JPH0448005Y2 - - Google Patents
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- JPH0448005Y2 JPH0448005Y2 JP576885U JP576885U JPH0448005Y2 JP H0448005 Y2 JPH0448005 Y2 JP H0448005Y2 JP 576885 U JP576885 U JP 576885U JP 576885 U JP576885 U JP 576885U JP H0448005 Y2 JPH0448005 Y2 JP H0448005Y2
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 27
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- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は、クリスタル発振回路とCR発振回路
を内蔵し、製造時のマスクによつて選択可能な
MOS集積回路に関する。[Detailed explanation of the invention] (a) Industrial application field This invention has a built-in crystal oscillation circuit and a CR oscillation circuit, which can be selected using a mask during manufacturing.
Regarding MOS integrated circuits.
(ロ) 従来の技術
一般にマイクロコンピユータ等のMOS集積回
路は、動作を行うためのクロツク信号を作成する
発振回路が内蔵される。この発振回路は、セラミ
ツク振動子あるいは水晶振動子を使用する二端子
型のクリスタル発振回路と、抵抗及びコンデンサ
を使用する一端子型のCR発振回路とがあり、こ
れらの発振回路はMOS集積回路に共に内蔵され
MOS集積回路の製造時にマスクによつて切り換
え選択されていた。例えば、昭和53年９月に発行
された「日立４ビツト・１チツプマイクロコンピ
ユータシステム HMCS40シリーズ アプリケ
ーシヨンマニユアル」の第４頁から第14頁に記載
された内容を参照。(B) Prior Art Generally, MOS integrated circuits such as microcomputers have built-in oscillation circuits that generate clock signals for operation. There are two types of oscillation circuits: a two-terminal type crystal oscillation circuit that uses a ceramic resonator or a crystal resonator, and a one-terminal type CR oscillation circuit that uses a resistor and a capacitor. built in together
During the manufacture of MOS integrated circuits, selection was made by switching using a mask. For example, see the contents described on pages 4 to 14 of "Hitachi 4-bit 1-chip Microcomputer System HMCS40 Series Application Manual" published in September 1978.
従来、例えばＰチヤンネル型で構成された
MOS集積回路に内蔵される発振回路は、第２図
に示す如く、発振用の外部端子１，２間に設けら
れたクリスタル発振回路３と、外部端子１に接続
されたCR発振回路４とが設けられている。クリ
スタル発振回路３は、インバータ４とインバータ
４に並列接続されたMOSFET５と、外部端子１
と接地間に直列接続されゲート−ソース間が接続
されたMOSFET６，７と、電源VDDと接地間に
直列接続されゲート−ソース間が接続された
MOSFET８，９とから成り、MOSFET６，７
の接続点にインバータ４の入力が接続され、
MOSFET８、９の接続点にMOSFET５のゲー
トが接続されている。一方、CR発振回路４はイ
ンバータ１０，１１及びバツフア１２と外部端子
１と接地間に直列接続され各々のゲートとソース
が接続されたMOSFET１３，１４と、バツフア
１２の出力がゲートに印加され外部端子１と接地
間に接続されたMOSFET１５とから構成され、
MOSFET１３，１４の接続点がインバータ１０
の入力に接続されている。 Conventionally, for example, it was configured as a P channel type.
As shown in FIG. 2, the oscillation circuit built into the MOS integrated circuit includes a crystal oscillation circuit 3 provided between external terminals 1 and 2 for oscillation, and a CR oscillation circuit 4 connected to external terminal 1. It is provided. The crystal oscillation circuit 3 includes an inverter 4, a MOSFET 5 connected in parallel to the inverter 4, and an external terminal 1.
MOSFETs 6 and 7 are connected in series between V DD and the ground, and the gate and source are connected.
Consists of MOSFET 8, 9, MOSFET 6, 7
The input of inverter 4 is connected to the connection point of
The gate of MOSFET 5 is connected to the connection point of MOSFETs 8 and 9. On the other hand, the CR oscillation circuit 4 includes MOSFETs 13 and 14 which are connected in series between inverters 10 and 11, a buffer 12, an external terminal 1, and the ground, and have their respective gates and sources connected.The output of the buffer 12 is applied to the gate and the external terminal 1 and a MOSFET 15 connected between the
The connection point of MOSFET13 and 14 is inverter 10
is connected to the input of
第２図に示された回路に於いて、クリスタル発
振回路３とCR発振回路４とを選択する場合には、
MOSFET６，７，８，９，１３，１４を各々エ
ンハンスメント型とするかあるいはデプレツシヨ
ン型とするかによつて切り換えていた。即ち、ク
リスタル発振回路３を選択する場合には、
MOSFET６，８，１４をデプレツシヨン型、
MOSFET７，９，１３をエンハンスメント型と
し、一方、CR発振回路４を選択する場合には、
MOSFET６，８，１４をエンハンスメント型、
MOSFET７，９，１３をデプレツシヨン型とし
ていた。 In the circuit shown in FIG. 2, when selecting the crystal oscillation circuit 3 and the CR oscillation circuit 4,
The MOSFETs 6, 7, 8, 9, 13, and 14 were switched depending on whether they were to be of enhancement type or depletion type. That is, when selecting the crystal oscillation circuit 3,
MOSFET6, 8, 14 are depletion type,
When MOSFETs 7, 9, and 13 are of enhancement type, and CR oscillation circuit 4 is selected,
MOSFET6, 8, 14 are enhancement type,
MOSFETs 7, 9, and 13 were depletion type.
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
しかしながら、第２図に示された回路では、発
振動作に直接関係なく、発振動作の制御用の
MOSFET６，７，８，９，１３，１４が必要で
あるため、素子数が増し、回路が複雑となる欠点
があつた。(c) Problems to be solved by the invention However, in the circuit shown in Figure 2, the circuit for controlling the oscillation operation is not directly related to the oscillation operation.
Since MOSFETs 6, 7, 8, 9, 13, and 14 are required, the number of elements increases and the circuit becomes complicated.
(ニ) 問題点を解決するための手段
本考案は上述した点に鑑みて為されたものであ
り、クリスタル発振回路のインバータに並列接続
されたMOSFETのゲートを所定の電位レベルに
接続し、このMOSFETとCR発振回路のインバー
タあるいはバツフアを構成するMOSFETを各々
エンハンスメント型とデプレツシヨン型の一方に
選択できる構成とすることにより、クリスタル発
振回路とCR発振回路の切り換えを行うものであ
る。(d) Means for solving the problem The present invention was made in view of the above points, and the gate of the MOSFET connected in parallel to the inverter of the crystal oscillation circuit is connected to a predetermined potential level, and this Switching between the crystal oscillation circuit and the CR oscillation circuit is achieved by configuring the MOSFETs and the MOSFETs constituting the inverter or buffer of the CR oscillation circuit to be selectively selected between enhancement type and depletion type.
(ホ) 作用
上述の如く本考案によれば、クリスタル発振回
路のMOSFETとCR発振回路のMOSFETをエン
ハンスメント型とデプレツシヨン型の一方にマス
クによつて選択することにより、発振回路の切り
換えのためのMOSFETが不要となる。(E) Effect As described above, according to the present invention, by selecting the MOSFET of the crystal oscillation circuit and the MOSFET of the CR oscillation circuit into either the enhancement type or the depletion type using a mask, the MOSFET for switching the oscillation circuit can be changed. becomes unnecessary.
(ヘ) 実施例
第１図は本考案の実施例を示す回路図であり、
Ｐチヤンネル型で構成されたMOS集積回路の場
合を示す。セラミツク振動子あるいは水晶振動子
が接続される発振用の外部端子１６，１７の間に
は、クリスタル発振回路１８が設けられ、抵抗及
びコンデンサが接続される外部端子１６にはCR
発振回路１９が設けられている。クリスタル発振
回路１８は、入力が外部端子１６に接続され出力
が外部端子１７に接続されたインバータ２０と、
インバータ２０の入出力に並列接続された
MOSFET２１とから成り、MOSFET２１のゲ
ートは接地されている。一方、CR発振回路１９
は２段継続接続されたインバータ２２，２３及び
バツフア２４とバツフア２４の出力がゲートに印
加され、インバータ２２の入力及び外部端子１６
と接地間に接続されたMOSFET２５とから成
る。ここで、インバータ２３はMOSFET２６，
２７の直列接続で構成され、バツフア２４はイン
バータ２３の出力がゲートに印加された
MOSFET２８と、インバータ２３の出力を反転
するインバータ３０と、インバータ３０の出力が
ゲートに印加されたMOSFET２９とから構成さ
れている。(F) Embodiment FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
The case of a MOS integrated circuit configured as a P-channel type is shown. A crystal oscillation circuit 18 is provided between external terminals 16 and 17 for oscillation to which a ceramic resonator or crystal resonator is connected, and a CR
An oscillation circuit 19 is provided. The crystal oscillation circuit 18 includes an inverter 20 whose input is connected to the external terminal 16 and whose output is connected to the external terminal 17;
connected in parallel to the input and output of the inverter 20
The gate of MOSFET 21 is grounded. On the other hand, CR oscillation circuit 19
The outputs of the inverters 22 and 23 and the buffer 24 connected in two stages are applied to the gate, and the input of the inverter 22 and the external terminal 16 are applied to the gate.
and a MOSFET 25 connected between the MOSFET 25 and the ground. Here, the inverter 23 includes MOSFETs 26,
27 connected in series, the buffer 24 has the output of the inverter 23 applied to its gate.
It is composed of a MOSFET 28, an inverter 30 that inverts the output of the inverter 23, and a MOSFET 29 to which the output of the inverter 30 is applied.
そこで、第１図に示された回路でクリスタル発
振回路１８とCR発振回路１９の選択を行う際に
はMOSFET２１，２６，２７，２８，２９の
各々をエンハンスメント型とするかデプレツシヨ
ン型とするかを選択する。即ち、クリスタル発振
回路１８を選択する場合には、MOSFET２１，
２７，２９をデプレツシヨン型とし、MOSFET
２６，２８をエンハンスメント型とする。これに
より、MOSFET２１は抵抗体として作用しイン
バータ２０の帰還抵抗となる。また、MOSFET
２６は常時オフ、MOSFET２７は常時オンとな
るためインバータ２３の出力は接地レベルとな
り、MOSFET２８はオフとなり、一方
MOSFET２９はオンとなる。従つて、バツフア
２４の出力は接地レベルとなりMOSFET２５は
常時オフ状態となり、CR発振回路１９は動作し
ない。また、CR発振回路１９を選択する場合に
は、MOSFET２１，２７，２９をエンハンスメ
ント型とし、MOSFET２６，２８をデプレツシ
ヨン型とする。従つて、MOSFET２１は常時オ
フとなりクリスタル発振回路１８は動作しなくな
り、またMOSFET２６，２７は通常のインバー
タ動作を行い、インバータ３０及びMOSFET２
８，２９はバツフアとして働くようになり、CR
発振回路１９の動作が可能となる。 Therefore, when selecting the crystal oscillation circuit 18 and the CR oscillation circuit 19 in the circuit shown in FIG. select. That is, when selecting the crystal oscillation circuit 18, MOSFET 21,
27 and 29 are depletion type, MOSFET
26 and 28 are of the enhancement type. Thereby, MOSFET 21 acts as a resistor and becomes a feedback resistance of inverter 20. Also, MOSFET
Since MOSFET 26 is always off and MOSFET 27 is always on, the output of inverter 23 is at ground level and MOSFET 28 is off.
MOSFET 29 is turned on. Therefore, the output of the buffer 24 is at ground level, the MOSFET 25 is always off, and the CR oscillation circuit 19 does not operate. Furthermore, when selecting the CR oscillation circuit 19, the MOSFETs 21, 27, and 29 are of the enhancement type, and the MOSFETs 26 and 28 are of the depletion type. Therefore, MOSFET 21 is always off, crystal oscillation circuit 18 does not operate, MOSFETs 26 and 27 perform normal inverter operation, and inverter 30 and MOSFET 2
8,29 started working as a batshua, CR
The operation of the oscillation circuit 19 becomes possible.
MOSFET２１，２６，２７，２８，２９をエ
ンハンスメント型とするかデプレツシヨン型とす
るかは、製造時のマスクによつて選択する。そし
て、切り換えられたクリスタル発振回路１８及び
CR発振回路１９の発振出力は外部端子１６に入
力が接続されたインバータ３１から出力される。 Whether the MOSFETs 21, 26, 27, 28, and 29 are of enhancement type or depletion type is selected depending on the mask used during manufacturing. Then, the switched crystal oscillation circuit 18 and
The oscillation output of the CR oscillation circuit 19 is output from an inverter 31 whose input is connected to the external terminal 16.
(ト) 考案の効果
上述の如く本考案によれば、クリスタル発振回
路とCR発振回路を切り換えるためのMOSFETが
不要となるため、素子数が減少し回路が簡単とな
る利点を有している。(g) Effects of the invention As described above, according to the invention, there is no need for a MOSFET for switching between the crystal oscillation circuit and the CR oscillation circuit, which has the advantage of reducing the number of elements and simplifying the circuit.
第１図は本考案の実施例を示す回路図であり、
第２図は従来例を示す回路図である。
主な図番の説明、１６，１７……外部端子、１
８……クリスタル発振回路、１９……CR発振回
路。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention,
FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional example. Explanation of main drawing numbers, 16, 17...external terminals, 1
8...Crystal oscillation circuit, 19...CR oscillation circuit.
Claims (1)
クリスタル発振回路と抵抗及びコンデンサを用い
るCR発振回路を内蔵するMOS集積回路に於い
て、前記クリスタル発振回路は、前記セラミツク
振動子あるいは水晶振動子が接続される端子間に
設けられたインバータと、該インバータの入出力
に並列接続されゲートが所定の電圧レベルに接続
されたMOSFETとから構成され、前記CR発振回
路は、前記抵抗及びコンデンサが接続される端子
にドレインが接続された充放電用のMOSFET
と、該MOSFETのドレインとゲートの間に継続
接続されたインバータ及びバツフアとから構成さ
れ、前記クリスタル発振回路のMOSFETをデプ
レツシヨン型とし、前記CR発振回路のインバー
タとバツフアを構成するMOSFETの負荷側をエ
ンハンスメント型、駆動側をデプレシヨン型とす
ることにより前記クリスタル発振回路が選択さ
れ、前記クリスタル発振回路のMOSFETをエン
ハンスメント型とし、前記CR発振回路のインバ
ータとバツフアを構成するMOSFETの負荷側を
デプレツシヨン型、駆動側をエンハンスメント型
とすることにより前記CR発振回路が選択される
ことを特徴とするMOS集積回路。 In a MOS integrated circuit incorporating a crystal oscillation circuit using a ceramic resonator or a crystal resonator and a CR oscillation circuit using a resistor and a capacitor, the crystal oscillation circuit is connected to a terminal to which the ceramic resonator or crystal resonator is connected. The CR oscillation circuit is composed of an inverter provided between the inverter and a MOSFET that is connected in parallel to the input and output of the inverter and whose gate is connected to a predetermined voltage level. MOSFET for charging and discharging connected to
and an inverter and a buffer continuously connected between the drain and gate of the MOSFET, the MOSFET of the crystal oscillation circuit is a depletion type, and the load side of the MOSFET constituting the inverter and buffer of the CR oscillation circuit is The crystal oscillation circuit is selected by making the MOSFET of the crystal oscillation circuit an enhancement type and the drive side a depletion type, and the MOSFET of the crystal oscillation circuit being an enhancement type, and the load side of the MOSFET constituting the inverter and buffer of the CR oscillation circuit being a depletion type. 1. A MOS integrated circuit, wherein the CR oscillation circuit is selected by making the drive side an enhancement type.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP576885U JPH0448005Y2 (en) | 1985-01-18 | 1985-01-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP576885U JPH0448005Y2 (en) | 1985-01-18 | 1985-01-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61121012U JPS61121012U (en) | 1986-07-30 |
| JPH0448005Y2 true JPH0448005Y2 (en) | 1992-11-12 |
Family
ID=30482580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP576885U Expired JPH0448005Y2 (en) | 1985-01-18 | 1985-01-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0448005Y2 (en) |
-
1985
- 1985-01-18 JP JP576885U patent/JPH0448005Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61121012U (en) | 1986-07-30 |
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