JPH044695B2 - - Google Patents
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- JPH044695B2 JPH044695B2 JP58017926A JP1792683A JPH044695B2 JP H044695 B2 JPH044695 B2 JP H044695B2 JP 58017926 A JP58017926 A JP 58017926A JP 1792683 A JP1792683 A JP 1792683A JP H044695 B2 JPH044695 B2 JP H044695B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01K—ELECTRIC INCANDESCENT LAMPS
- H01K1/00—Details
- H01K1/50—Selection of substances for gas fillings; Specified pressure thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ハロゲン電球の製造方法に関するも
のである。
のである。
従来例の構成とその問題点
臭素または塩素を用いたハロゲン電球を作る場
合、ガラス管内に酸素が残存すると短寿命とな
る。
合、ガラス管内に酸素が残存すると短寿命とな
る。
従つて、極力、電球内から酸素を取り除く必要
がある。従来、一般には、排気工程の途中でガラ
ス管内に水素を数パーセント含む不活性ガスを封
入し、ガラス管を外部からバーナ等により加熱す
るとともに、フイラメントを点灯し、それらの熱
によつてガラス管内の金属材料を還元する方法が
とられていた。しかし、このような方法では十分
にガラス管内の金属材料を還元することができな
いため、ガラス管内に酸素が残存することとな
り、短寿命が発生する原因となつていた。
がある。従来、一般には、排気工程の途中でガラ
ス管内に水素を数パーセント含む不活性ガスを封
入し、ガラス管を外部からバーナ等により加熱す
るとともに、フイラメントを点灯し、それらの熱
によつてガラス管内の金属材料を還元する方法が
とられていた。しかし、このような方法では十分
にガラス管内の金属材料を還元することができな
いため、ガラス管内に酸素が残存することとな
り、短寿命が発生する原因となつていた。
発明の目的
本発明はこのような問題を解決するもので、ガ
ラス管内に酸素を残存させず、長寿命のハロゲン
電球を得ることのできる製造方法を提供するもの
である。
ラス管内に酸素を残存させず、長寿命のハロゲン
電球を得ることのできる製造方法を提供するもの
である。
発明の構成
本発明は、排気工程中でガラス管内に不活性ガ
スとジボランを含むガスを封入することにより、
ガラス管内の金属材料の酸化物をジボランによつ
て還元するようにしたものである。
スとジボランを含むガスを封入することにより、
ガラス管内の金属材料の酸化物をジボランによつ
て還元するようにしたものである。
実施例の説明
以下本発明の一実施例を図面を参照して説明す
る。
る。
図は一般照明に用いる100V500Wの一端形のハ
ロゲン電球であつて、１は石英などからなるガラ
ス管、２は封止部、３はガラス管１の内部に設け
られた２重コイル形のタングステンからなるフイ
ラメント、４および５は内部導入線、６はフイラ
メント支持線をそれぞれ示す。フイラメント支持
線６と内部導入線４および５は、それらの基部を
加熱加工によつてガラス製の棒状体７に埋込んで
ある。８および９はモリブデン箔、１０および１
１は外部導入線である。
ロゲン電球であつて、１は石英などからなるガラ
ス管、２は封止部、３はガラス管１の内部に設け
られた２重コイル形のタングステンからなるフイ
ラメント、４および５は内部導入線、６はフイラ
メント支持線をそれぞれ示す。フイラメント支持
線６と内部導入線４および５は、それらの基部を
加熱加工によつてガラス製の棒状体７に埋込んで
ある。８および９はモリブデン箔、１０および１
１は外部導入線である。
このような構成のハロゲン電球において、ガラ
ス製の棒状体７にフイラメント支持線６、内部導
入線４および５を加熱加工によつて埋込む際にフ
イラメント支持線６、内部導入線４および５が酸
化することが多い。その酸化は、化学研摩や電解
研摩によつて取り除かれるが、完全に取り除くこ
とは困難である。このような酸化を残したまま封
止、排気を行い、封入ガスとして不活性ガスとと
もに微量のハロゲン化合物を封入しハロゲン電球
を完成させた場合、このハロゲン電球は早期黒化
を起したり、短寿命となつたりする。
ス製の棒状体７にフイラメント支持線６、内部導
入線４および５を加熱加工によつて埋込む際にフ
イラメント支持線６、内部導入線４および５が酸
化することが多い。その酸化は、化学研摩や電解
研摩によつて取り除かれるが、完全に取り除くこ
とは困難である。このような酸化を残したまま封
止、排気を行い、封入ガスとして不活性ガスとと
もに微量のハロゲン化合物を封入しハロゲン電球
を完成させた場合、このハロゲン電球は早期黒化
を起したり、短寿命となつたりする。
これらの問題を解決するためには、ガラス管内
に残留する酸素をガラス管外に取り除く必要があ
る。
に残留する酸素をガラス管外に取り除く必要があ
る。
前述したとおり、一般には、排気工程中でガラ
ス管内に水素を数パーセント含む不活性ガスを封
入し、ガラス管を外部からバーナ等により加熱す
るとともにフイラメントを点灯し、それらの熱に
よつてガラス管内の金属材料を還元しようとする
方法がとられていたが、ガラス管内の酸化してい
る金属材料を水素で還元するにはそれらの金属材
料を1000℃以上の温度にする必要がある。しか
し、実際にはフイラメント以外の金属材料を1000
℃以上に加熱することは困難である。
ス管内に水素を数パーセント含む不活性ガスを封
入し、ガラス管を外部からバーナ等により加熱す
るとともにフイラメントを点灯し、それらの熱に
よつてガラス管内の金属材料を還元しようとする
方法がとられていたが、ガラス管内の酸化してい
る金属材料を水素で還元するにはそれらの金属材
料を1000℃以上の温度にする必要がある。しか
し、実際にはフイラメント以外の金属材料を1000
℃以上に加熱することは困難である。
そこで、もつと低い温度で酸化を除去する方法
について検討を行つた。
について検討を行つた。
発明者は、まず排気工程中で不活性ガスに微量
の臭化メチレンを加えたガスを封入し、その封入
ガス中でフイラメントを点灯することを検討し
た。臭化メチレンは熱を加えると分解し、炭素と
臭化水素となる。さらに高温になると、臭化水素
は分解して水素と臭素に別れる。この臭素が酸化
タングステンと化合すると、オキシ臭化タングス
テンとなる。オキシ臭化タングステンは蒸発温度
が低く、フイラメントからの熱およびガラス管の
外部からのバーナ等による熱によつて容易に蒸発
するので、排気工程中にガラス管外に排気するこ
とが可能であると考えられた。しかし、実際に試
作検討を行つてみると、期待通りに行かないこと
が判明した。その原因は臭化メチレンの分解によ
つてできた臭化水素がほとんど分解しないため、
酸化タングステンを蒸発させるに必要な臭素が十
分得られないことによることが判明した。
の臭化メチレンを加えたガスを封入し、その封入
ガス中でフイラメントを点灯することを検討し
た。臭化メチレンは熱を加えると分解し、炭素と
臭化水素となる。さらに高温になると、臭化水素
は分解して水素と臭素に別れる。この臭素が酸化
タングステンと化合すると、オキシ臭化タングス
テンとなる。オキシ臭化タングステンは蒸発温度
が低く、フイラメントからの熱およびガラス管の
外部からのバーナ等による熱によつて容易に蒸発
するので、排気工程中にガラス管外に排気するこ
とが可能であると考えられた。しかし、実際に試
作検討を行つてみると、期待通りに行かないこと
が判明した。その原因は臭化メチレンの分解によ
つてできた臭化水素がほとんど分解しないため、
酸化タングステンを蒸発させるに必要な臭素が十
分得られないことによることが判明した。
臭素の量を多くする目的で、封入ガス中の臭化
メチレンの量を増加したところ、酸化タングステ
ンを蒸発させることに対しては望ましい方向に進
んだが、臭化メチレンが分解したときに出る炭素
がフイラメントに付着し、フイラメントをぜい化
させたり、管壁黒化を起し、実用に供することが
できなかつた。
メチレンの量を増加したところ、酸化タングステ
ンを蒸発させることに対しては望ましい方向に進
んだが、臭化メチレンが分解したときに出る炭素
がフイラメントに付着し、フイラメントをぜい化
させたり、管壁黒化を起し、実用に供することが
できなかつた。
臭素の炭化水素を用いず、不活性ガス中に臭素
を封入した封入ガスの場合には、十分、酸化タン
グステンを蒸発させることが可能であつたが、排
気機が臭素に侵食されるため、実用に供すること
ができなかつた。
を封入した封入ガスの場合には、十分、酸化タン
グステンを蒸発させることが可能であつたが、排
気機が臭素に侵食されるため、実用に供すること
ができなかつた。
そこで、発明者は、臭素を用いずに酸化タング
ステンを還元する方法について検討した。
ステンを還元する方法について検討した。
排気工程中でガラス管内に封入するガスとし
て、窒素、アルゴンまたはそれらの混合ガスから
なる不活性ガスとともに、微量のジボランを用い
る検討を行つた。ジボランはガラス管内のフイラ
メントを点灯すると、その熱によつて容易に分解
し、BHと水素となる（（）式）。
て、窒素、アルゴンまたはそれらの混合ガスから
なる不活性ガスとともに、微量のジボランを用い
る検討を行つた。ジボランはガラス管内のフイラ
メントを点灯すると、その熱によつて容易に分解
し、BHと水素となる（（）式）。
B2H6→2BH＋2H2 ……（）
BHが酸素や酸化タングステンに会うと化合し
て一酸化ほう素となる（（）式）。
て一酸化ほう素となる（（）式）。
2BH＋WO2→Ｗ＋2BO＋H2 ……（）
一酸化ほう素は不活性ガスとともにガラス管外
に排気される。
に排気される。
臭化水素の場合には臭素と水素の結合が強いた
め、酸化タングステンを還元することができない
が、ほう素と水素の化合物（BH）は、ほう素と
酸素の親和力が強いため、水素との結合がきれ、
ほう素はタングステンから酸素をうばつて酸化ほ
う素となるので、酸化タングステンを還元するこ
とができる。
め、酸化タングステンを還元することができない
が、ほう素と水素の化合物（BH）は、ほう素と
酸素の親和力が強いため、水素との結合がきれ、
ほう素はタングステンから酸素をうばつて酸化ほ
う素となるので、酸化タングステンを還元するこ
とができる。
ジボランの不活性ガス中への封入量について実
験した結果、0.1容量％より少ない量ではガラス
管内の酸化物が取り切れず、早期黒化を起した
り、短寿命となるハロゲン電球が発生した。ま
た、2.5容量％より多い場合には、タングステン
フイラメントの中にほう素が拡散する量が多くな
りすぎ、フイラメントサグ等の問題を生じ好まし
くなかつた。
験した結果、0.1容量％より少ない量ではガラス
管内の酸化物が取り切れず、早期黒化を起した
り、短寿命となるハロゲン電球が発生した。ま
た、2.5容量％より多い場合には、タングステン
フイラメントの中にほう素が拡散する量が多くな
りすぎ、フイラメントサグ等の問題を生じ好まし
くなかつた。
発明の効果
以上説明したように、本発明はガラス管内に酸
素が残存せず、長寿命のハロゲン電球を得ること
のできる製造方法を提供することができるもので
ある。
素が残存せず、長寿命のハロゲン電球を得ること
のできる製造方法を提供することができるもので
ある。
図は本発明にかかるハロゲン電球の一例を示す
正面図である。 １……ガラス管、３……フイラメント、４，５
……内部導入線、６……フイラメント支持線、７
……棒状体。
正面図である。 １……ガラス管、３……フイラメント、４，５
……内部導入線、６……フイラメント支持線、７
……棒状体。
Claims (1)
- １ ハロゲン電球の排気工程において、ガラス管
内に窒素、アルゴンまたはそれらの混合ガスにジ
ボランを含むガスを封入し、前記ガラス管内の金
属材料をフイラメントの点灯により加熱するとと
もに、前記ガラス管の外部から加熱して、前記ガ
ラス管内の金属材料の酸化物を前記ジボランによ
つて還元し、生成した酸化物を前記ガラス管外に
排気したのち、前記ガラス管内に不活性ガスおよ
びハロゲン化合物からなるガスを封入することを
特徴とするハロゲン電球の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58017926A JPS59143236A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | ハロゲン電球の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58017926A JPS59143236A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | ハロゲン電球の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59143236A JPS59143236A (ja) | 1984-08-16 |
| JPH044695B2 true JPH044695B2 (ja) | 1992-01-29 |
Family
ID=11957370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58017926A Granted JPS59143236A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | ハロゲン電球の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59143236A (ja) |
-
1983
- 1983-02-04 JP JP58017926A patent/JPS59143236A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59143236A (ja) | 1984-08-16 |
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