JPH10340925A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH10340925A JPH10340925A JP9150621A JP15062197A JPH10340925A JP H10340925 A JPH10340925 A JP H10340925A JP 9150621 A JP9150621 A JP 9150621A JP 15062197 A JP15062197 A JP 15062197A JP H10340925 A JPH10340925 A JP H10340925A
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- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂基板およびスルーホールを有することに
より、半導体装置の小型化には限界があった。 【解決手段】 銅板３１の表面に形成したメッキ配線層
２３に半導体素子２１を載置し、第１の樹脂２５で封止
した後に銅板３１を溶融除去するか、もしくは第１の樹
脂２５と密着性の少ない転写板４１の表面に形成したメ
ッキ配線層２３に半導体素子２１を載置し、第１の樹脂
２５で封止した後に転写板４１を剥離除去し、メッキ配
線層２３の裏面を露出させる。そしてメッキ配線層２３
の裏面に半田ボール２６を接合した後に第２の樹脂２７
を塗布し硬化することにより、基板、スルーホールを省
いた小型の半導体装置を実現できる。
より、半導体装置の小型化には限界があった。 【解決手段】 銅板３１の表面に形成したメッキ配線層
２３に半導体素子２１を載置し、第１の樹脂２５で封止
した後に銅板３１を溶融除去するか、もしくは第１の樹
脂２５と密着性の少ない転写板４１の表面に形成したメ
ッキ配線層２３に半導体素子２１を載置し、第１の樹脂
２５で封止した後に転写板４１を剥離除去し、メッキ配
線層２３の裏面を露出させる。そしてメッキ配線層２３
の裏面に半田ボール２６を接合した後に第２の樹脂２７
を塗布し硬化することにより、基板、スルーホールを省
いた小型の半導体装置を実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の集積回路
部を保護し、かつ外部装置と半導体素子の電気的接続を
確保し、さらにもっとも高密度な実装を可能とした半導
体装置およびその製造方法に関するものである。本発明
の半導体装置により、情報通信機器、事務用電子機器等
の小型化を容易にするものである。
部を保護し、かつ外部装置と半導体素子の電気的接続を
確保し、さらにもっとも高密度な実装を可能とした半導
体装置およびその製造方法に関するものである。本発明
の半導体装置により、情報通信機器、事務用電子機器等
の小型化を容易にするものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置は、電子機器の小型化
に伴い、小型化、多ピン化、高密度化を要求されるよう
になり、狭リードピッチのＱＦＰ（クワッド・フラット
・パッケージ）型半導体装置の開発、あるいは電極をエ
リアアレイに配置するＢＧＡ（ボール・グリッド・アレ
イ）型半導体装置の開発が行われている。
に伴い、小型化、多ピン化、高密度化を要求されるよう
になり、狭リードピッチのＱＦＰ（クワッド・フラット
・パッケージ）型半導体装置の開発、あるいは電極をエ
リアアレイに配置するＢＧＡ（ボール・グリッド・アレ
イ）型半導体装置の開発が行われている。
【０００３】以下、従来のＢＧＡ型半導体装置およびそ
の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【０００４】図１４は、従来のＢＧＡ型半導体装置を示
す断面図である。図１４において、１は半導体素子、２
は半導体素子１上に形成された半導体素子電極、３は樹
脂基板、４は樹脂基板３の表面に形成された基板表面導
体、５は基板表面導体４を保護する基板表面レジストで
ある。６は基板表面レジスト５の一部に開口部を設け基
板表面導体４の一部を露出させて形成したボンディング
エリアである。７は樹脂基板３の裏面に形成された基板
裏面導体であり、８は基板裏面導体７を保護する基板裏
面レジストである。９は基板裏面レジスト８の一部に開
口部を設け基板裏面導体７の一部を露出させて形成した
ボールランドである。１０は基板表面導体４と基板裏面
導体７とを電気的に接続するために樹脂基板３の周辺部
分に設けられたスルーホールである。１１は半導体素子
１を接合する接合材料、１２は半導体素子電極２とボン
ディングエリア６を電気的に接続する金ワイヤーであ
る。１３はボールランド９に接合された半田ボールであ
る。１４は封止樹脂である。
す断面図である。図１４において、１は半導体素子、２
は半導体素子１上に形成された半導体素子電極、３は樹
脂基板、４は樹脂基板３の表面に形成された基板表面導
体、５は基板表面導体４を保護する基板表面レジストで
ある。６は基板表面レジスト５の一部に開口部を設け基
板表面導体４の一部を露出させて形成したボンディング
エリアである。７は樹脂基板３の裏面に形成された基板
裏面導体であり、８は基板裏面導体７を保護する基板裏
面レジストである。９は基板裏面レジスト８の一部に開
口部を設け基板裏面導体７の一部を露出させて形成した
ボールランドである。１０は基板表面導体４と基板裏面
導体７とを電気的に接続するために樹脂基板３の周辺部
分に設けられたスルーホールである。１１は半導体素子
１を接合する接合材料、１２は半導体素子電極２とボン
ディングエリア６を電気的に接続する金ワイヤーであ
る。１３はボールランド９に接合された半田ボールであ
る。１４は封止樹脂である。
【０００５】以上、従来の半導体装置は、スルーホール
１０を有した樹脂基板３に半導体素子１が搭載され、金
ワイヤー１２により樹脂基板３上のボンディングエリア
６（基板表面導体４）と半導体素子電極２が電気的に接
続されたものであり、ボンディングエリア６からスルー
ホール１０を通して樹脂基板３の裏面の基板裏面導体７
に引き回され、外部端子として半田ボール１３が設けら
れた構造である。
１０を有した樹脂基板３に半導体素子１が搭載され、金
ワイヤー１２により樹脂基板３上のボンディングエリア
６（基板表面導体４）と半導体素子電極２が電気的に接
続されたものであり、ボンディングエリア６からスルー
ホール１０を通して樹脂基板３の裏面の基板裏面導体７
に引き回され、外部端子として半田ボール１３が設けら
れた構造である。
【０００６】次に従来のＢＧＡ型半導体装置の製造方法
について図１５を参照しながら説明する。
について図１５を参照しながら説明する。
【０００７】まず図１５（ａ）に示すように、半導体素
子１を半導体素子電極２が形成された面を上にして接合
材料１１で樹脂基板３の表面に接合する。ここで接合材
料１１としては、銀（Ａｇ）ペーストや絶縁樹脂ペース
トを用いる。
子１を半導体素子電極２が形成された面を上にして接合
材料１１で樹脂基板３の表面に接合する。ここで接合材
料１１としては、銀（Ａｇ）ペーストや絶縁樹脂ペース
トを用いる。
【０００８】次に図１５（ｂ）に示すように、半導体素
子電極２とボンディングエリア６を金ワイヤー１２でワ
イヤーボンディングして電気的に接続する。
子電極２とボンディングエリア６を金ワイヤー１２でワ
イヤーボンディングして電気的に接続する。
【０００９】次に図１５（ｃ）に示すように、樹脂基板
３の半導体素子１が載置された面を封止樹脂１４で封止
する。
３の半導体素子１が載置された面を封止樹脂１４で封止
する。
【００１０】次に図１５（ｄ）に示すように、樹脂基板
３のボールランド９に半田ボール１３を加熱、溶融して
接合する。
３のボールランド９に半田ボール１３を加熱、溶融して
接合する。
【００１１】以上のようにして半導体装置を製造するも
のである。
のである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の構成では、樹脂基板を設け、かつ樹脂基板の周辺部分
に基板表面導体と基板裏面導体を電気的に接続するスル
ーホールを設ける必要があり、半導体装置の面積が大き
くなるという課題を有していた。
の構成では、樹脂基板を設け、かつ樹脂基板の周辺部分
に基板表面導体と基板裏面導体を電気的に接続するスル
ーホールを設ける必要があり、半導体装置の面積が大き
くなるという課題を有していた。
【００１３】本発明は前記従来の課題を解決するもの
で、根本的な小型化に着目し、樹脂基板とスルーホール
を省くことで小型軽量化を可能にした半導体装置および
その製造方法を提供することを目的とする。
で、根本的な小型化に着目し、樹脂基板とスルーホール
を省くことで小型軽量化を可能にした半導体装置および
その製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素
子が載置されるメッキ配線層と、前記半導体素子と前記
メッキ配線層の表面とを電気的に接続する接続導体と、
載置された前記半導体素子及び前記メッキ配線層の表面
と前記接続導体を保護する第１の樹脂と、前記メッキ配
線層の裏面と電気的に接続された外部電極と、前記メッ
キ配線層の裏面を保護する第２の樹脂から構成されてい
る。
に本発明の半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素
子が載置されるメッキ配線層と、前記半導体素子と前記
メッキ配線層の表面とを電気的に接続する接続導体と、
載置された前記半導体素子及び前記メッキ配線層の表面
と前記接続導体を保護する第１の樹脂と、前記メッキ配
線層の裏面と電気的に接続された外部電極と、前記メッ
キ配線層の裏面を保護する第２の樹脂から構成されてい
る。
【００１５】本発明の製造方法は、金属板の表面に形成
したメッキ配線層に半導体素子を載置し第１の樹脂で封
止した後に前記金属板のみを選択的に溶融除去し前記メ
ッキ配線層の裏面を露出させる工程もしくは、第１の樹
脂と密着性の少ない転写板上に形成したメッキ配線層に
半導体素子を載置し前記第１の樹脂で封止した後に、前
記転写板のみを剥離除去し前記メッキ配線層の裏面を露
出させる工程を備えている。
したメッキ配線層に半導体素子を載置し第１の樹脂で封
止した後に前記金属板のみを選択的に溶融除去し前記メ
ッキ配線層の裏面を露出させる工程もしくは、第１の樹
脂と密着性の少ない転写板上に形成したメッキ配線層に
半導体素子を載置し前記第１の樹脂で封止した後に、前
記転写板のみを剥離除去し前記メッキ配線層の裏面を露
出させる工程を備えている。
【００１６】前記構成によって、従来必要であった樹脂
基板及びスルーホールを省略することができるため、小
型軽量の半導体装置を提供することができる。
基板及びスルーホールを省略することができるため、小
型軽量の半導体装置を提供することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００１８】図１は本発明の第１の実施形態における半
導体装置を示す断面図である。図１において、２１は半
導体素子、２２は半導体素子上に形成された半導体素子
電極である。２３はメッキ配線層、２４は半導体素子電
極２２とメッキ配線層２３を電気的に接続する半田バン
プ、２５は半導体素子２１の下面とメッキ配線層２３の
表面を封止する第１の樹脂である。２６はメッキ配線層
２３の裏面に接続された半田ボール、２７はメッキ配線
層２３の裏面を封止する第２の樹脂である。
導体装置を示す断面図である。図１において、２１は半
導体素子、２２は半導体素子上に形成された半導体素子
電極である。２３はメッキ配線層、２４は半導体素子電
極２２とメッキ配線層２３を電気的に接続する半田バン
プ、２５は半導体素子２１の下面とメッキ配線層２３の
表面を封止する第１の樹脂である。２６はメッキ配線層
２３の裏面に接続された半田ボール、２７はメッキ配線
層２３の裏面を封止する第２の樹脂である。
【００１９】本実施形態の半導体装置は、半導体素子２
１の表面に設けられた半導体素子電極２２の配列をメッ
キ配線層２３によりグリッド状に引き回して配列させ、
そのメッキ配線層２３に外部端子となるボール電極であ
る半田ボール２６を設けたものである。またメッキ配線
層２３と半導体素子２１との間隙は、第１の樹脂２５に
より封止し、メッキ配線層２３の裏面は第２の樹脂２７
で封止した構造である。すなわち、本実施形態の半導体
装置は、半導体素子２１と、その半導体素子２１が載置
されるメッキ配線層２３と、半導体素子２１とメッキ配
線層２３の表面とを電気的に接続する半田バンプ２４な
どの接続導体と、載置された半導体素子２１およびメッ
キ配線層２３の表面領域を保護する第１の樹脂２５と、
メッキ配線層２３の裏面と電気的に接続された半田ボー
ル２６等の外部電極と、メッキ配線層２３の裏面を保護
する第２の樹脂２７とを備えた半導体装置である。
１の表面に設けられた半導体素子電極２２の配列をメッ
キ配線層２３によりグリッド状に引き回して配列させ、
そのメッキ配線層２３に外部端子となるボール電極であ
る半田ボール２６を設けたものである。またメッキ配線
層２３と半導体素子２１との間隙は、第１の樹脂２５に
より封止し、メッキ配線層２３の裏面は第２の樹脂２７
で封止した構造である。すなわち、本実施形態の半導体
装置は、半導体素子２１と、その半導体素子２１が載置
されるメッキ配線層２３と、半導体素子２１とメッキ配
線層２３の表面とを電気的に接続する半田バンプ２４な
どの接続導体と、載置された半導体素子２１およびメッ
キ配線層２３の表面領域を保護する第１の樹脂２５と、
メッキ配線層２３の裏面と電気的に接続された半田ボー
ル２６等の外部電極と、メッキ配線層２３の裏面を保護
する第２の樹脂２７とを備えた半導体装置である。
【００２０】次に図２は本発明の第１の実施形態におけ
る半導体装置の製造方法（本実施形態においては、金属
板溶融法と称する）を示す断面図である。図２において
２１は半導体素子、２２は半導体素子電極、２３はメッ
キ配線層、２４は半田バンプ、２５は第１の樹脂、２６
は半田ボール、２７は第２の樹脂、３１は銅板、３２は
銅板３１上に形成されたメッキレジストパターンであ
る。
る半導体装置の製造方法（本実施形態においては、金属
板溶融法と称する）を示す断面図である。図２において
２１は半導体素子、２２は半導体素子電極、２３はメッ
キ配線層、２４は半田バンプ、２５は第１の樹脂、２６
は半田ボール、２７は第２の樹脂、３１は銅板、３２は
銅板３１上に形成されたメッキレジストパターンであ
る。
【００２１】以下、金属板溶融法を用いた半導体装置の
製造方法について、図２を参照しながら説明する。
製造方法について、図２を参照しながら説明する。
【００２２】まず図２（ａ）に示すように、銅板３１上
にメッキレジストを塗布し、露光、現像することにより
メッキレジストパターン３２を形成する。次に金（Ａ
ｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジ
ウム（Ｐｄ）の順にメッキを行い、メッキ配線層２３を
形成する。各々のメッキ方法は電解メッキでもよいし、
無電解メッキでも構わない。
にメッキレジストを塗布し、露光、現像することにより
メッキレジストパターン３２を形成する。次に金（Ａ
ｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジ
ウム（Ｐｄ）の順にメッキを行い、メッキ配線層２３を
形成する。各々のメッキ方法は電解メッキでもよいし、
無電解メッキでも構わない。
【００２３】次に図２（ｂ）に示すように、メッキレジ
ストパターン３２を溶剤により除去する。
ストパターン３２を溶剤により除去する。
【００２４】次に図２（ｃ）に示すように、あらかじめ
半導体素子電極２２上に半田バンプ２４を形成した半導
体素子２１をフリップチップ接合により前記メッキ配線
層２３の表面に接合する。
半導体素子電極２２上に半田バンプ２４を形成した半導
体素子２１をフリップチップ接合により前記メッキ配線
層２３の表面に接合する。
【００２５】そして図２（ｄ）に示すように、第１の樹
脂２５を封入し硬化を行う。この第１の樹脂２５は半導
体素子２１をメッキ配線層２３に接合する前に塗布して
おくこともできる。
脂２５を封入し硬化を行う。この第１の樹脂２５は半導
体素子２１をメッキ配線層２３に接合する前に塗布して
おくこともできる。
【００２６】次に図２（ｅ）に示すように、銅板３１の
みに選択性のあるエッチング液、例えば硫酸第二銅液に
より、銅板を溶融除去することでメッキ配線層２３の裏
面が露出される。
みに選択性のあるエッチング液、例えば硫酸第二銅液に
より、銅板を溶融除去することでメッキ配線層２３の裏
面が露出される。
【００２７】次に図２（ｆ）に示すように、メッキ配線
層２３の裏面に半田ボール２６を搭載後、加熱、溶融す
ることでメッキ配線層２３と半田ボール２６を接合す
る。ここで、半田ボール２６を搭載する前にソルダーペ
ーストを供給しても構わない。
層２３の裏面に半田ボール２６を搭載後、加熱、溶融す
ることでメッキ配線層２３と半田ボール２６を接合す
る。ここで、半田ボール２６を搭載する前にソルダーペ
ーストを供給しても構わない。
【００２８】次に図２（ｇ）に示すように、メッキ配線
層を保護する目的で第２の樹脂２７を塗布し硬化する。
層を保護する目的で第２の樹脂２７を塗布し硬化する。
【００２９】以上のようにして、従来のように基板を有
さない極めて小型の半導体装置を製造することができ
る。
さない極めて小型の半導体装置を製造することができ
る。
【００３０】次に図３は、本発明の第１の実施形態にお
いて前記金属板溶融法とは異なる製造方法（本実施形態
においては、以下、転写板剥離法と称する）を示す断面
図である。図３において、２１は半導体素子、２２は半
導体素子電極、２３はメッキ配線層、２４は半田バン
プ、２５は第１の樹脂、２６は半田ボール、２７は第２
の樹脂であり、これらは金属板溶融法の構成と同じであ
る。そして４１は転写板、３２は転写板４１上に形成さ
れたメッキレジストパターンである。
いて前記金属板溶融法とは異なる製造方法（本実施形態
においては、以下、転写板剥離法と称する）を示す断面
図である。図３において、２１は半導体素子、２２は半
導体素子電極、２３はメッキ配線層、２４は半田バン
プ、２５は第１の樹脂、２６は半田ボール、２７は第２
の樹脂であり、これらは金属板溶融法の構成と同じであ
る。そして４１は転写板、３２は転写板４１上に形成さ
れたメッキレジストパターンである。
【００３１】以下、本発明の第１の実施形態において、
転写板剥離法を用いた製造方法について図３を参照しな
がら説明する。
転写板剥離法を用いた製造方法について図３を参照しな
がら説明する。
【００３２】まず図３（ａ）に示すように、金属メッキ
と密着性が小さい転写板４１、例えばテフロンあるいは
ガラス等の上にメッキレジストを塗布し、露光、現像す
ることによりメッキレジストパターン３２を形成する。
次に無電解メッキを行い、メッキ配線層２３を形成す
る。
と密着性が小さい転写板４１、例えばテフロンあるいは
ガラス等の上にメッキレジストを塗布し、露光、現像す
ることによりメッキレジストパターン３２を形成する。
次に無電解メッキを行い、メッキ配線層２３を形成す
る。
【００３３】そして図３（ｂ）に示すように、メッキレ
ジストパターン３２を溶剤により除去する。
ジストパターン３２を溶剤により除去する。
【００３４】次に図３（ｃ）に示すように、あらかじめ
半導体素子電極２２上に半田バンプ２４を形成した半導
体素子２１をフリップチップ接合により上記メッキ配線
層２３の表面に接合する。
半導体素子電極２２上に半田バンプ２４を形成した半導
体素子２１をフリップチップ接合により上記メッキ配線
層２３の表面に接合する。
【００３５】そして図３（ｄ）に示すように、第１の樹
脂２５を封入し硬化を行う。次に図３（ｅ）に示すよう
に、転写板４１のみを剥離除去することでメッキ配線層
２３の裏面を露出させる。転写板４１は、テフロンある
いはガラスを用いた場合は、メッキ配線層２３および第
１の樹脂２５と密着性が低いため、ピールオフ的に剥離
除去することができ、前記金属板溶融法のように薬液に
より溶解除去する必要がない。
脂２５を封入し硬化を行う。次に図３（ｅ）に示すよう
に、転写板４１のみを剥離除去することでメッキ配線層
２３の裏面を露出させる。転写板４１は、テフロンある
いはガラスを用いた場合は、メッキ配線層２３および第
１の樹脂２５と密着性が低いため、ピールオフ的に剥離
除去することができ、前記金属板溶融法のように薬液に
より溶解除去する必要がない。
【００３６】次に図３（ｆ）に示すように、メッキ配線
層２３の裏面に半田ボール２６を搭載後、加熱、溶融す
ることでメッキ配線層２３と半田ボール２６を接合す
る。
層２３の裏面に半田ボール２６を搭載後、加熱、溶融す
ることでメッキ配線層２３と半田ボール２６を接合す
る。
【００３７】次に図３（ｇ）に示すように、メッキ配線
層２３を保護する第２の樹脂２７を塗布し硬化する。
層２３を保護する第２の樹脂２７を塗布し硬化する。
【００３８】以上のように本実施形態によれば、メッキ
配線層２３を形成した後に銅板３１を溶融除去するか、
もしくはメッキ配線層２３を形成した後に低密着性の転
写板４１を剥離除去し、メッキ配線層２３の裏面に直接
半田ボール２６が接合できるために従来のＢＧＡ型半導
体装置で必要とされていた樹脂基板およびスルーホール
１０が不要となるため、小型軽量の半導体装置を実現す
ることができる。
配線層２３を形成した後に銅板３１を溶融除去するか、
もしくはメッキ配線層２３を形成した後に低密着性の転
写板４１を剥離除去し、メッキ配線層２３の裏面に直接
半田ボール２６が接合できるために従来のＢＧＡ型半導
体装置で必要とされていた樹脂基板およびスルーホール
１０が不要となるため、小型軽量の半導体装置を実現す
ることができる。
【００３９】次に本発明の第２の実施形態について図面
を参照しながら説明する。図４は本発明の第２の実施形
態における半導体装置を示す断面図である。図４におい
て、２１は半導体素子、２２は半導体素子上に形成され
た半導体素子電極である。２３はメッキ配線層、２４は
半導体素子電極２２とメッキ配線層２３を電気的に接続
する半田バンプ、２５は半導体素子２１の下面とメッキ
配線層２３の表面を封止する第１の樹脂である。２７は
メッキ配線層２３の裏面を封止する第２の樹脂、２８は
メッキ配線層２３の裏面の一部を露出し外部電極として
用いるために第２の樹脂２７に形成された樹脂開口部で
ある。
を参照しながら説明する。図４は本発明の第２の実施形
態における半導体装置を示す断面図である。図４におい
て、２１は半導体素子、２２は半導体素子上に形成され
た半導体素子電極である。２３はメッキ配線層、２４は
半導体素子電極２２とメッキ配線層２３を電気的に接続
する半田バンプ、２５は半導体素子２１の下面とメッキ
配線層２３の表面を封止する第１の樹脂である。２７は
メッキ配線層２３の裏面を封止する第２の樹脂、２８は
メッキ配線層２３の裏面の一部を露出し外部電極として
用いるために第２の樹脂２７に形成された樹脂開口部で
ある。
【００４０】本実施形態の半導体装置は、半導体素子２
１の表面に設けられた半導体素子電極２２の配列をメッ
キ配線層２３によりグリッド状に引き回して配列させ、
メッキ配線層２３と半導体素子２１との間隙は、第１の
樹脂２５により封止し、またメッキ配線層２３に樹脂開
口部２８を設けて第２の樹脂２７で封止した構造であ
る。本実施形態の半導体装置は、前記した第１の実施形
態の半導体装置とは異なり、半田ボール等のボール電極
を有さず、必要に応じてボール電極を付設できる構造と
なっている。
１の表面に設けられた半導体素子電極２２の配列をメッ
キ配線層２３によりグリッド状に引き回して配列させ、
メッキ配線層２３と半導体素子２１との間隙は、第１の
樹脂２５により封止し、またメッキ配線層２３に樹脂開
口部２８を設けて第２の樹脂２７で封止した構造であ
る。本実施形態の半導体装置は、前記した第１の実施形
態の半導体装置とは異なり、半田ボール等のボール電極
を有さず、必要に応じてボール電極を付設できる構造と
なっている。
【００４１】図５は本発明の第２の実施形態における金
属板溶融法による半導体装置の製造方法を示す断面図で
ある。図５において２１は半導体素子、２２は半導体素
子電極、２３はメッキ配線層、２４は半田バンプ、２５
は第１の樹脂、２７は第２の樹脂、２８は樹脂開口部、
３１は銅板、３２は銅板３１上に形成されたメッキレジ
ストパターンである。
属板溶融法による半導体装置の製造方法を示す断面図で
ある。図５において２１は半導体素子、２２は半導体素
子電極、２３はメッキ配線層、２４は半田バンプ、２５
は第１の樹脂、２７は第２の樹脂、２８は樹脂開口部、
３１は銅板、３２は銅板３１上に形成されたメッキレジ
ストパターンである。
【００４２】以下、第２の実施形態における金属板溶融
法による半導体装置の製造方法について図５を参照しな
がら説明する。
法による半導体装置の製造方法について図５を参照しな
がら説明する。
【００４３】まず図５（ａ）に示すように、銅板３１上
にメッキレジストを塗布し、露光、現像することにより
メッキレジストパターン３２を形成する。次にＡｕ、Ｐ
ｄ、Ｎｉ、Ｐｄの順にメッキを行い、メッキ配線層２３
を形成する。各々のメッキ方法は電解メッキでもよい
し、無電解メッキでも構わない。
にメッキレジストを塗布し、露光、現像することにより
メッキレジストパターン３２を形成する。次にＡｕ、Ｐ
ｄ、Ｎｉ、Ｐｄの順にメッキを行い、メッキ配線層２３
を形成する。各々のメッキ方法は電解メッキでもよい
し、無電解メッキでも構わない。
【００４４】そして図５（ｂ）に示すように、メッキレ
ジストパターン３２を溶剤により除去する。
ジストパターン３２を溶剤により除去する。
【００４５】次に図５（ｃ）に示すように、あらかじめ
半導体素子電極２２上に半田バンプ２４を形成した半導
体素子２１をフリップチップ接合により前記メッキ配線
層２３の表面に接合する。
半導体素子電極２２上に半田バンプ２４を形成した半導
体素子２１をフリップチップ接合により前記メッキ配線
層２３の表面に接合する。
【００４６】そしてその後、図５（ｄ）に示すように、
第１の樹脂２５を封入し硬化を行う。なお、第１の樹脂
２５は半導体素子２１をメッキ配線層２３に接合する前
に塗布しておくこともできる。
第１の樹脂２５を封入し硬化を行う。なお、第１の樹脂
２５は半導体素子２１をメッキ配線層２３に接合する前
に塗布しておくこともできる。
【００４７】次に図５（ｅ）に示すように、銅板３１の
みに選択性のあるエッチング液例えば硫酸第二銅液によ
り、銅板を溶融除去することでメッキ配線層２３の裏面
を露出させる。
みに選択性のあるエッチング液例えば硫酸第二銅液によ
り、銅板を溶融除去することでメッキ配線層２３の裏面
を露出させる。
【００４８】次に図５（ｆ）に示すように、メッキ配線
層２３の裏面を保護する目的で第２の樹脂２７を塗布し
硬化する。このときメッキ配線層２３の裏面の一部を露
出して外部電極として用いるために第２の樹脂２７の塗
布時に例えば印刷法で樹脂開口部２８を形成する。な
お、樹脂開口部２８の形成方法は印刷法でもよいし、フ
ォト法でもよい。
層２３の裏面を保護する目的で第２の樹脂２７を塗布し
硬化する。このときメッキ配線層２３の裏面の一部を露
出して外部電極として用いるために第２の樹脂２７の塗
布時に例えば印刷法で樹脂開口部２８を形成する。な
お、樹脂開口部２８の形成方法は印刷法でもよいし、フ
ォト法でもよい。
【００４９】以上のように本実施形態によれば、メッキ
配線層２３の裏面に樹脂開口部２８を設けメッキ配線層
の裏面の一部を露出して外部電極として用いるために半
田ボール等が不要となり、低コストの半導体装置を実現
することができる。
配線層２３の裏面に樹脂開口部２８を設けメッキ配線層
の裏面の一部を露出して外部電極として用いるために半
田ボール等が不要となり、低コストの半導体装置を実現
することができる。
【００５０】次に本発明の第３の実施形態について図面
を参照しながら説明する。図６は本発明の第３の実施形
態における半導体装置を示す断面図である。図６におい
て、２１は半導体素子、２２は半導体素子上に形成され
た半導体素子電極である。２３はメッキ配線層、２４は
半導体素子電極２２とメッキ配線層２３を電気的に接続
する半田バンプ、２５は半導体素子２１の下面とメッキ
配線層２３の表面を封止する第１の樹脂である。２７は
メッキ配線層２３の裏面を封止する第２の樹脂、５２は
メッキ配線層２３の一部に形成され外部端子として用い
るための導電性突起である。
を参照しながら説明する。図６は本発明の第３の実施形
態における半導体装置を示す断面図である。図６におい
て、２１は半導体素子、２２は半導体素子上に形成され
た半導体素子電極である。２３はメッキ配線層、２４は
半導体素子電極２２とメッキ配線層２３を電気的に接続
する半田バンプ、２５は半導体素子２１の下面とメッキ
配線層２３の表面を封止する第１の樹脂である。２７は
メッキ配線層２３の裏面を封止する第２の樹脂、５２は
メッキ配線層２３の一部に形成され外部端子として用い
るための導電性突起である。
【００５１】本実施形態の半導体装置は、前記した実施
形態とは異なり、外部端子としてボール電極である半田
ボールを有さず、半導体素子２１の表面に設けられた半
導体素子電極２２の配列をメッキ配線層２３によりグリ
ッド状に引き回して配列させ、メッキ配線層２３と半導
体素子２１との間隙は、第１の樹脂２５により封止し、
またメッキ配線層２３の一部は外部電極として作用する
導電性突起５２を形成しているものである。なお、メッ
キ配線層２３の表面および各導電性突起５２間は第２の
樹脂２７で封止した構造である。
形態とは異なり、外部端子としてボール電極である半田
ボールを有さず、半導体素子２１の表面に設けられた半
導体素子電極２２の配列をメッキ配線層２３によりグリ
ッド状に引き回して配列させ、メッキ配線層２３と半導
体素子２１との間隙は、第１の樹脂２５により封止し、
またメッキ配線層２３の一部は外部電極として作用する
導電性突起５２を形成しているものである。なお、メッ
キ配線層２３の表面および各導電性突起５２間は第２の
樹脂２７で封止した構造である。
【００５２】次に図７は本発明の第３の実施形態におけ
る金属板溶融法による半導体装置の製造方法を示す断面
図である。図７において、２１は半導体素子、２２は半
導体素子電極、２３はメッキ配線層、２４は半田バン
プ、２５は第１の樹脂、２７は第２の樹脂、３１は銅
板、３２は銅板３１上に形成されたメッキレジストパタ
ーン、５１は銅板３１上に形成された銅板凹部、５２は
導電性突起である。
る金属板溶融法による半導体装置の製造方法を示す断面
図である。図７において、２１は半導体素子、２２は半
導体素子電極、２３はメッキ配線層、２４は半田バン
プ、２５は第１の樹脂、２７は第２の樹脂、３１は銅
板、３２は銅板３１上に形成されたメッキレジストパタ
ーン、５１は銅板３１上に形成された銅板凹部、５２は
導電性突起である。
【００５３】以下、第３の実施形態における金属板溶融
法による半導体装置の製造方法について図７を参照しな
がら説明する。
法による半導体装置の製造方法について図７を参照しな
がら説明する。
【００５４】まず図７（ａ）に示すように、銅板３１の
表面を部分エッチングし、銅板凹部５１を形成する。な
お、銅板３１の表面を部分エッチングする代わりに、切
削加工により銅板凹部５１を形成してもよい。
表面を部分エッチングし、銅板凹部５１を形成する。な
お、銅板３１の表面を部分エッチングする代わりに、切
削加工により銅板凹部５１を形成してもよい。
【００５５】次に図７（ｂ）に示すように、銅板３１上
にメッキレジストを塗布し、露光、現像することにより
メッキレジストパターン３２を形成する。次に金（Ａ
ｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジ
ウム（Ｐｄ）の順にメッキを行い、銅板凹部５１を含め
てメッキ配線層２３を形成する。各々のメッキ方法は電
解メッキでもよいし、無電解メッキでも構わない。
にメッキレジストを塗布し、露光、現像することにより
メッキレジストパターン３２を形成する。次に金（Ａ
ｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジ
ウム（Ｐｄ）の順にメッキを行い、銅板凹部５１を含め
てメッキ配線層２３を形成する。各々のメッキ方法は電
解メッキでもよいし、無電解メッキでも構わない。
【００５６】その後、図７（ｃ）に示すように、メッキ
レジストパターン３２を溶剤により除去する。
レジストパターン３２を溶剤により除去する。
【００５７】次に図７（ｄ）に示すように、あらかじめ
半導体素子電極２２上に半田バンプ２４を形成した半導
体素子２１をフリップチップ接合により、前記メッキ配
線層２３の表面に接合する。
半導体素子電極２２上に半田バンプ２４を形成した半導
体素子２１をフリップチップ接合により、前記メッキ配
線層２３の表面に接合する。
【００５８】その後、図７（ｅ）に示すように、第１の
樹脂２５を封入し硬化を行う。なお、第１の樹脂２５は
半導体素子２１をメッキ配線層２３に接合する前に塗布
しておくこともできる。
樹脂２５を封入し硬化を行う。なお、第１の樹脂２５は
半導体素子２１をメッキ配線層２３に接合する前に塗布
しておくこともできる。
【００５９】次に図７（ｆ）に示すように、銅板３１の
みに選択性のあるエッチング液、例えば硫酸第二銅液に
より、銅板を溶融除去することでメッキ配線層２３の裏
面が露出される。このとき、銅板３１の銅板凹部５１に
形成されたメッキ配線層２３の裏面が導電性突起５２を
形成するものである。
みに選択性のあるエッチング液、例えば硫酸第二銅液に
より、銅板を溶融除去することでメッキ配線層２３の裏
面が露出される。このとき、銅板３１の銅板凹部５１に
形成されたメッキ配線層２３の裏面が導電性突起５２を
形成するものである。
【００６０】次に図７（ｇ）に示すように、メッキ配線
層２３の裏面を保護する目的で第２の樹脂２７を塗布し
硬化する。このとき導電性突起５２が露出して外部電極
を構成する。
層２３の裏面を保護する目的で第２の樹脂２７を塗布し
硬化する。このとき導電性突起５２が露出して外部電極
を構成する。
【００６１】以上のように本実施形態によれば、メッキ
配線層２３の裏面で導電性突起５２を形成することによ
り、半田ボール等の外部電極が不要となり、低コストの
半導体装置を実現することができる。
配線層２３の裏面で導電性突起５２を形成することによ
り、半田ボール等の外部電極が不要となり、低コストの
半導体装置を実現することができる。
【００６２】次に本発明の第４の実施形態について、図
面を参照しながら説明する。図８は本発明の第４の実施
形態における半導体装置を示す断面図である。図８にお
いて、２１は半導体素子、２２は半導体素子上に形成さ
れた半導体素子電極である。２３はメッキ配線層、２４
は半導体素子電極２２とメッキ配線層２３を電気的に接
続する半田バンプ、２５は半導体素子２１の下面とメッ
キ配線層２３の表面を封止する第１の樹脂である。２６
はメッキ配線層２３の裏面に接続された半田ボール、２
７はメッキ配線層２３の裏面を封止する第２の樹脂であ
る。
面を参照しながら説明する。図８は本発明の第４の実施
形態における半導体装置を示す断面図である。図８にお
いて、２１は半導体素子、２２は半導体素子上に形成さ
れた半導体素子電極である。２３はメッキ配線層、２４
は半導体素子電極２２とメッキ配線層２３を電気的に接
続する半田バンプ、２５は半導体素子２１の下面とメッ
キ配線層２３の表面を封止する第１の樹脂である。２６
はメッキ配線層２３の裏面に接続された半田ボール、２
７はメッキ配線層２３の裏面を封止する第２の樹脂であ
る。
【００６３】本実施形態の半導体装置は、半導体素子２
１の表面に設けられた半導体素子電極２２の配列をメッ
キ配線層２３により半導体素子２１よりも外側に引き出
した構造であり、メッキ配線層２３と半導体素子２１と
の間隙は、第１の樹脂２５により封止し、メッキ配線層
２３の半田ボール２６を設けていない箇所は第２の樹脂
２７で封止した構造である。本実施形態によればメッキ
配線層２３を半導体素子２１よりも外側に引き出したこ
とにより容易に多ピン化に対応できる構造となってい
る。
１の表面に設けられた半導体素子電極２２の配列をメッ
キ配線層２３により半導体素子２１よりも外側に引き出
した構造であり、メッキ配線層２３と半導体素子２１と
の間隙は、第１の樹脂２５により封止し、メッキ配線層
２３の半田ボール２６を設けていない箇所は第２の樹脂
２７で封止した構造である。本実施形態によればメッキ
配線層２３を半導体素子２１よりも外側に引き出したこ
とにより容易に多ピン化に対応できる構造となってい
る。
【００６４】次に図９は本発明の第４の実施形態におけ
る金属板溶融法による半導体装置の製造方法を示す断面
図である。図９において２１は半導体素子、２２は半導
体素子電極、２３はメッキ配線層、２４は半田バンプ、
２５は第１の樹脂、２６は半田ボール、２７は第２の樹
脂、３１は銅板、３２は銅板３１上に形成されたメッキ
レジストパターンである。
る金属板溶融法による半導体装置の製造方法を示す断面
図である。図９において２１は半導体素子、２２は半導
体素子電極、２３はメッキ配線層、２４は半田バンプ、
２５は第１の樹脂、２６は半田ボール、２７は第２の樹
脂、３１は銅板、３２は銅板３１上に形成されたメッキ
レジストパターンである。
【００６５】以下、本発明の第４の実施形態における金
属板溶融法による半導体装置の製造方法について図９を
参照しながら説明する。
属板溶融法による半導体装置の製造方法について図９を
参照しながら説明する。
【００６６】まず図９（ａ）に示すように、銅板３１上
にメッキレジストを塗布し、露光、現像することにより
メッキレジストパターン３２を形成する。次に金（Ａ
ｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジ
ウム（Ｐｄ）の順にメッキを行い、メッキ配線層２３を
形成する。ここで各々のメッキ方法は電解メッキでもよ
いし、無電解メッキでも構わない。
にメッキレジストを塗布し、露光、現像することにより
メッキレジストパターン３２を形成する。次に金（Ａ
ｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジ
ウム（Ｐｄ）の順にメッキを行い、メッキ配線層２３を
形成する。ここで各々のメッキ方法は電解メッキでもよ
いし、無電解メッキでも構わない。
【００６７】その後、図９（ｂ）に示すように、メッキ
レジストパターン３２を溶剤により除去する。
レジストパターン３２を溶剤により除去する。
【００６８】次に図９（ｃ）に示すように、あらかじめ
半導体素子電極２２上に半田バンプ２４を形成した半導
体素子２１をフリップチップ接合により上記メッキ配線
層２３の表面に接合する。
半導体素子電極２２上に半田バンプ２４を形成した半導
体素子２１をフリップチップ接合により上記メッキ配線
層２３の表面に接合する。
【００６９】その後、図９（ｄ）に示すように、第１の
樹脂２５を封入し硬化を行う。ここでは、メッキ配線層
２３が半導体素子２１の外側領域まで形成されているの
で、樹脂封止領域も大きくなる。
樹脂２５を封入し硬化を行う。ここでは、メッキ配線層
２３が半導体素子２１の外側領域まで形成されているの
で、樹脂封止領域も大きくなる。
【００７０】次に図９（ｅ）に示すように、銅板３１の
みに選択性のあるエッチング液、例えば硫酸第二銅液に
より、銅板を溶融除去することでメッキ配線層２３の裏
面を露出させる。
みに選択性のあるエッチング液、例えば硫酸第二銅液に
より、銅板を溶融除去することでメッキ配線層２３の裏
面を露出させる。
【００７１】次に図９（ｆ）に示すように、メッキ配線
層２３の裏面に半田ボール２６を搭載後、加熱、溶融す
ることでメッキ配線層２３と半田ボール２６を接合す
る。ここで、半田ボール２６を搭載する前にソルダーペ
ーストを供給しても構わない。
層２３の裏面に半田ボール２６を搭載後、加熱、溶融す
ることでメッキ配線層２３と半田ボール２６を接合す
る。ここで、半田ボール２６を搭載する前にソルダーペ
ーストを供給しても構わない。
【００７２】次に図９（ｇ）に示すように、メッキ配線
層を保護する目的で第２の樹脂２７を塗布し硬化する。
層を保護する目的で第２の樹脂２７を塗布し硬化する。
【００７３】以上のように、本実施形態によればメッキ
配線層２３を半導体素子２１よりも外側に引き出したこ
とにより容易に多ピン化に対応できる半導体装置を製造
できる。
配線層２３を半導体素子２１よりも外側に引き出したこ
とにより容易に多ピン化に対応できる半導体装置を製造
できる。
【００７４】次に本発明の第５の実施形態について、図
面を参照しながら説明する。図１０は本発明の第５の実
施形態における半導体装置を示す断面図である。図１０
において、２１は半導体素子、２２は半導体素子上に形
成された半導体素子電極である。２３はメッキ配線層、
６１はメッキ配線層２３の表面に形成されたレジスト、
６２はレジスト６１の一部に開口部を形成し、メッキ配
線層２３の表面を露出させたボンディングエリア、６３
は半導体素子２１とレジスト６１を接合する接合材料、
６４は半導体素子電極２２とメッキ配線層２３を電気的
に接続する金ワイヤー、６５は半導体素子２１の表面と
メッキ配線層２３の表面及び金ワイヤー６４を封止する
第１の樹脂である。２６はメッキ配線層２３の裏面に接
続された半田ボール、２７はメッキ配線層２３の裏面を
封止する第２の樹脂である。
面を参照しながら説明する。図１０は本発明の第５の実
施形態における半導体装置を示す断面図である。図１０
において、２１は半導体素子、２２は半導体素子上に形
成された半導体素子電極である。２３はメッキ配線層、
６１はメッキ配線層２３の表面に形成されたレジスト、
６２はレジスト６１の一部に開口部を形成し、メッキ配
線層２３の表面を露出させたボンディングエリア、６３
は半導体素子２１とレジスト６１を接合する接合材料、
６４は半導体素子電極２２とメッキ配線層２３を電気的
に接続する金ワイヤー、６５は半導体素子２１の表面と
メッキ配線層２３の表面及び金ワイヤー６４を封止する
第１の樹脂である。２６はメッキ配線層２３の裏面に接
続された半田ボール、２７はメッキ配線層２３の裏面を
封止する第２の樹脂である。
【００７５】本実施形態の半導体装置は、第２の樹脂２
７で支持されたメッキ配線層２３上にレジストを介して
半導体素子２１がその表面を上にして接合され、半導体
素子２１の半導体素子電極２２とボンディングエリア６
２とは金ワイヤー６４で電気的に接続されたものであ
る。そして半導体素子２１、金ワイヤー６４の領域は第
１の封止樹脂６５で片面封止され、底面には第２の樹脂
２５の開口して露出したメッキ配線層２３の部分に半田
ボール２６が設けられているものである。すなわち、ボ
ンディングエリア６２からメッキ配線層２３を通して半
導体素子２１の裏面に配線が引き回され、半導体素子２
１の下面領域に外部端子として半田ボール２６が設けら
れた構造である。
７で支持されたメッキ配線層２３上にレジストを介して
半導体素子２１がその表面を上にして接合され、半導体
素子２１の半導体素子電極２２とボンディングエリア６
２とは金ワイヤー６４で電気的に接続されたものであ
る。そして半導体素子２１、金ワイヤー６４の領域は第
１の封止樹脂６５で片面封止され、底面には第２の樹脂
２５の開口して露出したメッキ配線層２３の部分に半田
ボール２６が設けられているものである。すなわち、ボ
ンディングエリア６２からメッキ配線層２３を通して半
導体素子２１の裏面に配線が引き回され、半導体素子２
１の下面領域に外部端子として半田ボール２６が設けら
れた構造である。
【００７６】次に図１１は本発明の第５の実施形態にお
ける金属板溶融法による半導体装置の製造方法を示す断
面図である。図１１において２１は半導体素子、２２は
半導体素子電極、２３はメッキ配線層、６１はレジス
ト、６２はボンディングエリア、６３は接合材料、６４
は金ワイヤー、６５は第１の樹脂、２６は半田ボール、
２７は第２の樹脂である。３１は銅板、３２は銅板３１
上に形成されたメッキレジストパターンである。
ける金属板溶融法による半導体装置の製造方法を示す断
面図である。図１１において２１は半導体素子、２２は
半導体素子電極、２３はメッキ配線層、６１はレジス
ト、６２はボンディングエリア、６３は接合材料、６４
は金ワイヤー、６５は第１の樹脂、２６は半田ボール、
２７は第２の樹脂である。３１は銅板、３２は銅板３１
上に形成されたメッキレジストパターンである。
【００７７】以下、本発明の第５の実施形態における金
属板溶融法による半導体装置の製造方法について図１１
を参照しながら説明する。
属板溶融法による半導体装置の製造方法について図１１
を参照しながら説明する。
【００７８】まず図１１（ａ）に示すように、銅板３１
上にメッキレジストを塗布し、露光、現像することによ
りメッキレジストパターン３２を形成する。次に金（Ａ
ｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジ
ウム（Ｐｄ）の順にメッキを行い、メッキ配線層２３を
形成する。各々のメッキ方法は電解メッキでもよいし、
無電解メッキでも構わない。
上にメッキレジストを塗布し、露光、現像することによ
りメッキレジストパターン３２を形成する。次に金（Ａ
ｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジ
ウム（Ｐｄ）の順にメッキを行い、メッキ配線層２３を
形成する。各々のメッキ方法は電解メッキでもよいし、
無電解メッキでも構わない。
【００７９】その後、図１１（ｂ）に示すように、メッ
キレジストパターン３２を溶剤により除去する。
キレジストパターン３２を溶剤により除去する。
【００８０】次に図１１（ｃ）に示すように、メッキ配
線層２３の表面を保護する目的でレジスト６１を塗布し
硬化する。このときメッキ配線層の表面の一部を露出し
てボンディングエリア６２を形成する。なお、レジスト
６１を塗布方法は印刷法でもよいし、フォト法でもよ
い。そして半導体素子２１を半導体素子電極２２が形成
された面を上にして接合材料６３でレジスト６１の表面
に接合する。接合材料６３として銀（Ａｇ）ペーストや
絶縁樹脂ペーストを用いる。そして半導体素子電極２と
ボンディングエリア６２を金ワイヤー６４でワイヤーボ
ンディングして電気的に接続する。
線層２３の表面を保護する目的でレジスト６１を塗布し
硬化する。このときメッキ配線層の表面の一部を露出し
てボンディングエリア６２を形成する。なお、レジスト
６１を塗布方法は印刷法でもよいし、フォト法でもよ
い。そして半導体素子２１を半導体素子電極２２が形成
された面を上にして接合材料６３でレジスト６１の表面
に接合する。接合材料６３として銀（Ａｇ）ペーストや
絶縁樹脂ペーストを用いる。そして半導体素子電極２と
ボンディングエリア６２を金ワイヤー６４でワイヤーボ
ンディングして電気的に接続する。
【００８１】次に図１１（ｄ）に示すように、銅板３１
の半導体素子２１が載置された面を第１の樹脂６５で封
止する。
の半導体素子２１が載置された面を第１の樹脂６５で封
止する。
【００８２】次に図１１（ｅ）に示すように、銅板３１
のみに選択性のあるエッチング液例えば硫酸第二銅液に
より、銅板を溶融除去することでメッキ配線層２３の裏
面が露出される。
のみに選択性のあるエッチング液例えば硫酸第二銅液に
より、銅板を溶融除去することでメッキ配線層２３の裏
面が露出される。
【００８３】次に図１１（ｆ）に示すように、メッキ配
線層２３の裏面に半田ボール２６を搭載後、加熱、溶融
することでメッキ配線層２３と半田ボール２６を接合す
る。ここで、半田ボール２６を搭載する前にソルダーペ
ーストを供給しても構わない。
線層２３の裏面に半田ボール２６を搭載後、加熱、溶融
することでメッキ配線層２３と半田ボール２６を接合す
る。ここで、半田ボール２６を搭載する前にソルダーペ
ーストを供給しても構わない。
【００８４】次に図１１（ｇ）に示すように、メッキ配
線層を保護する目的で第２の樹脂２７を塗布し硬化す
る。
線層を保護する目的で第２の樹脂２７を塗布し硬化す
る。
【００８５】以上のように本実施形態によれば、半導体
素子２１の接合に既存技術であるワイヤボンド接合を使
用することで、低コスト、高歩留の半導体装置を実現す
ることができる。
素子２１の接合に既存技術であるワイヤボンド接合を使
用することで、低コスト、高歩留の半導体装置を実現す
ることができる。
【００８６】次に本発明の第６の実施形態について、図
面を参照しながら説明する。図１２は本発明の第６の実
施形態における半導体装置を示す断面図である。図６に
おいて、２１は半導体素子、２２は半導体素子上に形成
された半導体素子電極である。２３はメッキ配線層、２
４は半導体素子電極２２とメッキ配線層２３を電気的に
接続する半田バンプ、２５は半導体素子２１の下面とメ
ッキ配線層２３の表面を封止する第１の樹脂である。２
６はメッキ配線層２３の裏面に接続された半田ボール、
２７はメッキ配線層２３の裏面を封止する第２の樹脂で
ある。７２はメッキ配線層２３の一部に形成された鋸歯
状メッキ凹凸部である。
面を参照しながら説明する。図１２は本発明の第６の実
施形態における半導体装置を示す断面図である。図６に
おいて、２１は半導体素子、２２は半導体素子上に形成
された半導体素子電極である。２３はメッキ配線層、２
４は半導体素子電極２２とメッキ配線層２３を電気的に
接続する半田バンプ、２５は半導体素子２１の下面とメ
ッキ配線層２３の表面を封止する第１の樹脂である。２
６はメッキ配線層２３の裏面に接続された半田ボール、
２７はメッキ配線層２３の裏面を封止する第２の樹脂で
ある。７２はメッキ配線層２３の一部に形成された鋸歯
状メッキ凹凸部である。
【００８７】本実施形態の半導体装置は、半導体素子２
１の表面に設けられた半導体素子電極２２の配列をメッ
キ配線層２３によりグリッド状に引き回して配列させ、
そのメッキ配線層２３に外部端子となるボール電極であ
る半田ボール２６を設けたものである。またメッキ配線
層２３と半導体素子２１との間隙は、第１の樹脂２５に
より封止し、メッキ配線層２３の裏面は第２の樹脂２７
で封止した構造である。そして前記した第１の実施形態
の半導体装置と同様の構成を有しているが、メッキ配線
層２３の一部に鋸歯状メッキ凹凸部７２が形成されたも
のであり、メッキ配線層２３に加わる応力を吸収する構
造を有している。
１の表面に設けられた半導体素子電極２２の配列をメッ
キ配線層２３によりグリッド状に引き回して配列させ、
そのメッキ配線層２３に外部端子となるボール電極であ
る半田ボール２６を設けたものである。またメッキ配線
層２３と半導体素子２１との間隙は、第１の樹脂２５に
より封止し、メッキ配線層２３の裏面は第２の樹脂２７
で封止した構造である。そして前記した第１の実施形態
の半導体装置と同様の構成を有しているが、メッキ配線
層２３の一部に鋸歯状メッキ凹凸部７２が形成されたも
のであり、メッキ配線層２３に加わる応力を吸収する構
造を有している。
【００８８】次に図１３は本発明の第６の実施形態にお
ける金属板溶融法による半導体装置の製造方法を示す断
面図である。図１３において、２１は半導体素子、２２
は半導体素子電極、２３はメッキ配線層、２４は半田バ
ンプ、２５は第１の樹脂、２６は半田ボール、２７は第
２の樹脂、３１は銅板、３２は銅板３１上に形成された
メッキレジストパターン、７１は銅板３１の一部に形成
された鋸歯状銅板凹凸部、７２はメッキ配線層２３の一
部に形成された鋸歯状メッキ凹凸部である。
ける金属板溶融法による半導体装置の製造方法を示す断
面図である。図１３において、２１は半導体素子、２２
は半導体素子電極、２３はメッキ配線層、２４は半田バ
ンプ、２５は第１の樹脂、２６は半田ボール、２７は第
２の樹脂、３１は銅板、３２は銅板３１上に形成された
メッキレジストパターン、７１は銅板３１の一部に形成
された鋸歯状銅板凹凸部、７２はメッキ配線層２３の一
部に形成された鋸歯状メッキ凹凸部である。
【００８９】以下、第６の実施形態における金属板溶融
法による半導体装置の製造方法について図１３を参照し
ながら説明する。
法による半導体装置の製造方法について図１３を参照し
ながら説明する。
【００９０】まず図１３（ａ）に示すように、銅板３１
の表面を部分エッチングし、鋸歯状銅板凹凸部７１を形
成する。なお、銅板３１の表面を部分エッチングする代
わりに切削加工により鋸歯状銅板凹凸部７１を形成して
もよい。また、鋸歯状銅板凹凸部７１の形状として鋸歯
状の代わりに正弦波状や三角波状としてもよい。
の表面を部分エッチングし、鋸歯状銅板凹凸部７１を形
成する。なお、銅板３１の表面を部分エッチングする代
わりに切削加工により鋸歯状銅板凹凸部７１を形成して
もよい。また、鋸歯状銅板凹凸部７１の形状として鋸歯
状の代わりに正弦波状や三角波状としてもよい。
【００９１】次に図１３（ｂ）に示すように、銅板３１
上にメッキレジストを塗布し、露光、現像することによ
りメッキレジストパターン３２を形成する。次に金（Ａ
ｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジ
ウム（Ｐｄ）の順にメッキを行い、鋸歯状銅板凹凸部７
１を含めてメッキ配線層２３を形成する。この工程によ
り、銅板３１の鋸歯状銅板凹凸部７１の形状に応じてメ
ッキ配線層２３に鋸歯状メッキ凹凸部７２が形成され
る。各々のメッキ方法は電解メッキでもよいし、無電解
メッキでも構わない。
上にメッキレジストを塗布し、露光、現像することによ
りメッキレジストパターン３２を形成する。次に金（Ａ
ｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジ
ウム（Ｐｄ）の順にメッキを行い、鋸歯状銅板凹凸部７
１を含めてメッキ配線層２３を形成する。この工程によ
り、銅板３１の鋸歯状銅板凹凸部７１の形状に応じてメ
ッキ配線層２３に鋸歯状メッキ凹凸部７２が形成され
る。各々のメッキ方法は電解メッキでもよいし、無電解
メッキでも構わない。
【００９２】その後、図１３（ｃ）に示すように、メッ
キレジストパターン３２を溶剤により除去する。
キレジストパターン３２を溶剤により除去する。
【００９３】次に図１３（ｄ）に示すように、あらかじ
め半導体素子電極２２上に半田バンプ２４を形成した半
導体素子２１をフリップチップ接合により前記メッキ配
線層２３の表面に接合する。
め半導体素子電極２２上に半田バンプ２４を形成した半
導体素子２１をフリップチップ接合により前記メッキ配
線層２３の表面に接合する。
【００９４】その後、図１３（ｅ）に示すように、第１
の樹脂２５を封入し硬化を行う。なお、第１の樹脂２５
は半導体素子２１をメッキ配線層２３に接合する前に塗
布しておくこともできる。
の樹脂２５を封入し硬化を行う。なお、第１の樹脂２５
は半導体素子２１をメッキ配線層２３に接合する前に塗
布しておくこともできる。
【００９５】次に図１３（ｆ）に示すように、銅板３１
のみに選択性のあるエッチング液例えば硫酸第二銅液に
より、銅板を溶融除去することでメッキ配線層２３の裏
面が露出される。
のみに選択性のあるエッチング液例えば硫酸第二銅液に
より、銅板を溶融除去することでメッキ配線層２３の裏
面が露出される。
【００９６】次に図１３（ｇ）に示すように、メッキ配
線層２３の裏面に半田ボール２６を搭載後、加熱、溶融
することでメッキ配線層２３と半田ボール２６を接合す
る。ここで、半田ボール２６を搭載する前にソルダーペ
ーストを供給しても構わない。
線層２３の裏面に半田ボール２６を搭載後、加熱、溶融
することでメッキ配線層２３と半田ボール２６を接合す
る。ここで、半田ボール２６を搭載する前にソルダーペ
ーストを供給しても構わない。
【００９７】次に図１３（ｈ）に示すように、メッキ配
線層を保護する目的で第２の樹脂２７を塗布し硬化す
る。
線層を保護する目的で第２の樹脂２７を塗布し硬化す
る。
【００９８】以上のように本実施形態によれば、メッキ
配線層２３に鋸歯状メッキ凹凸部７２を形成し、メッキ
配線層２３に加わる応力を吸収する構造をとったことに
より、高信頼性の半導体装置を実現することができる。
配線層２３に鋸歯状メッキ凹凸部７２を形成し、メッキ
配線層２３に加わる応力を吸収する構造をとったことに
より、高信頼性の半導体装置を実現することができる。
【００９９】なお、前記した第２、第３、第４、第５、
第６の実施形態における製造方法として、金属板溶融法
の代わりに転写板剥離法を用いてもよい。
第６の実施形態における製造方法として、金属板溶融法
の代わりに転写板剥離法を用いてもよい。
【０１００】また、前記した第１、第２、第３、第４、
第５、第６の実施形態においてはメッキ配線層２３の構
成を金／パラジウム／ニッケル／パラジウム（Ａｕ／Ｐ
ｄ／Ｎｉ／Ｐｄ）としたが、金／ニッケル／銅／ニッケ
ル／金（Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ）でもよく、金
／ニッケル／金（Ａｕ／Ｎｉ／Ａｕ）、パラジウム／ニ
ッケル／パラジウム（Ｐｄ／Ｎｉ／Ｐｄ）、パラジウム
／ニッケル（Ｐｄ／Ｎｉ）、金／パラジウム／ニッケル
（Ａｕ／Ｐｄ／Ｎｉ）、金／ニッケル（Ａｕ／Ｎｉ）な
どの構成でも構わない。
第５、第６の実施形態においてはメッキ配線層２３の構
成を金／パラジウム／ニッケル／パラジウム（Ａｕ／Ｐ
ｄ／Ｎｉ／Ｐｄ）としたが、金／ニッケル／銅／ニッケ
ル／金（Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ）でもよく、金
／ニッケル／金（Ａｕ／Ｎｉ／Ａｕ）、パラジウム／ニ
ッケル／パラジウム（Ｐｄ／Ｎｉ／Ｐｄ）、パラジウム
／ニッケル（Ｐｄ／Ｎｉ）、金／パラジウム／ニッケル
（Ａｕ／Ｐｄ／Ｎｉ）、金／ニッケル（Ａｕ／Ｎｉ）な
どの構成でも構わない。
【０１０１】また、第１、第２、第３、第４、第６の実
施形態においては、半田バンプ２４の代わりに金（Ａ
ｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属バンプ、銅などの金
属ボールを用いても構わない。またフリップチップ接合
に用いる接合材料としては、半田、導電性ペースト、異
方性導電フィルム、異方性導電ペーストでも構わない。
施形態においては、半田バンプ２４の代わりに金（Ａ
ｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属バンプ、銅などの金
属ボールを用いても構わない。またフリップチップ接合
に用いる接合材料としては、半田、導電性ペースト、異
方性導電フィルム、異方性導電ペーストでも構わない。
【０１０２】また、第１、第３、第４、第６の実施形態
においてはメッキ配線層２３の裏面に半田ボール２６を
接合した後、第２の樹脂２７を塗布し硬化する工程の代
わりに、半田ボール２６の搭載部のみメッキ配線層２３
の裏面を露出させるように第２の樹脂２７を塗布し硬化
した後、メッキ配線層２３の裏面に半田ボール２６を接
合してもよい。
においてはメッキ配線層２３の裏面に半田ボール２６を
接合した後、第２の樹脂２７を塗布し硬化する工程の代
わりに、半田ボール２６の搭載部のみメッキ配線層２３
の裏面を露出させるように第２の樹脂２７を塗布し硬化
した後、メッキ配線層２３の裏面に半田ボール２６を接
合してもよい。
【０１０３】また、第１、第３、第４、第６の実施形態
においては半田ボール２６を接合する代わりに銅等の金
属球もしくは金属被覆樹脂ボールをソルダーペーストを
供給して接合しても構わない。
においては半田ボール２６を接合する代わりに銅等の金
属球もしくは金属被覆樹脂ボールをソルダーペーストを
供給して接合しても構わない。
【０１０４】さらに、第１、第３、第４、第６の実施形
態においては第２の樹脂２７を塗布し硬化するかわりに
ソルダーレジストを印刷法にて形成してもよいし、ソル
ダーレジストをフォト法にて形成してもよい。
態においては第２の樹脂２７を塗布し硬化するかわりに
ソルダーレジストを印刷法にて形成してもよいし、ソル
ダーレジストをフォト法にて形成してもよい。
【０１０５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置は、メッキ配線層を形成した後に金属板を溶融除去す
るか、もしくはメッキ配線層を形成した後に転写板を剥
離除去することで、従来必要であった樹脂基板及びスル
ーホールを省略することができ、小型軽量の半導体装置
を提供することができる。
置は、メッキ配線層を形成した後に金属板を溶融除去す
るか、もしくはメッキ配線層を形成した後に転写板を剥
離除去することで、従来必要であった樹脂基板及びスル
ーホールを省略することができ、小型軽量の半導体装置
を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施形態にかかる半導体装置を
示す断面図
示す断面図
【図２】本発明の第１の実施形態にかかる金属板溶融法
による製造方法を示す断面図
による製造方法を示す断面図
【図３】本発明の第１の実施形態にかかる転写板剥離法
による製造方法を示す断面図
による製造方法を示す断面図
【図４】本発明の第２の実施形態にかかる半導体装置を
示す断面図
示す断面図
【図５】本発明の第２の実施形態にかかる金属板溶融法
による製造方法を示す断面図
による製造方法を示す断面図
【図６】本発明の第３の実施形態にかかる半導体装置を
示す断面図
示す断面図
【図７】本発明の第３の実施形態にかかる金属板溶融法
による製造方法を示す断面図
による製造方法を示す断面図
【図８】本発明の第４の実施形態にかかる半導体装置を
示す断面図
示す断面図
【図９】本発明の第４の実施形態にかかる金属板溶融法
による製造方法を示す断面図
による製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の第５の実施形態にかかる半導体装置
を示す断面図
を示す断面図
【図１１】本発明の第５の実施形態にかかる金属板溶融
法による製造方法を示す断面図
法による製造方法を示す断面図
【図１２】本発明の第６の実施形態にかかる半導体装置
を示す断面図
を示す断面図
【図１３】本発明の第６の実施形態にかかる金属板溶融
法による製造方法を示す断面図
法による製造方法を示す断面図
【図１４】従来の半導体装置を示す断面図
【図１５】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図
１ 半導体素子 ２ 半導体素子電極 ３ 樹脂基板 ４ 基板表面導体 ５ 基板表面レジスト ６ ボンディングエリア ７ 基板裏面導体 ８ 基板裏面レジスト ９ ボールランド １０ スルーホール １１ 接合材料 １２ 金ワイヤー １３ 半田ボール １４ 封止樹脂 ２１ 半導体素子 ２２ 半導体素子電極 ２３ メッキ配線層 ２４ 半田バンプ ２５ 第１の樹脂 ２６ 半田ボール ２７ 第２の樹脂 ２８ 樹脂開口部 ３１ 銅板 ３２ メッキレジストパターン ４１ 転写板 ５１ 銅板凹部 ５２ 導電性突起 ６１ レジスト ６２ ボンディングエリア ６３ 接合材料 ６４ 金ワイヤー ６５ 第１の樹脂 ７１ 鋸歯状銅板凹凸部 ７２ 鋸歯状メッキ凹凸部
フロントページの続き (72)発明者 下石坂 望 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 村上 慎司 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 坂口 茂樹 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 藤本 博昭 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体素子と、前記半導体素子が載置さ
れるメッキ配線層と、前記半導体素子と前記メッキ配線
層の表面とを電気的に接続する接続導体と、載置された
前記半導体素子及び前記メッキ配線層の表面と前記接続
導体素子を保護する第１の樹脂と、前記メッキ配線層の
裏面と電気的に接続された外部電極と、前記メッキ配線
層の裏面を保護する第２の樹脂とを備えたことを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項２】 外部電極の代わりにメッキ配線層の裏面
を部分的に露出させる開口部を第２の樹脂に備えたこと
を特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 外部電極の代わりに第２の樹脂から部分
的に露出するメッキ配線層で形成された導電性の突起を
備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 メッキ配線層に鋸歯状の凹凸を設けたこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項５】 金属板の表面にメッキ配線層を形成する
工程と、半導体素子を前記メッキ配線層の表面に載置
し、前記半導体素子と前記メッキ配線層の表面とを接続
導体を経由して電気的に接続する工程と、前記半導体素
子と前記接合導体と前記メッキ配線層を第１の樹脂で封
止する工程と、前記メッキ配線層が形成された前記金属
板から前記メッキ配線層を残し前記金属板のみを選択的
に溶融除去し前記メッキ配線層の裏面を露出させる工程
と、半田ボールを加熱、溶融させ前記メッキ配線層の裏
面と接合する工程と、前記メッキ配線層の裏面を第２の
樹脂で封止する工程を有することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項６】 金属板の表面にメッキ配線層を形成する
工程の代わりに第２の樹脂およびメッキ配線層と密着性
が少ない転写板上にメッキ配線層を形成する工程を有
し、メッキ配線層が形成された金属板から前記メッキ配
線層を残して前記金属板のみを選択的に溶融除去する工
程の代わりに前記メッキ配線層が形成された前記転写板
から前記メッキ配線層を残して前記転写板のみを剥離除
去する工程を有することを特徴とする請求項５記載の半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9150621A JPH10340925A (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9150621A JPH10340925A (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10340925A true JPH10340925A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15500876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9150621A Pending JPH10340925A (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10340925A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6476482B1 (en) | 1999-06-08 | 2002-11-05 | Nec Corporation | Chip-size integrated circuit package having slits formed in an insulator tape |
| JP2004349716A (ja) * | 2004-07-12 | 2004-12-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 板状体および半導体装置の製造方法 |
| US6975022B2 (en) | 2000-05-24 | 2005-12-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Board for manufacturing a BGA and method of manufacturing semiconductor device using thereof |
| JP2008252016A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 基板およびその製造方法、回路装置およびその製造方法 |
| JP2010135828A (ja) * | 2010-02-08 | 2010-06-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 基板およびその製造方法、回路装置およびその製造方法 |
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-
1997
- 1997-06-09 JP JP9150621A patent/JPH10340925A/ja active Pending
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