JPH0445811B2 - - Google Patents
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- JPH0445811B2 JPH0445811B2 JP57019222A JP1922282A JPH0445811B2 JP H0445811 B2 JPH0445811 B2 JP H0445811B2 JP 57019222 A JP57019222 A JP 57019222A JP 1922282 A JP1922282 A JP 1922282A JP H0445811 B2 JPH0445811 B2 JP H0445811B2
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- JP
- Japan
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- light
- polarizing
- electro
- beam splitter
- plzt
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/055—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect the active material being a ceramic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光シヤツタとして用いられる電気光学
素子に関する。
素子に関する。
従来、電気光学素子は特開昭55−147611号公報
などに示されているように強誘電体にPLZTを用
い、これをはさむ様に配置される２個の偏光素子
に偏光板を用いている。この偏光板は通常高分子
フイルムで構成され、この偏光フイルムはポリビ
ニルアルコールを引き伸ばし分子をその伸ばした
方向に並ばせた後ヨウ素を含んだ溶液に浸しヨウ
素をしみ込ませて長い鎮をつくり洗つて乾燥する
ことにより得られ、ポラロイド社のHN38などが
ポピユラーなものである。しかしこの電気光学素
子では偏光フイルム例えばポラロイド社のHN38
は入射光に対して直線偏光成分としてとり出せる
成分が約38％であり、PLZTの後側に配置された
もので偏光方向がPLZTからの入射光の振動方向
に一致した場合でも約76％の光しか通過せぐ、
PLZTの前後に配置された２枚の偏光フイルムを
透過する光は約29％になり光の利用効率が非常に
悪い。
などに示されているように強誘電体にPLZTを用
い、これをはさむ様に配置される２個の偏光素子
に偏光板を用いている。この偏光板は通常高分子
フイルムで構成され、この偏光フイルムはポリビ
ニルアルコールを引き伸ばし分子をその伸ばした
方向に並ばせた後ヨウ素を含んだ溶液に浸しヨウ
素をしみ込ませて長い鎮をつくり洗つて乾燥する
ことにより得られ、ポラロイド社のHN38などが
ポピユラーなものである。しかしこの電気光学素
子では偏光フイルム例えばポラロイド社のHN38
は入射光に対して直線偏光成分としてとり出せる
成分が約38％であり、PLZTの後側に配置された
もので偏光方向がPLZTからの入射光の振動方向
に一致した場合でも約76％の光しか通過せぐ、
PLZTの前後に配置された２枚の偏光フイルムを
透過する光は約29％になり光の利用効率が非常に
悪い。
本発明は上記のような欠点を改善し、２個の偏
光素子の少くとも一方を偏光ビームスプリツタで
構成することにより光の利用効率向上を計つた電
気光学素子を提供することを目的とする。
光素子の少くとも一方を偏光ビームスプリツタで
構成することにより光の利用効率向上を計つた電
気光学素子を提供することを目的とする。
以下図面を参照しながら本発明について実施例
をあげて説明する。
をあげて説明する。
第１図は電気光学素子の一例を示す。この電気
光学素子は光シヤツタを構成するもので、PLZT
等の透光性セラミツクス１と偏光素子２，３とよ
りなる。透明な強誘電性セラミツクのPLZT
〔（Pb，La）（Zr，Ti）O3磁器の略称〕はその組
成が（Pb1−xLAx）（Zr1−yTiy）O3の化学式で
示される。このPLZTはその組成により１次、２
次の電気光学効果および光学的メモリ効果をもつ
ことから光シヤツタ、デイスプレイ等の電気光学
分野への応用が研究されている。なかでもPLZT
（ｘ／65／35，ｘ＝8.6〜10.0）は常温では常誘電
性を示すが、直流電圧を加えると強誘電相が誘起
され２次電気光学効果いわゆるKerr効果を示す
ようになる。この種のものは記憶機能がないの
で、光シヤツタへの応用をに適しており、スリム
ループ２次電気光学材料と呼ばれている。透光性
セラミツク１は例えばそのスリムループ２次電気
光学材料のPLZTが用いられ、偏光素子２，３は
PLZT１の前後にこれをはさむ様に配置される。
偏光素子２，３の偏光方向は直交し、PLZT１は
電圧印加方向が入射する直線偏光の振動面に対し
て45°の傾きをもつている。PLZT１の電極４，
５間に電圧が印加されない時には光源の照明光は
偏光素子２により直線偏光成分がとり出されて
PLZT１を通過するが、偏光素子３により遮断さ
れる。電極４，５間に電圧が加えられると、偏光
素子２からの直線偏光はPLZT１における電極
４，５間の光シヤツタ部でKerr効果により振動
方向が90°回転されて偏光素子３を通過し、その
通過光量Ｉは Ｉ＝Ipsin2（ｔ△ｎ／λ）ｒ で表わされる。ここではIpはPLZT１の入射直線
偏光の光量、ｔはPLZT１の厚さ、λはPLZT１
の透過光の波長、△ｎはPLZT１の屈折率の光軸
方向成分neとこれに垂直な常光に対する屈折率np
との差）np−ne）である。Ｉが最大になる電圧を
半波長電圧という。従つてこの光シヤツタは電極
４，５間に電圧を加えない時にオフとなり、電極
４，５間に電圧を加えた時にオンとなる。
光学素子は光シヤツタを構成するもので、PLZT
等の透光性セラミツクス１と偏光素子２，３とよ
りなる。透明な強誘電性セラミツクのPLZT
〔（Pb，La）（Zr，Ti）O3磁器の略称〕はその組
成が（Pb1−xLAx）（Zr1−yTiy）O3の化学式で
示される。このPLZTはその組成により１次、２
次の電気光学効果および光学的メモリ効果をもつ
ことから光シヤツタ、デイスプレイ等の電気光学
分野への応用が研究されている。なかでもPLZT
（ｘ／65／35，ｘ＝8.6〜10.0）は常温では常誘電
性を示すが、直流電圧を加えると強誘電相が誘起
され２次電気光学効果いわゆるKerr効果を示す
ようになる。この種のものは記憶機能がないの
で、光シヤツタへの応用をに適しており、スリム
ループ２次電気光学材料と呼ばれている。透光性
セラミツク１は例えばそのスリムループ２次電気
光学材料のPLZTが用いられ、偏光素子２，３は
PLZT１の前後にこれをはさむ様に配置される。
偏光素子２，３の偏光方向は直交し、PLZT１は
電圧印加方向が入射する直線偏光の振動面に対し
て45°の傾きをもつている。PLZT１の電極４，
５間に電圧が印加されない時には光源の照明光は
偏光素子２により直線偏光成分がとり出されて
PLZT１を通過するが、偏光素子３により遮断さ
れる。電極４，５間に電圧が加えられると、偏光
素子２からの直線偏光はPLZT１における電極
４，５間の光シヤツタ部でKerr効果により振動
方向が90°回転されて偏光素子３を通過し、その
通過光量Ｉは Ｉ＝Ipsin2（ｔ△ｎ／λ）ｒ で表わされる。ここではIpはPLZT１の入射直線
偏光の光量、ｔはPLZT１の厚さ、λはPLZT１
の透過光の波長、△ｎはPLZT１の屈折率の光軸
方向成分neとこれに垂直な常光に対する屈折率np
との差）np−ne）である。Ｉが最大になる電圧を
半波長電圧という。従つてこの光シヤツタは電極
４，５間に電圧を加えない時にオフとなり、電極
４，５間に電圧を加えた時にオンとなる。
第２図は光シヤツタアレイを構成する電気光学
素子の従来例を示す。この例ではPLZT１上に複
数の信号電極４1〜４4と共通電極５が設けられて
おり、信号電極４1〜４4のうちの電圧が印加され
たものと共通電極５との間の光シヤツタ部のみが
Kerr効果を示してオンする。
素子の従来例を示す。この例ではPLZT１上に複
数の信号電極４1〜４4と共通電極５が設けられて
おり、信号電極４1〜４4のうちの電圧が印加され
たものと共通電極５との間の光シヤツタ部のみが
Kerr効果を示してオンする。
この従来例では、PLZT１における光シヤツタ
部は複数の信号電極４1，４2…と共通電極５との
間に複数個形成され、横方向へ一列に配列され
る。このため、例えば斜線はPLZT１の各光シヤ
ツタ部を通過した光により第１４図に示すように
複数の画素１11，１12…，１21，１22…で構成さ
れて端縁がギザギザになり斜線の再現性が悪くな
る。
部は複数の信号電極４1，４2…と共通電極５との
間に複数個形成され、横方向へ一列に配列され
る。このため、例えば斜線はPLZT１の各光シヤ
ツタ部を通過した光により第１４図に示すように
複数の画素１11，１12…，１21，１22…で構成さ
れて端縁がギザギザになり斜線の再現性が悪くな
る。
第３図は本発明の第１の実施例を示す。この実
施例では第２図の従来例において後側の偏光素子
が偏光ビームスプリツタ６で構成され、PLZT１
上には２組の電極４1，４2…５1，５2…が偏光素
子２，６を通過する光の振動方向に対して約45°
の傾きを持つ様に設けられている。PLZT１及び
偏光素子２，６よりなる電気光学素子は光源７に
より照明される。第４図に示すように光源７から
の光は偏光板２で紙面に垂直な方向の振動成分の
みがとり出され、PLZT１における２組の電極４
１，４2…，５1，５2…の間、の電界が印加された
光シヤツタ部でKerr効果により振動方向が90°回
転して偏光ビームスプリツタ６を透過する。
PLZT１の電界が印加されていない部分を通過し
た直線偏光はビームスプリツタ６で約９０°偏光
される。なお、第４図以下で黒丸印は光の振動方
向が紙面に垂直であることを示し、正逆方向を示
す矢印は光の振動方向が紙面に平行であることを
示す。
施例では第２図の従来例において後側の偏光素子
が偏光ビームスプリツタ６で構成され、PLZT１
上には２組の電極４1，４2…５1，５2…が偏光素
子２，６を通過する光の振動方向に対して約45°
の傾きを持つ様に設けられている。PLZT１及び
偏光素子２，６よりなる電気光学素子は光源７に
より照明される。第４図に示すように光源７から
の光は偏光板２で紙面に垂直な方向の振動成分の
みがとり出され、PLZT１における２組の電極４
１，４2…，５1，５2…の間、の電界が印加された
光シヤツタ部でKerr効果により振動方向が90°回
転して偏光ビームスプリツタ６を透過する。
PLZT１の電界が印加されていない部分を通過し
た直線偏光はビームスプリツタ６で約９０°偏光
される。なお、第４図以下で黒丸印は光の振動方
向が紙面に垂直であることを示し、正逆方向を示
す矢印は光の振動方向が紙面に平行であることを
示す。
この実施例では、２組の電極４1，４2…，５1，
５2…はPLZT１の一方の面に配置し、かつ、
PLZT１を通過する光の振動方向に対して約45度
の傾きを持つように配置されている。このため、
PLZT１における２組の電極４1，４2…，５1，５
２…の各間に形成される光シヤツタ部は約45度の
傾きを持つ斜め向きの複数個の光シヤツタ部で構
成され、例えば斜線はPLZT１の斜め向きの光シ
ヤツタ部を通過した光により第１３図に示すよう
に斜め向きの画素１11，１12…，１21，１22…で
構成されて端縁がギザギザにならずに斜線の再現
性が良くなる。
５2…はPLZT１の一方の面に配置し、かつ、
PLZT１を通過する光の振動方向に対して約45度
の傾きを持つように配置されている。このため、
PLZT１における２組の電極４1，４2…，５1，５
２…の各間に形成される光シヤツタ部は約45度の
傾きを持つ斜め向きの複数個の光シヤツタ部で構
成され、例えば斜線はPLZT１の斜め向きの光シ
ヤツタ部を通過した光により第１３図に示すよう
に斜め向きの画素１11，１12…，１21，１22…で
構成されて端縁がギザギザにならずに斜線の再現
性が良くなる。
第５図は本発明の第２の実施例を示す。この実
施例は第１の実施例において偏光板２と偏光板ビ
ームスプリツタ６の配置を逆にしたものである。
施例は第１の実施例において偏光板２と偏光板ビ
ームスプリツタ６の配置を逆にしたものである。
第６図は本発明の第３の実施例を示す。この実
施例は上記実施例において２個の偏光素子とも偏
光ビームスプリータ６，８で構成したものであ
り、光源７と光軸と電気光学素子の光を出射する
光軸とが約90°の角度をもつ。
施例は上記実施例において２個の偏光素子とも偏
光ビームスプリータ６，８で構成したものであ
り、光源７と光軸と電気光学素子の光を出射する
光軸とが約90°の角度をもつ。
第７図は本発明の第４の実施例を示す。この実
施例は第３の実施例において光源７の光軸を
PLZT１の光軸と約90°の角度をもたせたもので
ある。
施例は第３の実施例において光源７の光軸を
PLZT１の光軸と約90°の角度をもたせたもので
ある。
第８図は上記の如き本発明による電気光学素子
１０を用いた記録装置の一例を示す。感光体ドラ
ム１１は駆動装置により回転駆動され、帯電部１
２により一様に帯電された後に電気光学素子１０
により光像が照射されて潜像が形成される。電気
光学素子１０は光シヤツタアレイを構成するもの
で、感光体ドラム１１の幅方向に配置され、２組
の電極４1，４2…，５1，５2…の対応するもの同
志の間に各々の画素信号が加えられて光源７から
の光を変調する。電気光学素子１０から出射され
る光像は出射後に拡がつてしまうため、電気光学
素子１０と感光体ドラム１１とのギヤツプは100
〜200μ程度に保持する必要がある。感光体ドラ
ム１１上の潜像は現像部１３で現像され、給紙装
置からの転写紙へ転写部１４により転写される。
この転写紙は定着部で画像が定着され、また感光
体ドラム１１は画像転写後に除電部１５で除電さ
れてクリーニング部１６で清掃される。第９図に
示すように電気光学素子１０の出射光像は集束性
光伝送体、ダハミラーレンズアレイなどの等倍結
像素子１７で感光体ドラム１１上に結像してもよ
い。
１０を用いた記録装置の一例を示す。感光体ドラ
ム１１は駆動装置により回転駆動され、帯電部１
２により一様に帯電された後に電気光学素子１０
により光像が照射されて潜像が形成される。電気
光学素子１０は光シヤツタアレイを構成するもの
で、感光体ドラム１１の幅方向に配置され、２組
の電極４1，４2…，５1，５2…の対応するもの同
志の間に各々の画素信号が加えられて光源７から
の光を変調する。電気光学素子１０から出射され
る光像は出射後に拡がつてしまうため、電気光学
素子１０と感光体ドラム１１とのギヤツプは100
〜200μ程度に保持する必要がある。感光体ドラ
ム１１上の潜像は現像部１３で現像され、給紙装
置からの転写紙へ転写部１４により転写される。
この転写紙は定着部で画像が定着され、また感光
体ドラム１１は画像転写後に除電部１５で除電さ
れてクリーニング部１６で清掃される。第９図に
示すように電気光学素子１０の出射光像は集束性
光伝送体、ダハミラーレンズアレイなどの等倍結
像素子１７で感光体ドラム１１上に結像してもよ
い。
第１０図は上記実施例で用いた偏光ビームスプ
リツタの構造を示す。この偏光ビームスプリツタ
はガラスなど透明材料よりなる直角プリズム１
８，１９の一方または両方にガラス材料よりも屈
折率の高い物質２０と屈折率の低い物質２１とを
交互に蒸着法などにより形成し、これらを接着剤
２２ではり合わせたものである。
リツタの構造を示す。この偏光ビームスプリツタ
はガラスなど透明材料よりなる直角プリズム１
８，１９の一方または両方にガラス材料よりも屈
折率の高い物質２０と屈折率の低い物質２１とを
交互に蒸着法などにより形成し、これらを接着剤
２２ではり合わせたものである。
第１１図はこの偏光ビームスプリツタの作用を
示す。入射光は偏光ビームスプリツタの入射面に
平行なＰ成分が偏光ビームスプリツタをほぼ100
％近く通過し、偏光ビームスプリツタの入射面に
垂直なＳ成分が偏光ビームスプリツタでほぼ100
％近く反射される。
示す。入射光は偏光ビームスプリツタの入射面に
平行なＰ成分が偏光ビームスプリツタをほぼ100
％近く通過し、偏光ビームスプリツタの入射面に
垂直なＳ成分が偏光ビームスプリツタでほぼ100
％近く反射される。
第１２図は偏光ビームスプリツタ及び光源７の
波長分布の例を示す。偏光ビームスプリツタはガ
ラス材料の屈折率が1.52、物質２０の屈折率が
1.58、物質２１の屈折率が1.46で物質２０，２１
が約195μｍの光学的膜厚に交互に49層に形成さ
れている。この偏光ビームスプリツタは約550n
ｍを中心に±30nｍの幅で入射光のＰ成分とＳ成
分を分離する。この分離可能な範囲内でグリーン
発光するけい光灯（アパーチヤ型が望ましい）を
光源７として用いれば光を非常に有効に利用でき
る。
波長分布の例を示す。偏光ビームスプリツタはガ
ラス材料の屈折率が1.52、物質２０の屈折率が
1.58、物質２１の屈折率が1.46で物質２０，２１
が約195μｍの光学的膜厚に交互に49層に形成さ
れている。この偏光ビームスプリツタは約550n
ｍを中心に±30nｍの幅で入射光のＰ成分とＳ成
分を分離する。この分離可能な範囲内でグリーン
発光するけい光灯（アパーチヤ型が望ましい）を
光源７として用いれば光を非常に有効に利用でき
る。
光の利用効率について例示すると、偏光フイル
ムを２枚用いた従来例では光は光源の出射光
（100％）→偏光フイルムの透過光（38％）→
PLZTの透過光（25％）→偏光フイルムの透過光
（19％）となる。これに対し偏光ビームスプリツ
タを２個用いた上記実施例では光源の出射光
（100％）→偏光ビームスプリツタの透過光（50
％）→PLZTの透過光（33％）→偏光ビームスプ
リツタの透過光（33％）となり、光の利用効率は
従来例に比べて約70％向上する。
ムを２枚用いた従来例では光は光源の出射光
（100％）→偏光フイルムの透過光（38％）→
PLZTの透過光（25％）→偏光フイルムの透過光
（19％）となる。これに対し偏光ビームスプリツ
タを２個用いた上記実施例では光源の出射光
（100％）→偏光ビームスプリツタの透過光（50
％）→PLZTの透過光（33％）→偏光ビームスプ
リツタの透過光（33％）となり、光の利用効率は
従来例に比べて約70％向上する。
以上のように本発明によれば電気光学素子にお
いて２個の偏光素子の少くとも一方を偏光ビーム
スプリツタで構成したので、光の利用効率を向上
させることができ、また偏光ビームスプリツタで
光路の変換ができ光学的レイアウトを自由度が向
上する。しかも、強誘電体に設けられた複数個の
電極は、強誘電体の一方の面に配置されているの
で、光が強誘電体光における電極間の光シヤツタ
部を通過し、光が強誘電体を通過する際に電極の
通過による損失がない。さらに、強誘電体に設け
られた複数個の電極は、偏光素子を透過する光の
振動方向に対して約45度の傾きを持つように配置
されているので、斜線の再現性が良くなる。
いて２個の偏光素子の少くとも一方を偏光ビーム
スプリツタで構成したので、光の利用効率を向上
させることができ、また偏光ビームスプリツタで
光路の変換ができ光学的レイアウトを自由度が向
上する。しかも、強誘電体に設けられた複数個の
電極は、強誘電体の一方の面に配置されているの
で、光が強誘電体光における電極間の光シヤツタ
部を通過し、光が強誘電体を通過する際に電極の
通過による損失がない。さらに、強誘電体に設け
られた複数個の電極は、偏光素子を透過する光の
振動方向に対して約45度の傾きを持つように配置
されているので、斜線の再現性が良くなる。
第１図は光シヤツタの一例を示す斜視図、第２
図は従来の光シヤツタアレイを示す斜視図、第３
図及び第４図は本発明の一実施例を示す斜視図及
び正面図、第５図〜第７図は本発明の他の各実施
例を示す正面図、第８図は記録装置の一例を示す
概略図、第９図は記録装置の他の例の一部を示す
概略図、第１０図は偏光ビームスプリツタを一例
の構成説明図、第１１図は偏光ビームスプリツタ
の作用説明図、第１２図は偏光ビームスプリツタ
と光源の波長分布の例を示す図、第１３図は従来
例の斜線再現例を示す図、第１４図は上記実施例
の斜線再現例を示す図である。 １……PLZT、２……偏光素子、６，８……偏
光ビームスプリツタ。
図は従来の光シヤツタアレイを示す斜視図、第３
図及び第４図は本発明の一実施例を示す斜視図及
び正面図、第５図〜第７図は本発明の他の各実施
例を示す正面図、第８図は記録装置の一例を示す
概略図、第９図は記録装置の他の例の一部を示す
概略図、第１０図は偏光ビームスプリツタを一例
の構成説明図、第１１図は偏光ビームスプリツタ
の作用説明図、第１２図は偏光ビームスプリツタ
と光源の波長分布の例を示す図、第１３図は従来
例の斜線再現例を示す図、第１４図は上記実施例
の斜線再現例を示す図である。 １……PLZT、２……偏光素子、６，８……偏
光ビームスプリツタ。
Claims (1)
- １ ２次電気光学効果を示す強誘電体と、この強
誘電体をはさむ様に配置された２個の偏光素子と
を備え、この２個の偏光素子の少くとも一方を偏
光ビームスプリツタで構成し、前記強誘電体に設
けられた複数個の電極は、前記強誘電体の一方の
面に配置され、かつ、前記偏光素子を通過する光
の振動方向に対して約45度の傾きを持つように配
置されたことを特徴とする電気光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57019222A JPS58136016A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 電気光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57019222A JPS58136016A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 電気光学素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58136016A JPS58136016A (ja) | 1983-08-12 |
| JPH0445811B2 true JPH0445811B2 (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=11993335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57019222A Granted JPS58136016A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 電気光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58136016A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4765721A (en) * | 1987-09-23 | 1988-08-23 | Eastman Kodak Company | Stress-tolerant light valve array construction |
| US5054893A (en) * | 1990-08-17 | 1991-10-08 | Schoonscan, Inc. | Electro-optic cell linear array |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5723918A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-08 | Ricoh Co Ltd | Optical switch |
-
1982
- 1982-02-09 JP JP57019222A patent/JPS58136016A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58136016A (ja) | 1983-08-12 |
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