JPH0447548A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザービームと外部磁界を用いて、反転磁
区のビットを形成することによって、情報の記録を行い
、偏光されたレーザービームによって、磁気光学効果を
利用し、情報の読み出しを行う光磁気記録媒体に関する
。

〔従来の技術〕

消去可能な光メモリとして、光磁気メモリが知られてい
る。光磁気メモリは、従来の磁気ヘッドを使った磁気記
録媒体と比べて高密度記録、非接触での記録再生などが
可能であるという長所がある反面、記録前に一度記録部
分を消去しなければならない（一方向に着磁しなければ
ならない）という欠点があつた。この欠点を補う為に、
記録再生用ヘッドと消去用ヘッドを別々に設ける方式、
あるいは、特殊な交換結合二層膜と初期化用磁界を用い
たレーザーパワー変調オーバーライド方式などが提案さ
れている。

しかし、これらの方法は、装置が大がかりとなり、コス
ト高になるという欠点、あるいは大出力半導体レーザー
が必要で、またビットエツジ記録が困難であるという欠
点などを有する。

そこで、レーザーの連続ビームを照射しつつ、同時に印
加する磁界を変調しながら記録する磁界変調オーバーラ
イド方式が提案されている。

〔発明が解決しようとしている問題点〕磁界変調オーバ
ーライド方式では、大きな磁界を高速で変調することが
できない。したがって、小さな磁界でもオーバーライド
できる媒体が望まれる。

低キユリー温度を有する高保磁力層と、高キュリー温度
を有する低保磁力層から成る交換結合二層膜は、高感度
と高いＣＮ（キャリア対ノイズ）比とが両立した優れた
媒体であるが、室温とキュリー温度との間に補償温度を
有する希土類副格子磁化優勢な希土類−鉄族非晶質合金
の高保磁力層と、鉄族副格子磁化優勢な希土類−鉄族非
晶質合金の低保磁力層とから成る通常の交換結合二層膜
では、オーバーライド磁界が大きく、磁界変調オーバー
ライド方式用媒体としては適当ではなかった。

本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、磁界
変調オーバーライド方式に用いるのに適した光磁気記録
媒体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の上記目的は、垂直磁化可能な第１の磁性層と、
該第１の磁性層よりも高いキュリー温度および低い保磁
力を持つ第２の磁性層とを有し、これら第１の磁性層と
第２の磁性層とが交換結合して成る光磁気記録媒体にお
いて、前記第１の磁性層を、室温とそのキュリー温度と
の間に補償温度を有さない、希土類副格子磁化優勢な希
土類鉄族非晶質合金から形成し、且つ、前記第２の磁性
層が、鉄族副格子磁化優勢な希土類−鉄族非晶質合金か
ら形成することによって達成される。

前記第１の磁性層は、以下の組成を有する合金から形成
されるのが望ましい。

（（Ｔｂ、。。−Ｄｙ、） （Ｆｅ１００−Ｃｏｙ　）　）　１００−ｔ　Ｃｒ。

Ｏ≦Ｘ≦１００．０≦ｙ≦４０，０≦２≦１０第１の磁
性層として、このような材料を用いると、特に記録特性
や記録情報の安定性が優れたものとなる。

また、前記第２の磁性層は、以下の組成を有する合金か
ら形成されるのが望ましい。

（Ｇｄ　　（Ｆ’ｅ　、、。−、−Ｃｏ、−）　）　ｔ
ｏｏ−ｔ・ｃ　ｒ。

ただし、０≦ｙ゛≦５０，０≦２°≦１０第２の磁性層
として、このような材料を用いると、特に読み出し特性
が高いものとなる。

〔実施例〕

以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。

第１図は、本発明の光磁気記録媒体に一実施例を示す略
断面図である。第１図において、１はガラス、プラスチ
ックなどから形成される透明基板である。この基板１上
には、第１の保護層２、第２の磁性層３、第１の磁性層
４および第２の保護層５が、スパッタリング等によって
、順次形成されている。更に、第２の保護層５上には、
接着剤６によって、裏打ち用ダミー基板７が貼り合わさ
れている。このダミー基板７は、基板１と同様の材料が
用いられる。また、接着剤としては、ポットメルト接着
剤が適している。

第１の磁性層（以下、高保磁力層と記す）４は、垂直磁
化可能であり、比較的低いキュリー温度と、室温におけ
る、比較的高い保磁力とを有している。この高保磁力層
４は、室温とそのキュリー温度との間に補償温度を有さ
ない、希土類副格子磁化優勢な希土類−鉄族非晶質合金
から形成されている。

第２の磁性層（以下、低保磁力層と記す）３は、高保磁
力層４よりも高いキュリー温度および室温における低い
保磁力を有している。この低保磁力層３の材料としては
、鉄族副格子磁化優勢な、希土類−鉄族非晶質合金が用
いられる。また、この低保磁力層３は、高保磁力層４と
、互いに交換結合している。

保護層２および５は、第１および第２の磁性層への酸素
、水分の侵入を防ぎ、磁性層の酸化を防止するためのも
のである。このような保護層は、Ｓｉｘ　Ｎ４　、Ｓｉ
Ｏ２，ＳｉＣなどの誘導体から形成される。

上記のように構成された記録媒体において、情報の記録
および再生は、基板１側から、磁性層にレーザービーム
を照射することによって行われる。この際、保護層２は
、ビームに対する反射防止層としての働きも示す。

次に、上記磁性層の材料に関し、更に詳細に説明する。

前述の高保磁力層４の材料としては、保磁力を高くする
ために、希土類として非Ｓ状態元素であるＴｂやＤｙを
用いた、ＴｂＤｙ−Ｆ　ｅ　Ｃｏ　−Ｃｒが良い。組成
としては、原子数比で、（（Ｔｂ、。。−、Ｄｙ、） （Ｆ　ｅ　１００−ｙ　　Ｃｏ、　　）　　）　　＋６
６−１　　Ｃｆ　＠と表わした時、０≦ｘ≦１００、Ｏ
≦ｙ≦４０゜０≦２≦１０の範囲が良い。膜厚としては
１００〜２０００人程度、さらに望ましくは４００〜１
０００人程度が良い。この高保磁力層のキュリー温度Ｔ
ｃと、Ｄｙの原子数比ｘＳＣｏの原子数比ｙＳＣｒの原
子数比２との間にほぼＴｃ＝１．３　（１００−ｘ）　
十ｏ、７ｘ＋（４〜６）ｙ−５２（℃） という関係が得られた。

したがって、高保磁力層のキュリー温度が所望の値にな
るように、ｘ、ｙ、ｚの値を適宜選べばよい。

光磁気メモリでは、レーザー光の熱作用を利用して情報
を記録するので、その磁性膜のキュリー温度が低いほど
記録感度が高くなる。交換結合二層磁性膜において記録
感度を決めるものは高保磁力層のキュリー温度であるの
で、高保磁力層のキュリー温度を下げれば記録感度が高
（なる。しかし、記録情報の安定性を考えると、高保磁
力層のキュリー温度はそれほどは下げられない。また、
記録情報の安定性を考える場合、室温のみならず、室温
よりもやや高い温度における安定性についても考える必
要がある。それは、光磁気メモリのドライブ装置内は、
様々な熱の発生源が存在するので、その中は５０〜６０
℃程度に温度が上昇することがあり、さらに情報の読み
出しにおいては、情報を記録しない程度の弱いレーザー
光を媒体に照射して読み出しを行うが、それでもある程
度の媒体の温度上昇は避けられないからである。また、
ドライブ装置の動作の都合上、記録・消去用のバイアス
磁界が印加された状態で読み出しをしなければならない
場合もあるためである。

したがって、５０〜６０℃程度のドライブ装置の中で、
バイアス磁界の印加のもとで、読み出し光によってさら
に媒体の温度が上昇しても、記録情報が安定である必要
がある。これらをすべて考慮すると、高保磁力層のキュ
リー温度は１５０〜’）Ｑ（１’ｆＴＬ”ｉｕｆ＋＜ｔ
ｓ＃１．Ｉハ低保磁力層３の材料としては、保磁力を低
くするために、希土類にＳ状態元素であるＧｄを用いた
、Ｇｄ−ＦｅＣｏ−Ｃｒが良い。ただし、組成としては
、原子数比で （Ｇｄ　　（Ｆ　ｅ＋＋＋ｏ−ｙ　Ｃｏｙ　）　）　ｒ
ｏｏ−ｔ　Ｃｒ。

と表わしたとき、０≦ｙ≦５０．０≦２≦１０の範囲で
、かつ高保磁力層のＣｏの組成比が低保磁力層のＣｏの
組成比よりも少なく、高保磁力層のＣｒの組成比が低保
磁力層のＣｒの組成比よりも多いものが望ましい。膜厚
としては、１００〜２０００人程度、さらに望ましくは
、２００〜６００人程度が良い。

希土類−鉄族非晶質合金薄膜の可視域の波長における磁
気光学効果は、主に鉄族元素の磁気光学効果によってい
て、室温付近における鉄族磁気モーメントはＦ　ｅ　ｙ
。Ｃｏｓ。程度の組成で最大となり、Ｃｏがそれより少
ないと鉄族磁気モーメントはかなり減少し、Ｃｏがそれ
よりも多いと鉄族磁気モーメントはやや減少する。した
がって、Ｃ。

の鉗鱈は−Ｆｅに対して３０原子％前後かそれ以上が良
い。

上記説明では、高保磁力層及び低保磁力層に適した材料
として、Ｃｏ及びＣｒを含有した合金を挙げた。以下、
この添加元素Ｃｏ及びＣｒの効果について説明する。

希土類−鉄族非晶質合金薄膜を用いた光磁気記録媒体は
、その耐久性が悪く、希土類元素の選択的酸化、磁性膜
の表面酸化、孔食などの問題があり、この点に関してさ
まざまな改善方法の提案がなされている。その一つに磁
性膜自身の耐久性を向上させることを目的とした元素添
加がある（例えば、日本応用磁気学会誌９　（１９８５
）９３）。

添加元素の例としてはＣｒ、ＡＩ、Ｔｉ、Ｎｉ。

Ｃｏ、Ｐｔなどがある。

耐久性向上のための元素添加を考えた場合、その効果だ
けを考えればＣｒが最も良いが、キュリー温度が低下し
、かつ磁気光学効果が低下する欠点がある。キュリー温
度が低下すると、記録感度は高くなるが、温度上昇に対
する記録情報の安定性が悪（なるので、不必要なキュリ
ー温度の低下は好ましくない。また、磁気光学効果の低
下は、読み出し特性が悪（なるのでやはり好ましくない
。

耐久性向上のための他の元素としてはＣＯがあるが、耐
久性の向上の効果がＣｒよりも劣る。また、磁気光学効
果は増加するものの、これはキュリー温度の上昇を伴な
い、その結果記録感度の低下をもたらす。

ＣｒとＣｏの両元素の添加を考えると、Ｃｒの添加によ
るキュリー温度の低下を、Ｃｏの添加によって防ぐこと
ができるが、キュリー温度を変わらないようにしても、
磁気光学効果はやはり低下する。

交換結合二層膜では、高保磁力層は情報の記録及び情報
の保持のみを行うので、高保磁力層はキュリー温度が適
当に低い必要があるが、読み出しには関係ないので、そ
の磁気光学効果はいくら低くても構わない。一方、低保
磁力層は情報の読み出しのみを行うので、低保磁力層は
磁気光学効果が大きい必要があるが、記録には関係ない
ので、そのキュリー温度はいくら高（でも構わない。

この点に注目して、高保磁力層では、Ｃｏを少量、Ｃｒ
を多量に添加し、磁気光学効果は低下するものの、キュ
リー温度を変化させないようにして、大きな耐久性の効
果を得るのが望ましい。この磁気光学効果の低下は、読
み出し特性に影響を与えない。

一方、低保磁力層では、ＣＯを多量に添加し、Ｃｒを少
量添加、あるいはＣｒを添加しないことにより、キュリ
ー温度は高くなるものの、磁気光学効果を低下させない
ようにして、大きな耐久性の効果を得るのが望ましい。

このキュリー温度の上昇は、記録感度に影響を与えない
。

したがって、高保磁力層のＣｏの組成比が、低保磁力層
のＣｏの組成比よりも少なく、かつ、高保磁力層のＣｒ
の組成比が、低保磁力層のＣｒの組成比よりも多いこと
が望ましい。

ただし、製造プロセスのクリーン化が進み、腐４＞ｆ−
ｉ’！ｌｊし↓コづトトスかりルーＪ、＜ぬ工今日１っ
Ａし７μ、二、ｔ−φ−１＾ば、Ｃｒの添加は必要ない
。

実」Ｌ伝」− 通常のマグネトロンスパッタリング法を用いて、第１図
に示す構成の本発明の光磁気記録媒体を作製した。基板
１及びダミー基板７には、１３０ｍｍφのディスク状ポ
リカーボネイト（ＰＣ）基板を用いた。また、接着剤６
としてはホットメルト（ＨＭ）接着剤を用いた。

保護層２及び５は、屈折率約２．２〜２．３のＳｉＮよ
り形成した。保護層２の膜厚は約５００人、保護層５の
膜厚は約７００人、膜応力は約１０〜３０ｋｇ／ｍｒｒ
ｒの圧縮応力とした。これらの保護層は、Ｓｉ３Ｎ４の
ターゲットを用い、ＡｒとＮ２の混合ガスを用いてＲＦ
スパッタリングによって形成した。屈折率はＡｒとＮ、
ガスの混合比を変えることにより制御し、膜応力はＡｒ
十Ｎ２ガスのガス圧を変えることにより制御した。上記
の屈折率と膜応力を得るためには、Ｎ２を約１％添加し
、Ａ　ｒ　十Ｎ　！ガス圧を約０．１屈折率は、２．２
より小さいと、光の干渉効果が小さく反射率が下がらず
、そのため感度が悪く、またＣＮ比も悪くなる。２．３
より大きいと、ＳｉＮに吸収が現われ、そのためＣＮ比
が悪くなる。膜応力は、１０〜３０ｋｇ／ｍｔｒ？より
小さいと、磁性層の構造緩和が大きくなり、そのため信
頼性が悪くなる。１０〜３０ｋｇ／ｍｒｒ？より大きい
と、ＰＣ基板にかかる力が大きくなり、そのためディス
クが反ってしまう。磁性層の構造緩和に対する膜応力の
影響は、保護層５よりも保護層２の方が大きい。すなわ
ち、保護層２の膜応力が小さいと構造緩和が大きいが、
保護層５の膜応力が小さくても構造緩和はあまり大きく
ない。したがって、構造緩和を小さく、かつディスクの
反りを小さくするためには、保護層２の膜応力を比較的
大きく、保護層５の膜応力を比較的小さくすることが望
ましい。

低保磁力層３は、（Ｇ　ｄ　　（Ｆ　ｅ　７０ＣＯ３１
１））９８Ｃｒ、から成り、飽和磁化は約５０〜１５０
ｅｍｕ　／　ｃ　ｇの鉄族副格子磁化優勢である。膜厚
は約４００人、膜応力は約１０〜３０　Ｋ　ｇ　／　ｍ
　ｒｒ？の圧縮応力である。この低保磁力層は、Ｇｄと
（Ｆ　ｅ　７６ＣＯｓｏ）　＊ｔＣｒ　ｓのターゲット
を用い、Ａｒガスを用いてＲＦ同時スパッタリングによ
って形成された。組成、すなわち飽和磁化はＧｄと（Ｆ
　ｅ　７０ＣＯｎｏ）　ｅｔｃ　ｒ　ｓのターゲットに
加えられるＲＦ電力を変えることにより制御し、膜応力
はＡｒガスのガス圧を変えることにより制御した。上記
の膜応力を得るためには、Ａｒガス圧を約０．１５Ｐａ
とした。

膜応力は、１０〜３０ｋｇ／ｍｒｒ？より小さいと、磁
性層の構造緩和が大きくなり、そのため信頼性が悪くな
る。１０〜３０ｋｇ／ｍｒｒ＋’より大きいと、ＰＣ基
板にかかる力が大きくなり、そのためディスクが反って
しまう。

高保磁力層４は、（Ｔｂ　−（Ｆ　ｅｓ２ｃＯａ　））
ｉｓＣｒ　４から成り、飽和磁化は約２００　＝　ｍ　
ｕ　／ｃｒｄの希土類副格子磁化優勢である。膜厚は約
４００人、膜応力は約１０〜３０Ｋｇ／ｍｒｒＩ′の圧
縮応力である。この高保磁力層はＴｂと（Ｆｅ＊２Ｃｏ
ｇ）ｏａｃｒｓのターゲットを用い、Ａｒガスを用いて
ＲＦ同時スパッタリングによって形成された。組成、す
なわち飽和磁化はＴｂと（ＦｅｅｚＣＯｓ　）　９５Ｃ
ｒ　ｓのターゲットに加えられるＲＦ電力を変えること
により制御し、膜応力はＡｒガスのガス圧を変えること
により制御した。上記の膜応力を得るためには、Ａｒガ
ス圧を約０．１５Ｐａとした。

膜応力は、１０〜３０　ｋ　ｇ　／　ｍ　ｒｒ？より小
さいと磁性層の構造緩和が太き（なり、そのため信頼性
が悪くなる。１０〜３０ｋｇ／ｍｒｒ＋’より大きいと
ＰＣ基板にかかる力が大きくなり、そのためディスクが
反ってしまう。

接着剤６を用いて、ダミー基板７を張り合わせるのは、
基板１の平面性を保つとともに、保護層、磁性層に機械
的な傷が付くのを防ぐためである。一般に、成膜直後の
ＰＣ基板の吸湿量は非常に少なく、室内に放置されてい
るＰＣ基板の吸湿量はかなり多い。したがって、成膜直
後すぐに室内に放置されているダミーＰＣ基板を張り合
わせると、ディスクＰＣ基板とダミーｐｃｓ板の吸湿量
にアンバランスが生じる。そして、その後、ディスクＰ
Ｃ基板にのみ吸湿が起るので、ディスクが反ってしまう
。そのために、成膜後のディスクＰＣ基板は２４時間程
度以上室内に放置、て、充分吸湿させた後、ダミーｐｃ
基板と張り合わせるのが望ましい。

比較の為、高保磁力層として、飽和磁化約１００　ｅ　
ｍ　ｕ　／　ｃ　ｒｄの希土類副格子磁化優勢である（
ｒｂ　　（Ｆ”ｅ、、Ｃｏａ　）　）　ｓａｃ　ｒａ膜
を用いた他は、上記実施例と同一の構成の光磁気記録媒
体を作製した。

ここで作製された光磁気記録媒体の反射率は、フラット
部において約２５％であった。光磁気記録媒体のオーバ
ーライド磁界の実験の説明を行う前に、Ｔｂ−Ｆ　ｅ　
Ｃｏ−Ｃｒの飽和磁化に対するキュリー温度と補償温度
の関係を説明する。

第２図は、上記光磁気記録媒体の高保磁力層の成膜に際
して、ＴｂとＦｅＣｏ−Ｃｒのターゲットに加えるＲＦ
電力を変えて作製した試料について、飽和磁化に対する
キュリー温度と補償温度の関係を示している。飽和磁化
は、振動試料型磁力計により、また、キュリー温度と補
償温度は、温度可変型の磁気光学カー効果測定装置によ
り測定した。

キュリー温度とは、自発副格子磁化が消失する温度であ
り、補償温度は、自発副格子磁化は存在するが、希土類
副格子磁化と鉄族副格子磁化の大きさが同じで符号が異
なり、見かけ上白発磁化が消失する温度である。飽和磁
化は、室温において定義されるので、飽和磁化がＯの組
成は、室温に補償温度を持つ組成であるといえる。

補償温度を境にして、それよりも高い温度では鉄族副格
子磁化優勢になる。したがって、室温において鉄族副格
子磁化優勢なものは、キュリー温度まで鉄族副格子磁化
優勢である。また、室温において希土類副格子磁化優勢
なものは、補償温度まで希土類副格子磁化優勢であり、
補償温度からキュリー温度までは鉄族副格子磁化優勢に
変わる。室温において希土類副格子磁化優勢であり、室
温とキュリー温度の間に補償温度を持たないものは、室
温からキュリー温度まで希土類副格子磁化優勢である。

第２図より、希土類副格子磁化優勢で飽和磁化が約１５
０　ｅ　ｍ　ｕ　／　ｒｄ以下のものは、室温とキュリ
ー温度の間に補償温度が存在し、約１５０ｅｍｕ　／　
ｃ　ｒｒ？以上のものは、補償温度が存在しない。

補償温度が存在するかしないかの境界の飽和磁化は、こ
の場合は約１５０ｅｍｕ／ｃｒｒｉであるが、これはＣ
ｏやＣｒの濃度の違いなどによって変化する。

以上より、比較例として作製した媒体の、飽和磁化約１
０１００ｅ／ｃｒｒｒの希土類副格子磁化優勢なＴｂ−
ＦｅＣｏ−Ｃｒ高保磁力層は、補償温度を持つが、本発
明の実施例である媒体の、飽和磁化２００ｅｍυ／　ｃ
　ｎｆの希土類副格子磁化優勢なＴｂ−Ｆ　ｅ　Ｃｏ−
Ｃｒ高保磁力層は、補償温度を持たない。

上記のように作製された実施例及び比較例に対し、オー
バーライドに必要な磁界の大きさを測定した。このオー
バーライド磁界の測定では、波長８３０ｎｍの半導体レ
ーザーと開口数０．５２の対物レンズを持つ評価機を用
い、ディスク回転数１．８００ｒｐｍ、半径４５ｍｍの
位置において行った。

評価の方法は、まず、−１，００００ｅのバイアス磁界
を印加しながら連続光を照射して、消去を行い、磁化を
一方向に揃える。次に、あるデバイス磁界を印加しなが
らパルス光を照射して、記録を行う。そして、その部分
を読み出し、キャリアとノイズを測定する。以上を−６
０００ｅから６００　０ｅまでのバイアス磁界について
行った結果、が第３図と第４図である。第３図は、飽和
磁化２００　ｅ　ｍ　ｕ　／　ｃ　ｇの希土類副格子磁
化優勢な、補償温度を持たないＴｂ−ＦｅＣｏ−Ｃｒ高
保磁力層を有する本発明の媒体に関する結果である。一
方、第４図は、飽和磁化約１０１００ｅ／ｃｒＴＩ′の
希土類副格子磁化優勢な、補償温度を持つＴｂ−ＦｅＣ
ｏ−Ｃｒ高保磁力層を有する比較例である。図中、Ｃは
キャリア、Ｎはノイズを示す。

第４図では、−４０００ｅ程度からキャリアが立ち上が
り、２００　０ｅ程度で飽和している。このことは、オ
ーバーライドのためには±４００　０ｅ以上の磁界を必
要とすることを示している。一方、第３図では、−３０
００ｅ程度からキャリアが立ち上がり、２００　０ｅ程
度で飽和している。このことは、オーバーライドのため
には±３００　０ｅ以上の磁界でよいことを示している
。すなわち、本発明の交換結合二層膜を用いることによ
り、オーバーライド磁界を低減できる効果があることが
わかる。

支丘且ス 高保磁力層として、飽和磁化２００ｅｍｕ／ｃｇの希土
類副格子磁化優勢な（（Ｔ　ｂ　ａｏＤ　Ｖ　６゜）−
（ＦｅｓｙＣｏ＋５））ｅ６ｃｒ＜を用いた以外は、実
施例１と全く同一の構成の光磁気記録媒体を作製した。

また、比較例として、高保磁力層のみを、飽和磁化約１
００　ｅ　ｍ　ｕ　／　ｃ　ｒｄの希土類副格子磁化優
勢な（（Ｔ　ｂ　−、Ｄ　ｖ　、−）−（Ｆρ−Ｃ００
））＊ａＣｒｎ膜に変更した媒体を作製した。これらの
媒体には、Ｔ　ｂ　ｉｏＤ　ｙａｏと（ＦｅｓｔＣＯ１
３）　）　ｅｓｃ　ｒ　！のターゲットを用いた。

次に、この実施例と比較例に対して、オーバーライドに
必要な磁界の大きさを、実施例１と同一の方法で測定し
た。

比較例では、バイアス磁界が−３５００ｅ程度からキャ
リアが立ち上がり、１５０　０ｅ程度で飽和している。

従って、オーバーライドのためには±３５０　０ｅ以上
の磁界を必要とする。

方、実施例では、−１５００ｅ程度からキャリアが立ち
上がり、１５０　０ｅ程度で飽和している。従って、オ
ーバーライドのためには±１５００ｅ以上の磁界でよい
。すなわち、本発明の交換結合二層膜を用いることによ
り、オーバーライド磁界を低減できる効果があることが
わかる。

支五五ユ 高保磁力層として、飽和磁化２００ｅｍｕ／ｃｇの希土
類副格子磁化優勢な（Ｄ　ｙ　　（Ｆ　ｅ　ｓ□ＣＯｚ
）　）　９ｅｃ　ｒ　ａを用いた以外は、実施例１と全
く同一の構成の光磁気記録媒体を作製し、た。また、比
較例として、高保磁力層のみを、飽和磁化約１００　ｅ
　ｍ　ｕ　／　ｃ　ｒｒｒの希土類副格子磁化優勢な（
Ｄｙ−（Ｆｅ８２ＣＯ１８）　）ｓｅｃ　ｒ４膜に変更
した媒体を作製した。これらの媒体の作製には、Ｄｙと
（Ｆ　ｅ　Ｂ２ＣＯ＋ｓ）　ｓａｃ　ｒ　５のターゲッ
トを用いた。

次に、この実施例と比較例に対して、オーバーライドに
必要な磁界の大きさを、実施例１と同一の方法で測定し
た。

比較例では、バイアス磁界が−４０００ｅ程度からキャ
リアが立ち上がり、１５０　０ｅ程度で飽和している。

従って、オーバーライドのためには±４００　０ｅ以上
の磁界を必要とする。

方、実施例では、−２０００ｅ程度からキャリアが立ち
上がり、１５０　０ｅ程度で飽和している。従って、オ
ーバーライドのためには±２０００ｅ以上の磁界でよい
。すなわち、本発明の交換結合二層膜を用いることによ
り、オーバーライド磁界を低減できる効果があることが
わかる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明は、室温とそのキュリー温
度との間に補償温度を有さない、希土類副格子磁化優勢
な希土類−鉄族非晶質合金から成る高保磁力層と、鉄族
副格子磁化優勢な希土類鉄族非晶質合金から成る低保磁
力層とから光磁気記録媒体を構成することによって、こ
の媒体に磁界変調オーバーライド方式で記録を行う際に
、バイアス磁界を低減出来る効果が得られたものである
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光磁気記録媒体の一実施例の構成を示
す略断面図、第２図はＴｂ−ＦｅＣｏ−Ｃｒ膜における
飽和磁化に対するキュリー温度と補償温度の変化を示す
図、第３図は本発明の実施例におけるバイアス磁界に対
するキャリアとノイズの変化を示す図、第４図は比較例
におけるバイアス磁界に対するキャリアとノイズの変化
を示す図である。 １・・・基板 ２．５・・・保護層 ３・・・第２の磁性層 ４・・・第１の磁性層 ６・・・接着剤 ７・・・ダミー基板 第２図 温度（Ｃ） く−鉄族副格子磁化優勢 希土類副格子磁化優勢一一一

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）垂直磁化可能な第１の磁性層と、該第１の磁性層
   よりも高いキュリー温度および低い保磁力を持つ第２の
   磁性層とを有し、これら第１の磁性層と第２の磁性層と
   が交換結合して成る光磁気記録媒体において、 前記第１の磁性層が、室温とそのキュリー温度との間に
   補償温度を有さない、希土類副格子磁化優勢な希土類−
   鉄族非晶質合金から成り、且つ、前記第２の磁性層が、
   鉄族副格子磁化優勢な希土類−鉄族非晶質合金から成る
   ことを特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）前記第１の磁性層が、以下の組成 （（Ｔｂ＿１＿０＿０＿−＿ｘＤｙ＿ｘ） −（Ｆｅ＿１＿０＿０＿−＿ｙＣｏ＿ｙ））＿１＿０＿
   ０＿−＿ｚＣｒ＿ｚただし、０≦ｘ≦１００）０≦ｙ≦
   ４０、０≦ｚ≦１０、から成る特許請求の範囲第１項記
   載の光磁気記録媒体。
3. （３）前記第２の磁性層が、以下の組成 （Ｇｄ−（Ｆｅ＿１＿０＿０＿−＿ｙ＿′Ｃｏ＿ｙ＿′
   ））＿１＿０＿０＿−＿ｚ＿′Ｃｒ＿ｚ＿′ただし、０
   ≦ｙ′≦５０、０≦ｚ′≦１０、から成る特許請求の範
   囲第１項記載の光磁気記録媒体。