JPH0447977B2 - - Google Patents

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JPH0447977B2
JPH0447977B2 JP58083188A JP8318883A JPH0447977B2 JP H0447977 B2 JPH0447977 B2 JP H0447977B2 JP 58083188 A JP58083188 A JP 58083188A JP 8318883 A JP8318883 A JP 8318883A JP H0447977 B2 JPH0447977 B2 JP H0447977B2
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etching
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置のパツケージの製造方法
に関する。
背景技術とその問題点 従来、プリント基板上の実装密度の高いパツケ
ージとして、チツプキヤリアタイプのパツケージ
が知られている。このパツケージはリードレスタ
イプのパツケージで、パツケージの裏面に引き出
されているハンダ付け可能な電極をプリント基板
の導体パタンに直接ハンド付けして接続すること
により実装を行うものである。
このチツプキヤリアタイプパツケージには、セ
ラミツクタイプとプラスチツクタイプとがある。
セラミツクタイプはパツケージ自体が高温である
ばかりではなく、プリント基板に直接ハング付け
すると、温度サイクル時にセラミツクスと上記ハ
ンダ及び上記導体との間の熱膨張係数の差によつ
て接続部にはがれやクラツクが生じる恐れがある
という欠点を有している。一方、プラスチツクタ
イプはパツケージが安価であるという利点を有し
ているが、熱放散性が悪く、また形状がパツケー
ジの製造の自動化に適していないという欠点を有
している。
このような従来のプラスチツクタイプのチツプ
キヤリヤタイプパツケージの構造を第１に示す。
このパツケージ１は、銅箔製の電極２が予め形成
されているプリント基板３上に半導体装置を構成
するチツプ４を載置し、ワイヤボンデイング法に
より上記チツプ４と上記電極２の一端とをAuの
細線から成るワイヤ５で接続した後、上方より液
状のエポキシ樹脂を適下させて硬化成形すること
によつて作る。
このパツケージ１において、チツプ４は樹脂層
６とプリント基板３とによつて囲まれている。こ
れらの樹脂層６及びプリント基板３の熱抵抗は共
に大きいので、その動作時においてチツプ４で発
生する熱をパツケージ１の外部に効果的に放散す
ることができない。即ち、このパツケージ１は熱
放散製が悪いという欠点を有している。また上記
の液状のエポキシ樹脂を適下する際に、微量の樹
脂を一定量、しかも高速で適下することが難し
く、このためにパツケージ１はパツケージの製造
の自動化に適していないという欠点を有してい
る。
一方、上述のチツプキヤリアタイプパツケージ
とは異なるパツケージにテープキヤリアタイプパ
ツケージがある。このタイプのパツケージは従来
のチツプキヤリアタイプパツケージよりもさらに
小形化できるという利点を有するが、チツプが樹
脂層によつて完全に覆われているため熱放散性が
良好でないこと、テープを用いているために特殊
な装置が必要である等の欠点を有している。
発明の目的 本発明は、上述の問題にかんがみ、熱法散性が
良好でかつ信頼性の高い半導体装置のパツケージ
の製造方法を提供することを目的とする。
発明の概要 本発明に係る半導体装置のパツケージの製造方
法は、選択エツチング可能な材料から成る基板上
に半導体装置を載置し、接続用ワイヤを上記半導
体装置に接続すると共にこの接続用ワイヤの外部
電極部を上記基板の外部電極接続部位に接続し、
次いで上記基板上において上記半導体装置及び上
記接続用ワイヤを一体に樹脂モールドし、しかる
後上記基板をエツチング除去するようにしてい
る。このようにすることによつて、熱放散性が良
好でかつ信頼性の高いリードレスタイプのパツケ
ージを、簡便かつ安価な方法によつて自動的に製
造することができる。なお上記外部電極部は上記
接続用ワイヤ自体が兼ねていてもよいし、上記接
続用ワイヤとは別に設けられかつ上記接続用ワイ
ヤが接続されているものでもよい。
実施例 以下本発明に係る半導体装置のパツケージの製
造方法の実施例につき図面を参照しながら説明す
る。
第２Ａ図〜第２Ｄ図は本発明の第１実施例によ
る半導体装置のパツケージの製造方法を説明する
ための工程図である。以下第２Ａ図から工程順に
説明する。
まず第２Ａ図において、厚さ35〔μ〕のFe製の
基板１１の上に、厚さ１〔μ〕のAu層１２、厚さ
１〔μ〕のNi層１３及び厚さ３〔μ〕のAu層１４
を順次にメツキして、半導体装置を構成するチツ
プ１５の載置部１６及び外部電極部１７，１８の
それぞれを上記基板１１の所定のチツプ載置部位
１１ｇ及び外部電極接続部位１１ｈ，１１ｉのそ
れぞれに設ける。第２Ａ図に示す工程終了後の上
記基板１１の平面図を第３図に示す。次に第２Ｂ
図において、上記チツプ載置部１６にチツプ１５
を載置した後、ワイヤボンデイング法によつてこ
のチツプ１５と上記外部電極部１７，１８とをそ
れぞれAuの細線から成るワイヤ１９で接続する。
次に第２Ｃ図において、第２Ｂ図の基板１１の上
に設けられた上記外部電極１７，１８、チツプ載
置部１６、チツプ１５及びワイヤ１９を一体とす
るために、公知のトランスフア・モールド法（移
送設成形法）を用いて、エポキシから成る樹脂モ
ールド層２０を上記基板１１上に形成する。なの
実施例においては、上記樹脂モード層２０の厚さ
ｔを１〔mm〕とした。
次に第２Ｃ図において、Feのみを選択的にエ
ツチングするが樹脂モールド層２０及びAu層１
２はエツチングしないエツチング液、例えば塩化
第二鉄（FeCl3）溶液を用いて、基板１１の裏面
１１ａ側からスプレーエツチングすることによ
り、上記基板１１を除去して、第２Ｄ図に示すリ
ードレスタイプのパツケージ２１を完成させる。
上記エツチングによつて露出されたAu層１２の
下面のうち外部電極部１７，１８のAu層１２の
下面が外部電極面１２ｂ，１２ｃとなり、またチ
ツプ載置部１６のAu層１２の下面が熱放散面１
２ａとなる。
上述のようにして完成されたパツケージ２１を
プリント基板上に実装する場合には、第２Ｄ図に
示す上記外部電極面１２ｂ，１２ｅをプリント基
板上の導体パタンに直接ハンダ付けして接続すれ
ばよい。
上述の第１実施例の熱放散面１２ａは、その動
作時においてチツプ１５から発生する熱の放散面
となつている。金属の熱伝導度は非常に高いの
で、チツプ１５から発生する熱は金属製のチツプ
載置部１６を外方に向かつて迅速に流れて、熱放
散面１２ａから放散されることによつて効果的に
除去される。しかし、より効果的にチツプ１５の
発生熱を除去するためには、広い表面積を有する
放熱フインの一部を上記熱放散面１２ａに押し当
てて空冷により熱を放熱させるのが好ましい。
上述の第１実施例のパツケージ２１は第２Ａ図
〜第２Ｄ図に示すような簡単な工程によつて作る
ことができるばかりでなく、全ての製造工程に従
来から用いられている装置を用いることができる
ので、テープキヤリアタイプのパツケージにおい
て必要な既述の特殊な装置が不要である。従つ
て、簡便かつ安価な方法によりパツケージ２１を
製造することができる。さらに上述の第１実施例
では樹脂モールド層２０を形成する方法としてト
ランスフア・モールド法（移送成形法）を用いて
いる。この方法は信頼性の高い樹脂封止ができる
かりでなく、モールドの機械化、量産化が容易に
あるためにパツケージを自動的に製造できるとい
う利点を有している。
なお上述の第１実施例において、第２Ａ図に示
す場合と同様にチツプ載置部１６及び外部電極部
１７，１８を設けた後に、基板１１の上面を既述
のFeCl3溶液を用いて僅かにエツチングすること
により、第４Ａ図に示すようにチツプ載置部１６
及び外部電極部１７，１８の下部の基板１１にア
ンダーカツト部１１ａ〜１１ｆを形成し、次に第
２Ｂ図〜第２Ｄ図と同様な方法によつて第４Ｂ図
に示すパツケージ２２を完成させることができ
る。このように上記のエツチングによつてチツプ
載置部１６及び外部電磁部１７，１８の下部に上
記アンダーカツト部１１ａ〜１１ｆが形成される
ので、これらの部分に樹脂が回り込んで突出部２
０ａ〜２０ｆが形成される。従つてこれらの突出
部２０ａ〜２０ｆによつて上記チツプ載置部１６
及び上記外部電極部１７，１８が下方から保持さ
れる構造となるので、上記チツプ載置部１６及び
上記外部電極部１７，１８がパツケージ２２の使
用時において樹脂モールド層２０から抜け出して
しまうのを防止することができるという利点があ
る。さらにチツプ載置部１６及び外部電極部１
７，１８が樹脂モールド層２０の下面から突出す
ることなく形成されるので、これらのチツプ載置
部１６及び外部電極部１７，１８を保護すること
ができるという利点もある。
第５Ａ図〜第５Ｃ図は本発明の第２実施例によ
る半導体装置のパツケージの製造方法を説明する
ための工程図である。以下第５Ａ図から工程順に
説明する。
まず第５Ａ図において、厚さ35〔μ〕のCu製の
基板１１の上面に公知のフオトレジストを塗布し
た後に所定のパターンニングを行う。次いでCu
のみを選択的にエツチングするエツチング液、例
えば既述のFeCl3溶液を用いて上記基盤１１の表
面を僅かにエツチングすることによつて、上記基
板１１の表面にチツプ載置部位１１ｇ及び外部電
極接続部位１１ｈ，１１ｉをそれぞれ形成する。
上記フオトレジストを除去した後に第５Ｂ図にお
いて、第１実施例の同様に、上記チツプ載置部位
１１ｇにハンダ層２３を介してチツプ１５を載置
した後、ワイヤボンデイング法によつてこのチツ
プ１５と上記外部電極接続部位１１ｈ，１１ｉと
をそれぞれAgの細線から成るワイヤ１９で接続
する。なお本実施例においては、後述の理由によ
り、第１実施例で用いたワイヤよりも径の大きい
ワイヤを用いた。次に第１実施例と同様に樹脂モ
ールド層２０を上記基板１１上に形成する。次に
上記基板１１を第１実施例と同様な方法でエツチ
ング除去してパツケージ２４を完成させる。上記
エツチングにより露出されたワイヤ１９の端部が
外部電極部１７，１８となり、またハンダ層２３
の下面が熱法散面２３ａとなる。
上述のようにして完成されたパツケージ２４を
プリント基板上に実装する場合には、第１実施例
と同様に、第５Ｃ図に示す上記外部電極部１７，
１８をプリント基板上の導体パタンに直接ハンダ
付けして接続すればよい。このことから明らかな
ように、本実施例においてはワイヤ１９の端部を
そのまま外部電極部１７，１８として用いるため
に、ワイヤ１９の径を既述のように大きくするの
が好ましい。なお熱放散面２３ａの機能は第１実
施例と同様である。
上述の第２実施例のパツケージ２４は、第１実
施例のパツケージ２１と異なつて、フオトレジス
ト工程及びエツチング工程によつて基板１１に設
けられた外部電極接続部位１１ｈ，１１ｉにワイ
ヤ１９を直接接続するようにしているので、第１
実施例のパツケージ２１におけるAu層１２，１
４及びNi層１３を形成する必要がない。上記の
フオトレジスト工程及びエツチング工程は第１実
施例のパツケージ２１で用いたメツキ工程よりも
さらに簡便である。またこれらのフオトレジスト
工程及びエツチング工程を用いることにより、
Au等の貴金属を用いる必要がなくなるという利
点がある。
上述の第１実施例及び第２実施例においては、
１個のチツプをチツプ載置部に載置してこれを樹
脂モールドする場合につき述べたが、基板上に多
数のチツプ載置部を設け、それぞれのチツプ載置
部に同一のチツプを載置して、これらのチツプを
一体に樹脂モールドした後に切断分離することに
より、それぞれ１個のチツプを有する同一のパツ
ケージを多数個同時に作ることもできる。また種
種のチツプと、コンデンサや抵抗等の受動素子と
を基板上に載置した後にこれらを一体に樹脂モー
ルドすれば、種々の機能を有するパツケージを作
ることができると共に、回路素子の集積度の高い
パツケージを作ることができるという利点があ
る。
上述の第１実施例の基板の材料は選択エツチン
グが可能であればCu等の他の金属であつてもよ
く、また第２実施例の基板の材料もFe等の他の
金属であつてもよい。第１実施例においてはさら
に金属以外の材料、例えばポリイミドアミド系樹
脂を用いるとことも可能である。この場合に既述
のエツチング液としては、ヒドラジンとエチレン
ジアミンとの混合液を用いればよい。
発明の効果 本発明に係る半導体装置のパツケージの製造方
法によれば、その動作時において半導体装置から
発生する熱の放散性が良好でありかつ信頼性が高
い小型のパツケージを、極めて簡便かつ安価な方
法によつて自動的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のプラスチツクタイプのチツプキ
ヤリアタイプパツケージの構造を示す断面図、第
２Ａ図〜第２Ｄ図は本発明の第１実施例による半
導体装置のパツケージの製造方法を説明するため
の工程図、第３図は上記第２Ａ図に示す工程終了
後の基板の平面図、第４Ａ図及び第４Ｂ図は上記
第１実施例の変形例を示す上記第２Ａ図〜第２Ｄ
図と同様な図、第５Ａ図〜第５Ｃ図は本発明の第
２実施例による半導体装置のパツケージの製造方
法を説明するための工程図である。 なお図面に用いた符号において、１，２１，２
２，２４……パツケージ、４，１５……チツプ、
５，１９……ワイヤ、１１……基板、１１ｈ，１
１ｉ……外部電極接続部位、１７，１８……外部
電極部、２０……樹脂モールド層である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 選択エツチング可能な材料から成る基板上に
    半導体装置を載置し、接続用ワイヤを上記半導体
    装置に接続すると共にこの接続用ワイヤの外部電
    極部を上記基板の外部を外部電極接続部位に接続
    し、次いで上記基板上において上記半導体装置及
    び上記接続用ワイヤを一体に樹脂モールドし、し
    かる後上記基板をエツチング除去することを特徴
    とする半導体装置のパツケージの製造方法。
JP58083188A 1983-05-12 1983-05-12 半導体装置のパツケ−ジの製造方法 Granted JPS59208756A (ja)

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