JPH0448116B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0448116B2 JPH0448116B2 JP60246516A JP24651685A JPH0448116B2 JP H0448116 B2 JPH0448116 B2 JP H0448116B2 JP 60246516 A JP60246516 A JP 60246516A JP 24651685 A JP24651685 A JP 24651685A JP H0448116 B2 JPH0448116 B2 JP H0448116B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflectance
- liquid crystal
- polymer liquid
- light
- light beam
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Liquid Crystal (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、書替可能な情報多値記録方式に関す
るものである。
るものである。
（従来の技術）
従来、書替可能な情報記録方式として、光磁気
記録方式、無機系材料の相変化を利用した方式が
知られている。
記録方式、無機系材料の相変化を利用した方式が
知られている。
光磁気記録方式では媒体中のスピンの方向を外
部磁場により制御し、カー効果又はフアラデー効
果を利用してわずかな偏光方向の回転を検知する
方式である。
部磁場により制御し、カー効果又はフアラデー効
果を利用してわずかな偏光方向の回転を検知する
方式である。
無機系材料の相変化を利用した方式は、熱印加
後の急冷・徐冷の差によつて前記材料に結晶−結
晶転移あるいは結晶−アモルフアス転移を生じせ
しめ、それに伴なう反射率変化が利用されてい
る。
後の急冷・徐冷の差によつて前記材料に結晶−結
晶転移あるいは結晶−アモルフアス転移を生じせ
しめ、それに伴なう反射率変化が利用されてい
る。
この他に、Ｓ／Ｎ比の向上、製造コストの低廉
化を目的として、高分子液晶を記録層として使
い、書き込みに一定の光エネルギー密度を使つた
情報記録方式が特開昭59−10930公報および特開
昭59−35989号公報の中において提案されている。
化を目的として、高分子液晶を記録層として使
い、書き込みに一定の光エネルギー密度を使つた
情報記録方式が特開昭59−10930公報および特開
昭59−35989号公報の中において提案されている。
かかる方式においては、液晶基の均一配向状態
と無配向状態における反射率変化を利用してい
る。
と無配向状態における反射率変化を利用してい
る。
（発明が解決しようとする問題点）
情報化社会になるに伴い、高い記録密度を有す
る情報媒体ならびに方式が望まれるが、記録密度
は現在使用可能な光ビームの波長によるビーム径
の広がりはおよそ1μmに制限されており、前記の
二状態を用いた記録方式の最高記録密度が
109BPI2である。本発明はこの記録密度をさらに
向上させるための方式として１つの記録スポツト
に多値状態として情報を記録する方式を提供する
ものである。この際、光磁気記録方式では、スピ
ンの反転を利用しており、その場合の回転角も小
さく、Ｓ／Ｎが小さいためこれを応用しての多値
化は困難である。また、相変化媒体を利用した方
式では、相転移温度領域がせまいため、その領域
での中間的な反射率変化を利用した多値化は困難
である。
る情報媒体ならびに方式が望まれるが、記録密度
は現在使用可能な光ビームの波長によるビーム径
の広がりはおよそ1μmに制限されており、前記の
二状態を用いた記録方式の最高記録密度が
109BPI2である。本発明はこの記録密度をさらに
向上させるための方式として１つの記録スポツト
に多値状態として情報を記録する方式を提供する
ものである。この際、光磁気記録方式では、スピ
ンの反転を利用しており、その場合の回転角も小
さく、Ｓ／Ｎが小さいためこれを応用しての多値
化は困難である。また、相変化媒体を利用した方
式では、相転移温度領域がせまいため、その領域
での中間的な反射率変化を利用した多値化は困難
である。
そこで適度な粘度があるため中間状態が制御で
きる高分子液晶、特にブラツク反射が利用できる
コレステリツク性高分子液晶、これはコレステリ
ールを含む液晶およびカイラルネマチツクな高分
子液晶を示すが、これを用いて照射光エネルギー
のエネルギー密度をすくなくとも２つ以上に多値
的に制御することにより記録密度の向上を図るも
のである。
きる高分子液晶、特にブラツク反射が利用できる
コレステリツク性高分子液晶、これはコレステリ
ールを含む液晶およびカイラルネマチツクな高分
子液晶を示すが、これを用いて照射光エネルギー
のエネルギー密度をすくなくとも２つ以上に多値
的に制御することにより記録密度の向上を図るも
のである。
（問題を解決するための手段）
光ビームの照射により、支持体上に形成したコ
レステリツク性高分子液晶層に情報を記録する光
記録方式において光ビームの照射エネルギー密度
を少なくとも２種以上に多値的に制御し、前記光
ビームの照射エネルギー密度に対応したコレステ
リツク性高分子液晶のラセンピツチ長又はラセン
軸の傾きを変えるかもしくは無配向状態あるいは
ピツトを形成することで前記コレステリツク性高
分子液晶層の光反射率を多値的に変化せしめて情
報を記録することを特徴とする光記録方式であ
る。
レステリツク性高分子液晶層に情報を記録する光
記録方式において光ビームの照射エネルギー密度
を少なくとも２種以上に多値的に制御し、前記光
ビームの照射エネルギー密度に対応したコレステ
リツク性高分子液晶のラセンピツチ長又はラセン
軸の傾きを変えるかもしくは無配向状態あるいは
ピツトを形成することで前記コレステリツク性高
分子液晶層の光反射率を多値的に変化せしめて情
報を記録することを特徴とする光記録方式であ
る。
（作 用）
本発明において、コレステリツク性高分子液晶
を記録層として含む光記録媒体に種々のエネルギ
ー密度を持つ光ビームパルスを照射した。第１図
は照射した光エネルギー密度に対する反射率の変
化特性を示す。反射率変化のしきい値は25mJ／
cm2であり、これから65mJ／cm2の範囲で反射率は
増加を示す。65mJ／cm2以上の光エネルギーで急
激に反射率が減少している。これら反射率の変化
はパルス照射後も保存される。以上の事が我々の
実験で判明した。
を記録層として含む光記録媒体に種々のエネルギ
ー密度を持つ光ビームパルスを照射した。第１図
は照射した光エネルギー密度に対する反射率の変
化特性を示す。反射率変化のしきい値は25mJ／
cm2であり、これから65mJ／cm2の範囲で反射率は
増加を示す。65mJ／cm2以上の光エネルギーで急
激に反射率が減少している。これら反射率の変化
はパルス照射後も保存される。以上の事が我々の
実験で判明した。
この現象は、次のメカニズムに依ると考えられ
る。すなわち、光ビームの照射による光エネルギ
ーが光吸収体により熱エネルギーに変換され、こ
れによりコレステリツク性高分子液晶の温度が上
昇する。コレステリツク性高分子液晶のコレステ
リツクピツチが温度により変化する事が知られて
いるから、このコレステリツクピツチの変化によ
り、コレステリツクピツチに基づく選択反射スペ
クトルのシフトが反射率の変化に寄与すると考え
られる。
る。すなわち、光ビームの照射による光エネルギ
ーが光吸収体により熱エネルギーに変換され、こ
れによりコレステリツク性高分子液晶の温度が上
昇する。コレステリツク性高分子液晶のコレステ
リツクピツチが温度により変化する事が知られて
いるから、このコレステリツクピツチの変化によ
り、コレステリツクピツチに基づく選択反射スペ
クトルのシフトが反射率の変化に寄与すると考え
られる。
第１図において、エネルギー密度が25mJ／cm2
から65mJ／cm2にかけて反射率が増大している領
域がある。この領域においては、選択反射スペク
トルがレツドシフトしていることが顕微鏡観察に
より判明している。これにより、用いたコレステ
リツク性高分子液晶の室温における選択反射最大
波長λMAX570nmがレツドシフトし、長波長側の光
を用いての反射率が増して、反射率測定に用いた
レーザダイオードの波長830nmでの反射率が増加
したものと考えられる。
から65mJ／cm2にかけて反射率が増大している領
域がある。この領域においては、選択反射スペク
トルがレツドシフトしていることが顕微鏡観察に
より判明している。これにより、用いたコレステ
リツク性高分子液晶の室温における選択反射最大
波長λMAX570nmがレツドシフトし、長波長側の光
を用いての反射率が増して、反射率測定に用いた
レーザダイオードの波長830nmでの反射率が増加
したものと考えられる。
選択反射最大波長λMAXとコレステリツクピツチ
との間にはλMAX＝ｎ・Ｐの関係があり、屈折率ｎ
は1.5で温度変化しないとすると、前記レツドシ
フトはコレステリツクピツチの増大によるものと
考えられる。
との間にはλMAX＝ｎ・Ｐの関係があり、屈折率ｎ
は1.5で温度変化しないとすると、前記レツドシ
フトはコレステリツクピツチの増大によるものと
考えられる。
このピツチの増大は光ビームの照射が終わると
照射スポツトとその周囲部との温度差のため急冷
されることにより、固定化される。従つてピツチ
の増大の固定化によつて反射率の増大も保存され
る。
照射スポツトとその周囲部との温度差のため急冷
されることにより、固定化される。従つてピツチ
の増大の固定化によつて反射率の増大も保存され
る。
次に、第１図において、エネルギー密度が
65mJ／cm2以上の領域において反射率の急激な減
少が見られている。得られたスポツトの顕微鏡観
察によれば、このスポツトはピツト形状をし、反
射率が低いことが判明している。
65mJ／cm2以上の領域において反射率の急激な減
少が見られている。得られたスポツトの顕微鏡観
察によれば、このスポツトはピツト形状をし、反
射率が低いことが判明している。
この事から、光エネルギー密度が65mJ／cm2以
上の領域では粘度の低下による流動が起つてピツ
トが形成され、同時にらせん軸の変化に伴う無配
向化が起り選択反射率の低下が起つていると考え
られる。
上の領域では粘度の低下による流動が起つてピツ
トが形成され、同時にらせん軸の変化に伴う無配
向化が起り選択反射率の低下が起つていると考え
られる。
このピツト形成および無配向化によつて反射率
測定に用いたレーザタイオードの波長830nmにお
いても反射率の低下をもたらしているものと考え
られる。
測定に用いたレーザタイオードの波長830nmにお
いても反射率の低下をもたらしているものと考え
られる。
この領域においてもピツトおよび無配向は急冷
により保存されている。
により保存されている。
以上述べたように各照射光エネルギー密度によ
つて反射率の異なる状態が保持される。
つて反射率の異なる状態が保持される。
これにより、照射光エネルギー密度を多値的に
制御する事によつて前記光記録媒体の光反射率を
多値的に変化せしめて情報を記録することが可能
となる。
制御する事によつて前記光記録媒体の光反射率を
多値的に変化せしめて情報を記録することが可能
となる。
次に情報の消去について述べる。前記の如く作
製した照射スポツトの記録点を再加熱し、これは
記録媒体全体でもそのスポツトのみでもよいが、
徐冷すると前記照射スポツトの反射率は周囲のそ
れと同じになり、また初めの反射率と同一となる
ことが判明した。
製した照射スポツトの記録点を再加熱し、これは
記録媒体全体でもそのスポツトのみでもよいが、
徐冷すると前記照射スポツトの反射率は周囲のそ
れと同じになり、また初めの反射率と同一となる
ことが判明した。
これは再加熱徐冷中にコレステリツク性高分子
液晶が所定の再配向をするからだと考えられ、こ
れにより反射率は初期の状態にもどり情報は消去
されたことになると同時に再書き込みすなわち書
き替えが可能となる。
液晶が所定の再配向をするからだと考えられ、こ
れにより反射率は初期の状態にもどり情報は消去
されたことになると同時に再書き込みすなわち書
き替えが可能となる。
書き替え方法は前に述べた初めの書き込み方法
と同じ方法で行なえる。
と同じ方法で行なえる。
（実施例）
次に第１図から第３図を参照して本発明の実施
例について説明する。
例について説明する。
第１図は一実施例に用いたコレステリツク性高
分子液晶（第３図に示す）に光ビームを照射した
際の光エネルギー密度に対して得られた反射率変
化を示す図である。ここで光ビームは80μs巾のパ
ルス光であり波長830nmのレーザダイオードを用
いている。
分子液晶（第３図に示す）に光ビームを照射した
際の光エネルギー密度に対して得られた反射率変
化を示す図である。ここで光ビームは80μs巾のパ
ルス光であり波長830nmのレーザダイオードを用
いている。
光ビームのエネルギー密度25mJ／cm2が書き込
みエネルギーのしきい値であり、これから
65mJ／cm2までの範囲が反射率が増加している。
65mJ／cm2以上のエネルギー密度を与えると反射
率が減少している。スポツト径は10μmである。
みエネルギーのしきい値であり、これから
65mJ／cm2までの範囲が反射率が増加している。
65mJ／cm2以上のエネルギー密度を与えると反射
率が減少している。スポツト径は10μmである。
次に実施例についての媒体について孫２図を用
いて説明する。
いて説明する。
支持体基板１上に光呼吸体３として酸化バナジ
ウム膜を蒸着し、この上にコレステリツク性高分
子液晶５をスピンコートして付けている。それか
らエアーギヤツプ層９を有するエアーギヤツプセ
ルとするためスペーサ７および透明な保護板１１
を用いる。この上に円編光板１５を設ける。書き
込み読み取りには、従来用いられているDRAW
型の光ヘツドを使用すれば良い。但し光ビーム１
３が円遍光されていて、その回転方向はコレステ
リツク性高分子液晶のらせん回転方向と一致して
いる事が望ましい。なぜならばコレステリツク性
高分子液晶の選択反射はそのらせん回転方向と同
一の回転方向を持つ光に対してだけ有効であるか
らである。
ウム膜を蒸着し、この上にコレステリツク性高分
子液晶５をスピンコートして付けている。それか
らエアーギヤツプ層９を有するエアーギヤツプセ
ルとするためスペーサ７および透明な保護板１１
を用いる。この上に円編光板１５を設ける。書き
込み読み取りには、従来用いられているDRAW
型の光ヘツドを使用すれば良い。但し光ビーム１
３が円遍光されていて、その回転方向はコレステ
リツク性高分子液晶のらせん回転方向と一致して
いる事が望ましい。なぜならばコレステリツク性
高分子液晶の選択反射はそのらせん回転方向と同
一の回転方向を持つ光に対してだけ有効であるか
らである。
無偏光の光ビーム１３を用いる場合は透明な保
護板１１の上面あるいは下面にコレステリツク性
高分子液晶のらせん方向と一致した円遍光板を設
けることにより、再生する時のＳ／Ｎが高くな
る。実施例で用いたコレステリツク高分子液晶層
は室温でバルキーであり低分子液晶のように封し
する必要がない。また室温での選択反射スペクト
ルの最大ピーク波長λMAXは570nmであり、半値巾
100nmである。半値巾は、コレステリツク高分子
の配向秩序性を示す目安であり、半値巾100nmで
は余り高い配向秩序ではない。配向秩序性の高い
膜であり、最大ピーク波長が書き込み・読み取り
光の波長に適切に近くすれば、書き込み、読み取
り感度が向上することは容易に推定される。な
お、実施例で用いたコレステリツク性高分子液晶
での反射率は５％でありレーザの円遍光方向はコ
レステリツク性高分子のらせんの回転方向、実施
例では左巻、と同一である。
護板１１の上面あるいは下面にコレステリツク性
高分子液晶のらせん方向と一致した円遍光板を設
けることにより、再生する時のＳ／Ｎが高くな
る。実施例で用いたコレステリツク高分子液晶層
は室温でバルキーであり低分子液晶のように封し
する必要がない。また室温での選択反射スペクト
ルの最大ピーク波長λMAXは570nmであり、半値巾
100nmである。半値巾は、コレステリツク高分子
の配向秩序性を示す目安であり、半値巾100nmで
は余り高い配向秩序ではない。配向秩序性の高い
膜であり、最大ピーク波長が書き込み・読み取り
光の波長に適切に近くすれば、書き込み、読み取
り感度が向上することは容易に推定される。な
お、実施例で用いたコレステリツク性高分子液晶
での反射率は５％でありレーザの円遍光方向はコ
レステリツク性高分子のらせんの回転方向、実施
例では左巻、と同一である。
また読み取り光の光エネルギー密度は10mJ／
cm2であり、媒体の劣化は認めない。
cm2であり、媒体の劣化は認めない。
（発明の効果）
実施例において、光エネルギー密度を25mJ／
cm2、50mJ／cm2、60mJ／cm2、75mJ／cm2と制御す
ることにより、従来は１スポツト当り１ビツトの
情報しか記録できなかつた所を電界を印加するこ
となく２ビツト分の情報の書き込み、消去、書き
替えが可能であつた。なお、再生Ｓ／Ｎ比は
69dBであつた。なお記録媒体の選択波長位置の
設定、配向秩度の向上によりＳ／Ｎ比、記録密度
の向上が期待できる。
cm2、50mJ／cm2、60mJ／cm2、75mJ／cm2と制御す
ることにより、従来は１スポツト当り１ビツトの
情報しか記録できなかつた所を電界を印加するこ
となく２ビツト分の情報の書き込み、消去、書き
替えが可能であつた。なお、再生Ｓ／Ｎ比は
69dBであつた。なお記録媒体の選択波長位置の
設定、配向秩度の向上によりＳ／Ｎ比、記録密度
の向上が期待できる。
以上のように本発明によれば多値記録が可能と
なり、記録情報量を増すことができる。
なり、記録情報量を増すことができる。
第１図は本発明の動作原理を説明するのに用い
るコレステリツク性高分子液晶の反射率特性を示
す。第２図は本発明の一実施例に用いた記録媒体
の断面図。第３図は実施例に用いたコレステリツ
ク性高分子液晶の分子構造を示す図である。 図において、１…支持体基板、３…光吸収体、
５…コレステリツク性高分子液晶、７…スペー
サ、９…エアーギヤツプ層、１１…透明保護板、
１３…光ビーム、１５…円偏光板。
るコレステリツク性高分子液晶の反射率特性を示
す。第２図は本発明の一実施例に用いた記録媒体
の断面図。第３図は実施例に用いたコレステリツ
ク性高分子液晶の分子構造を示す図である。 図において、１…支持体基板、３…光吸収体、
５…コレステリツク性高分子液晶、７…スペー
サ、９…エアーギヤツプ層、１１…透明保護板、
１３…光ビーム、１５…円偏光板。
Claims (1)
- １ 光ビームの照射により、支持体上に形成した
コレステリツク性高分子液晶層に情報を記録する
光記録方式であつて、光ビームの照射エネルギー
密度を少なくとも２種以上に多値的に制御し、前
記光ビームの照射エネルギー密度に対応したコレ
ステリツク性高分子液晶のラセンピツチ長又はラ
セン軸の傾きを変えるかもしくは無配向状態ある
いはピツトを形成することで前記コレステリツク
性高分子液晶層の光反射率を多値的に変化せしめ
て情報を記録する光記録方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60246516A JPS62107448A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | 光記録方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60246516A JPS62107448A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | 光記録方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62107448A JPS62107448A (ja) | 1987-05-18 |
| JPH0448116B2 true JPH0448116B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=17149556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60246516A Granted JPS62107448A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | 光記録方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62107448A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0619850B2 (ja) * | 1986-07-31 | 1994-03-16 | 日本電気株式会社 | 光記録媒体 |
| JP2630966B2 (ja) * | 1987-12-29 | 1997-07-16 | キヤノン株式会社 | 像形成方法 |
| JPH02273338A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-07 | Canon Inc | 情報記憶媒体 |
| JPH04228132A (ja) * | 1990-06-12 | 1992-08-18 | Canon Inc | 情報記憶媒体および該媒体を用いた記録・保持方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125249A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | デイスク型記録担体 |
| JPS58142314A (ja) * | 1982-02-18 | 1983-08-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光記録用媒体 |
| JPS5910930A (ja) * | 1982-07-10 | 1984-01-20 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 情報記録媒体 |
| JPS5994733A (ja) * | 1982-11-22 | 1984-05-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光記録用媒体 |
| JPS59104625A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-06-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光記録用媒体 |
-
1985
- 1985-11-01 JP JP60246516A patent/JPS62107448A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62107448A (ja) | 1987-05-18 |
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