JPH0445969B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0445969B2
JPH0445969B2 JP57102017A JP10201782A JPH0445969B2 JP H0445969 B2 JPH0445969 B2 JP H0445969B2 JP 57102017 A JP57102017 A JP 57102017A JP 10201782 A JP10201782 A JP 10201782A JP H0445969 B2 JPH0445969 B2 JP H0445969B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin plate
exposure
wafer
chuck
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP57102017A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS58219735A (ja
Inventor
Yukio Kenbo
Nobuyuki Akyama
Tomohiro Kuni
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP57102017A priority Critical patent/JPS58219735A/ja
Publication of JPS58219735A publication Critical patent/JPS58219735A/ja
Publication of JPH0445969B2 publication Critical patent/JPH0445969B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明はウエハ等の薄板の各露光領域をステツ
プアンドリピートにマスク位置まで繰返し移動せ
しめると共に、上記薄板の各露光領域のみを支承
し、露光部とマスクとの位置調整と微少間隙調整
をして露光するステツプアンドリピート方式のプ
ロキシミテイ露光装置に関する。 従来より、シリコンウエハ、バブルウエハ、セ
ラミツク基板およびプリント基板等の薄板を露光
するには、上記薄板とこれに微少間隙を距てて相
対向して設けられたマスクとの相対位置を調整す
ると共に、これ等の平担度を検出し、上記微少間
隙を均一にすべく調整することが必要とされてい
た。しかし、これ等の調整装置は複雑かつ大掛り
のものとなり、装置が大形かつ高価のものとなり
作業効率の面でも問題があり、かつ、高速、高精
度の露光が困難であつた。 すなわち、第1図に示す如く、マスク2とウエ
ハ等の薄板4(以下ウエハと称呼する)とは、相
対向して平行に設けられ、ウエハ4は変形チヤツ
ク7に支承されている。又、変形チヤツク7は
XYテーブル8に支承される。マスク2のパター
ン2aは複数個のアライメント検出器3によつて
位置検出され、この検出信号がXYテーブル8等
に入力され、ウエハ4の位置決めをする。 ウエハ4とマスク2とは微少間隙gを距てて配
置されねばならないため、ウエハ4とマスク2と
は、ウエハ平坦度検出器5およびマスク平坦度検
出器6によつて平坦度を測定し、後に説明する変
形チヤツク7によつて微少間隙gの調整する必要
がある。このためウエハ4とマスク2との平坦度
を測定する大形の上記平坦度検出器56が必要と
なるのみならず、ウエハ4の微少間隙gの調整の
ための大形の変形チヤツク7等が必要とされる。
ウエハ4とマスク2の位置関係が決まり微少間隙
調整が終ると光源のX線1によりウエハ4は露光
される。 第2図に示す如く、点光源であるX線1のX線
ターゲツト22から発射したX線はマスク2のパ
ターン23をウエハ4上に転写するが、X線が傾
斜角度βで入射されるためや、上記の微少間隙g
により、ウエハ4上には図示の如きぼけ24シフ
ト25および倍率誤差30が生ずる。従つて、マ
スク2のパターン23をウエハ4に高精度に露光
するためには、上記の如く微少間隙gを均一にし
て、上記ぼけ24、シフト25および倍率誤差3
0を一定にする必要がある。 この微少間隙gを均一にするためには、変形チ
ヤツク7を上方側を開放した箱形状に形成せし
め、その上方側の開放部にダイヤフラム式チヤツ
ク部材26を設け、この上にウエハ4を乗せる
か、ウエハ4で直接上記開放部を閉止させて設け
るかし、変形チヤツク7の箱内に多数個のピエゾ
素子27を立設せしめ、ピエゾ素子27の先端側
を変形チヤツク7内に真空口A29から導入され
た真空力によりダイヤフラム式チヤツク部材26
又はウエハ4の下面側に当接せしめピエゾ素子2
7を駆動回路28に接続し、電圧を調整してピエ
ゾ素子27を伸縮させ、これによつてダイヤフラ
ム式チヤツク部材26等を変形させて行つてい
た。微少間隙gは1μm線幅のパターン23の場
合は10±1μmであり、上記ピエゾ素子27の伸
縮によつて、任意の形状にウエハ4の表面を変形
せしめ微少間隙gを均一にすることができる。 第3図に示す如く、上記のピエゾ素子27はウ
エハ4に対し均等間隔に、かつ密に配置されてい
る。ピエゾ素子27を密に配置するのは、一箇所
のみの調整では微少間隙を正確に調整し得ないた
めである。一方、仮にウエハ4を4インチのもの
とし、ピエゾ素子27を10m/m間隔で配置して
も約109個のものが必要となり、5インチのウエ
ハ4に対しては153個のものが必要となる。従つ
て、これ等の多量のピエゾ素子27を収納した変
形チヤツク7は重いものとなるのみならず多数の
ピエゾ素子27の保守管理が困難であり、装置の
信頼性が低下する欠点も生ずる。又、ピエゾ素子
27を伸縮させるにはそれぞれのピエゾ素子27
に対応する駆動回路28が必要となり、必要とさ
れる電圧も600vの高電圧であることから駆動回
路28の小形化が望めず、重量、保守管理、コー
ド処理、信頼性の各面において問題が生じてい
た。 又、上記の如く、ウエハ4をマスク2のパター
ン位置に位置決めするには、変形チヤツク7を移
動せねばならず、ステツプアンドリピートでこれ
を行うためには、変形チヤツク7を高速かつ高精
度に移動位置決めしなければならない。従つて大
型かつ強力なXYテーブル8等のステージが必要
となり装置が高価のものとなる。このため従来の
ものでは、高速かつ、高精度の露光が困難とされ
ていた。 本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決す
べく、薄板上の各露光領域を露光位置にX−Y軸
方向にステツプアンドリピートさせ、露光位置に
おいて薄板の各露光領域とマスクとの間隙を均一
にすると共に薄板の各露光領域の少なくともX−
Y軸方向の位置をマスクに対して高精度に位置決
めし、しかも変形チヤツクおよびこの変形チヤツ
クを支承するテーブルを小形化して軽量化をはか
つてマスク上に形成された回路パターンを薄板上
の各露光領域に順次高精度に、しかも高速度で露
光転写できる小形で安価な露光装置が得られるよ
うにしたステツプアンドリピート方式のプロキシ
ミテイ露光装置を提供することにある。 本発明は上記の目的を達成するために、保持手
段により薄板を保持して該薄板上の各露光領域を
露光位置にX−Y軸方向にステツプアンドリピー
トさせる薄板移動手段と、上記露光位置において
マスクと上記薄板上の各露光領域との間に微少間
隙を形成させた状態で、上記マスク上に形成され
た回路パターンを上記薄板上の各露光領域に順次
露光転写する露光手段とを備えたステツプアンド
リピート方式のプロキシミテイ露光装置におい
て、上記薄板の各露光領域に対応する大きさを有
し、上記薄板移動手段により薄板上の各露光領域
を上記露光位置にX−Y軸方向にステツプアンド
リピートさせる度毎に、上記露光位置において上
記薄板の各露光領域の裏面を吸着して薄板の各露
光領域内に設置された複数の上下変位発生手段を
駆動制御して薄板の各露光領域を部分的に変形さ
せる変形チヤツク手段と、該変形チヤツク手段を
支承した少なくとも傾斜ステージおよびX−Y微
動ステージを有し、上記変形チヤツク手段により
上記薄板の各露光領域の裏面を吸着すると共に上
記薄板移動手段の保持手段による薄板の保持を解
放させた状態で、上記変形チヤツク手段の複数の
上下変位発生手段を駆動制御して薄板の各露光領
域内を部分的に変形させると共に上記傾斜ステー
ジを制御して薄板の各露光領域の傾きを制御して
マスクと薄板の各露光領域内表面との間隙を均一
にし、更に上記マスクと薄板の各露光領域との少
なくともX−Y軸方向の相対的誤差を検出して上
記X−Y微動ステージをX−Y軸方向に微動制御
して薄板の各露光領域のX−Y軸方向の位置を上
記マスクに対して整合する位置整合手段とを備え
たことを特徴とするステツプアンドリピート方式
のプロキシミテイ露光装置である。 以下、本発明の好適実施例を添付図面に基づき
説明する。 まず、第4図および第5図により実施例の概要
を説明する。露光装置80の保持装置81はリン
グ状部材55および真空ポンプ57等から構成さ
れ、ウエハ4はリング状部材55に真空吸着され
る。この保持装置81はステツプアンドリピート
装置82に載置され示矢X−X′方向およびY−
Y′方向に送られる。ウエハ4は2点鎖線51で
示す如く、12箇所の露光部(露光領域)からな
り、マスク2は定位置に設けられている。このた
め、ウエハ4の各露光部は上記のステツプアンド
リピート装置82により、マスク2の位置にステ
ツプアンドリピートに位置決めされる。 マスク2に相対向して変形チヤツク装置83が
設けられている。この変形チヤツク装置83は、
後詳しく説明するが、変形チヤツク64とピエゾ
素子27等とから構成されこの変形チヤツク装置
83により、マスク2の位置に移動された露光部
1つが吸着保持される。そして、マスク2との微
少間隙gの調整はピエゾ素子27により行われ
る。変形チヤツク装置83はアライメント装置8
4により支承される。アライメント装置84は微
動XYステージ52、傾斜ステージ62、Zステ
ージ63等から構成され、ウエハ4の上記露光部
のX、Y、Z方向の位置調整をする。検知装置8
5はXY方向の反射ミラー61、レーザ測長器7
0および図示していないウエハ4およびマスク2
の平坦度測定器等から構成され、これ等の検知信
号によつてアライメント装置84および変形チヤ
ツク装置83が動作される。制御装置86は第1
のコントローラ65と第2のコントローラ66と
全体のコントローラ67等から構成され上記の各
装置を制御する。上記の如く、ウエハ4がその露
光部ごとに保持され、保持された露光部とマスク
2間において、位置調整や微少間隙調整がなされ
るため、高精度、かつ高速の露光ができるのみな
らず、変形チヤツク装置83、アライメント装置
84等がすべて小形、軽量となり、取扱い易く安
価となると共に装置の信頼性が向上する。 以下、実施例を更に詳しく説明する。 第4図および第5図に示す如く、保持装置81
のリング状部材55はマスク2を囲繞する環状体
から形成され、その周縁部でウエハ4の有効面積
外の外周縁部を把持し、ウエハ4をマスク2と相
対向して平行に保持する。リング状部材55の周
縁部の一部には切欠部55aが形成され、ウエハ
4の取付を容易にしている。又、リング状部材5
5のウエハ4と保持する周縁部側には、リングチ
ヤツク部56が刻設されている。又、リング状部
材55の外周部には、その法線方向に延出する部
材54が設けられ、部材54にはホース71を介
して真空ポンプ57が連結されている。そして、
部材54内に到設された通路を介し、リングチヤ
ツク部56と真空ポンプ57は連通する。 ステツプアンドリピート装置82又はステツプ
アンドリピート用Yステージ82a(以下Yステ
ージと称呼する)とステツプアンドリピート用X
ステージ82b(以下Xステージと称呼する)と
から構成される。Yステージ82aは保持装置8
1の部材54を示矢Y−Y′方向に摺動自在に載
置するガイド部A53aと、部材54に螺合する
送りネジA87aと、この送りネジA87aを駆
動するステツプモータA58a等から構成されて
いる。又、Xステージ82bは、Yステージ82
aを示矢X−X′方向に摺動自在に載置するガイ
ド部B87bと、Yステージ82aに螺合する送
りネジB87bと、この送りネジB87bを駆動
するステツプモータB58b等とから構成されて
いる。そして、Xステージ82bは基台68に支
承されている。保持装置81に把持されたウエハ
4は、ステツプアンドリピート装置82により、
マスク2の露光位置まで運ばれると共に、その位
置でステツプアンドリピートし、露光部の位置決
めをする。そのステツプアンドリピートの精度は
例へばストローク20m/mで±0.05m/m以下で
ある。なお、ステツプモータA58aとステツプ
モータB58bは共に第2のコントローラ66に
係合している。 次に、変形チヤツク装置83はマスク2に相対
向して設けられ、その中心位置をマスク2の中心
露光位置Pと一致せしめている。第6図に示す如
く、変形チヤツク装置83はマスク2側を開放し
た箱体64と、箱体64内に等間隔に多数個立設
されたピエゾ素子27と、ピエゾ素子27に支持
されると共に、箱体64の開放口を閉止して支持
されるダイヤフラム式チヤツク部材26と、ピエ
ゾ素子27のそれぞれに隣接する駆動回路28等
とから構成される。箱体64には、真空口A2
9、真空口B112が形成され、それぞれ図示し
ない真空源と連通している。真空口A29により
箱体64内は真空とされ、ダイヤフラム式チヤツ
ク部材26をピエゾ素子27に密接せしめる。真
空口B112はダイヤフラム式チヤツク部材26
のウエハ4と係合する側に形成された溝部26a
とホース88を介して連通している。従つて、ウ
エハ4はダイヤフラム式チヤツク部材26に吸着
される。なお明示していないが、変形チヤツク装
置83は第1のコントローラ65と係合してい
る。 次にアライメント装置84は第6図に詳細に示
す如く、基台68上に支承される微動XYステー
ジ52と、この微動XYステージ52に支承され
る傾斜ステージ62兼Zステージ63等とから構
成される。微動Xステージ52bは、部材間に跨
設された平行板バネ110と、上記部材を上記X
−X′方向に移動せしめるピエゾ素子111とか
ら構成される。微動Yステージ52aは、微動X
ステージ52bの上記部材に支承され、同様に部
材間に跨設された平行板バネ110と、上記部材
を上記Y−Y′方向に移動せしめるピエゾ素子1
11等とから構成されている。又、傾斜ステージ
62兼Zステージ63は、微動Yステージ52a
に支承され、部材間に跨設された複数個のピエゾ
素子111から構成され、ピエゾ素子111の示
矢Z−Z′方向の伸縮により、上記部材をZ−Z′方
向に移動させると共に部材をX−X′軸又はY−
Y′軸まわりに回動せしめるようにしている。そ
して、上記部材には上記の変形チヤツク装置83
が載置されている。従つて、変形チヤツク装置8
3のダイヤフラム式チヤツク部材26に吸着保持
されたウエハ4は、X−X′、Y−Y′およびZ−
Z′方向等に粗動および微動しうることになる。な
お、明示していないが、アライメント装置84の
ピエゾ素子11も駆動回路28に接続していると
共に第1のコントロール65に係合している。 検知装置85のレーザ反射ミラー61は、微動
XYステージ52に取付けられ、レーザ測長機7
0によつてX−X′方向、Y−Y′方向の調整量を
検知する。又、明示していないが、ウエハ4およ
びマスク2の平坦度はそれぞれの平坦度測定器に
よつて、Z−Z′方向、および回転方向の調整量が
検知される。又、検知装置85も第1のコントロ
ーラ65に係合している。 制御装置86は上記したそれぞれの装置を制御
する第1および第2のコントローラ65,66
と、これ等を全体的に制御する全体のコントロー
ラ67とから構成される。 次に、本実施例の作用について説明する。 まず、第7図aないし第7図lによりステツプ
アンドリピート装置82によるウエハ4の動きを
説明する。上記の如く、ウエハ4の露光部は2点
鎖線51で示す如く、12個所に区分される。ま
づ、第7図aに示すように、マスク2はその中心
の露光位置Pに設けられ、ウエハ4はその中心を
ロードアンドロード位置Mに保持装置81に担持
されて位置づけられる。次に第7図bに示す如
く、第1番目のウエハ4の露光部4aの位置がマ
スク2の露光位置Pの位置にステツプアンドリピ
ート装置82により移動位置決めされる。ここで
第1番目の露光部4aの露光が終了した後、第7
図cに示す如く、第2番目の露光部4bが上記露
光位置Pの様に同じくステツプアンドリピート装
置82により位置決めされ露光される。引続き、
第7図dに示す如く、第3番目の露光部4cが露
光され、同様のことを繰返し、第7図lに示す如
く、第12番目の露光部4lが露光を終了する。そ
して、再び、第7図aのロードアンドロード位置
Mに戻り、ウエハ4の全露光を終了する。 次に第8図に示すごとく、ウエハ4は変形チヤ
ツク装置33のダイヤフラム式チヤツク部材26
により吸着されるが、ウエハ4の外周側に近い露
光部を露光する際には、ダイヤフラム式チヤツク
部材26の一部がウエハ4の外周側からはみ出す
場合がある。このため、ダイヤフラム式チヤツク
部材26に形成された溝部26aはパターン12
0の如く、いくつかに区割りされそれぞれ真空源
に連通されるようにされている。従つて、真空作
用をするパターン120を選定することにより、
効果的にウエハ4の吸着ができる。 次に第9図に本実施例の露光作用のシーケンス
を示す。以下のシーケンスは制御装置86により
制御される。シーケンス第号(以下番号と称呼す
る)90はウエハ4のローデングを示す。ウエハ
4は保持装置81のリング状部材55にその外周
縁部を係合させ、真空ポンプ57によりリングチ
ヤツク56に吸着把持され、ステツプアンドリピ
ート装置82により、ウエハ4の第1番目の露光
部4aを上記のロードアンドロード位置Mに位置
決めする。番号91は変形チヤツク装置83の下降
位置決め確認を示す。変形チヤツク装置83はア
ライメント装置84のZステージ63によるZ方
向向の移動により100μm下降した位置に位置決
めされているので、これを確認する。番号92はウ
エハ4の第1番目の露光部4aの位置決めを示
す。第1番目の露光部4aがステツプアンドリピ
ート装置82により、マスク2の上記露光位置P
の最下に位置決めされる。この状態では、ウエハ
4と変形チヤツク装置83とは接触していない。
番号93は変形チヤツク装置83の上昇位置決め
を示す。変形チヤツク装置83はZステージ63
によりその下降位置より100μm上昇する。番号
94はウエハ4の吸着を示す。変形チヤツク装置8
3のダイヤフラム式チヤツク部材26がウエハ4
の露光部4aを吸着する。番号95はウエハ4のア
ンローデングを示す。露光部4aが吸着された状
態で、保持装置81のリングチヤツク部56によ
る吸着を開放する。番号96はウエハの間隙調整を
示す。ウエハ4の露光部4aおよびマスクの平坦
度が平坦度検出器によつて検出され、その結果に
基づき、露光部4aが変形チヤツク装置83内の
ピエゾ素子27の伸縮により変形される。番号97
はウエハのアライメント調整を示す。アライメン
ト調整は、番号99のアライメント検出番号99の判
定からなり、アライメントがYesならば番号101
の露光に進み、N0ならば番号100の微動調整に進
む。アライメントの調整は、露光部4aの位置を
検出装置85のレザー反射ミラー61により検出
し、アライメント装置84のピエゾ素子111の
電圧制御による伸縮により平行板バネ110を動
かして行う。番号99の判定は、検出値が許容値
(0.1μm)以内にあればYesとし、以上のときは
Noとして行う。アライメント調整時には、ウエ
ハ4が保持装置81等の拘束をうけないようにZ
ステージ63を約20μmほど下降せしめることも
行われる。番号102保持装置81のリングチヤツ
ク部56によるウエハ4の再把持を示す。ウエハ
4の外周縁部が真空ポンプ57の作用によりリン
グチヤツク56により把持される。番号103は変
形チヤツク装置83のウエハ吸着解除を示す。変
形チヤツク装置83の真空口B112からの真空
力を解除し、ウエハ4の露光部4aの吸着を解除
する。番号104は変形チヤツク装置83の下降を
示す。変形チヤツク装置83は100μm下降し、
上記の番号91に対応する。番号105は変形チヤツ
ク装置83およびアライメント装置84等の厚点
復帰を示す。アライメント装置84等のピエゾ素
子111等はすべて原点に復帰し、次の露光部に
備える。番号106は全露光確認を示す。ウエハ4
の露光部のすべての露光が完了したかどうかを確
認し、Yesのときは番号107のウエハのアンロー
デングに進み、Noのときは番号92に戻り、上記
と同様のシーケンスを繰返し行う。番号107にて、
ウエハ4は保持装置81から開放される。以上に
より全シーケンスが終了する。 上記において、第1番目の露光部4aと第2番
目以降の露光部4bないし4lとの相違は次の点
となる。すなわち、第1番目の露光部4aは、ウ
エハ4のローデングの位置Mからマスク2の露光
位置Pまで運ばれるため、ウエハ4を保持装置8
1に把持する場合の誤差や、上記移動による位置
誤差等が加算されるため、アライメントすべき量
が大きく100μmないし500μmとなるのに対し、
第2番目以降のものは、1度番号97でアライメン
トされているため、変形チヤツク装置83と保持
装置81間のウエハ4の受渡しによる位置誤差
と、露光部間の移動誤差によるもののみとなるの
で、アライメントすべき量は10μmないし100μm
と小さくてすむ点である。 第10図および第11図は別の実施例を表示す
る。図において、第4図および第5図と同一符号
のものは同一物又は同一機能のものを示す。 本実施例では保持装置81が主として上記実施
例と異なるもので、ウエハ4を直接保持しないよ
うに形成され、ウエハ4の汚れを防止する効果を
有するものである。 すなわち、上記実施例と同様にリング状部材1
31はマスク2を囲繞する環状体から形成されそ
の内周はウエハ4の外周より大きく形成されてい
る。このリング状部材131の周縁部でウエハ4
よりも大きな外周を有するダイヤフラム部材13
0の外周縁部を把持するようにしている。リング
状部材131には真空ポンプ57と連通するリン
グチヤツク56が形成されこれによりダイヤフラ
ム部材130は吸着把持される。 ウエハ4はダイヤフラム部材130上に載置さ
れる。従つて、この状態ではウエハ4は可動し得
る状態におかれる。ウエハ4はダイヤフラム部材
130に載置されたまま、上記の如くマスク2の
露光位置Pまでステツプアンドリピート装置82
により運ばれ、ここで、第1番目の露光部49が
変形チヤツク装置83によりダイヤフラム部材1
30を介在させて吸着保持される。ダイヤフラム
部材130は可撓体のためウエハ4の露光部4a
はチヤツク装置83に確実に保持される。 以下、上記と同様のシーケンスによりウエハ4
の露光が行われる。この場合、上記実施例と異な
り、変形チヤツク装置83および保持装置81に
よりウエハ4は直接把持されないため、ウエハ4
とこれ等の装置間に摩擦や接触がなくなり、ウエ
ハ4を清浄に保つことができる。 次に、上記2つの実施例の効果について説明す
る。 従来技術では第1図に示した如く、ウエハ4を
変形チヤツク7に載せ、これをマスク2の露光位
置に移動するため、その移動および調整手段が大
掛りになるのに反し、本実施例では露光部のみを
把持し、調整するようにしているためウエハ4の
チヤツク部は1/10以下の大きさとなり、軽量、か
つ剛性の高いものとなる。又、アライメント装置
も、従来に比べて1/5以下のものとなり、軽量と
なるのみならず、高精度の調整が可能となる。
又、ステツプアンドリピート装置も、ウエハ4の
みを把持し、これをマスクの露光位置まで移動さ
せればよく、従来に比べ1/100以下の重量となり、
極めて軽量、かつ安価のものとなり、かつ、ウエ
ハ4を高速度で露光位置に移動できる。 又、従来、ウエハ4の位置決め検出には、ステ
ツプアンドリピートの全ストロークをカバーする
ため100m/m以上の長さをもつレザー反射ミラ
ーを用い、レザー測長器により行つていた。この
ため、レザー反射ミラーは露光部から離れた所に
設けられ、高精度の検出が困難であつた。本実施
例では、レーザ反射ミラー61は微動XYステー
ジ52に直接取付けられ、微動XYステージ52
による調整ストロークも1m/m以内と極めて小
さいため、小形のレーザ反射ミラー61又はコー
ナキユーブ式反射ミラーで充分であり、かつ、露
光部の近くに設けられるため、高精度の位置決め
が可能となる。 上記のことから、小形、軽量で、高精度、高速
度の効果が上げられる。 次にウエハの変形チヤツクに用いられるピエゾ
素子の数量についての従来技術との比較を説明す
る。 今、従来方式によるピエゾ素子の数をNとし本
実施例によるものをN′とするとこれ等は下式で
表示される。 N=(H/P)2×S+α N′=(H/W+3)2 ここで、Pはピエゾ素子のピツチ、Hはマスタ
の大きさ、Sはステツプアンドリピート回数αは
マスクの周辺部のピエゾ素子の数を示す。 今、ウエハを4インチとし、H/P=2とすると ピエゾ素子NおよびN′はSに対応し第1表の如
くなる。
【表】 上記から、露光部を12個所としSを12とする
と、ピエゾ素子は80個も削減され1/4以下のコス
トとなる。なお、第12図a〜eに示す。・は
shot内ドライバ、oは周辺ドライバである。 以上の2つの実施例において、変形チヤツク装
置83にダイヤフラム式チヤツク部材26を用い
たが勿論これに限定するのではなく、ウエハ4面
を区割して変形制御できるものであればよい。
又、変形が不要ならば、通常のチヤツクでもよ
い。又、ステツプアンドリピート装置の精度が良
ければ、アライメント装置の微動XYステージ5
2を除去してもよい。又、ステツプアンドリピー
ト装置のXおよびYステージ82b,82aの移
動はステツプモータB58bステツプモータA5
8aに限定せず、リニアモータでもよく、電気式
でなく油気圧式のものであつてもよい。又、上記
微動XYステージ52も、電磁力を応用したも
の、圧力を応用したもの、テコ式等のものでもよ
い。 以上説明したように、本発明によれば、薄板上
の各露光領域を露光位置にX−Y軸方向にステツ
プアンドリピートさせ、露光位置において薄板の
各露光領域とマスクとの間隙を均一にすると共に
薄板の各露光領域の少なくともX−Y軸方向の位
置をマスクに対して高精度に位置決めし、しかも
変形チヤツクおよびこの変形チヤツクを支承する
テーブルを小形化して軽量化をはかつてマスク上
に形成された回路パターンを薄板上の各露光領域
に順次高精度に、しかも高速度で露光転写できる
小形で安価なステツプアンドリピート方式のプロ
キシミテイ露光装置が得られる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のウエハ等を露光するX線アライ
ナの主要構成を示す斜視図、第2図はその変形チ
ヤツクのまわりを示す断面図、第3図は変形チヤ
ツクのピエゾ素子の配列を示す説明図、第4図は
本発明一実施例の構成を示す正面図、第5図はそ
の平面図、第6図は一実施例の変形チヤツク装
置、アライメント装置を説明する部分構成図、第
7図aないし第7図eは一実施例におけるウエハ
の露光部の移動状態を説明する説明図、第8図は
ウエハと変形チヤツク装置との係合状態を説明す
る部分正面図、第9図は一実施例の作用を説明す
るシーケンス図、第10図は本発明の別の実施例
の構成を示す正面図、第11図はその平面図、第
12図a〜dは従来のドライバの配置を示した
図、第12図eは本発明によるドライバの配置を
示した図である。 2……マスク、4……ウエハ、26……ダイヤ
フラム式チヤツク部材、27,111……ピエゾ
素子、28……駆動回路、29……真空口A、5
2……微動XYステージ、55,131……リン
グチヤツク部材、57……真空ポンプ、61……
レザー反射ミラー、62……傾斜ステージ、63
……Zステージ、64……箱体、65……第1の
コントローラ、66……第2のコントローラ、6
8……基台、70……レザー測長器、80……露
光装置、81……保持装置、82……ステツプア
ンドリピート装置、83……変形チヤツク装置、
84……アライメント装置、85……検出装置、
86……制御装置、110……平行板バネ、11
2……真空口B、131……ダイヤフラム部材。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 保持手段により薄板を保持して該薄板上の各
    露光領域を露光位置にX−Y軸方向にステツプア
    ンドリピートさせる薄板移動手段と、上記露光位
    置においてマスクと上記薄板上の各露光領域との
    間に微少間〓を形成させた状態で、上記マスク上
    に形成された回路パターンを上記薄板上の各露光
    領域に順次露光転写する露光手段とを備えたステ
    ツプアンドリピート方式のプロキシミテイ露光装
    置において、上記薄板の各露光領域に対応する大
    きさを有し、上記薄板移動手段により薄板上の各
    露光領域を上記露光位置にX−Y軸方向にステツ
    プアンドリピートさせる度毎に、上記露光位置に
    おいて上記薄板の各露光領域の裏面を吸着して薄
    板の各露光領域内に設置された複数の上下変位発
    生手段を駆動制御して薄板の各露光領域内を部分
    的に変形させる変形チヤツク手段と、該変形チヤ
    ツク手段を支承した少なくとも傾斜ステージおよ
    びX−Y微動ステージを有し、上記変形チヤツク
    手段により上記薄板の各露光領域の裏面を吸着す
    ると共に上記薄板移動手段の保持手段による薄板
    の保持を解放させた状態で、上記変形チヤツク手
    段の複数の上下変位発生手段を駆動制御して薄板
    の各露光領域内を部分的に変形させると共に上記
    傾斜ステージを制御して薄板の各露光領域の傾き
    を制御してマスクと薄板の各露光領域内表面との
    間〓を均一にし、更に上記マスクと薄板の各露光
    領域との少なくともX−Y軸方向の相対的誤差を
    検出して上記X−Y微動ステージをX−Y軸方向
    に微動制御して薄板の各露光領域のX−Y軸方向
    の位置を上記マスクに対して整合する位置整合手
    段とを備えたことを特徴とするステツプアンドリ
    ピート方式のプロキシミテイ露光装置。
JP57102017A 1982-06-16 1982-06-16 ステップアンドリピート方式のプロキシミティ露光装置 Granted JPS58219735A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57102017A JPS58219735A (ja) 1982-06-16 1982-06-16 ステップアンドリピート方式のプロキシミティ露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57102017A JPS58219735A (ja) 1982-06-16 1982-06-16 ステップアンドリピート方式のプロキシミティ露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58219735A JPS58219735A (ja) 1983-12-21
JPH0445969B2 true JPH0445969B2 (ja) 1992-07-28

Family

ID=14315980

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57102017A Granted JPS58219735A (ja) 1982-06-16 1982-06-16 ステップアンドリピート方式のプロキシミティ露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58219735A (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6175521A (ja) * 1984-09-21 1986-04-17 Hitachi Ltd 露光装置
JPS6184018A (ja) * 1984-10-01 1986-04-28 Hitachi Ltd X線露光装置
JP2644692B2 (ja) * 1995-01-30 1997-08-25 キヤノン株式会社 X線転写装置
JP2002251017A (ja) * 2001-02-23 2002-09-06 Adtec Engineeng Co Ltd 露光装置
AU2002354196A1 (en) * 2001-12-17 2003-06-30 Nikon Corporation Substrate holding apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
TW200500811A (en) * 2002-12-13 2005-01-01 Molecular Imprints Inc Magnification correction employing out-of-plane distortion of a substrate
JP2010102130A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Canon Inc 露光装置
JP5526714B2 (ja) * 2009-11-10 2014-06-18 凸版印刷株式会社 基板露光装置
JP6579873B2 (ja) * 2015-09-10 2019-09-25 株式会社ディスコ 加工装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0261132A (ja) * 1988-08-26 1990-03-01 Aimu:Kk 殺菌性織布

Also Published As

Publication number Publication date
JPS58219735A (ja) 1983-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4516253A (en) Lithography system
JPS6052025A (ja) リソグラフイ−装置
JP2023029858A (ja) デジタルリソグラフィシステムでのマルチ基板処理
WO2014188572A1 (ja) 基板保持方法及び装置、並びに露光方法及び装置
TWI908916B (zh) 保持裝置及用於保持基板之方法
JP2004343077A (ja) 対象物を移送する装置及びその使用方法と該移送装置を含むリソグラフィ投影装置
EP0360272B1 (en) Stepper for circuit pattern formation
CN108139685B (zh) 曝光装置、平面显示器的制造方法、组件制造方法、及曝光方法
JP2015018927A (ja) 基板保持方法及び装置、並びに露光方法及び装置
KR20240021801A (ko) 기판 홀더 및 방법
JPH0445969B2 (ja)
JP2015023233A (ja) マーク検出方法及び装置、並びに露光方法及び装置
JPH07142336A (ja) 露光装置
CN102365590A (zh) 用于掩模板的快速交换装置中的共享的顺应性和掩模板平台
US4521114A (en) Single lens repeater
EP3990985B1 (en) Substrate handling system of a lithography apparatus and method thereof
JP2003156322A (ja) 位置計測方法及び装置、位置決め方法、露光装置、並びにマイクロデバイスの製造方法
JP2015070014A (ja) 基板保持方法及び装置、並びに露光方法及び装置
JPH1097985A (ja) 走査型露光装置およびデバイス製造方法
CN101084471B (zh) 支持结构与光刻设备
GB2052767A (en) Single Lens Repeater
US7283201B2 (en) Devices and methods for sensing secure attachment of an object onto a chuck
JPH0147007B2 (ja)
JPS6386430A (ja) パタ−ン転写方法
EP0121969A2 (en) Lithography system