JPH0446503B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0446503B2 JPH0446503B2 JP60095262A JP9526285A JPH0446503B2 JP H0446503 B2 JPH0446503 B2 JP H0446503B2 JP 60095262 A JP60095262 A JP 60095262A JP 9526285 A JP9526285 A JP 9526285A JP H0446503 B2 JPH0446503 B2 JP H0446503B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- accumulation time
- memory
- correction data
- offset
- sensitivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
複数の画素と、それらに発生する電荷の転送手
段を有する固体撮像素子を用いた撮像装置であつ
て、補正データを収納するメモリを蓄積時間に対
応した個数分用意しておき、補正データ入力時に
蓄積時間をフレーム毎に切替えて各蓄積時間に対
応する補正データを入力してメモリに格納し、蓄
積時間を切替えた時に補正用のデータも切替えて
処理し、画質劣化なく撮像できるようにする。
段を有する固体撮像素子を用いた撮像装置であつ
て、補正データを収納するメモリを蓄積時間に対
応した個数分用意しておき、補正データ入力時に
蓄積時間をフレーム毎に切替えて各蓄積時間に対
応する補正データを入力してメモリに格納し、蓄
積時間を切替えた時に補正用のデータも切替えて
処理し、画質劣化なく撮像できるようにする。
本発明は２次元固体撮像素子を用いた撮像装置
に係り、特に、入射光が微弱なものから大きなも
のに変化する場合、自動的に感度を調整し、入射
光が小さい場合には高感度になり、入射光が大き
い場合には感度を小さくして、オーバ・フローを
抑えることができる撮像装置に関する。
に係り、特に、入射光が微弱なものから大きなも
のに変化する場合、自動的に感度を調整し、入射
光が小さい場合には高感度になり、入射光が大き
い場合には感度を小さくして、オーバ・フローを
抑えることができる撮像装置に関する。
第３図に、一般的な電荷転送型固体撮像素子の
入力部の断面概略を示している。図において、３
１はフオト・ダイオード、３０は半導体基板、３
２は入力部Ｓ、３３は入力ゲートIG、３４はトラ
ンスフア・ゲートTG、３４はCCDの転送電極で
ある。
入力部の断面概略を示している。図において、３
１はフオト・ダイオード、３０は半導体基板、３
２は入力部Ｓ、３３は入力ゲートIG、３４はトラ
ンスフア・ゲートTG、３４はCCDの転送電極で
ある。
入射光によるフオト・ダイオード３１（受光セ
ンサ）からのキヤリアは、入力ゲートIG３３、ト
ランスフア・ゲートTG３４の下を通り、CCD部
３５へと転送される。
ンサ）からのキヤリアは、入力ゲートIG３３、ト
ランスフア・ゲートTG３４の下を通り、CCD部
３５へと転送される。
第３図に示す素子のダイナミツク・レンジは得
られる電荷量とCCDの電位の井戸の大きさ、す
なわち、光学系の明るさ、透過率、電位の井戸の
大きさ等により決まる。
られる電荷量とCCDの電位の井戸の大きさ、す
なわち、光学系の明るさ、透過率、電位の井戸の
大きさ等により決まる。
ところが、入射光が微弱なものから、大きなも
のに変化する場合、電荷転送装置（CCD）の電
荷蓄積容量の大きさに制限されて、十分な感度と
ダイナミツク・レンジが得られなくなる。例えば
低照度でも大きな信号値が得られるように光学系
を明るいものにすると、入射光が少し大きくなつ
た場合でも電荷が井戸から溢れ、ブルーミングを
起こすようになる。一方、強い光でも飽和しない
ように光学系を暗いものにすると、システムの検
出感度が低下するという欠点が生ずる。
のに変化する場合、電荷転送装置（CCD）の電
荷蓄積容量の大きさに制限されて、十分な感度と
ダイナミツク・レンジが得られなくなる。例えば
低照度でも大きな信号値が得られるように光学系
を明るいものにすると、入射光が少し大きくなつ
た場合でも電荷が井戸から溢れ、ブルーミングを
起こすようになる。一方、強い光でも飽和しない
ように光学系を暗いものにすると、システムの検
出感度が低下するという欠点が生ずる。
このような欠点を克服するために、本発明者に
より、先に蓄積時間をフレーム毎に変化する方法
特願昭59−111214号、及び特願昭59−279912号が
発明された。それは例えば第４図に示すごとく、
電荷蓄積時間Tsを動作フレームTF毎に少なくと
も２種類Ts1，Ts2，Ts1＜Ts2に切換え、交互に
異なる蓄積時間にして撮像し、長い蓄積時間Ts2
のフレームにおける出力信号の内、強い入射光に
対してオーバ・フローを生じている信号を除去し
た後、短い蓄積時間Ts1のフレームにおける信号
を加算し、出力するようにする。それにより長い
蓄積時間のフレームで得られる画像信号のうち、
オーバ・フローしている信号が除去され、次の短
い蓄積時間のフレームで得られた画像信号のみ加
算され出力するから、強い入射光点を欠落するこ
となく、かつダイナミツク・レンジの改善が実現
できる。
より、先に蓄積時間をフレーム毎に変化する方法
特願昭59−111214号、及び特願昭59−279912号が
発明された。それは例えば第４図に示すごとく、
電荷蓄積時間Tsを動作フレームTF毎に少なくと
も２種類Ts1，Ts2，Ts1＜Ts2に切換え、交互に
異なる蓄積時間にして撮像し、長い蓄積時間Ts2
のフレームにおける出力信号の内、強い入射光に
対してオーバ・フローを生じている信号を除去し
た後、短い蓄積時間Ts1のフレームにおける信号
を加算し、出力するようにする。それにより長い
蓄積時間のフレームで得られる画像信号のうち、
オーバ・フローしている信号が除去され、次の短
い蓄積時間のフレームで得られた画像信号のみ加
算され出力するから、強い入射光点を欠落するこ
となく、かつダイナミツク・レンジの改善が実現
できる。
ところが、上記のフレーム毎に蓄積時間を変え
る方法は飽和信号と感度を任意に設定できダイナ
ミツク・レンジが広くできるという利点を有する
が、実際にこれを撮像装置に適応する場合に一つ
の困難に直面する。それは、実際上、固体撮像素
子の各画素の出力にオフセツトと感度のバラツキ
が存在する場合に蓄積時間を変化した際、このオ
フセツト値が変化し、画像が劣化することが考え
られるからである。
る方法は飽和信号と感度を任意に設定できダイナ
ミツク・レンジが広くできるという利点を有する
が、実際にこれを撮像装置に適応する場合に一つ
の困難に直面する。それは、実際上、固体撮像素
子の各画素の出力にオフセツトと感度のバラツキ
が存在する場合に蓄積時間を変化した際、このオ
フセツト値が変化し、画像が劣化することが考え
られるからである。
これについて、さらに詳しく第５図及び第６図
を用いて説明すると、第５図は、先の第３図の素
子の平面構成を表わす図であり、各部の記号は統
一している。前記と同様に、画素毎の入力部Ｓに
フレーム毎に異なる蓄積時間Ts1，Ts2（Ts1＜
Ts2）蓄えられた電荷は、破線のごとくIG（入力ゲ
ート），TG（トランスフア・ゲート）を介して、
CCD転送部に送られる。CCDの転送電極φoにパ
ルス電圧を加えると、シリコン基板の表面に空乏
層を生じ、ポテンシヤル井戸が形成される。光の
照射による信号電荷が導入されると、信号電荷は
このポテンシヤル井戸に蓄えられる。隣の転送電
極φo+1にパルス電圧を加え、ポテンシヤル井戸を
形成すると同時に初めの転送電極φoの電圧を取
去ると、初めの転送電極φo下の信号電荷は隣の
ポテンシヤル井戸へ転送される。
を用いて説明すると、第５図は、先の第３図の素
子の平面構成を表わす図であり、各部の記号は統
一している。前記と同様に、画素毎の入力部Ｓに
フレーム毎に異なる蓄積時間Ts1，Ts2（Ts1＜
Ts2）蓄えられた電荷は、破線のごとくIG（入力ゲ
ート），TG（トランスフア・ゲート）を介して、
CCD転送部に送られる。CCDの転送電極φoにパ
ルス電圧を加えると、シリコン基板の表面に空乏
層を生じ、ポテンシヤル井戸が形成される。光の
照射による信号電荷が導入されると、信号電荷は
このポテンシヤル井戸に蓄えられる。隣の転送電
極φo+1にパルス電圧を加え、ポテンシヤル井戸を
形成すると同時に初めの転送電極φoの電圧を取
去ると、初めの転送電極φo下の信号電荷は隣の
ポテンシヤル井戸へ転送される。
光の照射により生成される信号電荷は、入射光
量、光学系の明るさ（Ｆナンバー）、透過率、シ
リコン基板中での量子効率、蓄積時間により決ま
る。
量、光学系の明るさ（Ｆナンバー）、透過率、シ
リコン基板中での量子効率、蓄積時間により決ま
る。
一方、電荷転送装置（CCD）の電荷蓄積容量
の大きさは、SiO2の膜厚、電極面積、基板のキ
ヤリア濃度により決まり、上限がある。したがつ
て、強い光が照射されると、ポテンシヤル井戸の
容量をオーバして溢れる。その結果、第６図に表
わすように、転送方向に対して白い線になつて表
われる、所謂ブルーミング現象が起こる。
の大きさは、SiO2の膜厚、電極面積、基板のキ
ヤリア濃度により決まり、上限がある。したがつ
て、強い光が照射されると、ポテンシヤル井戸の
容量をオーバして溢れる。その結果、第６図に表
わすように、転送方向に対して白い線になつて表
われる、所謂ブルーミング現象が起こる。
このオーバ・フローを防止し、良好な絵を得る
ために、前述のように蓄積時間をフレーム毎に変
えるようにすると前述のようにオフセツト値が変
化し、画像が劣化する。
ために、前述のように蓄積時間をフレーム毎に変
えるようにすると前述のようにオフセツト値が変
化し、画像が劣化する。
第７図Ａに、１フレームの走査時間と通常の入
射光量（蓄積時間Ts2）の場合のCCDの出力の信
号レベルを表わしており、図Ｂに入射光量大でオ
ーバ・フローが生じる際に蓄積時間を切換える場
合のCCDの出力信号レベルの関係を表わしてい
る。１フレームの走査時間内（この場合２次元の
固体撮像素子の各画素）において、斜線で示すオ
フセツトと白棒で示す感度のバラツキがある。こ
れに対して、第７図Ｂにおいて、オーバ・フロー
の防止のために蓄積時間を短かくした場合には、
図のように信号レベルが下がる一方、オフセツト
も変わり、各画素毎のオフセツトのバラツキも変
化することになる。
射光量（蓄積時間Ts2）の場合のCCDの出力の信
号レベルを表わしており、図Ｂに入射光量大でオ
ーバ・フローが生じる際に蓄積時間を切換える場
合のCCDの出力信号レベルの関係を表わしてい
る。１フレームの走査時間内（この場合２次元の
固体撮像素子の各画素）において、斜線で示すオ
フセツトと白棒で示す感度のバラツキがある。こ
れに対して、第７図Ｂにおいて、オーバ・フロー
の防止のために蓄積時間を短かくした場合には、
図のように信号レベルが下がる一方、オフセツト
も変わり、各画素毎のオフセツトのバラツキも変
化することになる。
真正な信号レベルを検出するために、オフセツ
トを減算し、感度（ゲイン）で割つた補正値を求
めるが、第７図Ａ，Ｂのように蓄積時間によりオ
フセツトが変化すると、適正な補正処理が困難に
なり、画像が劣化する。
トを減算し、感度（ゲイン）で割つた補正値を求
めるが、第７図Ａ，Ｂのように蓄積時間によりオ
フセツトが変化すると、適正な補正処理が困難に
なり、画像が劣化する。
本発明は、蓄積時間を入射光量に応じてフレー
ム毎に変化する機能を有し、オーバ・フローによ
るブルーミング等の画像劣化を防止する撮像装置
において、蓄積時間を変化させることによるオフ
セツトの変動の適正な補正を可能にするものであ
る。
ム毎に変化する機能を有し、オーバ・フローによ
るブルーミング等の画像劣化を防止する撮像装置
において、蓄積時間を変化させることによるオフ
セツトの変動の適正な補正を可能にするものであ
る。
本発明は、第１図にその概念を表わしているよ
うに、複数の画素と、該各画素に発生する電荷の
転送手段を有する固体撮像素子１が用いられ、撮
像時の入射光量の変化に従つて蓄積時間をフレー
ム毎に切替える手段２１を備える撮像装置におい
て、次の(a)〜(d)を含む。
うに、複数の画素と、該各画素に発生する電荷の
転送手段を有する固体撮像素子１が用いられ、撮
像時の入射光量の変化に従つて蓄積時間をフレー
ム毎に切替える手段２１を備える撮像装置におい
て、次の(a)〜(d)を含む。
(a) 蓄積時間の個数分（ｎ個）用意され、該固体
撮像素子１の画素毎の出力のオフセツトと感度
の補正データを収納するためのメモリ・２５。
撮像素子１の画素毎の出力のオフセツトと感度
の補正データを収納するためのメモリ・２５。
(b) 補正データの入力時に、蓄積時間を順次切替
えることにより、各蓄積時間に対する補正デー
タを前記メモリ２５に収納する手段２２。
えることにより、各蓄積時間に対する補正デー
タを前記メモリ２５に収納する手段２２。
(c) 撮像時において、前記蓄積時間をフレーム毎
に切替える手段２１の切替えに応じて前記メモ
リ２５に収納された補正データを読出す手段２
４。
に切替える手段２１の切替えに応じて前記メモ
リ２５に収納された補正データを読出す手段２
４。
(d) 該読出された補正用のデータを用いて撮像デ
ータを補正する手段２３。
ータを補正する手段２３。
上記により、各メモリには相異なる蓄積時間
Ts1〜Tsoのそれぞれに対応した補正データが格
納されるから、入射光量が変化した場合に、入射
光量に従つて蓄積時間と同時に補正のために用い
るデータも切替えるようにすれば、適正な補正処
理を補正手段２３で行なうことができ、画質が劣
化することなく撮像することが可能になる。
Ts1〜Tsoのそれぞれに対応した補正データが格
納されるから、入射光量が変化した場合に、入射
光量に従つて蓄積時間と同時に補正のために用い
るデータも切替えるようにすれば、適正な補正処
理を補正手段２３で行なうことができ、画質が劣
化することなく撮像することが可能になる。
第２図に本発明の実施例の回路図を表わしてあ
り、図において１は先に第３図及び第５図に表わ
してあるような二次元固体撮像素子であり、その
出力はアンプ２を通りＡ／Ｄ変換器３に入力され
デジタル・データとなる。このデジタル・データ
中には二次元固体撮像素子の各画素のオフセツト
と感度（ゲイン）のバラツキが含まれている。
り、図において１は先に第３図及び第５図に表わ
してあるような二次元固体撮像素子であり、その
出力はアンプ２を通りＡ／Ｄ変換器３に入力され
デジタル・データとなる。このデジタル・データ
中には二次元固体撮像素子の各画素のオフセツト
と感度（ゲイン）のバラツキが含まれている。
そこで、減算器４によりオフセツトを除き、除
算器５により感度のバラツキを補正し、均一化す
る。
算器５により感度のバラツキを補正し、均一化す
る。
この場合のオフセツト補正データは、オフセツ
ト・メモリ６及びオフセツト・メモリ７に記
憶されており、一方感度補正データはゲイン・メ
モリ８及びゲイン・メモリ９に記憶されてお
り、それぞれ撮像時の蓄積時間に従つてマルチ・
プレクサ（MPX）１０、または、１１により選
択されて読出される。
ト・メモリ６及びオフセツト・メモリ７に記
憶されており、一方感度補正データはゲイン・メ
モリ８及びゲイン・メモリ９に記憶されてお
り、それぞれ撮像時の蓄積時間に従つてマルチ・
プレクサ（MPX）１０、または、１１により選
択されて読出される。
オフセツトと感度が補正されたデータはフレー
ム・メモリ１２、フレーム・メモリ１３に交
互に入力され、TV表示タイミングに従つて交互
にＤ／Ａ変換器１４に読出され、CRT１５に表
示される。
ム・メモリ１２、フレーム・メモリ１３に交
互に入力され、TV表示タイミングに従つて交互
にＤ／Ａ変換器１４に読出され、CRT１５に表
示される。
図中、コンパレータ１７とカウンタ１８に二次
元固体撮像素子１の出力の飽和を検知するために
存在し、例えばＡ／Ｄ変換器３の値がある一定の
値を越えた時にコンパレータ１７は１パルスを出
し、カウンタ１８はこのパルスを計数することに
より、ある一定の値を越えた画素がいくつあるか
をカウントする。該カウント値が一定以上になつ
たらマイクロプロセツサ１６はオーバ・フローが
生じたと判断し、切換信号をMPX１０，１１に
送出し、またタイミング発生器１９に信号を送
り、二次元固体撮像素子１の駆動パルスを発生せ
しめ、蓄積時間を以前より短かいTs1（Ts1＜Ts2）
に切替える。
元固体撮像素子１の出力の飽和を検知するために
存在し、例えばＡ／Ｄ変換器３の値がある一定の
値を越えた時にコンパレータ１７は１パルスを出
し、カウンタ１８はこのパルスを計数することに
より、ある一定の値を越えた画素がいくつあるか
をカウントする。該カウント値が一定以上になつ
たらマイクロプロセツサ１６はオーバ・フローが
生じたと判断し、切換信号をMPX１０，１１に
送出し、またタイミング発生器１９に信号を送
り、二次元固体撮像素子１の駆動パルスを発生せ
しめ、蓄積時間を以前より短かいTs1（Ts1＜Ts2）
に切替える。
なお、マイクロプロセツサ１６は、その他全体
の制御を行なつている。
の制御を行なつている。
次に、本発明の中心になる補正データの取込み
と蓄積時間の切替の動作を示す。
と蓄積時間の切替の動作を示す。
補正データの入力時には、マイクロプロセツサ
１６は先ず所定の蓄積時間Ts1を設定し、二次元
固体撮像素子１は蓄積時間Ts1で動作する。
１６は先ず所定の蓄積時間Ts1を設定し、二次元
固体撮像素子１は蓄積時間Ts1で動作する。
次に、低輝度と高輝度の基準光源（図示せず）
により、二基準のデータがフレーム・メモリ、
にそれぞれ入力され、そのデータをマイクロプ
ロセツサ１６が読取り、オフセツト補正データと
感度補正データを計算し、その結果をオフセツ
ト・メモリとゲイン・メモリに入力する。
により、二基準のデータがフレーム・メモリ、
にそれぞれ入力され、そのデータをマイクロプ
ロセツサ１６が読取り、オフセツト補正データと
感度補正データを計算し、その結果をオフセツ
ト・メモリとゲイン・メモリに入力する。
このようにして蓄積時間Ts1の補正データが得
られた後は、蓄積時間をTs2（Ts2＞Ts1）にして
同じことを繰返し、得られた補正データをオフセ
ツト・メモリ７とゲイン・メモリ９に入力す
る。
られた後は、蓄積時間をTs2（Ts2＞Ts1）にして
同じことを繰返し、得られた補正データをオフセ
ツト・メモリ７とゲイン・メモリ９に入力す
る。
低照度での動作は蓄積時間Ts2（＞Ts1）で動作
を行なつている。この場合、オフセツト・メモリ
７とゲイン・メモリ９を使用している。
を行なつている。この場合、オフセツト・メモリ
７とゲイン・メモリ９を使用している。
Ａ／Ｄ変換器３によりＡ／Ｄ変換されたデータ
はコンパレータ１７に入力され、出力が一定値以
上かどうかを判定し、一定値以上の時にコンパレ
ータ１７はカウンタ１８に出力する。カウンタ１
８からの出力は二次元固体撮像素子の出力が一定
値以上の画素数を示しており、この出力が一定値
以上であれば二次元固体撮像素子の出力が飽和し
たものと判定することができる。
はコンパレータ１７に入力され、出力が一定値以
上かどうかを判定し、一定値以上の時にコンパレ
ータ１７はカウンタ１８に出力する。カウンタ１
８からの出力は二次元固体撮像素子の出力が一定
値以上の画素数を示しており、この出力が一定値
以上であれば二次元固体撮像素子の出力が飽和し
たものと判定することができる。
今、入射光が急増してカウンタ出力が一定値に
達した場合、マイクロプロセツサ１６は蓄積時間
を切替えてTs1にし、同時にマルチプレクサ１
０，１１に切替信号を送つてオフセツト・メモリ
７及びゲイン・メモリ９を選択する。それに
より、過大な入力に対しても出力が飽和すること
なく、しかも画質が劣化することのない撮像動作
が得られる。
達した場合、マイクロプロセツサ１６は蓄積時間
を切替えてTs1にし、同時にマルチプレクサ１
０，１１に切替信号を送つてオフセツト・メモリ
７及びゲイン・メモリ９を選択する。それに
より、過大な入力に対しても出力が飽和すること
なく、しかも画質が劣化することのない撮像動作
が得られる。
以上に示したことから明らかなように、本実施
例によれば、固体撮像素子の出力に画素毎のオフ
セツトと感度のバラツキがある場合においても、
大きく変化する入射光に対して常に得られる信号
値が一定範囲になるように感度を調整できるた
め、撮像装置の高性能が可能になる。
例によれば、固体撮像素子の出力に画素毎のオフ
セツトと感度のバラツキがある場合においても、
大きく変化する入射光に対して常に得られる信号
値が一定範囲になるように感度を調整できるた
め、撮像装置の高性能が可能になる。
本発明によれば、固体撮像素子の出力が画素毎
にオフセツトと感度のバラツキがある場合でも、
画質を劣化することなしに、入射光量の変化に従
つて受光感度を切替えることができ、高感度で高
ダイナミツクレンジの撮像動作が得られ、撮像装
置の高性能化に著効がある。
にオフセツトと感度のバラツキがある場合でも、
画質を劣化することなしに、入射光量の変化に従
つて受光感度を切替えることができ、高感度で高
ダイナミツクレンジの撮像動作が得られ、撮像装
置の高性能化に著効がある。
第１図は本発明の概念図、第２図は本発明の実
施例の回路図、第３図は固体撮像素子の入力部を
示す断面図、第４図は従来例の波形図、第５図は
固体撮像素子の入力部の平面図、第６図はブルー
ミング現象の説明図、第７図Ａ，Ｂはオフセツト
のバラツキの影響を説明する図。 主なる符号、１…二次元固体撮像素子、４…減
算器、５…除算器、６…オフセツト・メモリ、
７…オフセツト・メモリ、８…ゲイン・メモリ
、９…ゲイン・メモリ。
施例の回路図、第３図は固体撮像素子の入力部を
示す断面図、第４図は従来例の波形図、第５図は
固体撮像素子の入力部の平面図、第６図はブルー
ミング現象の説明図、第７図Ａ，Ｂはオフセツト
のバラツキの影響を説明する図。 主なる符号、１…二次元固体撮像素子、４…減
算器、５…除算器、６…オフセツト・メモリ、
７…オフセツト・メモリ、８…ゲイン・メモリ
、９…ゲイン・メモリ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数の画素と、該各画素に発生する電荷の転
送手段を有する固体撮像素子１が用いられ、撮像
時の入射光量の変化に従つて蓄積時間をフレーム
毎に切替える手段２１を備える撮像装置におい
て、 (a) 蓄積時間の個数分用意され、前記固体撮像素
子１の画素毎の出力のオフセツトと感度の補正
データを収納するためのメモリ２５と、 (b) 補正データの入力時に、蓄積時間を順次切替
えることにより、各蓄積時間に対する補正デー
タを前記メモリ２５に収納する手段２２と、 (c) 撮像時において、前記蓄積時間をフレーム毎
に切替える手段２１の切替えに応じて前記メモ
リ２５に収納された補正データを読出す手段２
４と、 (d) 該読出された補正データを用いて撮像データ
を補正する手段２３、 の(a)〜(d)を含むことを特徴とする撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60095262A JPS61253978A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60095262A JPS61253978A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61253978A JPS61253978A (ja) | 1986-11-11 |
| JPH0446503B2 true JPH0446503B2 (ja) | 1992-07-30 |
Family
ID=14132847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60095262A Granted JPS61253978A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61253978A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050212936A1 (en) * | 2004-03-25 | 2005-09-29 | Eastman Kodak Company | Extended dynamic range image sensor with fixed pattern noise reduction |
| JP6253272B2 (ja) * | 2013-06-18 | 2017-12-27 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、信号処理方法、プログラム、および、記憶媒体 |
-
1985
- 1985-05-02 JP JP60095262A patent/JPS61253978A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61253978A (ja) | 1986-11-11 |
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