JPH0446527A - Controlling method for current of harmonic wave suppressor - Google Patents
Controlling method for current of harmonic wave suppressorInfo
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- JPH0446527A JPH0446527A JP2152414A JP15241490A JPH0446527A JP H0446527 A JPH0446527 A JP H0446527A JP 2152414 A JP2152414 A JP 2152414A JP 15241490 A JP15241490 A JP 15241490A JP H0446527 A JPH0446527 A JP H0446527A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
本発明は系統電源の負荷電流中の高調波電流を半導体電
力変換装置(例えば電圧形ブリッジインバータ装置)を
介し、いわゆる電流瞬時値制御方式のうちの電流2値幅
制御方式(ヒステリシスコンパレータ方式ともいう)で
抑制する高調波抑制装置における出力電流の制御方法に
関する。
なお以下各図において同一の符号は同一もしくは相当部
分を示す。The present invention uses a current binary width control method (also called a hysteresis comparator method) of the so-called instantaneous current value control method to control harmonic current in the load current of a grid power supply through a semiconductor power conversion device (for example, a voltage bridge inverter device). The present invention relates to a method for controlling an output current in a harmonic suppression device that suppresses the output current. Note that in the following figures, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
第2図は従来の電流瞬時値制御方式の高調波抑制装置の
要部構成を示すブロック回路図である。
同図において、1は系統電源、2は3相の電源系統ライ
ン、IL(ILR,iLs、 ILT)はそれぞれこ
の電源系統ライン2のR相、S相、T相に流ねる系統負
荷電流、3はこの各系統負荷電流ILR。
ILS、 ILTをそれぞれ検出する電流検出器であ
る。
4は各系統負荷電流ILR,ILS、 ILTからそ
れぞれ電源系統ライン2に残存させるべきR,S。
T各相別の電流調波成分としての基本波電流11(ia
l、 ibL 1cl)を取り出す3和尚調波演算
回路である。なおこの3和尚調波演算回路4は演算方法
の指定により一般的には所望の任意の高調波成分をも取
り出すことができる。
5 (5a、5b、5c )はそれぞれR,S、T各相
別の加算器で、それぞれ基本波電流i al、 i
bLiclから系統負荷電流ILR,ILS、 IL
Tを差し引いてこの系統負荷電流I LR,I LS、
I LTから取り除くべき(抑制すべき)高調波電
流を高調波電流指令i ”(i a”、 i b”、
i c”)として出力する。
8はこの電流指令ia”、 tb“、ic”にそれぞ
れ相当するR、S、T各相別の高調波電流(変換装置出
力電流という) i (ia、 ib、 ic)を出
力して電源系統ライン2の各相R,S、Tに系統負荷電
流ILR,ILS、 ILT内の高調波電流を相殺す
るようにそれぞれ注入する。この例では電圧型ブリッジ
インバータとしての半導体変換装置である。
9はこの半導体変換装置8の出力電流1(ia。
ib、ic)をそれぞれ検出する電流検出器、6 (6
a、 6 b、 6 c)はそれぞれ高調波電流指令i
a”、 i b”、 i c”と変換装置出力電流i
a、ib、icとの差としての偏差電流Δi(Δia、
Δib、Δic)を取り出す加算器、
7 (7a、7b、7c)はそれぞれ偏差電流Δfa。
Δib、Δicが所定の許容範囲(例えば定格電流の±
1%)に納まるように、基準偏差設定器10によって設
定された所定の基準偏差εlと比較して半導体変換装置
8へ2値のコンパレータ出力11を与える比較装置(C
Pとも略記する)である。
この各比較装置7、例えば7aは偏差電流Δiaを前記
基準偏差ε1から作られた正の基準偏差+εlと比較す
る図外の比較器、および同じく偏差it流Δiaを前記
基準偏差ε1から作られた負の基準偏差−ε1と比較す
る図外の比較器からなり、変換装置出力電流iaが減少
して偏差電流Δiaが前記の正基準偏差+ε1を上回る
と、前記半導体変換装置8内の図外のブリッジ結線の半
導体スイッチング素子のR相に対応する上側アームをオ
ン(下側アームをオフ)すべき旨のコンパレータ出力1
1を出力しくこのとき電源系統ライン2のR相へは半導
体変換装置8内の図外の直流電源の電圧が正電圧として
印加される。)、変換装置出力電流iaを増大方向へ切
り換える。
逆に変換装置出力電流iaの増加によって偏差電流ia
が前記の負基準偏差−ε1を下回ると、前記比較装置7
aは前記ブリッジ結線の上側アームをオフ(下側アーム
をオン)すべき旨のコンパレータ出力11を出力しくこ
のとき電源系統ライン2のR相へは半導体変換装置8内
の図外の直流電源の電圧が負電圧として印加される。)
、変換装置出力電流iaを減少方向へ切り換える。
このようにして偏差電流Δiaが基準偏差±ε1(この
基準偏差の範囲を2値幅ともいう)内に納まるようにい
わゆる電流の2値幅制御が行われる。
なお比較装置7b、7Cの動作も比較器7aと同様であ
る。また前記の例では正と負の基準偏差上ε1.−ε1
の絶対値が等しいが一般的には等しくなければならぬ必
要はない。FIG. 2 is a block circuit diagram showing the main part configuration of a conventional harmonic suppression device using an instantaneous current value control method. In the figure, 1 is the system power supply, 2 is the 3-phase power system line, IL (ILR, iLs, ILT) is the system load current flowing in the R phase, S phase, and T phase of this power system line 2, and 3 is the load current ILR of each system. This is a current detector that detects ILS and ILT. 4 are R and S that should be left in the power supply system line 2 from each system load current ILR, ILS, and ILT, respectively. Fundamental wave current 11 (ia
This is a three-way harmonic calculation circuit that extracts 1, ibL 1cl). Note that this triad harmonic calculation circuit 4 can generally extract any desired harmonic component by specifying the calculation method. 5 (5a, 5b, 5c) are adders for each phase of R, S, and T, respectively, and the fundamental wave currents i al and i
System load current ILR, ILS, IL from bLicl
By subtracting T, this system load current I LR, I LS,
The harmonic current that should be removed (suppressed) from the ILT is determined by the harmonic current command i ” (i a , i b ”,
8 is the harmonic current for each phase of R, S, and T corresponding to the current commands ia", tb", and ic (referred to as converter output current) i (ia, ib, ic) and injected into each phase R, S, and T of the power system line 2 so as to cancel out the harmonic currents in the system load currents ILR, ILS, and ILT. In this example, the semiconductor conversion device is a voltage type bridge inverter. 9 is a current detector that detects the output current 1 (ia, ib, ic) of this semiconductor conversion device 8, respectively; 6 (6
a, 6 b, 6 c) are each harmonic current command i
a”, i b”, i c” and converter output current i
Deviation current Δi (Δia,
7 (7a, 7b, 7c) are deviation currents Δfa, respectively. Δib, Δic are within a predetermined tolerance range (for example, ± of the rated current)
1%), a comparison device (C
(also abbreviated as P). Each of the comparators 7, for example 7a, is a comparator (not shown) that compares the deviation current Δia with a positive standard deviation +εl created from the standard deviation ε1, and also a comparator (not shown) that compares the deviation current Δia with a positive standard deviation +εl created from the standard deviation ε1. It consists of a comparator (not shown) that compares with the negative standard deviation -ε1, and when the converter output current ia decreases and the deviation current Δia exceeds the positive standard deviation +ε1, the Comparator output 1 indicating that the upper arm corresponding to the R phase of the bridge-connected semiconductor switching element should be turned on (the lower arm should be turned off)
At this time, the voltage of a DC power supply (not shown) in the semiconductor conversion device 8 is applied as a positive voltage to the R phase of the power supply system line 2. ), the converter output current ia is switched in the increasing direction. Conversely, due to an increase in the converter output current ia, the deviation current ia
is less than the negative standard deviation -ε1, the comparator 7
a outputs a comparator output 11 indicating that the upper arm of the bridge connection should be turned off (the lower arm should be turned on). The voltage is applied as a negative voltage. )
, switches the converter output current ia in the decreasing direction. In this way, so-called binary current width control is performed so that the deviation current Δia falls within the standard deviation ±ε1 (the range of this standard deviation is also referred to as a binary width). Note that the operations of the comparators 7b and 7C are also similar to that of the comparator 7a. Also, in the above example, the positive and negative standard deviations are ε1. −ε1
The absolute values of are equal, but in general there is no need for them to be equal.
1)第1発明について:
従来の電流瞬時値制御方式の高調波抑制装置では前述の
ように比較装置7における比較器の基準となる正基準偏
差+εl、負基準偏差−ε1の2値は、変換装置8の容
量及び半導体のスイッチング周波数などから決定される
固定値として設定されていた。このため系統負荷電流が
軽負荷となったときは、その時の電流指令ビの大きさも
小さくなるためこの小さくなった電流指令げに対する基
準偏差ε1の割合が大きくなり、その為、電流指令i*
の大きさによって電流指令11に対する変換装置出力電
流iの波形追従性が悪化するという問題点があった。
そこでこの第1発明の課題は電流指令の大小にかかわら
ず、良好な波形追従性を得ることができる高調波抑制装
置の電流制御方法を提供することにある。
2)第2発明について:
また系統電源の軽負荷時には抑制すべき高調波電流の大
きさも小さくなり、半導体変換装置8内の半導体スイッ
チング素子のオン、オフによって偏差電流Δiが基準偏
差(電流2値幅)±ε1に到達する時間も短かくなり、
コンパレータ出力11の切り換わりの周波数(半導体ス
イッチング素子のスイッチング周波数)が増大し、結果
的に半導体スイッチング素子に附加されたスナバ回路の
損失が過大になるという問題があった。
そこで本第2発明の課題はこの問題を解消できる高調波
抑制装置の電流制御方法を提供することを課題とする。1) Regarding the first invention: In the conventional current instantaneous value control type harmonic suppression device, as described above, the two values of positive reference deviation +εl and negative reference deviation -ε1, which are the standards of the comparator in the comparator 7, cannot be converted. It was set as a fixed value determined from the capacitance of the device 8 and the switching frequency of the semiconductor. Therefore, when the system load current becomes a light load, the magnitude of the current command Bi at that time also becomes small, so the ratio of the standard deviation ε1 to this small current command becomes large, and therefore, the current command i*
There is a problem in that the waveform followability of the converter output current i with respect to the current command 11 deteriorates depending on the magnitude of the current command 11. Therefore, an object of the first invention is to provide a current control method for a harmonic suppression device that can obtain good waveform followability regardless of the magnitude of the current command. 2) Regarding the second invention: Also, when the power supply is lightly loaded, the magnitude of the harmonic current to be suppressed becomes small, and the deviation current Δi changes to the standard deviation (current binary width) by turning on and off the semiconductor switching element in the semiconductor converter 8. ) The time to reach ±ε1 is also shorter,
There is a problem in that the switching frequency of the comparator output 11 (the switching frequency of the semiconductor switching element) increases, and as a result, the loss of the snubber circuit added to the semiconductor switching element becomes excessive. Therefore, an object of the second invention is to provide a current control method for a harmonic suppression device that can solve this problem.
前記の課題を解決するために、系統電源(1など)の負
荷電流(IL(ILR,ILS、 ILT)など)に
含まれる高調波電流(高調波電流指令i ”(i a”
。
1 b”+ I C”)など)を検出する手段(電流検
出器3゜3相高調波演算回路4.加算器5など)と、半
導体スイッチング素子を介しこの検出された高調波電流
に等しい電流(i (ia、 ib、 ic)など、以
下変換装置出力電流という)を発生して前記系統電源に
前記高調波電流を打ち消すように注入する電力変換装置
であって、(加算器6 (6a、6b。
6c)などを介して求められた)前記の検出された高調
波電流と変換装置出力電流との偏差電流(Δi(Δia
、Δib、Δic)など)が正、負の所定の許容限界値
(基準偏差±εlなど)の範囲内から逸脱しようとする
つど、比較装置7(7a、7b。
7c)のコンパレータ出力11などに基づいて)前記半
導体スイッチング素子をオンまたはオフする電力変換装
置(半導体装置8など)とを備えた高調波抑制装置にお
いて、
第1発明の方法は、
(実効値演算器21などを介して求められた)前記の検
出された高調波電流の大きさに比例した稙(基準偏差ε
2など)を、前記許容限界値へその絶対値を増加させる
ように(加算器23などを介し)加算するようにするも
のとし、
また第2発明の方法は、
(F/V変換器22などを介して求められた)前記半導
体スイッチング周波数に比例した値(基準偏差ε3など
)を、前記許容限界値へその絶対値を増加させるように
(加算器23などを介し)加算するようにするものとす
る。In order to solve the above problem, harmonic current (harmonic current command i ” (ia”
. 1b"+IC"), etc. (current detector 3, three-phase harmonic calculation circuit 4, adder 5, etc.) and a semiconductor switching element to detect a current equal to the detected harmonic current. (such as i (ia, ib, ic), hereinafter referred to as converter output current) and injects the harmonic current into the grid power supply so as to cancel the harmonic current, the power converter includes an adder 6 (6a, The deviation current (Δi (Δia
. In a harmonic suppression device comprising a power conversion device (semiconductor device 8, etc.) that turns on or off the semiconductor switching element (based on), the method of the first invention comprises: ) The standard deviation ε is proportional to the magnitude of the detected harmonic current.
2, etc.) is added to the allowable limit value (via an adder 23, etc.) so as to increase its absolute value, and the method of the second invention includes (F/V converter 22, etc.). A value (standard deviation ε3, etc.) proportional to the semiconductor switching frequency (obtained via an adder 23, etc.) is added to the allowable limit value so as to increase its absolute value (via an adder 23, etc.) shall be.
■)第1発明について:
基準偏差の大きさ(電流2値幅)を高調波電流指令の大
、小に応じ増加、減少させることで系統電源軽負荷時に
電流指令値から見た基準偏差の大きさを従来より小にし
、高調波電流指令に対する変換装置出力電源の波形追従
性を改善する。
2)第2発明について:
基準偏差の大きさを半導体変換装置のスイッチング周波
数の大、小に応じ増加、減少させることで系統電源軽負
荷時のスイッチング周波数の過昇を抑える。■) Regarding the first invention: By increasing or decreasing the size of the standard deviation (current binary width) according to the magnitude or small of the harmonic current command, the size of the standard deviation seen from the current command value when the grid power supply is lightly loaded can be changed. is made smaller than before, and the waveform followability of the converter output power source with respect to the harmonic current command is improved. 2) Regarding the second invention: By increasing or decreasing the magnitude of the standard deviation depending on whether the switching frequency of the semiconductor conversion device is large or small, an excessive rise in the switching frequency during a light load on the grid power supply is suppressed.
第1図は本発明の実施例としての高調波抑制装置の要部
構成を示すブロック図で第2図に対応するものである。
第1図においては第2図に対し系統電源lより検出した
3相の負荷電流I L(I LR。
I LS、 I LT)から系統電流内に含ま れる
高調波成分を演算した回路より求められた半導体変換装
置出力電流指令10の実効値を求めて基準偏差(電圧)
ε2として出力する実効値演算器21と、半導体変換装
置8の半導体素子のスイッチング周波数と同一となるコ
ンパレータ出力11の周波数を電圧変換して基準偏差(
電圧)ε3として出力するF/V変換器22と、基準偏
差設定器10の設定電圧としての基準偏差ε1.実効値
演算器21の出力電圧としての基準偏差ε2およびF/
V変換器22の出力電圧としての基準偏差ε3を加算し
て比較装置7 (7a、 7b、 7c)へ新たな比較
用基準偏差として与える加算器23とが新設されている
。
この場合、比較装置? (7a、 7b、 7c)の比
較器において偏差電流Δi(Δia、Δib、Δic、
)と比較される基準偏差としては正基準偏差は+(ε1
+ε2+ε3)となり負基準偏差としては−(ε1+ε
2+ε3)となる。
従って系統電源の軽負荷時には定格負荷時に比し実効値
演算器出力電圧ε2は小さくなることから、基準偏差の
絶対値εl+ε2+ε3を小にすることで、このときの
軽い電源系統負荷電流ILに対する基準偏差の割合も従
来に比し小になり、電流指令五〇に対する変換装置出力
電流iの波形追従性が改善される。
また電源軽負荷時は変換装置8の出力が電源ライン2に
与える影響度が相対的に高まることから、コンパレータ
出力11の2値の変化頻度(周波数)が増大し、F/V
変換器22の出力電圧ε3が系統電源定格負荷時に比し
て増大することで、基準偏差の絶対値εl+ε2+ε3
を大にし、コンパレータ出力11の変化頻度、従って半
導体素子のスイッチング周波数の増加を抑え、半導体ス
イッチング素子に附加されたスナバ回路の損失の過大な
増加を防ぐことができる。FIG. 1 is a block diagram showing the main structure of a harmonic suppression device as an embodiment of the present invention, and corresponds to FIG. 2. In Fig. 1, in contrast to Fig. 2, the harmonic components contained in the grid current are calculated from the three-phase load current I L (I LR, I LS, I LT) detected from the grid power supply l. Find the effective value of the semiconductor converter output current command 10 and calculate the standard deviation (voltage)
The standard deviation (
The F/V converter 22 outputs as voltage) ε3, and the standard deviation ε1. Standard deviation ε2 and F/ as the output voltage of the effective value calculator 21
An adder 23 is newly installed which adds the standard deviation ε3 as the output voltage of the V converter 22 and provides it to the comparator 7 (7a, 7b, 7c) as a new standard deviation for comparison. In this case, a comparison device? In the comparators (7a, 7b, 7c), the deviation current Δi (Δia, Δib, Δic,
), the positive standard deviation is +(ε1
+ε2+ε3), and the negative standard deviation is -(ε1+ε
2+ε3). Therefore, when the grid power supply is lightly loaded, the effective value calculator output voltage ε2 becomes smaller than when the rated load is applied, so by reducing the absolute value εl+ε2+ε3 of the standard deviation, the standard deviation for the light power system load current IL at this time can be reduced. The ratio is also smaller than in the past, and the waveform followability of the converter output current i with respect to the current command 50 is improved. In addition, when the power supply is lightly loaded, the influence of the output of the converter 8 on the power supply line 2 increases relatively, so the frequency of change of the binary values of the comparator output 11 increases, and the F/V
As the output voltage ε3 of the converter 22 increases compared to the rated load of the grid power supply, the absolute value of the standard deviation εl+ε2+ε3
It is possible to increase the frequency of change in the comparator output 11, thereby suppressing an increase in the switching frequency of the semiconductor element, and to prevent an excessive increase in the loss of the snubber circuit added to the semiconductor switching element.
電流瞬時値制御方式の高調波抑制装置において、本第1
発明によれば系統電源負荷電流に打ち消すべき高調波電
流を注入する半導体変換装置への電流指令の実効値に依
存させて電流制御2値幅(基準偏差)を変化させるよう
にしたので、特に系統電源軽負荷時における半導体変換
装置出力電流の電流指令への追従性を向上させるように
コンパレータ(比較器)動作レベルを自動修正できる。
一方、波形の追従性を向上させるということは半導体の
スイッチング周波数の上昇につながることになるが本第
2発明によれば、コンパレータ出力をF/V変換してそ
の変換電圧を基準偏差に加えるようにしたので、系統電
源軽負荷時における半導体素子のスイッチング周波数が
抑制され、スナバ回路の温度の過昇を防止することがで
きる。
このようにして系統側の負荷電流により変換装置出力電
流の波形追従性が損われることなく、常に安定な運転が
可能となる。In the harmonic suppression device using the current instantaneous value control method, this first
According to the invention, the current control binary width (standard deviation) is changed depending on the effective value of the current command to the semiconductor conversion device that injects the harmonic current to be canceled into the grid power supply load current. The comparator operating level can be automatically corrected to improve the followability of the semiconductor converter output current to the current command during light loads. On the other hand, improving the waveform followability will lead to an increase in the switching frequency of the semiconductor, but according to the second invention, the comparator output is F/V converted and the converted voltage is added to the standard deviation. As a result, the switching frequency of the semiconductor element is suppressed when the system power supply is lightly loaded, and an excessive rise in the temperature of the snubber circuit can be prevented. In this way, the waveform followability of the converter output current is not impaired by the load current on the grid side, and stable operation is always possible.
第1図は本発明の実施例としての要部構成を示すブロッ
ク図、
第2図は第1図に対応する従来のブロック図である。
1:系統電源、2:系統ライン、3,9:電流検出器、
4:3和尚調波演算回路、5 (5a、5b。
5c)、 6 (6a、6b、6c)、 23:加算
器、7(7a。
7b、7c):比較装置、8:半導体変換装置、10:
基準偏差設定器、11:コンパレータ出力、21:実効
値演算器、22:F/V変換器、I L(I LR,I
LS。
ILT):系統負荷電流、1Hial、 ibl、
1cl)二基本波電流、i ”(i a”、 i
b”、 i c”)高調波電流指令、Δi (Δia
、Δib、Δic):偏差電流、ε1.e2.t3
:基準偏差(電圧)、1(ia、ib。FIG. 1 is a block diagram showing the main configuration of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a conventional block diagram corresponding to FIG. 1. 1: System power supply, 2: System line, 3, 9: Current detector,
4: 3 Osho harmonic calculation circuit, 5 (5a, 5b. 5c), 6 (6a, 6b, 6c), 23: Adder, 7 (7a. 7b, 7c): Comparison device, 8: Semiconductor conversion device, 10:
Standard deviation setter, 11: Comparator output, 21: Effective value calculator, 22: F/V converter, I L (I LR, I
L.S. ILT): Grid load current, 1Hial, ibl,
1cl) Two fundamental currents, i ” (i a”, i
b", i c") harmonic current command, Δi (Δia
, Δib, Δic): deviation current, ε1. e2. t3
: Standard deviation (voltage), 1 (ia, ib.
Claims (1)
る手段と、 半導体スイッチング素子を介しこの検出された高調波電
流に等しい電流(以下変換装置出力電流という)を発生
して前記系統電源に前記高調波電流を打ち消すように注
入する電力変換装置であって、前記の検出された高調波
電流と変換装置出力電流との偏差電流が正、負の所定の
許容限界値の範囲内から逸脱しょうとするつど、前記半
導体スイッチング素子をオンまたはオフする電力変換装
置とを備えた高調波抑制装置において、 前記の検出された高調波電流の大きさに比例した値を、
前記許容限界値へその絶対値を増加させるように加算す
るようにしたことを特徴とする。 高調波抑制装置の電流制御方法。 2)系統電源の負荷電流に含まれる高調波電流を検出す
る手段と、 半導体スイッチング素子を介しこの検出された高調波電
流に等しい電流(以下変換装置出力電流という)を発生
して前記系統電源に前記高調波電流を打ち消すように注
入する電力変換装置であって、前記の検出された高調波
電流と変換装置出力電流との偏差電流が正、負の所定の
許容限界値の範囲内から逸脱しょうとするつど、前記半
導体スイッチング素子をオンまたはオフする電力変換装
置とを備えた高調波抑制装置において、 前記半導体スイッチング素子のスイッチング周波数に比
例した値を、前記許容限界値へその絶対値を増加させる
ように加算するようにしたことを特徴とする高調波抑制
装置の電流制御方法。[Claims] 1) Means for detecting a harmonic current included in a load current of a grid power supply, and generating a current equal to the detected harmonic current (hereinafter referred to as a converter output current) through a semiconductor switching element. A power conversion device that injects the harmonic current into the grid power supply so as to cancel it, wherein the deviation current between the detected harmonic current and the converter output current is a positive or negative predetermined allowable limit value. A harmonic suppression device comprising: a power conversion device that turns on or off the semiconductor switching element whenever the semiconductor switching element attempts to deviate from the range;
The method is characterized in that the absolute value is added to the permissible limit value so as to increase it. A current control method for a harmonic suppressor. 2) A means for detecting harmonic current included in the load current of the grid power supply, and generating a current equal to the detected harmonic current (hereinafter referred to as converter output current) through a semiconductor switching element to the grid power supply. A power converter that injects the harmonic current so as to cancel it, wherein the deviation current between the detected harmonic current and the converter output current deviates from within a predetermined positive and negative allowable limit value range. and a power conversion device that turns on or off the semiconductor switching element each time, the absolute value of which increases a value proportional to the switching frequency of the semiconductor switching element to the permissible limit value. 1. A current control method for a harmonic suppression device, characterized in that the current is added as follows.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2152414A JPH0446527A (en) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | Controlling method for current of harmonic wave suppressor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2152414A JPH0446527A (en) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | Controlling method for current of harmonic wave suppressor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0446527A true JPH0446527A (en) | 1992-02-17 |
Family
ID=15539993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2152414A Pending JPH0446527A (en) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | Controlling method for current of harmonic wave suppressor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0446527A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9240473B2 (en) | 2007-03-23 | 2016-01-19 | Cree, Inc. | High temperature performance capable gallium nitride transistor |
| US9419124B2 (en) | 2001-07-24 | 2016-08-16 | Cree, Inc. | Insulating gate AlGaN/GaN HEMT |
| CN110829432A (en) * | 2019-10-14 | 2020-02-21 | 北京精密机电控制设备研究所 | Amplitude limiting method of APF |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP2152414A patent/JPH0446527A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9419124B2 (en) | 2001-07-24 | 2016-08-16 | Cree, Inc. | Insulating gate AlGaN/GaN HEMT |
| US9240473B2 (en) | 2007-03-23 | 2016-01-19 | Cree, Inc. | High temperature performance capable gallium nitride transistor |
| CN110829432A (en) * | 2019-10-14 | 2020-02-21 | 北京精密机电控制设备研究所 | Amplitude limiting method of APF |
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