JPH0447882Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 技術分野 本考案は、アモルフアス・ダイアフラム式によ
る圧力スイツチに関する。

従来技術 一般に、この種の圧力スイツチとしては、第３
図に示すように、ケース１に設けられた圧力導入
路２から油圧などの圧力が導入されるケース内部
の室３に、シール用のＯリング４を介してアモル
フアス・ダイアフラム７、スペーサ５、磁性コア
９とからなる重合体を設け、圧力をアモルフア
ス・ダイアフラム７面に作用させたときの機械的
な変形を電気信号の変化として磁性コア９に形成
された溝１０内に収納されたピツクアツプコイル
８によりとらえるようにしている。

すなわち、その圧力スイツチは、導入される圧
力の変化をピツクアツプコイル８によりそのイン
ダクタンスの変化に変換して検出するものであ
る。圧力をアモルフアス・ダイアフラム７の面に
作用させると、それが磁性コア９における溝１０
の開口部において変形して内部応力が発生する。
そのとき、アモルフアス・ダイアフラム７に固有
の特性となつている応力による磁性の変化すなわ
ち透磁率の変化の特性による応力一磁気効果によ
つて、内部応力の増大とともにアモルフアス・ダ
イアフラム７の透磁率が減少する。それにより、
アモルフアス・ダイアフラム７と磁性コア９とで
構成された磁気回路のインダクタンスが減少し、
それをピツクアツプコイル８により電気信号の変
化として検出する。

その際、圧力によるアモルフアス・ダイアフラ
ム７の変形量が少なくて内部応力が小さいと、急
激に透磁率が変化し、またその変化は不安定とな
る。したがつて、アモルフアス・ダイアフラム７
をある程度変形させて透磁率を下げて、内部応力
と透磁率が安定した比例関係にある領域で使用す
る必要がある。また、アモルフアス・ダイアフラ
ム７の熱応力の影響を軽減して温度特性の変化を
少なくするために、アモルフアス・ダイアフラム
７の透磁率を下げる必要がある。

そのため、従来では、圧力スイツチに圧力が導
入されたときにアモルフアス・ダイアフラム７が
変形しやすいようにするべく、第４図および第５
図に示すように、硬い材質からなるスペーサ５
に、磁性コア９における溝１０の開口部に対応し
て孔６を設けて、アモルフアス・ダイアフラム７
に作用する圧力をピツクアツプコイル８により良
好に検出することができるようにしている。

このような圧力スイツチにあつては、磁性コア
９を焼結フエライトによつて成形した場合、アモ
ルフアス・ダイアフラム７、スペーサ５、磁性コ
ア９からなる重合体をケース内壁に沿つて摺動自
在になるようにケース１内に設けてアモルフア
ス・ダイアフラム７および磁性コア９がケース１
側に固定されないようにし、その重合体をケース
１側にネジ止め手段などによつて取り付けた受圧
プレート１１により支承させてケース１内に保持
させるようにしている。

しかしこのような構成をとるのでは、アモルフ
アス・ダイアフラム７、スペーサ５、磁性コア９
をケース１の開放端から落し込みによつてケース
１内に組み付ける構造をとつているとともに、そ
の組み付けられた重合体とケース内壁との間にク
リアランスがあるのでその各構成要素が径方向に
がたつくものとなるため、その組付け時にスペー
サ５と磁性コア９との位置合せをすることが困難
で、また組付け後におけるスペーサ５と磁性コア
９との相対位置を適性に保持させることができな
くなつている。

その際、第６図ａに示すように、スペーサ５に
穿設された孔６が磁性コア９に設けられた溝１０
の開口部の中央に位置していれば良いが、同図ｂ
に示すようにスペーサ５に穿設された孔６が磁性
コア９に設けられた溝１０の開口部からずれる
と、圧力Ｐがかかつたときのアモルフアス・ダイ
アフラム７のたわみ状態が不均衡となり、そのた
め少なからずピツクアツプコイル８による圧力検
出精度に影響を及ぼすことになる。

目 的 本考案は以上の点を考慮してなされたもので、
スペーサと磁性コアとの相対的な位置合せを何ら
必要とすることなく、常に精度良く圧力検出を行
なわせることができるようにした圧力スイツチを
提供するものである。

構 成 本考案はその目的達成のため、アモルフアス・
ダイアフラムと磁性コアとの間に介挿されるスペ
ーサとして何ら孔があけられていない材質が軟ら
かくて弾力性があるものを使用するとともに、そ
れを非磁性材によつて形成し、圧力によつてアモ
ルフアス・ダイアフラムとスペーサとが一緒にた
わんで、その機械的な変形がピツクアツプコイル
により電気的に検出されるようにしている。

以下、添付図面を参照して本考案の一実施例に
ついて詳述する。

本考案による圧力スイツチは、第１図に示すよ
うに、アモルフアス・ダイアフラム７、スペーサ
５′、磁性コア９からなる重合体をケース内壁に
沿つて摺動自在になるように設けて、その重合体
をケース１側にかしめ手段によつて取り付けた受
圧プレート１１により支承させるようにしたもの
にあつて、特に、スペーサ５′として磁性コア９
に形成された溝１０の開口部を閉塞するものを用
いるとともに、それを弾力性をもつた軟らかい材
質からなる非磁性材によつて形成し、第２図に示
すように、圧力Ｐによつてアモルフアス・ダイア
フラム７とスペーサ５′とが一緒にたわんで、そ
の機械的な変形がピツクアツプコイル８により電
気的に検出されるようにしている。

しかしてこのように構成されたものでは、スペ
ーサ５′自体が軟らかくて弾力性を有しているの
で、圧力スイツチ内に導入される圧力Ｐによつて
磁性コア９に形成された溝１０の開口部に対応し
た部分においてアモルフアス・ダイアフラム７と
ともにそのスペーサ５′が充分にたわむようにな
り、そのため従来のように溝１０の開口部に対応
してスペーサ５′に孔を設ける必要がなくなり、
そのためスペーサ５′と磁性コア９との相対的な
位置関係が何ら規制されず、両者間の位置合せを
行なわせる必要が全くなくなる。

したがつて、アモルフアス・ダイアフラム７、
スペーサ５′、磁性コア９からなる重合体におけ
る各部の径方向の動きが許容され、ケース内壁と
の間におけるクリアランスを余裕をもつて設定す
ることができるようになる。

また、常に圧力Ｐに対するアモルフアス・ダイ
アフラム７のたわみ状態が常時安定し、精度の良
い圧力検出を行なわせることができるようにな
る。

さらに、アモルフアス・ダイアフラム７におけ
る受圧部の全領域をスペーサ５′で受けているた
めに、アモルフアス・ダイアフラム７の耐圧性を
向上させることができるようになる。

第１図中、１２は皿バネ、１３はケース内部の
室３に送り込まれた圧力をアモルフアス・ダイア
フラム７面に伝えるオリフイス１４が形成された
オリフイスプレート、１５は側面シール用のＯリ
ング、１６は平面シール用のＯリングをそれぞれ
示している。また、ケース１の外側にはスイツチ
回路ユニツト１７が溶接などによつて一体的に取
り付けられている。図中、１８は回路基板を示し
ている。また、１９はかしめ部分を示している。
なお、受圧プレート１１をかしめ手段によつてケ
ース１側に取り付ける以外に、それをネジ手段を
用いてケース１側にネジ込むようにするなどの他
の取付手段をとることができるのはいうまでもな
い。

効 果 以上、本考案による圧力スイツチにあつては、
圧力をアモルフアス・ダイアフラム面に作用させ
たときの機械的な変形を電気信号の変化として磁
性コアの溝内に収納されたピツクアツプコイルに
よりとらえるようにしたものにおいて、アモルフ
アス・ダイアフラムと磁性コアとの間に前記溝の
開口部を閉塞してアモルフアス・ダイアフラムと
一諸になつて変形するような弾力性をもつた非磁
性体のスペーサを設けるようにしたもので、スペ
ーサと磁性コアとの相対的な位置合せを何ら必要
とすることなく、アモルフアス・ダイアフラムに
作用する圧力をピツクアツプコイルにより常に精
度良く検出することができるという優れた利点を
有している。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案による圧力スイツチの一実施例
を示す正断面図、第２図は同実施例におけるアモ
ルフアス・ダイアフラムとスペーサとの圧力によ
るたわみ状態を示す簡略図、第３図は従来の圧力
スイツチを示す正断面図、第４図は第３図中にお
けるＡ部分の拡大図、第５図は従来の圧力スイツ
チにおけるスペーサの平面図、第６図ａ，ｂは従
来の圧力スイツチにおけるアモルフアス・ダイア
フラムとスペーサとの相対位置が適正な場合と不
適正な場合とにおける各たわみ状態をそれぞれ示
す簡略図である。 １……ケース、２……圧力導入路、５，５′…
…スペーサ、７……アモルフアス・ダイアフラ
ム、８……ピツクアツプコイル、９……磁性コ
ア。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 圧力をアモルフアス・ダイアフラム面に作用さ
   せたときの機械的な変形を電気信号の変化として
   磁性コアの溝内に収納されたピツクアツプコイル
   によりとらえるようにしたものにおいて、アモル
   フアス・ダイアフラムと磁性コアとの間に前記溝
   の開口部を閉塞してアモルフアス・ダイアフラム
   と一諸になつて変形するような弾力性をもつた非
   磁性体のスペーサを設けたことを特徴とする圧力
   スイツチ。