JPS622081A - モジユ−ル式ガス取扱装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明はモジュール式ガス取扱装置に関するものであ
り、更に詳しくは多くの流路をその中に有したモジュー
ル式のブロックであって例えば半導体の製造などで用い
られる有害または高価なガスを取扱うものに関するもの
である。

なおこの明細書においては「モジュール１なる用語を用
いるが、これは全体的に多数の標準部品からなりかつそ
の組立および一部変更が容易なような集合体をいう。

（従来技術） ガスや液体などの流体を取扱うシステムとしては１種々
のものが多年に亙って知られている。特に鉄などの材料
からなるブロック上に多数の流体取扱弁を架設する技術
が良く知られている。そのようなシステムにおいては種
々の流路に弁を仲介させて、これにより流路を開いたり
閉じたりしている。加えてこれらのシステムをモジュー
ル化することおよびそのようなモジュールを互いに連結
するこもよ〈知られている。

このようなモジュール式システムに関してはただ単にガ
スを取扱うというに留まらず、特殊な条件下例えば高真
空条件下でガスを取扱うことが研究されている。また非
常に融通性に富んだシステムこおよび流路間をあまり過
剰に接続する必要なしにこのようなシステムを着脱自在
に互いに連結することも研究されている。更に高価なガ
スを取扱てしかも流路内でのガスの損失を最小限にする
技術も研究されている。このようなシステムは特に半導
体の製造時に水晶の成長を促すプロセスに有用であるが
、一般に非常に高価なガスを取扱うものであるから非常
に注意深くこれを制御監視する必要がある。

（発明の要旨） この発明の装置はモジュール式流路ブロックを有してお
り、この流路ブロックには複数のガス流路が貫通延在し
て流路ブロックの表面に複数のポート体を形成している
。更にこの流路ブロック内には複数の弁が延在して所定
の位置で流路を中断しており、また流路ブロックの表面
に入口を開口している。また複数の弁フランジが用いら
れて、上記入口の位置でこれに回転力を掛ける必要なし
に流路ブロックに高真空弁を架設してシールしている。

上記のポートはそれぞれポート体架設機構を有していて
、これにより流路がポート体にシールされている。

（実施態様） 第１図に示すモジュール式流路ブロックｌは耐食性の不
活性なステンレスから形成されており、空洞がなくてし
かも内部亀裂に対して抵抗力を有してたものである。そ
の寸法は例えば４″菫４１７２″！１１／２”程度の原
材料にミリングやポーリングなどの機械加工を加えたも
のである。

この例の場合モジュール式流路ブロックｌは長方形をし
ており、その側方に突出部２ａを具えた上面２と、底面
１１と、壁３および５を具えた左側面と、壁７および９
を具えた右側面と、壁４および６および８を具えた前面
と、壁１ｏを具えた後面とを有している。また後記する
ようにその種々の面には超高真空弁を架設する架設機構
を有している。モジュール式流路ブロック１内には多数
のガス流路が形成されており、これらはそれぞれガスポ
ー）１７ａ〜１７ｆに連通している。上面２に形成され
たガスポート１７ｂと底面１１に形成されたガスポー）
１７ｄとは流路７０，７２により接続されており、更に
これらの流路は後記する弁により互いに適宜接続されて
いる。

更に上面２に形成されたガスポー）！７ｃはガス流路６
６と６８により底面１１に形成されたガスポート１７ｅ
に接続されており、上面２に形成されたガスポート１７
ａはガス流路７４と７６により底面１１に形成されたガ
スポート１７ｆに接続されている。

その他にもモジュール式流路ブロック１にはいくつかの
弁座が貫通形成されている。即ち弁座１３ａ〜１３ｃは
それぞれ上面２、後面の壁ｌＧおよび左側面の壁３に形
成されている。また弁座１５ａ−１５ｃはそれぞれ前面
の壁６と４と８に形成されている。これらの弁は超高真
空性であって、例えば１．０−’ｔａｒｔ、の圧力下で
その防漏度は４　ｘ　１０−９ｓｔｄ、ｃｍ３位である
。これらはベローズ弁であって、その内部は全て耐食性
のステエンレスでへりアーク溶接により形成されている
。内部シール体としては軟質ステンレスまたはミネソタ
鉱業社により製造されているＫＥＬ−Ｆなどのような低
蒸気圧エラストマーを用いるとよい、かかる弁の例とし
てはオハイオ州のヌプロ社のものがある。この発明のよ
うなモジュール式ガス取扱装置を用いたシステムは例え
ば半導体の製造などに非常に有用である。即ちそのよう
なシステムによれば少量のガスでも非常に正確に取扱で
きるし、ヒソ、燐および塩化水素などのような有毒およ
び／または高価なガスを取扱うシステムにもこの発明の
装置は有利に応用できるのである。これらのようなシス
テムにあっては漏洩の防止が敵しく要求される。この発
明によればその様な要求に充分応え得るのみならず、非
常に簡単であり、しかも溶接の場合などと違って流路の
接続を自在に変更することも可能である。

更に従来のような溶接を用いいてないので装置内の無駄
な空間がなくなり、損失や汚染も回避することができる
。また多数の流路を平行に組立てることによりシステム
の規模を自由に拡畳することもできる。

さて第１図に戻って、弁座１３ａ−１３ｃはそれぞれ下
降壁１４と円形の横断壁１６とによって画定されている
。横断壁１６の内面は第２の下降壁１８を構成しており
、この壁は更に下降して円形横断架設面１９に至ってい
る。この架設面１９に内面は円筒状下降壁２１を通って
下降し第６．８．９図に示すように弁座４６ａ〜４６ｃ
に至っている。

超高真空弁のモジュール式流路ブロックｌへの架設に当
たってはつどのようにする。各ベローズ弁は弁杆２１ａ
〜２１ｃに架設されたベローズ体２３ａ〜２３ｃを有し
ている。弁杆の下端には種々の弁座に収容されるシール
面３７ａ〜３７Ｃが形成されている。また弁杆２１ａ〜
２１ｃは架設体２４ａ〜２４ｃによりベローズ体２３ａ
〜２３ｃに固定されている。ベローズ体２３ａ〜２３ｃ
の他端は自由に浮動した状態で、前環状面３０ａ〜３０
ｃを有している。ここでこの環状面３０ａ〜３０ｃはベ
ローズ体２３ａ〜２３ｃによって囲まれた弁杆２１ａ〜
２１ｃに対して可動である。弁杆２工上には円筒状下降
壁リング２５が固定されており、その外フランジ２９を
具えた前端は環状面３０の上面に当接する。弁架設リン
グ２５の上端には弁杆２１を囲んでこれと協働する／Ｊ
％径部が形成されている。したがって円形横断面１９に
環状面３０がきっちりと嵌合するまで弁杆２１の前端を
弁座の方に挿入すると弁がおのずと弁座に挿入される。

また弁をその上に置く前に予め環状横断面１９上には金
属ガスケット２７ａ〜２７ｃが置かれている。

弁をモジュール式流路ブロック１に対して最終的にｙＩ
ｊ設しかつシールするには、弁杆２１上ひいては弁架設
リング２５の外面上で環状弁フランジ２０ａ〜２０ｃを
摺動させる。この環状弁フランジはそれ自身弁架設リン
グ２５と摺動可能に嵌合する内側開口３７を有しており
、これが弁架設リング２５のフランジ２９の上面に当接
する。また弁７ランジ２０ａ〜２０ｃの内側環状面３９
は環状凹部４１を有しており、それが正しい位置に置か
れたときにこの環状凹部４１が架設リング２５上のフラ
ンジ２９の外壁に係合する。かくして弁フランジ２０ａ
〜２０ｃと弁架設リング２５上の２ランジ２９の面との
間に均一な会合面が得られるのである。弁フランジ２０
ａ〜２０ｃはその周に沿って数個の円筒状の孔３６ａ〜
３６ｃを有しており、これに対応した数のネジ孔４３が
環状横断面１６に形成されている。従って弁が架設され
ると、弁フランジ２０ａ〜２０ｃが弁座１３ａ−１３ｃ
内に上面を面一にして収る。ついでネジ３８ａ〜３８ｃ
を孔３６ａ〜３６ｃからねじ孔４３に挿入することによ
り架設とシールとが完結される。ネジを締めて弁をなる
べく弁座に押圧すると、弁は確実に架設されるのみなら
ず、金属ガスケット２７ａ〜２７ｃと協働して強固なシ
ールが得られる。！８１図に示す他の弁２３ａ’　〜２
３ｃ’　も弁座１３ａ−１３ｃとの関係において同様に
作用するものであるが、この場合には押圧されるのでは
なくて上面と面一になっている。この場合弁座１５ａ〜
１５８は環状横断面４５に至る下降壁４４を有しており
、この横断面の内面は円筒状下降壁４７を経て弁座４６
ａ°〜４６Ｃ′に至っている。更に弁それ自体および環
状弁フランジ２０ａ′〜２０Ｃ°の構造は上記の場合と
同様である。しかしこの場合には、架設に際して環状弁
フランジ２０ａ°〜２００′がモジュール式流路ブロッ
クｌそれ自体の面上に架設される。この場合にもモジュ
ール式流路ブロックｌの周面にはネジ孔４１ｂが形成さ
れており、これに対応して環状弁フランジは３個の円筒
状孔を有している。この場合にもネジ３８ａ’　＃３８
Ｃ’　をネジ孔４１ａ〜４１ｃにねじ込むことにより超
高真空弁をモジュール式流路ブロック１に直接架設でき
る。更に金属ガスケット２７ａ’〜２７Ｃ°を用いてシ
ールを完全なものとする。ここで密封シールに関して２
つの事項を説明する。まずこの発明によれば、一旦架設
されたならばモジュール式流路ブロックｌの面に対して
環状弁フランジを直線移動するだけで弁の架設装着がで
きるということである。

これに関連して同様なタイプの超高真空弁を装着する典
型的な従来技術を第１０１１１図に示す、ここでは支持
立方体９０が弁座１０４と立上り円形壁９２を具えた上
面とを有している０円形壁９２の外面にはネジ１１２が
形成されており。

上面には凹状の環状面９４が形成されて円筒状房室９６
に延在している。この房室の底部には弁座１０４が形成
されている。

弁を環状架設面９３に架設すると弁杆１０８が弁座１０
４に嵌入する。このとき弁それ自身にはめられたスリッ
プリング１１０が用いられる。

その下降壁１２２は内側ネジ部１１４を有しており、こ
のネジが立上り壁９２の外面上のネジ１１２と合致する
。このスリップリング１１０の上端は内側に突出する環
状壁１１７によって弁に固定されている。またこの環状
壁は弁架設リング２５の外面に摺動可能に係合する。

装着に当って弁を正しい位置に置くと、ネジ１１４がネ
ジ１１２に係合するまでスリップリング１１０が下方に
移動し、弁が立方体９０にネジ固定される。しかしこの
場合には最終的な架設がスリップリング１１０の円形部
により行われるのでネジ過ぎなども起こるから高度の正
確さを得ることは難しい、この発明の場合には環状弁フ
ランジを面に対して直線状に移動させるので、これより
遥かに正確な架設状態が得られるのである。

第１〜９図に戻って、各弁ポートは弁座に連通している
。第２図に示すようにモジュール式流路ブロックｌの上
面ｚ上の弁座１３ａは下方に延在して弁座４６ａに連通
している。しかしこの例の場合には、下降円筒部２１の
内壁は２個の孔を有しており、前方孔は流路６４を経て
他の弁座に連通し、第２の側方流路６２はガスポー）１
７Ｊに連通している。モジュール式流路ブロックｌの左
面３に位置する弁座１３ｈは開いた弁座４６ｂを有して
おり、これは流路５６からガスポート１７１に連通して
いる。弁座１３ｂ中の下降円筒部２１は１対の孔を有し
ており、後方孔は流路５０を介してガスポート１７ｇに
連通し、前方孔は流路５２を介して他の弁に連通してい
る。弁座１３ｃに関していうと、弁座４６ｃは流路５８
を介して下側の更に他の弁座に連通している。下降円筒
壁　　　。

２１は２個の流路を有しており、これらはガスポー）１
７ｉと弁座１３ｂにそれぞれ連通している。前面の弁座
１５ａ−１５ｃはそれぞれ同様に流路に連通している。

弁座１５ａは開いた弁座４６ａ°を有しており、これが
流路６４を介して弁座１３ａの弁座４６上方の下降円筒
壁２１に連通している。弁座１５中の下降円形壁２１は
流路６６およびガスポート１７ｃに連通ずる上側開口を
有している。

弁座１５ｂは弁座４６ｂ°を有しており、これが流路５
２を介して弁座１３ｂ中の下降円筒壁２１に連通してい
る。

弁座１５ｃは弁座４６Ｃ゛を有しており、これが流路５
８を介して弁座１３中の開いた弁座４６ｃに連通してい
る０円筒下降壁２１は孔を有しており、左側の流路６２
はこの壁を下降円形壁２１に接続し、右側の流路６０は
ガスポート１７ｈに連通している。

かくして例えば弁座１３中の弁を閉じると流路５４．５
６に対して流路５８．７４．７６を遮断することができ
る。

モジュール式流路ブロックｌの面３から延在する流路１
６はモジュール式流路ブロックｌを貫通うしてガスポー
ト１７ｂからの中間流路７２に連通し、その後流路８０
を介して弁座４６および弁座１３ａの底部に達する。か
くして例えば弁座１３ａ中の弁を閉じると流路８０を流
路６２．６４から遮断することになる。さて第３図にお
いて弁座１５ｂ中において弁座４６ｂ′に連なる流路２
１を囲む横断環状面１Ｂ上に金属ガスケット２７を置く
、モジュール式流路ブロック１に着脱可能にかつシール
状に固定されるのは弁２３ｂ゛と弁架設リング２５ｂ°
とである。ついで金属ガスケットを通して弁座１５ｄ中
に弁２３ｂ′を挿入する。ついで架設リング２５ｂ′を
して弁２３ｂ′上を通過させる。

かくして弁フランジ２０ｂ°を弁および弁架設リングに
施すことにより弁はモジュール式流路ブロックに固定架
設され、ネジ３８ｂ′をネジ孔４１ｂに螺入すると弁が
弁座１５ｂに気密にシールされる。またネジ３８ｂ′を
ねじ込むことにより金属ガスケット２７ｂ’が広がり、
聞届となっている環状面間を完全に満たすのである。こ
のガスケットはニッケルや焼鈍されたステンレスなどモ
ジュール式流路ブロックと同じ耐食性の金属からなり、
空洞や細孔のない０．上面５インチ位の厚い金属板から
打ち抜きにより製造されるものである。第１０．１１図
に示す従来技術の場合に比べて、フランジ２０ｂ’その
他の要素に回転力を掛けることなくネジ３８ｂ′により
弁を直接面に締結できるので非常に有利である。従来の
ようにネジ係合が緩むこともなく気密なシールが簡単に
得られるのである。

第１５図に流路のガスポートへの取付は構造を示す、モ
ジュール式流路ブロックａはガスポート１７０をまたモ
ジュール式流路ブロックｂはガスポート１７１をそれぞ
れ含んでいる。これらのガスポートを互いに接続するた
めに、連結流路１７３が用いられている。この流路１７
３は両端に拡大端部１７５を具えている。その入口ポー
ト１７７を囲む環状面である端面１７６には環状のエツ
ジ１７８が設けられており、はぼ三角形の断面を有して
入口ポート１７７を囲んでいる。連結流路１７３に沿っ
て摺動自在に１対の環状フランジ１８０が設けられてお
り、これらの７ランジは上記摺動に充分な内径を有して
いる。またその内径は連結流路１７３の拡大端部）７５
の外径１８２にきっちりと合致するようになっている。

またその内面には環状フランジ部１８３が形成されてお
り、これによりフランジが流路の端部から拡大端部１７
５を越えて脱出するのを防いでいる。これらのフランジ
１８０がその端面１７７へ更に移動すると、モジュール
式流路ブロックの面と当接する平な面を与える。この面
がガスポートのひとつと接触すると、まず連結流路１８
４がポート間に挿入される。金属ガスケット１８４の直
径は端面１７７の環状エツジ１７８の直径に相当する。

またガスポー−）　１７０はその中央流路を囲む環状エ
ツジ１７４を有しており、これが流路１７３の端面１７
７の環状エツジ１７８に対応する。したがって金属ガス
ケットを間に流路１７３の端面１７７がガスポートに押
し付けられると、金属ガスケットは環状エツジ１７８と
１７４間にクランプされる。リング１８０を端面にまで
摺動させてとネジ１８６をガスポート　１７９０．１７
１を囲むネジ孔１９０にねじ込むと、気密シールが得ら
れる。ここでも圧力により金属ガスケットが広がる第１
６図にこの発明の流路ブロックを構成する連結ブロック
２モジユール式流路ブロックを示す、その種々の面には
ガスポート２７０が形成されており、これらはそれぞれ
流路ブロックを貫通する流路によって他のガスポートに
接続されている。このような流路ブロックは種々の接続
に広く利用できるものである。第１２図に示すのは冷却
コイル１１０であって流路ブロック上において１対のガ
スポート間に介設されるものである。コイルの端部には
拡大端部１１２が形成されており、１対のリングを用い
てこれらがガスポートに接続される。第１３図にガスポ
ートに接続される膜房室１２０を示す、この房室は内部
に設けたｌｌ１１２２によって二分されており、ガスは
流路１２４から流路ブロック内に入り、第１の房室１２
６からこの膜を通ることにより純化されて第２の房室１
２８に入り、流路１３０を経て送り出される。排気のた
めに弁１３３を具えた弁１３２が設けられている。

第１４図に示す例においては泡房室１３５が１対のガス
ポートに固定されている。流路１３７は弁１３８を具え
、流路１４０は弁１４２を具えている。これらの流路は
ともに閉塞房室１４４内に延在し、流路１３７は液レベ
ル１５０の下側に開口して流路ブロックからのガスを泡
の形で放出しており、かく放出されたガスは液レベル１
５０上側に開口する流路１４０を経て再び流路ブロック
に回収される。つぎに実例として第１３図の装置を用い
て半導体ガリウムアルセナイドの薄層を成長させる場合
を説明する。まずジメチルガリウムなどの金属−有機化
合物を房室１２０に入れ、この房室を流路１２４，１３
０を介して例えば第４図に示すようなガスポート１７ｉ
、１７ｊに気密にシール付設する。＃記のように拡大端
部とガスポートとの間には金属ガスケットを介装する。

これには前出のネジ１８６、ネジ孔１９０およびフラン
ジ１８０などを用いる。

つぎに水素などの搬送ガスを導く流路を流路ブロックの
ガスポート１７ｃに接続する。この場合流路６６．６８
は成長ラインの一部となる。

ついで他の搬送ガス用流路をガスポー）１７ｂに接続す
る。この場合には流路７０．７２が排出ラインの一部と
なる。

これらのガス搬送流はかなり太きく成長ガス混合物を流
路ブロックから結晶成長房室または排出部に送るに充分
な能力を具えている。

更に第３の搬送ガス流路をガスポート１７ｇに接続する
。この搬送ガスは流路ブロック中の種々の流路を介して
送られて次に述べるように成長ガス混合物を形成するも
のである。また真空ポンプをポート１７ａにシール接続
する。

ついで弁座１３ｃ、１５ｃ内の弁を開き他の弁座中の弁
は閉じておく、ポ〜）１７ａを介して真空ポンプを利か
せると、弁座４６ｂ内の空気と水蒸気が全てライン５４
．５６を介してポート１７ｉに固定された容器の入口に
、更には弁座４６ａ’、ライン５８．６２．６４．６０
へと流れ、これらのラインから空気と水蒸気とが完全に
除かれる。これにより高純度ガス流および純化合物の汚
染が防＋ｈされる。

ついで弁座１３ｃ、１５ｃ内の弁を閉じ弁座１５ｂ内の
弁を開く、正確に測定した量の入力ガス流をポート１７
ｇから流路５２．５０に送り込むと、弁座１３ｂ、１５
ｂ内の弁のベローズを一掃してポート１７ｄを経て排出
される。

以上の処理が終了したら弁座１３ａ、１３ｂ中の弁を開
き、弁座１３ｂ内の弁を同時に閉じる。すると水素搬送
ガスが流路５４に入り、流路５６、金属−有機化合物貯
留器１２０を通過する。かくして搬送ガスは金属−有機
化合物により飽和され、流路６０．−６２．８０を通っ
て流路７０．７２に流れ込む。

結晶成長工程で金属−有機化合物が必要とされる期間が
過ぎると、弁座１３ａ中の弁が閉じられ、弁座１５ａ中
の弁は開かれ、搬送ガスと化合物との混合物が流路６６
．６８に送り込まれる。

【図面の簡単な説明】

第１図　この発明の装置に用いる流路プロツクの一例を
示す斜視図 第２図　同流路ブロックの平面図 第３図　流路ブロックに設けられた超高真空弁の一部断
面側面図、 第４図　同流路ブロックの後面図 第５図　同流路ブロックの左側面図 第６図　同流路ブロックの右側面図 第７図　同流路ブロックの前面図 第８図　同流路ブロックの後面図 第９］ｇ　　同流路ブロックの底面図 第１０図　従来の弁架設構造の平面図 第１１図　同一部所面側面図 第１２図　流路ブロックに用いる冷却コイルの側面図 第１３図　流路ブロー２りに用いる膜房室の斜視図第１
４図　流路ブロックに用いる泡房室の一部断面側面図 第１５図　流路ブロックを接続する構造の斜視図第１６
図　連結ブロックの斜視図。 ｌ・・・モジュール式流路ブロック ２・・・上面　　　　　　　　　１１・・・底面１３．
１５・・・弁座 特許出願代理人　　弁理士　菅原一部 ＦＩＧ、２ ＦＩＧ、３ ＦＩＧ、　６ ＦＩＧ、８ ＦＩＧ、１３ ←ト ｏａ：　　　　　　　　　　　　−に −＜−＜ ｖ＞０ 〜

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ［１］流路ブロックがこれを貫通して延在してかつその
   各面に複数のポートを形成する複数のガス流路を有した
   構造であって、 流路ブロックを貫通して複数の弁流路（４６）が延在し
   て所定の位置においてガス流路を中断しており、 各弁流路が流路ブロックの各面に形成された入口孔と複
   数の弁フランジ体（２０）とを有しており、 各弁フランジ体が、これに回転力を掛ける必要なしに、
   いずれかの入口孔（１３）において超高真空弁（３４）
   を流路ブロックに着脱自在にかつシール状に架設でき、
   かつ 各ポート（１７）がポート架設体（４０）を有しており
   、流路がポートに着脱自在にシールされる ことを特徴とするモジュール式ガス取扱装置。 ［２］前記の超高真空弁がベローズ弁を有している如き
   特許請求の範囲第１項記載の装置。 ［３］更に複数の流路フランジ体（１８０）が設けられ
   ており、かつ 各流路フランジ体が、これに回転力を掛ける必要なしに
   、流路（１７３）をいずれかのポートにおいて流路ブロ
   ックに着脱自在にシール架設できる 如き特許請求の範囲第１項記載の装置。 ［４］各入口孔が弁フランジ体（２０）を収容する環状
   凹部（１３）を有している 如き特許請求の範囲第１〜３のいずれかの項記載の装置
   。 ［５］前記環状凹部（１３）が複数のネジ孔（４３）を
   有しており、 各フランジ体が相当数のネジ孔（３６）を有しており、
   かつ 複数のネジ（３８）を両ネジ孔に固定することにより弁
   フランジ体が流路ブロックに架設される如き特許請求の
   範囲第４項記載の装置。 ［６］複数の流路ブロック（２）が用いられており、 １対の流路ブロックのポート間に流路フランジ体（１８
   ０）を介して架設された流路（１７３）により一方の流
   路ブロックのポートが他方の流路ブロックのポートに気
   密にシール接続されている如き特許請求の範囲第１〜３
   のいずれかの項記載の装置。 ［７］入口孔が超高真空弁（１３４）上のフランジを受
   ける環状凹部（１３）を有している 如き特許請求の範囲第１〜６のいずれかの項記載の装置
   。 ［８］超高真空弁（３４）を流路ブロックにシール架設
   するために、金属ガスケット（１８４）が環状凹部内に
   設けられている 如き特許請求の範囲第７項記載の装置。 ［９］流路を流路ブロックにシール架設するべく、前記
   のポート（１７）が環状突起（１７４）とこれに施され
   た金属ガスケット（１８４）を有している 如き特許請求の範囲第１〜３のいずれかの項記載の装置
   。 ［１０］流路ブロックがこれを貫通延在してかつその各
   面に複数のポートを形成する複数のガス流路を有してい
   る構造であって、 ポート（１７）がポート架設体（４０）を有しており、 少なくとも１個の流路体（１７３）が第１と第２の端部
   を有しており、 第１の端部がポートと会合係合する端面（１７７）を有
   しており、 端面が環状エッジ（１７８）を有しており、流路体が金
   属ガスケット（１８４）とともにポートに気密にシール
   接続され、 流路フランジ体に回転力を掛ける必要なしに、流路フラ
   ンジ体（１８０）が流路体の端部をポートにおいて流路
   ブロックに架設する ことを特徴とするモジュール式ガス流路装置。 ［１１］更に第２の流路ブロックが設けられていて、こ
   の流路ブロックがこれを貫通延在してその各面にポート
   を形成する複数のガス流路を有しており、 各ポートがポート体架設体（４０）を有しており、 流路体の第２の端部がポートと会合係合する端面（１７
   ７）を有している 如き特許請求の範囲第１０項記載の装置。 ［１２］第２の流路フランジ体（１８０）が設けられて
   いて、このフランジ体に回転力を掛ける必要なしに、こ
   のフランジ体が流路体をポートにおいて流路ブロックに
   架設する 如き特許請求の範囲第１０または１１項記載の装置。 ［１３］流路ブロックがこれを貫通して延在して所定の
   位置においてガス流路を中断する少なくとも１個の弁流
   路（４６）を有しており、 この弁流路が流路ブロックの面上の入口孔（１３）を有
   しており、 弁フランジ体（２０）が、これに回転力を掛ける必要な
   しに、超高真空弁（３４）を入口孔において流路ブロッ
   クに着脱自在にシール接続する如き特許請求の範囲第１
   ０項記載の装置。 ［１４］流路ブロックがこれを貫通して延在して所定の
   位置においてガス流路を中断する少なくとも１個の弁流
   路（４６）を有しており、 各弁流路が流路ブロックの面上に入口孔（１３）を有し
   ており、 弁フランジ体（２０）が、これに回転力を掛ける必要な
   しに、超高真空弁（１３４）を入口孔において流路ブロ
   ックに着脱自在にシール接続する如き特許請求の範囲第
   １０〜１２のいずれかの項記載の装置。