JPH0448005Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案は、クリスタル発振回路とCR発振回路
を内蔵し、製造時のマスクによつて選択可能な
MOS集積回路に関する。

(ロ) 従来の技術 一般にマイクロコンピユータ等のMOS集積回
路は、動作を行うためのクロツク信号を作成する
発振回路が内蔵される。この発振回路は、セラミ
ツク振動子あるいは水晶振動子を使用する二端子
型のクリスタル発振回路と、抵抗及びコンデンサ
を使用する一端子型のCR発振回路とがあり、こ
れらの発振回路はMOS集積回路に共に内蔵され
MOS集積回路の製造時にマスクによつて切り換
え選択されていた。例えば、昭和53年９月に発行
された「日立４ビツト・１チツプマイクロコンピ
ユータシステム HMCS40シリーズ アプリケ
ーシヨンマニユアル」の第４頁から第14頁に記載
された内容を参照。

従来、例えばＰチヤンネル型で構成された
MOS集積回路に内蔵される発振回路は、第２図
に示す如く、発振用の外部端子１，２間に設けら
れたクリスタル発振回路３と、外部端子１に接続
されたCR発振回路４とが設けられている。クリ
スタル発振回路３は、インバータ４とインバータ
４に並列接続されたMOSFET５と、外部端子１
と接地間に直列接続されゲート−ソース間が接続
されたMOSFET６，７と、電源V_DDと接地間に
直列接続されゲート−ソース間が接続された
MOSFET８，９とから成り、MOSFET６，７
の接続点にインバータ４の入力が接続され、
MOSFET８、９の接続点にMOSFET５のゲー
トが接続されている。一方、CR発振回路４はイ
ンバータ１０，１１及びバツフア１２と外部端子
１と接地間に直列接続され各々のゲートとソース
が接続されたMOSFET１３，１４と、バツフア
１２の出力がゲートに印加され外部端子１と接地
間に接続されたMOSFET１５とから構成され、
MOSFET１３，１４の接続点がインバータ１０
の入力に接続されている。

第２図に示された回路に於いて、クリスタル発
振回路３とCR発振回路４とを選択する場合には、
MOSFET６，７，８，９，１３，１４を各々エ
ンハンスメント型とするかあるいはデプレツシヨ
ン型とするかによつて切り換えていた。即ち、ク
リスタル発振回路３を選択する場合には、
MOSFET６，８，１４をデプレツシヨン型、
MOSFET７，９，１３をエンハンスメント型と
し、一方、CR発振回路４を選択する場合には、
MOSFET６，８，１４をエンハンスメント型、
MOSFET７，９，１３をデプレツシヨン型とし
ていた。

(ハ) 考案が解決しようとする問題点 しかしながら、第２図に示された回路では、発
振動作に直接関係なく、発振動作の制御用の
MOSFET６，７，８，９，１３，１４が必要で
あるため、素子数が増し、回路が複雑となる欠点
があつた。

(ニ) 問題点を解決するための手段 本考案は上述した点に鑑みて為されたものであ
り、クリスタル発振回路のインバータに並列接続
されたMOSFETのゲートを所定の電位レベルに
接続し、このMOSFETとCR発振回路のインバー
タあるいはバツフアを構成するMOSFETを各々
エンハンスメント型とデプレツシヨン型の一方に
選択できる構成とすることにより、クリスタル発
振回路とCR発振回路の切り換えを行うものであ
る。

(ホ) 作用 上述の如く本考案によれば、クリスタル発振回
路のMOSFETとCR発振回路のMOSFETをエン
ハンスメント型とデプレツシヨン型の一方にマス
クによつて選択することにより、発振回路の切り
換えのためのMOSFETが不要となる。

(ヘ) 実施例 第１図は本考案の実施例を示す回路図であり、
Ｐチヤンネル型で構成されたMOS集積回路の場
合を示す。セラミツク振動子あるいは水晶振動子
が接続される発振用の外部端子１６，１７の間に
は、クリスタル発振回路１８が設けられ、抵抗及
びコンデンサが接続される外部端子１６にはCR
発振回路１９が設けられている。クリスタル発振
回路１８は、入力が外部端子１６に接続され出力
が外部端子１７に接続されたインバータ２０と、
インバータ２０の入出力に並列接続された
MOSFET２１とから成り、MOSFET２１のゲ
ートは接地されている。一方、CR発振回路１９
は２段継続接続されたインバータ２２，２３及び
バツフア２４とバツフア２４の出力がゲートに印
加され、インバータ２２の入力及び外部端子１６
と接地間に接続されたMOSFET２５とから成
る。ここで、インバータ２３はMOSFET２６，
２７の直列接続で構成され、バツフア２４はイン
バータ２３の出力がゲートに印加された
MOSFET２８と、インバータ２３の出力を反転
するインバータ３０と、インバータ３０の出力が
ゲートに印加されたMOSFET２９とから構成さ
れている。

そこで、第１図に示された回路でクリスタル発
振回路１８とCR発振回路１９の選択を行う際に
はMOSFET２１，２６，２７，２８，２９の
各々をエンハンスメント型とするかデプレツシヨ
ン型とするかを選択する。即ち、クリスタル発振
回路１８を選択する場合には、MOSFET２１，
２７，２９をデプレツシヨン型とし、MOSFET
２６，２８をエンハンスメント型とする。これに
より、MOSFET２１は抵抗体として作用しイン
バータ２０の帰還抵抗となる。また、MOSFET
２６は常時オフ、MOSFET２７は常時オンとな
るためインバータ２３の出力は接地レベルとな
り、MOSFET２８はオフとなり、一方
MOSFET２９はオンとなる。従つて、バツフア
２４の出力は接地レベルとなりMOSFET２５は
常時オフ状態となり、CR発振回路１９は動作し
ない。また、CR発振回路１９を選択する場合に
は、MOSFET２１，２７，２９をエンハンスメ
ント型とし、MOSFET２６，２８をデプレツシ
ヨン型とする。従つて、MOSFET２１は常時オ
フとなりクリスタル発振回路１８は動作しなくな
り、またMOSFET２６，２７は通常のインバー
タ動作を行い、インバータ３０及びMOSFET２
８，２９はバツフアとして働くようになり、CR
発振回路１９の動作が可能となる。

MOSFET２１，２６，２７，２８，２９をエ
ンハンスメント型とするかデプレツシヨン型とす
るかは、製造時のマスクによつて選択する。そし
て、切り換えられたクリスタル発振回路１８及び
CR発振回路１９の発振出力は外部端子１６に入
力が接続されたインバータ３１から出力される。

(ト) 考案の効果 上述の如く本考案によれば、クリスタル発振回
路とCR発振回路を切り換えるためのMOSFETが
不要となるため、素子数が減少し回路が簡単とな
る利点を有している。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の実施例を示す回路図であり、
第２図は従来例を示す回路図である。 主な図番の説明、１６，１７……外部端子、１
８……クリスタル発振回路、１９……CR発振回
路。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. セラミツク振動子あるいは水晶振動子を用いる
   クリスタル発振回路と抵抗及びコンデンサを用い
   るCR発振回路を内蔵するMOS集積回路に於い
   て、前記クリスタル発振回路は、前記セラミツク
   振動子あるいは水晶振動子が接続される端子間に
   設けられたインバータと、該インバータの入出力
   に並列接続されゲートが所定の電圧レベルに接続
   されたMOSFETとから構成され、前記CR発振回
   路は、前記抵抗及びコンデンサが接続される端子
   にドレインが接続された充放電用のMOSFET
   と、該MOSFETのドレインとゲートの間に継続
   接続されたインバータ及びバツフアとから構成さ
   れ、前記クリスタル発振回路のMOSFETをデプ
   レツシヨン型とし、前記CR発振回路のインバー
   タとバツフアを構成するMOSFETの負荷側をエ
   ンハンスメント型、駆動側をデプレシヨン型とす
   ることにより前記クリスタル発振回路が選択さ
   れ、前記クリスタル発振回路のMOSFETをエン
   ハンスメント型とし、前記CR発振回路のインバ
   ータとバツフアを構成するMOSFETの負荷側を
   デプレツシヨン型、駆動側をエンハンスメント型
   とすることにより前記CR発振回路が選択される
   ことを特徴とするMOS集積回路。