JPH0445886B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は記録媒体に垂直方向に記録または再生
を行う磁気ヘツドに関するものである。

従来例の構成とその問題点 高密度に磁気記録を行う方式として垂直磁化記
録方式が提案されている（たとえば特開昭52−
134706号公報、特開昭53−3209号公報参照）。こ
の方式は記録された磁化の反磁界が少く、高密度
に磁気記録できる特徴があるが、垂直異方性を有
する記録媒体を必要とすると共に垂直方向の磁界
の強い垂直磁気記録用ヘツドを必要とする。第１
図は従来提案されている垂直磁気記録用ヘツドの
一例である。垂直磁気異方性を有する磁化層１の
下層に媒体高透磁率層２を有する磁気記録媒体３
の磁化層１に近接して、高透磁率薄膜４を非磁性
体５で挟込んだ主磁極６を設け、この主磁極６の
回りにコイル７を巻き電気的入力または出力とし
て垂直磁気記録または再生を行う。本構成の従来
ヘツドは記録体はコイル７を流れる電流により形
成された磁気回路８を通る磁束により、磁化層１
の高透磁率薄膜４に近接した部分を磁化して記録
する。また逆に再生時は、磁化層１の高透磁率薄
膜４に近接した部分の磁化による磁束が磁気回路
８を通つて流れ、コイル７を鎖交することにより
コイル７より電気信号として出力される。ここで
従来の磁気ヘツドは磁気回路８の磁気抵抗が大き
いために、記録時および再生時とも効率の悪い欠
点があつた。磁気抵抗が大きくなる原因には３つ
あり、その第１は高透磁率薄膜４が一般に厚みが
1μｍ程度で薄い反面数mmの長さがあるためパー
マロイ等の高透磁率材料で形成しても磁気抵抗が
大きくなつてしまうためである。また第２の原因
は高透磁率結膜４から媒体高透磁率層２には透磁
率が小さい空気中を通つて磁気回路８で形成され
るため磁気抵抗が大きくなることである。さらに
媒体高透磁率層２の厚みが1μｍ以下で磁気回路
８の一部となる部分の長さが数mmと大きいことに
より磁気抵抗が大きくなつてしまうことが第３の
原因である。

以上述べたように従来の垂直磁気記録用ヘツド
は磁気抵抗が大きい欠点のため、記録または再生
の効率が悪い欠点があつた。

発明の目的 本発明は上記従来の欠点を解消するもので、記
録または再生効率を大幅に改善した磁気ヘツドを
提供することを目的とするものである。

発明の構成 本発明は上記目的を達成するもので、垂直磁気
異方性を有する磁化層の下層に高透磁率層を有す
る磁気記録媒体に近接して高透磁率磁性薄膜を設
け、前記高透磁率磁性薄膜の、前記磁化層に近接
する部が少なくとも非磁性体により挾持されてお
り、前記高透磁率磁性薄膜と磁気的に接続された
第１の高透磁率体を少なくとも有する構造の主磁
極と、前記主磁極に近接または接続して設けられ
た第２の高透磁率体と、前記磁気記録媒体を挟ん
で、前記主磁極と反対側に設けられた第３の高透
磁率体とを具備し、前記第１の高透磁率体と前記
高透磁率層の対向する部分の面積をSd、前記第
１の高透磁率体と前記高透磁率層間の平均距離を
ｄ、前記第２と第３の高透磁率体の対向する部分
の面積をSu、前記第２と第３の高透磁率体間の
平均距離をｕ、前記第１と第２の高透磁率体の対
向する部分の面積をSv、前記第１と第２の高透
磁率体間の平均距離をｖとしたとき、 ｄ／Sd＞ｕ／Su，ｄ／Sd＞ｖ／Sv となるごとく構成されたことを特徴とする磁気ヘ
ツドを提供するものである。

実施例の説明 以下に本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。

第２図は本発明の一実施例による磁気ヘツドの
断面図を示すもので、第１図と同一部分には同一
番号を付して示した。

本実施例は、磁気層１と媒体高透磁率層２より
なる磁気記録媒体３に近接して高透磁率薄膜４を
設け、その一部に接続して第１の高透磁率ブロツ
ク１０を設け、上記高透磁率薄膜４の磁気記録媒
体２に近い部分を非磁性体５で挟込んだ先端部分
１７を含む主磁極６を設ける。主磁極６に近接し
て第２の高透磁率ブロツク１１を磁気記録媒体３
の主磁極６側に設ける。さらに磁気記録媒体３の
主磁極６の反対側に第３の高透磁率ブロツク１２
を設ける。主磁極６のまわりにはコイル７が巻か
れている。

第３図は第２図に示した磁気ヘツドの主磁極先
端部１７の拡大図である。第３図において、第１
の高透磁率体１０と高透磁率層２の対向する部分
の面積をSd、両者の平均距離をｄ、また第２の
高透磁率体１１と第３の高透磁率体１２の対向す
る部分の面積をSu、両者の平均距離をｕ、また
第１の高透磁率体１０と第２の高透磁率体１１の
対向する部分の面積をSv、両者の平均距離をｖ
としたとき、 ｄ／Sd＞ｕ／Su，ｄ／Sd＞ｖ／Sv となるように構成してある。

かかる構成による本実施例の効果を述べる。第
１の高透磁率ブロツク１０を高透磁率薄膜４に磁
気的に接続して設けたことにより、高磁磁率薄膜
４の磁気抵抗を大幅に低下させることができる。
また第２の高透磁率ブロツク１１を主磁極６に近
接または接続して磁気記録媒体３の主磁極６側に
設けたことにより、磁気回路１３が形成され、磁
気回路１３が空気中を通ることがなく、磁気抵抗
を大幅に減少させることができた。またさらに第
３の高透磁率ブロツク１２を磁気記録媒体３の主
磁極６の反対側に設けたことにより、磁気回路１
３が媒体高透磁率層２を通る距離を短かくでき、
媒体高透磁率層２の磁気抵抗を大幅に低下させる
効果が得られた。

また第３図に示すように本実施例において、再
生時に媒体からの磁束が十分にコイル７と鎖交す
るためにはコイル７を鎖交する磁気回路２０がコ
イル７を鎖交しない磁気回路２１より磁気抵抗が
小さいことが望ましい。このためには第１の高透
磁率ブロツク１０と媒体高透磁率層２との間の磁
気抵抗が、第２の高透磁率ブロツク１１と第３の
高透磁率ブロツク１２の間の磁気抵抗より大きい
ことが条件となる。磁気抵抗は磁路の距離に比例
し、面積に反比例するから、第１の高透磁率ブロ
ツク１０が媒体高透磁率層２に面した部分の面積
をSd、平均距離ｄとし、第２の高透磁率ブロツ
ク１１と第３の高透磁率ブロツク１２の対面する
部分の面積をSu、平均距離をｕとすると、 ｄ／Sd＞ｕ／Suとすることにより上記条件が
満たされる。

また同様に第１の高透磁率ブロツク１０と媒体
高透磁率層２との間の磁気抵抗が第１の高透磁率
ブロツク１０と第２の高透磁率ブロツク１１との
間の磁気抵抗より大きいことも条件となる。この
ためには、ｄ／Sd＞ｖ／Svとすることが必要で
ある。

なお、第２の高透磁率ブロツク１１は主磁極６
の少くとも片側にあれば良く、非磁性体５は磁気
記録媒体３に近接した、高透率薄膜４の先端部分
を少くとも挟込む構造であれば良い。

以上述べた、磁気抵抗を減少させる組合せの構
成により全体の磁気抵抗を大幅に減少させること
が可能となり、ヘツドの効率が記録再生とも大き
く改善される。具体的には高透磁率薄膜４は従来
より使用されるパーマロイの他にさらに飽和磁化
が高く透磁率も大きいCoとZnを主成分とするア
モルフアス材料、例えばCoZrNb又はCoFeZrNb
などのアモルフアス材料を1μｍ程度スパツタリ
ングで形成し、主磁極先端部分１７の長さを
100μｍ程度とする。第１の高透磁率ブロツク１
０はフエライト材料などで形成し、厚み100μｍ
長さ５mm程度である。第２の高透磁率ブロツク１
１はフエライト材料などからなり、第１の高透磁
率ブロツク１０より十分大きく構成し、空間の磁
気抵抗を減少させる。媒体裏面の第３の高透磁率
ブロツク１２も第２の高透磁率ブロツク１１と対
向する面を大きくとつて磁気抵抗を減少させ、フ
エライト材料などを使用する。

発明の効果 以上要するに本発明は垂直磁気異方性を有する
磁化層の下層に高透磁率層を有する磁気記録媒体
に近接して高透磁率磁性薄膜を設け、前記高透磁
率磁性薄膜の、前記磁化層に近接する部が少なく
とも非磁性体により挾持されており、前記高透磁
率磁性薄膜と磁気的に接続された第１の高透磁率
体を少なくとも有する構造の主磁極と、前記主磁
極に近接または接続して設けられた第２の高透磁
率体と、前記磁気記録媒体を挟んで、前記主磁極
と反対側に設けられた第３の高透磁体とを具備し
前記第１の高透磁率体と前記高透磁率層の対向す
る部分の面積をSd、前記第１の高透磁率体と前
記高透磁率層間の平均距離をｄ、前記第２と第３
の高透磁率体の対向する部分の面積をSu、前記
第２と第３の高透磁率体間の平均距離をｕ、前記
第１と第２の高透磁率体の対向する部分の面積を
Sv、前記第１と第２の高透磁率体間の平均距離
をｖとしたとき、 ｄ／Sd＞ｕ／Su，ｄ／Sd＞ｖ／Sv となるごとく構成されたことを特徴とする磁気ヘ
ツドを提供するもので、磁気ヘツドの磁気回路の
抵抗を低下させ、記録または再生の効率を高くす
る利点を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の垂直磁気記録用ヘツドの断面
図、第２図は本発明の一実施例による磁気ヘツド
の断面図、第３図は本実施例の最適構造を示す主
磁極先部分の拡大図である。 １……磁化層、２……媒体高透磁率層、３……
磁気記録媒体、４……高透磁率薄膜、５……非磁
性体、６……主磁極、７……コイル、８，１３，
２０……磁気回路、１０……第１の高透磁率ブロ
ツク、１１……第２の高透磁率ブロツク、１２…
…第３の高透磁率ブロツク、１７……主磁極先端
部分。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 垂直磁気異方性を有する磁化層の下層に高透
   磁率層を有する磁気記録媒体に近接して高透磁率
   磁性薄膜を設け、前記高透磁率磁性薄膜の、前記
   磁化層に近接する部が少なくとも非磁性体により
   挾持されており、前記高透磁率磁性薄膜と磁気的
   に接続された第１の高透磁率体を少なくとも有す
   る構造の主磁極と、前記主磁極に近接または接続
   して設けられた第２の高透磁率体と、前記磁気記
   録媒体を挟んで、前記主磁極と反対側に設けられ
   た第３の高透磁率体とを具備し、前記第１の高透
   磁率体と前記高透磁率層の対向する部分の面積を
   Sd、前記第１の高透磁率体と前記高透磁率層間
   の平均距離をｄ、前記第２と第３の高透磁率体の
   対向する部分の面積をSu、前記第２と第３の高
   透磁率体間の平均距離をｕ、前記第１と第２の高
   透磁率体の対向する部分の面積をSv、前記第１
   と第２の高透磁率体間の平均距離をｖとしたと
   き、 ｄ／Sd＞ｕ／Su，ｄ／Sd＞ｖ／Sv となるごとく構成されたことを特徴とする磁気ヘ
   ツド。 ２ 高透磁率性薄膜が、Co、Zrを主成分とする
   アモルフアス材料よりなることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の磁気ヘツド。 ３ 高透磁率性薄膜が、Co、Fe、Zr、Nbを含む
   アモルフアス材料よりなることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の磁気ヘツド。