JPH0448092A - Reactive dry etching method - Google Patents

Reactive dry etching method

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JPH0448092A
JPH0448092A JP15954290A JP15954290A JPH0448092A JP H0448092 A JPH0448092 A JP H0448092A JP 15954290 A JP15954290 A JP 15954290A JP 15954290 A JP15954290 A JP 15954290A JP H0448092 A JPH0448092 A JP H0448092A
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JP
Japan
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magnetic core
reactive
dry etching
lower magnetic
organic film
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JP15954290A
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Haruhiko Deguchi
治彦 出口
Tsuneo Nakamura
恒夫 中村
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Abstract

PURPOSE:To completely remove the packing material and to clean the surface of a recessed shape part by successively treating the packing material in the recessed shape part with reactive gas high in reactivity and reactive gas high in sputtering properties by a parallel plane type reactive dry etching device. CONSTITUTION:A lower magnetic core 2 and an insulated layer 4 are successively formed on a base plate 1. A back contact part 8 is formed by performing reactive dry etching with fluorohydrocarbon-based gas and the lower magnetic ore 2 is exposed. Then the insulated layer 4 and the back contact part 8 are coated with an organic film 5 and, furthermore,, a metallic film 6 is formed. Thereafter, the metallic film 6 on the back contact part 8 is removed. Then oxygen is utilized and the organic film 5 on the back contact part 8 is etched by a parallel plane type reactive dry etching device. Thereafter, the reactive gas is changed over to a gaseous mixture of oxygen and argon from oxygen. Sputtering properties of etching are enhanced and the residual organic film is removed. Thereby a reactive product and decomposition material are made unpresented on the lower magnetic core 2.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、平行平板型反応性ドライエツチング装置によ
る反応性ドライエツチング法に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a reactive dry etching method using a parallel plate type reactive dry etching apparatus.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

巻線型の薄膜磁気ヘッドは、第2図に示すように、基板
1と、基板1を覆うように形成された強磁性体薄膜から
なる下部磁気コア2と、下部磁気コア2上に多層スパイ
ラル状に形成された巻線導体層3と、巻線導体層3のス
パイラル中心に対応する位置に、下部磁気コア2に接続
して設けられたステップ型の上部磁気コア9とから主に
構成されている。なお、巻線導体層3は後述する層間絶
縁層により被覆されて短絡しないようになっている。ま
た、下部磁気コア2には、例えばFe−Al!−3i等
のFeを主成分とする強磁性体が使用されている。
As shown in FIG. 2, a wire-wound thin film magnetic head includes a substrate 1, a lower magnetic core 2 made of a ferromagnetic thin film formed to cover the substrate 1, and a multilayer spiral magnetic head on the lower magnetic core 2. It mainly consists of a winding conductor layer 3 formed on the winding conductor layer 3 and a step-shaped upper magnetic core 9 connected to the lower magnetic core 2 and provided at a position corresponding to the spiral center of the winding conductor layer 3. There is. Note that the winding conductor layer 3 is covered with an interlayer insulating layer, which will be described later, to prevent short circuits. In addition, the lower magnetic core 2 is made of, for example, Fe-Al! A ferromagnetic material mainly composed of Fe such as -3i is used.

ところで、近年の磁気記録の高密度化に伴って、高保磁
力の磁気記録媒体が使用されるようになっており、薄膜
磁気ヘッドにおいても、このような高保磁力の磁気記録
媒体を充分に磁化させることができる飽和磁化特性が要
求されている。そこで、飽和磁化特性の改善のため、上
部磁気コア9の膜厚を厚くすることが行われており、通
常、5〜30μmの厚さに設定されている。
By the way, with the recent increase in the density of magnetic recording, magnetic recording media with high coercive force are being used, and even in thin film magnetic heads, it is necessary to sufficiently magnetize such magnetic recording media with high coercive force. There is a need for saturation magnetization characteristics that can be achieved. Therefore, in order to improve the saturation magnetization characteristics, the thickness of the upper magnetic core 9 is increased, and the thickness is usually set to 5 to 30 μm.

このように比較的厚い膜厚の上部磁気コア9をエツチン
グ加工により形成する場合、湿式1・ノチング法では、
サイドエツチングの影響が大きいため、トラック幅の精
度を維持することが難しく、また、イオンミリング法で
は、上部磁気コア9材料の膜厚分布やエツチングレート
の分布のため、巻線導体層3が部分的にエツチングされ
て断線を生じることがある。
When forming the upper magnetic core 9 having a relatively thick film thickness by etching, the wet type 1 notching method is used.
Due to the large influence of side etching, it is difficult to maintain the accuracy of the track width.In addition, in the ion milling method, the winding conductor layer 3 may be partially cut due to the film thickness distribution of the upper magnetic core 9 material and the etching rate distribution. It may be etched and cause wire breakage.

そこで、以下に示すような上部磁気コア9の形成法が採
用されている。
Therefore, the following method of forming the upper magnetic core 9 is adopted.

すなわち、第3図(a)に示すように、基板1上に、下
部磁気コア2と、磁界発生用コイルとしての巻線導体層
3が層内に挿入されている絶縁層4とを順次形成した後
、絶縁層4上を覆うように有機膜5を形成する。なお、
有機膜5には、例えばポリイミド樹脂が使用される。
That is, as shown in FIG. 3(a), a lower magnetic core 2 and an insulating layer 4 in which a wire-wound conductor layer 3 as a magnetic field generating coil is inserted are sequentially formed on a substrate 1. After that, an organic film 5 is formed to cover the insulating layer 4. In addition,
For example, polyimide resin is used for the organic film 5.

次に、有機膜5上をAlもしくはCu等の金属膜6によ
りマスクし、酸素ガスを用いた反応性ドライエツチング
法により、同図(b)に示すように、巻線導体層3上の
有機膜5を除去する。
Next, the organic film 5 is masked with a metal film 6 such as Al or Cu, and the organic film on the winding conductor layer 3 is etched by a reactive dry etching method using oxygen gas, as shown in FIG. Remove membrane 5.

それから、上記マスクとしての金属膜6を除去し、同図
(C)に示すように、絶縁層4と有機膜5を覆うように
磁性体層10を形成する。そして、イオンミリング法、
湿式エツチング法もしくは研削法等により磁性体層10
を加工して、同図(d)に示すように、上部磁気コア9
を得る。そして最後に、残った有機膜5を酸素ガスを用
いたプラズマエツチング法もしくは有機溶剤による溶解
法により除去して、同図(e)に示すように、巻線導体
層3上に設けられた上部磁気コア9が完成する。
Then, the metal film 6 serving as the mask is removed, and a magnetic layer 10 is formed to cover the insulating layer 4 and the organic film 5, as shown in FIG. And ion milling method,
The magnetic layer 10 is formed by a wet etching method or a grinding method.
is processed to form the upper magnetic core 9 as shown in the same figure (d).
get. Finally, the remaining organic film 5 is removed by a plasma etching method using oxygen gas or a dissolving method using an organic solvent, and the upper part provided on the winding conductor layer 3 is removed as shown in FIG. Magnetic core 9 is completed.

以上のように有機膜5を用いた形成法によれば、巻線導
体層3や絶縁層4に損傷を与えることなく、トラック幅
の精度の高い上部磁気コア9を形成できる。
According to the formation method using the organic film 5 as described above, the upper magnetic core 9 can be formed with high accuracy in track width without damaging the winding conductor layer 3 or the insulating layer 4.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところで、上部磁気コア9が下部磁気コア2に接続され
る部分(第2図参照)は、巻線導体層3のスパイラル中
心に対応しており、第4図(a)に示すように、この部
分の絶縁層4は凹形状に除去されて、下部磁気コア2が
露出したハックコンタクト部8が形成されている。そし
て、この上に上記の上部磁気コア9の形成が行われる。
By the way, the part where the upper magnetic core 9 is connected to the lower magnetic core 2 (see FIG. 2) corresponds to the spiral center of the winding conductor layer 3, and as shown in FIG. A portion of the insulating layer 4 is removed in a concave shape to form a hack contact portion 8 in which the lower magnetic core 2 is exposed. Then, the above-mentioned upper magnetic core 9 is formed thereon.

すなわち、上記の構成によれば、有機膜5とマスク用の
金属膜6が順次形成された後、酸素ガスを用いた反応性
トライエツチングが行われて、バンクコンタクト部8を
覆った有機膜5が除去される。このとき、ハックコンタ
クト部8は凹形状になっているので、汎用の平行平板型
の反応性ドライエツチング装置では、ハックコンタクト
部8の中央部が周辺部より速くエツチングされる。この
ため、図のように、周辺部に有機膜5“が残る傾向があ
る。そこで、これを完全に除去するためにオーバーエツ
チングが行われる。
That is, according to the above structure, after the organic film 5 and the metal film 6 for mask are formed in sequence, reactive tri-etching using oxygen gas is performed to remove the organic film 5 covering the bank contact portion 8. is removed. At this time, since the hack contact portion 8 has a concave shape, in a general-purpose parallel plate type reactive dry etching device, the central portion of the hack contact portion 8 is etched faster than the peripheral portion. For this reason, as shown in the figure, an organic film 5'' tends to remain in the peripheral area. Therefore, over-etching is performed to completely remove this.

ところが、オーバーエツチングにより下部磁気コア2も
エツチングされ、その結果、反応生成物が下部磁気コア
2上に付着したり、同図(b)に示すように、下部磁気
コア2の表面に変質層7が生じたりするという問題点を
有している。
However, the lower magnetic core 2 is also etched due to the over-etching, and as a result, reaction products adhere to the lower magnetic core 2, and a degraded layer 7 is formed on the surface of the lower magnetic core 2, as shown in FIG. This has the problem that it may cause problems.

しかも、この反応生成物や変質層7は、化学的に安定で
あり、水やキシレン、アセトン、エチルアルコール等の
有機溶媒に不溶であるだけでなく、酸やアルカリにも反
応しないので、除去することは極めて困難である。この
ため、下部磁気コア2の清浄表面上ではなく、上記反応
生成物上や変質層7上に、上部磁気コア9(第2図)を
形成することになり、薄膜磁気ヘッドの性能を低下させ
ているという問題点を有している。
Furthermore, this reaction product and the altered layer 7 are chemically stable and are not only insoluble in water, xylene, acetone, ethyl alcohol, and other organic solvents, but also do not react with acids or alkalis, so they cannot be removed. This is extremely difficult. Therefore, the upper magnetic core 9 (FIG. 2) is formed not on the clean surface of the lower magnetic core 2 but on the reaction product or the altered layer 7, which reduces the performance of the thin-film magnetic head. It has the problem of

(課題を解決するための手段〕 本発明の反応性ドライエツチング法は、上記の課題を解
決するために、平行平板型反応性ドライエツチング装置
に反応ガスを導入してエツチングを行い、凹形状部に充
填されている充填物を除去する反応性ドライエツチング
法において、上記エツチングは反応性の高い反応ガスを
用いる第1工程と、第1工程よりもスパンター性の高い
反応ガスを用いる第2工程とを含み、第1工程の後、第
2工程を行うことを特徴としている。
(Means for Solving the Problems) In order to solve the above-mentioned problems, the reactive dry etching method of the present invention performs etching by introducing a reactive gas into a parallel plate type reactive dry etching apparatus. In the reactive dry etching method for removing fillers filled in the etching, the etching process includes a first step using a highly reactive reaction gas and a second step using a reaction gas with higher spunter properties than the first step. The method is characterized in that the second step is performed after the first step.

〔作 用〕[For production]

上記の構成によれば、凹形状部に充填されている充填物
、具体的には例えば有機物を除去する場合、反応性の高
い反応ガスとして例えば酸素を用いる第1工程と、第1
工程よりもスバ・ツタ−性の高い反応ガスとして例えば
酸素とアルゴンの混合ガスを用いる第2工程とを含み、
第1工程の後、第2工程を行うので、第1工程ではエツ
チングが効率良く行われ、第2工程では凹形状部の周辺
に残った有機物が除去されると共に、凹形状部表面に堆
積した反応生成物や変質層等がスパッタリングにより除
去される。これにより、凹形状部の有機物が完全に除去
されるだけでなく、凹形状部には清浄表面が現れる。
According to the above configuration, when removing the filler filled in the concave portion, specifically, for example, an organic substance, the first step uses, for example, oxygen as a highly reactive reaction gas;
a second step using, for example, a mixed gas of oxygen and argon as a reactive gas having higher soot and smoldering properties than the second step;
Since the second step is performed after the first step, etching is performed efficiently in the first step, and in the second step, the organic matter remaining around the concave portion is removed and the organic matter deposited on the surface of the concave portion is removed. Reaction products, altered layers, etc. are removed by sputtering. As a result, not only the organic substances in the concave portions are completely removed, but also a clean surface appears in the concave portions.

[実施例] 本発明の一実施例として、巻線型の薄膜磁気ヘンドの製
造工程における下部磁気コアと上部磁気コアの接続部の
形成工程、すなわちバックコンタクト部の形成工程を例
に挙げ、第1図(a)乃至(d)に基づいて説明すれば
、以下のとおりである。なお、従来例の図面で示した部
材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記す
る。
[Example] As an example of the present invention, a step of forming a connecting portion between a lower magnetic core and an upper magnetic core, that is, a step of forming a back contact portion in the manufacturing process of a wire-wound thin film magnetic hend will be exemplified. The explanation will be as follows based on FIGS. (a) to (d). Note that members having the same functions as those shown in the drawings of the conventional example are given the same reference numerals.

まず、第1図(a)に示すように、フェライト等からな
る基板1上に、Fe−Al−3i等の鉄系合金の強磁性
体薄膜からなる下部磁気コア2、SiO□もしくはSi
、N、等の絶縁膜からなる絶縁層4を順次形成し、フロ
ン系ガスを用いた反応性ドライエツチングにて下部磁気
コア2が露出するまで絶縁層4の所定部をエツチングし
て、凹形状のハックコンタクト部8(凹形状部)を形成
する。次に、絶縁層4及びバックコンタクト部8を覆う
ようにポリイミド樹脂等により有機膜5(充填物)を形
成する。それから、有機膜5を覆うように、Cu等によ
りマスク用の金属膜6を形成する。そして、イオンミリ
ング法等によりバックコンタクト部8上の金属膜6をエ
ツチングして、バックコンタクト部8の有機膜5を除去
するためのエツチング用マスクパターンを形成する。
First, as shown in FIG. 1(a), a lower magnetic core 2 made of a ferromagnetic thin film of an iron-based alloy such as Fe-Al-3i, SiO□ or Si is placed on a substrate 1 made of ferrite or the like.
, N, etc., and a predetermined portion of the insulating layer 4 is etched by reactive dry etching using a fluorocarbon gas until the lower magnetic core 2 is exposed, forming a concave shape. A hack contact portion 8 (concave portion) is formed. Next, an organic film 5 (filling material) is formed of polyimide resin or the like so as to cover the insulating layer 4 and the back contact portion 8 . Then, a metal film 6 for a mask is formed of Cu or the like so as to cover the organic film 5. Then, the metal film 6 on the back contact section 8 is etched by ion milling or the like to form an etching mask pattern for removing the organic film 5 on the back contact section 8.

次に、反応ガスとして酸素(反応性の高い反応ガス)を
用いた平行平板型反応性ドライエツチング装置により、
上記金属膜6をマスクとしてハックコンタクト部8上の
有機膜5をエツチングする(第1工程)。同図(b)は
、このエンチング途中の段階を示している。
Next, a parallel plate type reactive dry etching device using oxygen (a highly reactive reactive gas) as a reactive gas was used.
The organic film 5 on the hack contact portion 8 is etched using the metal film 6 as a mask (first step). FIG. 4B shows a stage in the middle of this enching.

エンチングをさらに進めると、バンクコンタクト部8の
下部中央に下部磁気コア2が露出し始め、下部磁気コア
2もエツチングを受は始める。そして、同図(C)に示
すように、反応生成物もしくは変質層7が下部磁気コア
2上に生じ始める。
As the etching progresses further, the lower magnetic core 2 begins to be exposed at the center of the lower part of the bank contact portion 8, and the lower magnetic core 2 also begins to undergo etching. Then, as shown in FIG. 2C, a reaction product or altered layer 7 begins to form on the lower magnetic core 2.

なお、この時点では、ハックコンタクト部8の周辺部に
有機膜5′が残留している。
Note that at this point, the organic film 5' remains around the hack contact portion 8.

本実施例では、この段階から、反応ガスを酸素から酸素
とアルゴンの混合ガス(第1工程よりもスパッター性の
高い反応ガス)に切り換えて、エツチングのスパッター
性を高めるようにしている(第2工程)。すなわち、ハ
ックコンタクト部8の周辺部の有機膜5゛については、
通常の酸素によるエツチングで主に除去し、下部磁気コ
ア2上の反応生成物もしくは変質層7については、アル
ゴンによるスパッタリングで主に除去するようにして、
同図(d)に示すように、有機膜5′を完全に除去しつ
つ、下部磁気コア2上に反応生成物もしくは変質層7が
残らないようにしている。
In this example, from this stage, the reaction gas is switched from oxygen to a mixed gas of oxygen and argon (a reaction gas with higher sputtering properties than in the first step) to improve the sputtering properties of etching (second step). process). That is, regarding the organic film 5' around the hack contact part 8,
It is mainly removed by etching with ordinary oxygen, and the reaction products or altered layer 7 on the lower magnetic core 2 are mainly removed by sputtering with argon.
As shown in FIG. 4(d), the organic film 5' is completely removed while ensuring that no reaction product or altered layer 7 remains on the lower magnetic core 2.

ところで上記混合ガスにおいて、アルゴンの混合比が2
0voI!、%以下になると、エツチングのスパンター
性が低下し、反応生成物もしくは変質層7の除去が困難
になる。一方、アルゴンの混合比が80voff%以上
になると、エツチングの反応性が低下し、バンクコンタ
クト部8の周辺部の有機膜5゛のエツチングに時間を要
することになり、その結果、下部磁気コア2の表面の損
傷が大きくなる。したがって、アルゴンの混合比として
は、20〜80vof%が適当である。
By the way, in the above mixed gas, the mixing ratio of argon is 2.
0voI! , % or less, the sputtering properties of etching deteriorate and it becomes difficult to remove the reaction product or the altered layer 7. On the other hand, when the argon mixing ratio exceeds 80 voff%, the etching reactivity decreases, and it takes time to etch the organic film 5 in the peripheral area of the bank contact part 8. As a result, the lower magnetic core 2 The damage to the surface becomes greater. Therefore, the appropriate mixing ratio of argon is 20 to 80 vof%.

ちなみに、本実施例でのエツチング条件を挙げれば、ま
ず、ガス組成100%0□、ガス圧0゜08To r 
r、xyチングパヮー密度0.14W/cm”でエツチ
ングを開始し、次にガス組成をOz  :Ar=50v
of%: 50voffi%に切り換えて、ガス圧0.
08Torr、エツチングパワー密度0.07W/cm
2にして、スパッター性を高めたエツチングを行ってい
る。
By the way, the etching conditions in this example are: gas composition 100% 0□, gas pressure 0°08 Tor
Etching was started with a r, xy etching power density of 0.14 W/cm", and then the gas composition was
of%: Switch to 50voffi%, gas pressure 0.
08Torr, etching power density 0.07W/cm
2, etching is performed with improved sputtering properties.

なお、本実施例では、有機膜5(同図(b))のエツチ
ングレートは、上記100%0□の反応ガスを用いた条
件下で1000人/minであったので、バックコンタ
クト部8上の有機膜5の膜厚を20μmとすると、20
0分後に下部磁気コア2が露出し始めることになる。し
たがって、このとき、反応ガスを切り換えている。
In this example, since the etching rate of the organic film 5 (FIG. 6(b)) was 1000 etching/min under the above-mentioned condition using the 100% 0□ reaction gas, the etching rate on the back contact portion 8 was If the film thickness of the organic film 5 is 20 μm, then 20
The lower magnetic core 2 will begin to be exposed after 0 minutes. Therefore, at this time, the reaction gas is being switched.

以上のようにして、有機膜5が完全に除去されてバンク
コンタクト部8の清浄表面が得られた後、磁性体層(図
示されていない)が形成され、上部磁気コアに加工され
る。このため、下部磁気コア2と前記上部磁気コアの磁
気的結合が良好に行われる。これにより、有機膜5を用
いて、高精度のトラック幅を維持し、しかも飽和磁化特
性に優れた、高密度磁気記録に適した薄膜磁気ヘッドを
製造できる。
As described above, after the organic film 5 is completely removed and a clean surface of the bank contact portion 8 is obtained, a magnetic layer (not shown) is formed and processed into an upper magnetic core. Therefore, the lower magnetic core 2 and the upper magnetic core are well magnetically coupled. Thereby, using the organic film 5, it is possible to manufacture a thin film magnetic head suitable for high-density magnetic recording that maintains a highly accurate track width and has excellent saturation magnetization characteristics.

以上の実施例では、巻線型の薄膜磁気ヘッドの製造工程
における下部磁気コア2と上部磁気コアのバックコンタ
クト部8の形成工程を説明したが、これに限らず、平行
平板型反応性ドライエツチング装置を用いて凹形状部に
充填されている充填物を除去する工程であれば、本発明
の反応性ドライエツチング法を同様に応用できる。
In the above embodiments, the process of forming the back contact portions 8 of the lower magnetic core 2 and the upper magnetic core in the manufacturing process of a wire-wound thin film magnetic head has been described, but the process is not limited thereto. The reactive dry etching method of the present invention can be similarly applied to any process in which a filler filled in a concave portion is removed using a method.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明の反応性ドライエッチング法は、以上のように、
凹形状部に充填されている充填物、具体的には例えば有
機物を除去する場合、反応性の高い反応ガスとして例え
ば酸素を用いる第1工程と、第1工程よりもスパンター
性の高い反応ガスとして例えば酸素とアルゴンの混合ガ
スを用いる第2工程とを含み、第1工程の後、第2工程
を行うので、第1工程ではエツチングが効率良く行われ
、第2工程では凹形状部の周辺に残った有機物が除去さ
れると共に、凹形状部表面に堆積した反応生成物や変質
層等がスパッタリングにより除去される。これにより、
凹形状部の充填物が完全に除去されるだけでなく、清浄
表面を持つ凹形状部が得られるという効果を奏する。
As described above, the reactive dry etching method of the present invention includes:
When removing the filler filled in the concave portion, specifically, for example, organic matter, the first step uses oxygen as a highly reactive reaction gas, and the second step uses oxygen as a reaction gas with higher spunter properties than in the first step. For example, the second step includes a second step using a mixed gas of oxygen and argon, and the second step is performed after the first step, so that etching is performed efficiently in the first step, and etching is performed around the concave portion in the second step. Remaining organic matter is removed, and reaction products, altered layers, etc. deposited on the surface of the concave portion are removed by sputtering. This results in
Not only is the filler in the concave portion completely removed, but the concave portion has a clean surface.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(a)乃至(d)は本発明の一実施例を示すもの
であり、巻線型の薄膜磁気ヘッドの製造工程における下
部磁気コアと上部磁気コアの接続部の形成工程を示す説
明図である。 第2図乃至第4図は従来例を示すものである。 第2図は、巻線型の薄膜磁気ヘンドの斜視図である。 第3図<a>乃至(e)は、巻線型の薄膜磁気ヘッドの
上部磁気コアの形成工程を示す説明図である。 第4図(a)及び(b)は、巻線型の薄膜磁気ヘッドの
製造工程における下部磁気コアと上部磁気コアの接続部
の形成工程を示す説明図である。 1は基板、2は下部磁気コア、3は巻線導体層、4は絶
縁層、5・5゛は有機膜(充填物)、6は金属膜、7は
変質層、8はバックコンタクト部(凹形状部)、9は上
部磁気コア、10は磁性体層である。 特許出願人     シャープ 株式会社第1図(a) 第 1 図(b) 第 図(C) 第 図(d) 第 図(a) 第 図(b) 第 図 第 図(C) 第 図(d)
FIGS. 1(a) to 1(d) show an embodiment of the present invention, and are explanatory diagrams showing a process of forming a connecting portion between a lower magnetic core and an upper magnetic core in the manufacturing process of a wire-wound thin film magnetic head. It is. 2 to 4 show conventional examples. FIG. 2 is a perspective view of a wire-wound thin film magnetic hand. FIGS. 3<a> to 3(e) are explanatory diagrams showing the process of forming the upper magnetic core of a wire-wound thin film magnetic head. FIGS. 4(a) and 4(b) are explanatory diagrams showing a process of forming a connecting portion between a lower magnetic core and an upper magnetic core in the manufacturing process of a wire-wound thin film magnetic head. 1 is a substrate, 2 is a lower magnetic core, 3 is a winding conductor layer, 4 is an insulating layer, 5.5゛ is an organic film (filling), 6 is a metal film, 7 is a degraded layer, 8 is a back contact part ( 9 is an upper magnetic core, and 10 is a magnetic layer. Patent applicant Sharp Corporation Figure 1 (a) Figure 1 (b) Figure (C) Figure (d) Figure (a) Figure (b) Figure (C) Figure (d)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1.平行平板型反応性ドライエッチング装置に反応ガス
を導入してエッチングを行い、凹形状部に充填されてい
る充填物を除去する反応性ドライエッチング法において
、 上記エッチングは反応性の高い反応ガスを用いる第1工
程と、第1工程よりもスパッター性の高い反応ガスを用
いる第2工程とを含み、第1工程の後、第2工程を行う
ことを特徴とする反応性ドライエッチング法。
1. In the reactive dry etching method, which performs etching by introducing a reactive gas into a parallel plate type reactive dry etching apparatus to remove the filler filled in the recessed part, the above etching uses a highly reactive reactive gas. A reactive dry etching method comprising a first step and a second step using a reactive gas with higher sputtering properties than the first step, and characterized in that the second step is performed after the first step.
JP15954290A 1990-06-15 1990-06-15 Reactive dry etching method Pending JPH0448092A (en)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15954290A JPH0448092A (en) 1990-06-15 1990-06-15 Reactive dry etching method

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