成
されたガスポート１７ａはガス流路７４と７６に
より底面１１に形成されたガスポート１７ｆに接
続されている。

その他にもモジユール式流路ブロツク１にはい
くつかの弁座が貫通形成されている。即ち弁座１
３ａ〜１３ｃはそれぞれ上面２、後面の壁１０お
よび左側面の壁３に形成されている。また弁座１
５ａ〜１５ｃはそれぞれ前面の壁６と４と８に形
成されている。これらの弁は超高真空性であつ
て、例えば10^-6torr.の圧力下でその防漏度は
4x10^-9std.cm³位である。これらはベローズ弁であ
つて、その内部は全て耐食性のステエンレスでヘ
リアーク溶接により形成されている。内部シール
体としては軟質ステンレスまたはミネソタ鉱業社
により製造されているKEL−Ｆなどのような低
蒸気圧エラストマーを用いるとよい。かかる弁の
例としてはオハイオ州のヌプロ社のものがある。
この発明のようなモジユール式ガス取扱装置を用
いたシステムは例えば半導体の製造などに非常に
有用である。即ちそのようなシステムによれば少
量のガスでも非常に正確に取扱できるし、ヒソ、
燐および塩化水素などのような有毒および／また
は高価なガスを取扱うシステムにもこの発明の装
置は有利に応用できるのである。これらのような
システムにあつては漏洩の防止が厳しく要求され
る。この発明によればその様な要求に充分応え得
るのみならず、非常に簡単であり、しかも溶接の
場合などと違つて流路の接続を自在に変更するこ
とも可能である。

更に従来のような溶接を用いいてないので装置
内の無駄な空間がなくなり、損失や汚染も回避す
ることができる。また多数の流路を平行に組立て
ることによりシステムの規模を自由に拡張するこ
ともできる。

さて第１図に戻つて、弁座１３ａ〜１３ｃはそ
れぞれ下降壁１４と円形の横断壁１６とによつて
画定されている。横断壁１６の内面は第２の下降
壁１８を構成しており、この壁は更に下降して円
形横断架設面１９に至つている。この架設面１９
に内面は円筒状下降壁２１を通つて下降し第６，
８，９図に示すように弁座４６ａ〜４６ｃに至つ
ている。

超高真空弁のモジユール式流路ブロツク１への
架設に当たつてはつぎのようにする。各ベローズ
弁は弁杆２１ａ〜２１ｃに架設されたベローズ体
２３ａ〜２３ｃを有している。弁杆の下端には
種々の弁座に収容されるシール面３７ａ〜３７ｃ
が形成されている。また弁杆２１ａ〜２１ｃは架
設体２４ａ〜２４ｃによりベローズ体２３ａ〜２
３ｃに固定されている。ベローズ体２３ａ〜２３
ｃの他端は自由に浮動した状態で、前環状面３０
ａ〜３０ｃを有している。ここでこの環状面３０
ａ〜３０ｃはベローズ体２３ａ〜２３ｃによつて
囲まれた弁杆２１ａ〜２１ｃに対して可動であ
る。弁杆２１上には円筒状弁架設リング２５が固
定されており、その外フランジ２９を具えた前端
は環状面３０の上面に当接する。弁架設リング２
５の上端には弁杆２１を囲んでこれと協働する小
径部が形成されている。したがつて円形横断面１
９に環状面３０がきつちりと嵌合するまで弁杆２
１の前端を弁座の方に挿入すると弁がおのずと弁
座に挿入される。また弁をその上に置く前に予め
環状横断面１９上には金属ガスケツト２７ａ〜２
７ｃが置かれている。

弁をモジユール式流路ブロツク１に対して最終
的に架設しかつシールするには、弁杆２１上ひい
ては弁架設リング２５の外面上で環状弁フランジ
２０ａ〜２０ｃを摺動させる。この環状弁フラン
ジはそれ自身弁架設リング２５と摺動可能に嵌合
する内側開口３７を有しており、これが弁架設リ
ング２５のフランジ２９の上面に当接する。また
弁フランジ２０ａ〜２０ｃの内側環状面３９は環
状凹部４１を有しており、それが正しい位置に置
かれたときにこの環状凹部４１が架設リング２５
上のフランジ２９の外壁に係合する。かくして弁
フランジ２０ａ〜２０ｃと弁架設リング２５上の
フランジ２９の面との間に均一な会合面が得られ
るのである。弁フランジ２０ａ〜２０ｃはその周
に沿つて数個の円筒状の孔３６ａ〜３６ｃを有し
ており、これに対応した数のネジ孔４３が環状横
断面１６に形成されている。従つて弁が架設され
ると、弁フランジ２０ａ〜２０ｃが弁座１３ａ−
１３ｃ内に上面を面一にして収る。ついでネジ３
８ａ〜３８ｃを孔３６ａ〜３６ｃからねじ孔４３
に挿入することにより架設とシールとが完結され
る。ネジを締めて弁をなるべく弁座に押圧する
と、弁は確実に架設されるのみならず、金属ガス
ケツト２７ａ〜２７ｃと協働して強固なシールが
得られる。第１図に示す他の弁２３a′〜２３c′も
弁座１３ａ〜１３ｃとの関係において同様に作用
するものであるが、この場合には押圧されるので
はなくて上面と面一になつている。この場合弁座
１５ａ〜１５ｃは環状横断面４５に至る下降壁４
４を有しており、この横断面の内面は円筒状下降
壁４７を経て弁座４６a′〜４６c′に至つている。
更に弁それ自体および環状弁フランジ２０a′〜２
０c′の構造は上記の場合と同様である。しかしこ
の場合には、架設に際して環状弁フランジ２０
a′〜２０c′がモジユール式流路ブロツク１それ自
体の面上に架設される。この場合にもモジユール
式流路ブロツク１の周面にはネジ孔４１ｂが形成
されており、これに対応して環状弁フランジは３
個の円筒状孔を有している。この場合にもネジ３
８a′〜３８c′をネジ孔４１ａ〜４１ｃにねじ込む
ことにより超高真空弁をモジユール式流路ブロツ
ク１に直接架設できる。更に金属ガスケツト２７
a′〜２７c′を用いてシールを完全なものとする。
ここで密封シールに関して２つの事項を説明す
る。まずこの発明によれば、一旦架設されたなら
ばモジユール式流路ブロツク１の面に対して環状
弁フランジを直線移動するだけで弁の架設装着が
できるということである。

これに関連して同様なタイプの超高真空弁を装
着する典型的な従来技術を第１０，１１図に示
す。ここでは支持立方体９０が弁座１０４と立上
り円形壁９２を具えた上面とを有している。円形
壁９２の外面にはネジ１１２が形成されており、
上面には凹状の環状面９４が形成されて円筒状房
室９６に延在している。この房室の底部には弁座
１０４が形成されている。

弁を環状架設面９３に架設すると弁杆１０８が
弁座１０４に嵌入する。このとき弁それ自身には
められたスリツプリング１１０が用いられる。そ
の下降壁１２２は内側ネジ部１１４を有してお
り、このネジが立上り壁９２の外面上のネジ１１
２と合致する。このスリツプシング１１０の上端
は内側に突出する環状壁１１７によつて弁に固定
されている。またこの環状壁は弁架設リング２５
の外面に摺動可能に係合する。

装着に当つて弁を正しい位置に置くと、ネジ１
１４がネジ１１２に係合するまでスリツプリング
１１０が下方に移動し、弁が立方体９０にネジ固
定される。しかしこの場合には最終的な架設がス
リツプリング１１０の円形部により行われるので
ネジ過ぎなども起こるから高度の正確さを得るこ
とは難しい。この発明の場合には環状弁フランジ
を面に対して直線状に移動させるので、これより
遥かに正確な架設状態が得られるのである。

第１〜９図に戻つて、各弁ポートは弁座に連通
している。第２図に示すようにモジユール式流路
ブロツク１の上面２上の弁座１３ａは下方に延在
して弁座４６ａに連通している。しかしこの例の
場合には、下降円筒部２１の内壁は２個の孔を有
しており、前方孔は流路６４を経て他の弁座に連
通し、第２の側方流路６２はガスポート１７ｊに
連通している。モジユール式流路ブロツク１の左
面３に位置する弁座１３ｈは開いた弁座４６ｂを
有しており、これは流路５６からガスポート１７
ｉに連通している。弁座１３ｂ中の下降円筒面２
１は１対の孔を有しており、後方孔は流路５０を
介してガスポート１７ｇに連通し、前方孔は流路
５２を介して他の弁に連通している。弁座１３ｃ
に関していうと、弁座４６ｃは流路５８を介して
下側の更に他の弁座に連通している。下降円筒壁
２１は２個の流路を有しており、これらはガスポ
ート１７ｉと弁座１３ｂにそれぞれ連通してい
る。前面の弁座１５ａ〜１５ｃはそれぞれ同様に
流路に連通している。弁座１５ａは開いた弁座４
６a′を有しており、これが流路６４を介して弁座
１３ａの弁座４６上方の下降円筒壁２１に連通し
ている。弁座１５中の下降円形壁２１は流路６６
およびガスポート１７ｃに連通する上側開口を有
している。

弁座１５ｂは弁座４６b′を有しており、これが
流路５２を介して弁座１３ｂ中の下降円筒壁２１
に連通している。

弁座１５ｃは弁座４６c′を有しており、これが
流路５８を介して弁座１３中の開いた弁座４６ｃ
に連通している。円筒下降壁２１は孔を有してお
り、左側の流路６２はこの壁を下降円形壁２１に
接続し、右側の流路６０はガスポート１７ｈに連
通している。

かくして例えば弁座１３中の弁を閉じると流路
５４，５６に対して流路５８，７４，７６を遮断
することができる。

モジユール式流路ブロツク１の面３から延在す
る流路１６はモジユール式流路ブロツク１を貫通
うしてガスポート１７ｂからの中間流路７２に連
通し、その後流路８０を介して弁座４６および弁
座１３ａの底部に達する。かくして例えば弁座１
３ａ中の弁を閉じると流路８０を流路６２，６４
から遮断することになる。さて第３図において弁
座１５ｂ中において弁座４６b′に連なる流路２１
を囲む横断環状面１８上に金属ガスケツト２７を
置く。モジユール式流路ブロツク１に着脱可能に
かつシール状に固定されるのは弁２３b′と弁架設
リング２５b′とである。ついで金属ガスケツトを
通して弁座１５ｄ中に弁２３b′を挿入する。つい
で架設リング２５b′をして弁２３b′上を通過させ
る。

かくして弁フランジ２０b′を弁および弁架設リ
ングに施すことにより弁はモジユール式流路ブロ
ツクに固定架設され、ネジ３８b′をネジ孔４１ｂ
に螺入すると弁が弁座１５ｂに気密にシールされ
る。またネジ３８b′をねじ込むことにより金属ガ
スケツト２７b′が広がり、問題となつている環状
面間を完全に満たすのである。このガスケツトは
ニツケルや焼鈍されたステンレスなどモジユール
式流路ブロツクと同じ耐食性の金属からなり、空
洞や細孔のない０、上面５インチ位の厚い金属板
から打ち抜きにより製造されるものである。第１
０，１１図に示す従来技術の場合に比べて、フラ
ンジ２０b′その他の要素に回転力を掛けることな
くネジ３８b′により弁を直接面に締結できるので
非常に有利である。従来のようにネジ係合が緩む
こともなく気密なシールが簡単に得られるのであ
る。

第１５図に流路のガスポートへの取付け構造を
示す。モジユール式流路ブロツクａはガスポート
１７０をまたモジユール式流路ブロツクｂはガス
ポート１７１をそれぞれ含んでいる。これらのガ
スポートを互いに接続するために、連結流路１７
３が用いられている。この流路１７３は両端に拡
大端部１７５を具えている。その入口ポート１７
７を囲む環状面である端面１７６には環状のエツ
ジ１７８が設けられており、ほぼ三角形の断面を
有して入口ポート１７７を囲んでいる。連結流路
１７３に沿つて摺動自在に１対の環状フランジ１
８０が設けられており、これらのフランジは上記
摺動に充分な内径を有している。またその内径は
連結流路１７３の拡大端部１７５の外径１８２に
きつちりと合致するようになつている。またその
内面には環状フランジ部１８３が形成されてお
り、これによりフランジが流路の端部から拡大端
部１７５を越えて脱出するのを防いでいる。これ
らのフランジ１８０がその端面１７７へ更に移動
すると、モジユール式流路ブロツクの面と当接す
る平な面を与える。この面がガスポートのひとつ
と接触すると、まず連結流路１８４がポート間に
挿入される。金属ガスケツト１８４の直径は端面
１７７の環状エツジ１７８の直径に相当する。ま
たガスポート１７０はその中央流路を囲む環状エ
ツジ１７４を有しており、これが流路１７３の端
面１７７の環状エツジ１７８に対応する。したが
つて金属ガスケツトを間に流路１７３の端面１７
７がガスポートに押し付けられると、金属ガスケ
ツトは環状エツジ１７８と１７４間にクランプさ
れる。リング１８０を端面にまで摺動させてとネ
ジ１８６をガスポート１７９０，１７１を囲むネ
ジ孔１９０にねじ込むと、気密シールが得られ
る。ここでも圧力により金属ガスケツトが広がる
第１６図にこの発明の流路ブロツクを構成する連
結ブロツク２モジユール式流路ブロツクを示す。
その種々の面にはガスポート２７０が形成されて
おり、これらはそれぞれ流路ブロツクを貫通する
流路によつて他のガスポートに接続されている。
このような流路ブロツクは種々の接続に広く利用
できるものである。第１２図に示すのは冷却コイ
ル１１０であつて流路ブロツク上において１対の
ガスポート間に介設されるものである。コイルの
端部には拡大端部１１２が形成されており、１対
のリングを用いてこれらがガスポートに接続され
る。第１３図にガスポートに接続される膜房室１
２０を示す。この房室は内部に設けた膜１２２に
よつて二分されており、ガスは流路１２４から流
路ブロツク内に入り、第１の房室１２６からこの
膜を通ることにより純化されて第２の房室１２８
に入り、流路１３０を経て送り出される。排気の
ために弁１３３を具えた弁１３２が設けられてい
る。

第１４図に示す例においては泡房室１３５が１
対のガスポートに固定されている。流路１３７は
弁１３８を具え、流路１４０は弁１４２を具えて
いる。これらの流路はともに閉塞房室１４４内に
延在し、流路１３７は液レベル１５０の下側に開
口して流路ブロツクからのガスを泡の形で放出し
ており、かく放出されたガスは液レベル１５０上
側に開口する流路１４０を経て再び流路ブロツク
に回収される。つぎに実例として第１３図の装置
を用いて半導体ガリウムアルセナイドの薄層を成
長させる場合を説明する。まずジメチルガリウム
などの金属−有機化合物を房室１２０に入れ、こ
の房室を流路１２４，１３０を介して例えば第４
図に示すようなガスポート１７ｉ，１７ｊに気密
にシール付設する。前記のように拡大端部とガス
ポートとの間には金属ガスケツトを介装する。こ
れには前出のネジ１８６、ネジ孔１９０およびフ
ランジ１８０などを用いる。

つぎに水素などの搬送ガスを導く流路を流路ブ
ロツクのガスポート１７ｃに接続する。この場合
流路６６，６８は成長ラインの一部となる。

ついで他の搬送ガス用流路をガスポート１７ｂ
に接続する。この場合には流路７０，７２が排出
ラインの一部となる。

これらのガス搬送流はかなり大きく成長ガス混
合物を流路ブロツクから結晶成長房室または排出
部に送るに充分な能力を具えている。

更に第３の搬送ガス流路をガスポート１７ｇに
接続する。この搬送ガスは流路ブロツク中の種々
の流路を介して送られて次に述べるように成長ガ
ス混合物を形成するものである。また真空ポンプ
をポート１７ａにシール接続する。

ついで弁座１３ｃ，１５ｃ内の弁を開き他の弁
座中の弁は閉じておく。ポ〜ト１７ａを介して真
空ポンプを利かせると、弁座４６ｂ内の空気と水
蒸気が全てライン５４，５６を介してポート１７
ｉに固定された容器の入口に、更には弁座４６
a′，ライン５８，６２，６４，６０へと流れ、こ
れらのラインから空気と水蒸気とが完全に除かれ
る。これにより高純度ガス流および純化合物の汚
染が防止される。

ついで弁座１３ｃ，１５ｃ内の弁を閉じ弁座１
５ｂ内の弁を開く。正確に測定した量の入力ガス
流をポート１７ｇから流路５２，５０に送り込む
と、弁座１３ｂ，１５ｂ内の弁のベローズを一掃
してポート１７ｄを経て排出される。

以上の処理が終了したら弁座１３ａ，１３ｂ中
の弁を開き、弁座１３ｂ内の弁を同時に閉じる。
すると水素搬送ガスが流路５４に入り、流路５
６、金属−有機化合物貯留器１２０を通過する。
かくして搬送ガスは金属−有機化合物により飽和
され、流路６０，６２，８０を通つて流路７０，
７２に流れ込む。

結晶成長工程で金属−有機化合物が必要とされ
る期間が過ぎると、弁座１３ａ中の弁が閉じら
れ、弁座１５ａ中の弁は開かれ、搬送ガスと化合
物との混合物が流路６６，６８に送り込まれる。

【図面の簡単な説明】

第１図この発明の装置に用いる流路ブロツクの
一例を示す斜視図、第２図同流路ブロツクの平面
図、第３図流路ブロツクに設けられた超高真空弁
の一部断面側面図、第４図同流路ブロツクの後面
図、第５図同流路ブロツクの左側面図、第６図同
流路ブロツクの右側面図、第７図同流路ブロツク
の前面図、第８図同流路ブロツクの後面図、第９
図同流路ブロツクの底面図、第１０図従来の弁架
設構造の平面図、第１１図同一部断面側面図、第
１２図流路ブロツクに用いる冷却コイルの側面
図、第１３図流路ブロツクに用いる膜房室の斜視
図、第１４図流路ブロツクに用いる泡房室の一部
断面側面図、第１５図流路ブロツクを接続する構
造の斜視図、第１６図連結ブロツクの斜視図。 １…モジユール式流路ブロツク、２…上面、１
１…底面、１３，１５…弁座。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 流路ブロツクを貫通延在して該流路ブロツク
   の各表面に複数のポートを形成する複数のガス流
   路を有しており、 第１の弁流路２１ｂがこの流路ブロツク１内に
   延在しており、 この第１の弁流路２１ｂが第１の弁入口孔１３
   ｂ，１５ｂと第１の弁２５b′により制御される第
   １の弁座４６ｂ，４６b′とを有しており、 第２の弁流路２１ｃが上記の流路ブロツク１内
   に延在しており、 この第２の弁流路２１ｃが第２の弁入口孔１３
   ｃ，１３ｂと第２の弁２５c′により制御される第
   ２の弁座４６ｃ，４６ｂとを有しており、 第１のガス流路５４，５２が第２の弁入口孔１
   ３ｃ，１３ｂと第２の弁座４６ｃ，４６ｂとの間
   の所定の位置において第２の弁流路２１ｃを横断
   して延在し、 第２のガス流路５８，５４が第２の弁座４６
   ｃ，４６ｂを横断して通延在しており、 第２の弁座４６ｃ，４６ｂが閉じられていると
   きでも、第１のガス流路５４，５２を流れるガス
   が第２の弁流路２１ｃを洗い流し、この洗流し動
   作が第１の弁２５b′により制御される ことを特徴とするモジユール式ガス取扱装置。 ２ 第１と第２の弁が超高真空弁である ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の装
   置。 ３ 超高真空弁がベローズ弁である ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の装
   置。 ４ 第１の弁架設手段２０が第１の弁を流路ブロ
   ツクに架設し、 第２の弁架設手段が第２の弁を流路ブロツクに
   架設し、 第１と第２の弁架設手段が第１と第２の弁フラ
   ンジ体を含んでいる ことを特徴とする特許請求の範囲第１〜３項のい
   ずれかひとつに記載の装置。 ５ 複数個の流路フランジ体１８０が設けられて
   おり、各流路フランジ体が、これに回転力を掛け
   る必要なしに、流路１７３をいずれかのポートに
   おいて流路ブロツクに架設することができる ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の装
   置。 ６ 第１と第２の弁フランジ体が複数のネジ孔３
   ６を有しており、かつ 第１と第２の弁入口孔が複数の対応するネジ孔
   ４３を有しており、 第１と第２の弁フランジ体上の対応するネジ孔
   と第１と第２の弁入口孔とに複数のネジを通すこ
   とにより、第１と第２の弁が第１と第２の弁フラ
   ンジ体により流路ブロツクに架設される ことを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の装
   置。 ７ 複数の流路ブロツク２が設けられており、 流路１７３が各ポートにおいて１対の流路フラ
   ンジ体１８０により両方の流路ブロツクに架設さ
   れることにより、１個の流路ブロツク上の少なく
   とも１個のポートが他の流路ブロツク上の１個の
   ポートに気密にシールされる ことを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の装
   置。 ８ 複数の弁流路のための複数の弁入口孔が環状
   凹部１３を有しており、この環状凹部が超高真空
   弁１３４上の対応するフランジを収受する ことを特徴とする特許請求の範囲第１〜７項のい
   ずれかひとつに記載の装置。 ９ 金属ガスケツト１８４が環状凹部に内に設け
   られており、超高真空弁３４が流路ブロツクにシ
   ール架設されている ことを特徴とする特許請求の範囲第８項記載の装
   置。 １０ 複数のポートが環状のポート体凹部１７を
   有しており、 各ポート体凹部１７がその上に環状突起１７４
   とこれに施された金属ガスケツト１８４とを有し
   ており、流路が流路ブロツクにシール架設されて
   いる ことを特徴とする特許請求の範囲第１〜３項のい
   ずれかひとつに記載の装置。