JPH0448367B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0448367B2 JPH0448367B2 JP60274328A JP27432885A JPH0448367B2 JP H0448367 B2 JPH0448367 B2 JP H0448367B2 JP 60274328 A JP60274328 A JP 60274328A JP 27432885 A JP27432885 A JP 27432885A JP H0448367 B2 JPH0448367 B2 JP H0448367B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- state
- voltage
- information signal
- scanning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶装置に関し、特に、強誘電性液晶
を使用し、駆動回路に改良を加えた液晶装置に関
するものである。
を使用し、駆動回路に改良を加えた液晶装置に関
するものである。
[開示の概要]
本明細書及び図面は、強誘電性液晶を使用した
液晶装置において、液晶駆動回路とその周辺回路
との回路構成を走査信号側と情報信号側とで同一
にし、液晶駆動回路から全画素へ同時にパラ配向
用交流電圧を印加することにより、コントラスト
が高く、ちらつきが少ない良好な特性を有し、か
つ横書き・縦書き変換の容易な液晶装置を、簡単
かつ低コストで構成できるようにしたものであ
る。
液晶装置において、液晶駆動回路とその周辺回路
との回路構成を走査信号側と情報信号側とで同一
にし、液晶駆動回路から全画素へ同時にパラ配向
用交流電圧を印加することにより、コントラスト
が高く、ちらつきが少ない良好な特性を有し、か
つ横書き・縦書き変換の容易な液晶装置を、簡単
かつ低コストで構成できるようにしたものであ
る。
[従来の技術]
従来より多用されて来たネマチツク液晶に代つ
て、近年強誘電性液晶素子の開発が重視されつつ
ある。強誘電性液晶素子は、セルの構成方法によ
つて双安定性をもたせることができるので、高時
分割の液晶表示素子の実現が期待できる。
て、近年強誘電性液晶素子の開発が重視されつつ
ある。強誘電性液晶素子は、セルの構成方法によ
つて双安定性をもたせることができるので、高時
分割の液晶表示素子の実現が期待できる。
第5図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描
いたものである。21と21′は、In2O3,SnO2
やITO(Indium−Tin−Oxide)等の透明電極が
コートされた基板(ガラス板)であり、その間に
液晶分子層22がガラス面と垂直になるように配
向したSmC*相の液晶が封入されている。太線で
示された線23が液晶分子を表わしていて、この
液晶分子23は、その分子に直交する方向に双極
子モーメント(P⊥)24を有している。基板2
1と21′上の定極間に一定の閾値以上の電圧を
印加すると、液晶分子23のらせん構造がほど
け、双極子モーメント(P⊥)24はすべて電界
方向へ向くように、結晶分子23の配向方向を変
えることができる。液晶分子23は細長い形状
で、その長軸方向と短軸方向とで屈折率異方性を
示し、従つて、例えばガラス面の上下に互いにク
ロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置け
ば、電圧印加極性によつて光学特性が変わる液晶
光学変調素子となることは、容易に理解される。
さらに液晶セルの厚さを充分に薄くした場合(例
えば1μ)には、第6図に示すように、電界を印
加していない状態でも、液晶分子のらせん構造は
ほどけ(非らせん構造)、その双極子モーメント
P又はP′は上向き24a又は下向き24bのどち
らかの状態をとる。
いたものである。21と21′は、In2O3,SnO2
やITO(Indium−Tin−Oxide)等の透明電極が
コートされた基板(ガラス板)であり、その間に
液晶分子層22がガラス面と垂直になるように配
向したSmC*相の液晶が封入されている。太線で
示された線23が液晶分子を表わしていて、この
液晶分子23は、その分子に直交する方向に双極
子モーメント(P⊥)24を有している。基板2
1と21′上の定極間に一定の閾値以上の電圧を
印加すると、液晶分子23のらせん構造がほど
け、双極子モーメント(P⊥)24はすべて電界
方向へ向くように、結晶分子23の配向方向を変
えることができる。液晶分子23は細長い形状
で、その長軸方向と短軸方向とで屈折率異方性を
示し、従つて、例えばガラス面の上下に互いにク
ロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置け
ば、電圧印加極性によつて光学特性が変わる液晶
光学変調素子となることは、容易に理解される。
さらに液晶セルの厚さを充分に薄くした場合(例
えば1μ)には、第6図に示すように、電界を印
加していない状態でも、液晶分子のらせん構造は
ほどけ(非らせん構造)、その双極子モーメント
P又はP′は上向き24a又は下向き24bのどち
らかの状態をとる。
このように界面効果により、液晶分子のらせん
構造をほどいた液晶セルを表面安定型セル
(SSFLCセル)と呼ぶ。SSFLCセルに第6図に
示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界E又
はE′を所定時間付与すると、双極子モーメントは
電界E又はE′の電界ベクトルに対応して上向き2
4a又は下向き24bと向きを変え、それに応じ
て液晶分子は第1の配向状態25もしくは第2の
配向状態25′のいずれか一方に配向する。
構造をほどいた液晶セルを表面安定型セル
(SSFLCセル)と呼ぶ。SSFLCセルに第6図に
示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界E又
はE′を所定時間付与すると、双極子モーメントは
電界E又はE′の電界ベクトルに対応して上向き2
4a又は下向き24bと向きを変え、それに応じ
て液晶分子は第1の配向状態25もしくは第2の
配向状態25′のいずれか一方に配向する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として
用いることの利点は、応答速度が極めて速いこと
と、液晶分子の配向が双安定状態を有することで
あつて、例えば、第6図において、電界Eを印加
すると液晶分子は第1の配向状態25に配向する
が、この状態は電界を切つても安定である。ま
た、逆向きの電界E′を印加すると液晶分子は第2
の配向状態25′に配向して、その分子の向きを
変えるが、やはり電界を切つてもこの状態に留ま
る。また、与える電界Eが一定の閾値を越えない
限り、それぞれの配向状態はやはり維持されてい
る。このような応答速度の速さと、双安定性が有
効に実現されるには、セルとしては出来るだけ薄
い方が好ましく、一般的には、0.5μ〜20μ、特に
1μ〜5μが適している。この種の強誘電性液晶を
用いたマトリクス電極構造を有する液晶−電気光
学装置は、例えばクラーク(Clark)とラガバル
(Lagerwall)により、米国特許第4367924号明細
書で提案されている。
用いることの利点は、応答速度が極めて速いこと
と、液晶分子の配向が双安定状態を有することで
あつて、例えば、第6図において、電界Eを印加
すると液晶分子は第1の配向状態25に配向する
が、この状態は電界を切つても安定である。ま
た、逆向きの電界E′を印加すると液晶分子は第2
の配向状態25′に配向して、その分子の向きを
変えるが、やはり電界を切つてもこの状態に留ま
る。また、与える電界Eが一定の閾値を越えない
限り、それぞれの配向状態はやはり維持されてい
る。このような応答速度の速さと、双安定性が有
効に実現されるには、セルとしては出来るだけ薄
い方が好ましく、一般的には、0.5μ〜20μ、特に
1μ〜5μが適している。この種の強誘電性液晶を
用いたマトリクス電極構造を有する液晶−電気光
学装置は、例えばクラーク(Clark)とラガバル
(Lagerwall)により、米国特許第4367924号明細
書で提案されている。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、SSFLCセルにおいては第6図
のように液晶分子層内で液晶分子が平行に配列し
た状態(パラ状態と呼ぶ)よりも、分子層内で上
基板から下基板に向つて液晶分子がツイストした
状態(ツイスト状態と呼ぶ)が実現されやすい。
このように液晶分子がツイストしていると、第1
の配向状態と第2の配向状態にあるときの液晶分
子軸のなす角度(チルト角)が見かけ上小さくな
り、コントラストや透過光量の低下を招くととも
に、配向状態のスイツチング時における液晶分子
の応答にオーバーシユートが表われることによつ
て、透過光量のふらつきが観測されるなど、表示
素子として種々の不都合な欠点を含んでいる。そ
のため表示素子としては、液晶分子がパラ状態で
あることが望まれる。
のように液晶分子層内で液晶分子が平行に配列し
た状態(パラ状態と呼ぶ)よりも、分子層内で上
基板から下基板に向つて液晶分子がツイストした
状態(ツイスト状態と呼ぶ)が実現されやすい。
このように液晶分子がツイストしていると、第1
の配向状態と第2の配向状態にあるときの液晶分
子軸のなす角度(チルト角)が見かけ上小さくな
り、コントラストや透過光量の低下を招くととも
に、配向状態のスイツチング時における液晶分子
の応答にオーバーシユートが表われることによつ
て、透過光量のふらつきが観測されるなど、表示
素子として種々の不都合な欠点を含んでいる。そ
のため表示素子としては、液晶分子がパラ状態で
あることが望まれる。
本発明は、上記の欠点を解決するためになされ
たもので、液晶分子のパラ状態を安定化し、表示
特性を向上させた液晶装置を提供することを目的
とする。
たもので、液晶分子のパラ状態を安定化し、表示
特性を向上させた液晶装置を提供することを目的
とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明者らは、上述のツイスト状態が、液晶パ
ネルの全画素に対して適当な交番電圧(以下、パ
ラ配向用交流電圧と称す)を印加することによ
り、パラ状態に移行させることができることを見
い出した。すなわち、本発明は、 a 間隔をおいて交差させた走査電極と情報信号
電極とで形成したマトリクス電極及び該走査電
極と情報信号電極との間に配置され、且つ無電
界時に互いに異なる2つの配向状態を発現し、
該2つの配向状態のそれぞれの平均分子軸のな
す角度が2θである第1状態の強誘電性液晶に、
該液晶の閾値電圧より大きい交流電圧を印加す
ることにより、該交流電圧の印加を解除した後
の無電界時における前記互いに異なる2つの配
向状態のそれぞれの平均分子軸のなす角度を前
記2θより大きい角度とした第2状態の強誘電性
液晶を有する液晶パネル、 b 前記走査電極に、順次走査選択信号が印加さ
れる様に、シフトレジスタ、ラツチ及び該走査
電極を順次走査選択して走査選択信号を出力す
る回路を配置した第1の手段、 c 走査選択された走査電極と前記情報信号電極
との交差部に、前記第2状態の強誘電性液晶の
一方の配向状態を生じさせる一方極性電圧又は
他方の配向状態を生じさせる他方極性電圧が選
択的に印加される様に、シフトレジスタ、ラツ
チ及び情報信号を出力する回路を配置して、前
記情報信号電極に情報信号を前記走査選択信号
と同期させて印加する手段であつて、該シフト
レジスタ及びラツチを前記第1の手段で用いた
シフトレジスタ及びラツチと同一構成の回路と
した第2の手段、並びに d 前記走査選択信号及び情報信号がそれぞれ前
記走査電極及び情報信号電極に印加される前に
前記交流電圧を前記第1及び第2の手段を通し
て前記第1状態の強誘電性液晶に印加させる第
3の手段 を有する液晶装置に特徴がある。
ネルの全画素に対して適当な交番電圧(以下、パ
ラ配向用交流電圧と称す)を印加することによ
り、パラ状態に移行させることができることを見
い出した。すなわち、本発明は、 a 間隔をおいて交差させた走査電極と情報信号
電極とで形成したマトリクス電極及び該走査電
極と情報信号電極との間に配置され、且つ無電
界時に互いに異なる2つの配向状態を発現し、
該2つの配向状態のそれぞれの平均分子軸のな
す角度が2θである第1状態の強誘電性液晶に、
該液晶の閾値電圧より大きい交流電圧を印加す
ることにより、該交流電圧の印加を解除した後
の無電界時における前記互いに異なる2つの配
向状態のそれぞれの平均分子軸のなす角度を前
記2θより大きい角度とした第2状態の強誘電性
液晶を有する液晶パネル、 b 前記走査電極に、順次走査選択信号が印加さ
れる様に、シフトレジスタ、ラツチ及び該走査
電極を順次走査選択して走査選択信号を出力す
る回路を配置した第1の手段、 c 走査選択された走査電極と前記情報信号電極
との交差部に、前記第2状態の強誘電性液晶の
一方の配向状態を生じさせる一方極性電圧又は
他方の配向状態を生じさせる他方極性電圧が選
択的に印加される様に、シフトレジスタ、ラツ
チ及び情報信号を出力する回路を配置して、前
記情報信号電極に情報信号を前記走査選択信号
と同期させて印加する手段であつて、該シフト
レジスタ及びラツチを前記第1の手段で用いた
シフトレジスタ及びラツチと同一構成の回路と
した第2の手段、並びに d 前記走査選択信号及び情報信号がそれぞれ前
記走査電極及び情報信号電極に印加される前に
前記交流電圧を前記第1及び第2の手段を通し
て前記第1状態の強誘電性液晶に印加させる第
3の手段 を有する液晶装置に特徴がある。
本発明において、このパラ配向用交流電圧は、
走査信号側駆動回路及び情報信号側駆動回路によ
り、同じ波高値及び周波数で、且つ逆位相で印加
され、このパラ配向用交流電圧が印加された後、
画像信号に対応する表示信号が印加される。
走査信号側駆動回路及び情報信号側駆動回路によ
り、同じ波高値及び周波数で、且つ逆位相で印加
され、このパラ配向用交流電圧が印加された後、
画像信号に対応する表示信号が印加される。
また本発明において、前記走査信号側駆動回路
と、情報信号側駆動回路を構成する出力段トラン
ジスタの耐圧は等しく、且つ前記パラ配向用交流
電圧の波高値以上である。
と、情報信号側駆動回路を構成する出力段トラン
ジスタの耐圧は等しく、且つ前記パラ配向用交流
電圧の波高値以上である。
なお、パラ配向用交流電圧としてはパラ状態に
おいて、液晶分子の双安定状態間のスイツチング
が十分追従できる電界でなければならないが、そ
の電圧波高値は、用いる液晶材料や配向膜の種類
さらには周波数などに強く依存し、これらを適当
に選択することにより、スイツチングに要するパ
ルス電圧の波高値と同程度のものにすることがで
きる。
おいて、液晶分子の双安定状態間のスイツチング
が十分追従できる電界でなければならないが、そ
の電圧波高値は、用いる液晶材料や配向膜の種類
さらには周波数などに強く依存し、これらを適当
に選択することにより、スイツチングに要するパ
ルス電圧の波高値と同程度のものにすることがで
きる。
[作用]
マトリクス構成の液晶素子の駆動回路とその周
辺の回路構成を、いわゆる縦横それぞれを同一に
構成することにより、スイツチ切換だけでその一
方を走査信号ラインに、他の一方を情報信号ライ
ンに使用することができ、縦書きと横書きとをス
イツチで容易に切換えられるうえに、2つの駆動
回路に同様に駆動電源を接続することにより、書
き込みパルスに先行して、駆動電源からパラ配向
用の交流電圧を印加できるようになる。
辺の回路構成を、いわゆる縦横それぞれを同一に
構成することにより、スイツチ切換だけでその一
方を走査信号ラインに、他の一方を情報信号ライ
ンに使用することができ、縦書きと横書きとをス
イツチで容易に切換えられるうえに、2つの駆動
回路に同様に駆動電源を接続することにより、書
き込みパルスに先行して、駆動電源からパラ配向
用の交流電圧を印加できるようになる。
[実施例]
以下、図面に沿つて本発明の実施例を説明す
る。
る。
第2図は走査信号線と情報信号線のマトリクス
形表示の電極構成と、各交点における画素の表示
例を示す図である。
形表示の電極構成と、各交点における画素の表示
例を示す図である。
図中S1〜S5は走査信号線、I1〜I5は表示信号線
を示す。また、第2図の斜線部の画素は「黒」、
白地で示した画素は「白」の各書き込み状態に対
応するものとする。
を示す。また、第2図の斜線部の画素は「黒」、
白地で示した画素は「白」の各書き込み状態に対
応するものとする。
マトリクス回路によつて、第2図に示した画素
の書き込み、すなわち走査信号線S1〜S5を線順次
走査を行ない、情報信号線I1及びI2の列を白、黒
交互に書き込む場合のタイミングチヤートを第1
図(表示信号印加期間)に示す。第1図において
ΔTは書き込みパルス巾を示し、書き込みの際に
は+方向の電界で白、−方向の電界で黒を書き込
むものとする。書き込みパルス(閾値を越えてい
るパルス)は、パルス巾ΔT、波高値±3V0のも
のとする。
の書き込み、すなわち走査信号線S1〜S5を線順次
走査を行ない、情報信号線I1及びI2の列を白、黒
交互に書き込む場合のタイミングチヤートを第1
図(表示信号印加期間)に示す。第1図において
ΔTは書き込みパルス巾を示し、書き込みの際に
は+方向の電界で白、−方向の電界で黒を書き込
むものとする。書き込みパルス(閾値を越えてい
るパルス)は、パルス巾ΔT、波高値±3V0のも
のとする。
第2図に示した画素の書き込みは、走査信号線
を先ず白に書き込んでから、表示信号線上の選択
画素に黒書き込みする方式(ラインクリア−ライ
ン書き込み)で行なつたものであり、情報信号に
は同極性の信号が続くことによるクロストークを
防止するための補助信号が、書き込み信号に続い
て逆極性で印加されている。
を先ず白に書き込んでから、表示信号線上の選択
画素に黒書き込みする方式(ラインクリア−ライ
ン書き込み)で行なつたものであり、情報信号に
は同極性の信号が続くことによるクロストークを
防止するための補助信号が、書き込み信号に続い
て逆極性で印加されている。
また、駆動回路のスイツチを入れた直後には、
このような表示信号が印加される前に、第1図
(交流印加期間)に示すようなパラ配向用交流電
圧が全ての走査信号線及び情報信号線の両方に同
時に同じ電圧波高値V′で同じ周波数の矩形波が
逆位相で印加される。即ち、両基板には2V′の電
圧波高値の交流矩形波が印加される。
このような表示信号が印加される前に、第1図
(交流印加期間)に示すようなパラ配向用交流電
圧が全ての走査信号線及び情報信号線の両方に同
時に同じ電圧波高値V′で同じ周波数の矩形波が
逆位相で印加される。即ち、両基板には2V′の電
圧波高値の交流矩形波が印加される。
このパラ配向用交流電圧は前述したようにツイ
スト状態からパラ状態へ液晶分子を遷移させるた
めのものであり、電圧波高値及びパルス幅はとも
に書き込みパルスより大きく設定することができ
る。本実施例では書き込みパルスが1msで10V、
それに対して交流電圧は50HzでVPPが約20V程度
の矩形波を数秒間印加することでパラ状態が実現
された。
スト状態からパラ状態へ液晶分子を遷移させるた
めのものであり、電圧波高値及びパルス幅はとも
に書き込みパルスより大きく設定することができ
る。本実施例では書き込みパルスが1msで10V、
それに対して交流電圧は50HzでVPPが約20V程度
の矩形波を数秒間印加することでパラ状態が実現
された。
ここで使用される液晶材料はp−n−オクチル
オキシ安息香酸−p′−(2−メチルブチルオキシ)
フエニルエステルとp−n−ノニルオキシ安息香
酸−p′−(2−メチルブチルオキシ)フエニルエ
ステルを主成分とする液晶組成物(強誘電性液
晶)で、液晶セルはガラス基板上にパターニング
されたITO等の透明電極上にPVA等の配向膜を
塗布した後、ラビング処理を施したものである。
また、透明電極と配向膜の間には絶縁用のSiO2
を形成することができ、セル厚は約1μmである。
オキシ安息香酸−p′−(2−メチルブチルオキシ)
フエニルエステルとp−n−ノニルオキシ安息香
酸−p′−(2−メチルブチルオキシ)フエニルエ
ステルを主成分とする液晶組成物(強誘電性液
晶)で、液晶セルはガラス基板上にパターニング
されたITO等の透明電極上にPVA等の配向膜を
塗布した後、ラビング処理を施したものである。
また、透明電極と配向膜の間には絶縁用のSiO2
を形成することができ、セル厚は約1μmである。
第3図は、本発明に係る液晶装置の回路構成の
一例を示す図である。
一例を示す図である。
第3図において、走査信号側、情報信号側とも
に同じ回路構成で、6はマトリクスパネル、7は
情報信号側駆動回路、8は走査信号側駆動回路、
9及び10はラツチ回路、11及び12はS/R
(シフトレジスタ)回路、13は駆動電源、14
は駆動電圧制御回路、15はI/F(インタフエ
ース)を示す。
に同じ回路構成で、6はマトリクスパネル、7は
情報信号側駆動回路、8は走査信号側駆動回路、
9及び10はラツチ回路、11及び12はS/R
(シフトレジスタ)回路、13は駆動電源、14
は駆動電圧制御回路、15はI/F(インタフエ
ース)を示す。
まず、メインスイツチ(図示せず)をONにす
ると、駆動電圧制御回路14により、全ての走査
電極及び情報信号電極に第4図に示すVI′の波高
値でΔT′のパルス幅のパラ配向用交流電圧が逆位
相で印加され、従つて上下基板間にはVAC≡VPP
2V′の矩形交流電圧(ピーク間電圧をVACとする)
が印加される。この交流電圧が所定時間印加さ
れ、液晶分子がパラ状態になつた後、駆動電圧制
御回路14により、表示信号の駆動電圧、即ち走
査信号側3V0,−2V0情報信号側±V0の電圧波高
値でΔTのパルス幅をもつパルス電圧がそれぞれ
設定され、入力信号DHに応じてマルテイプレク
シング駆動が開始される。
ると、駆動電圧制御回路14により、全ての走査
電極及び情報信号電極に第4図に示すVI′の波高
値でΔT′のパルス幅のパラ配向用交流電圧が逆位
相で印加され、従つて上下基板間にはVAC≡VPP
2V′の矩形交流電圧(ピーク間電圧をVACとする)
が印加される。この交流電圧が所定時間印加さ
れ、液晶分子がパラ状態になつた後、駆動電圧制
御回路14により、表示信号の駆動電圧、即ち走
査信号側3V0,−2V0情報信号側±V0の電圧波高
値でΔTのパルス幅をもつパルス電圧がそれぞれ
設定され、入力信号DHに応じてマルテイプレク
シング駆動が開始される。
また、縦書き、横書きの変換は、スイツチ16
〜18をH/V切換信号19により書き換えて、
走査信号側及び情報信号側を入れ替えることによ
つて容易に行われる。
〜18をH/V切換信号19により書き換えて、
走査信号側及び情報信号側を入れ替えることによ
つて容易に行われる。
第4図は第3図における駆動回路7,8の最終
段の駆動回路を示したものである。Tr1,Tr2
は出力段トランジスタを表わしている。ここで第
1図に示した駆動波形では2つの出力段トランジ
スタの耐圧VCは等しく以下の様に設定される。
段の駆動回路を示したものである。Tr1,Tr2
は出力段トランジスタを表わしている。ここで第
1図に示した駆動波形では2つの出力段トランジ
スタの耐圧VCは等しく以下の様に設定される。
VC>V′≧V0
さらに本実施例に示すように、液晶材料、配向
膜の種類、パラ配向用交流電圧の周波数を適当に
選択することにより、 VC>V′V0 とすることも可能である。
膜の種類、パラ配向用交流電圧の周波数を適当に
選択することにより、 VC>V′V0 とすることも可能である。
いずれにせよ、2つの駆動回路7,8には、駆
動電源13に同様に接続されているので、第1図
に示されるように、書き込みパルスと等しいか又
は大きい波高値及びパルス幅を有するパラ配向用
交流電圧を、第4図に示される表示信号DH′の入
力に先行して、図中V+〜V-間に印加することが
でき、液晶をパラ配向させることができる。
動電源13に同様に接続されているので、第1図
に示されるように、書き込みパルスと等しいか又
は大きい波高値及びパルス幅を有するパラ配向用
交流電圧を、第4図に示される表示信号DH′の入
力に先行して、図中V+〜V-間に印加することが
でき、液晶をパラ配向させることができる。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、走査信
号側と情報信号側を同じ回路構成とし、両信号側
の駆動回路を通して、全画素への交流印加を適宜
行うことにより、パラ配向によるコントラストが
高く、ちらつきの少ない良好な特性をもち、かつ
横書き、縦書き変換の容易な液晶装置を、単純で
コストの低い電気回路により構成することが可能
である。
号側と情報信号側を同じ回路構成とし、両信号側
の駆動回路を通して、全画素への交流印加を適宜
行うことにより、パラ配向によるコントラストが
高く、ちらつきの少ない良好な特性をもち、かつ
横書き、縦書き変換の容易な液晶装置を、単純で
コストの低い電気回路により構成することが可能
である。
第1図は本発明の一実施例のタイミングチヤー
ト、第2図は本発明の実施例の画素のマトリクス
構成図、第3図は本発明の一実施例の回路構成
図、第4図はその最終段の駆動回路図、第5図及
び第6図は強誘電性液晶の模式図である。 S1〜S5……走査信号線、I1〜I5……表示信号
線、6……マトリクスパネル、7……情報信号側
駆動回路、8……走査信号側駆動回路、9,10
……ラツチ回路、11,12……シフトレジスタ
回路、13……駆動電源。
ト、第2図は本発明の実施例の画素のマトリクス
構成図、第3図は本発明の一実施例の回路構成
図、第4図はその最終段の駆動回路図、第5図及
び第6図は強誘電性液晶の模式図である。 S1〜S5……走査信号線、I1〜I5……表示信号
線、6……マトリクスパネル、7……情報信号側
駆動回路、8……走査信号側駆動回路、9,10
……ラツチ回路、11,12……シフトレジスタ
回路、13……駆動電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 a 間隔をおいて交差させた走査電極と情報
信号電極とで形成したマトリクス電極及び該走
査電極と情報信号電極との間に配置され、且つ
無電界時に互いに異なる2つの配向状態を発現
し、該2つの配向状態のそれぞれの平均分子軸
のなす角度が2θである第1状態の強誘電性液晶
に、該液晶の閾値電圧より大きい交流電圧を印
加することにより、該交流電圧の印加を解除し
た後の無電界時における前記互いに異なる2つ
の配向状態のそれぞれの平均分子軸のなす角度
を前記2θより大きい角度とした第2状態の強誘
電性液晶を有する液晶パネル、 b 前記走査電極に、順次走査選択信号が印加さ
れる様に、シフトレジスタ、ラツチ及び該走査
電極を順次走査選択して走査選択信号を出力す
る回路を配置した第1の手段、 c 走査選択された走査電極と前記情報信号電極
との交差部に、前記第2状態の強誘電性液晶の
一方の配向状態を生じさせる一方極性電圧又は
他方の配向状態を生じさせる他方極性電圧が選
択的に印加される様に、シフトレジスタ、ラツ
チ及び情報信号を出力する回路を配置して、前
記情報信号電極に情報信号を前記走査選択信号
と同期させて印加する手段であつて、該シフト
レジスタ及びラツチを前記第1の手段で用いた
シフトレジスタ及びラツチと同一構成の回路と
した第2の手段、並びに d 前記走査選択信号及び情報信号がそれぞれ前
記走査電極及び情報信号電極に印加される前に
前記交流電圧を前記第1及び第2の手段を通し
て前記第1状態の強誘電性液晶に印加させる第
3の手段 を有することを特徴とする液晶装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27432885A JPS62134691A (ja) | 1985-12-07 | 1985-12-07 | 液晶装置 |
| DE19863630012 DE3630012A1 (de) | 1985-09-04 | 1986-09-03 | Ferroelektrische fluessigkristallvorrichtung |
| FR868612388A FR2590392B1 (fr) | 1985-09-04 | 1986-09-03 | Dispositif a cristaux liquides ferroelectriques |
| GB8621326A GB2183054B (en) | 1985-09-04 | 1986-09-04 | Ferroelectric liquid crystal device and method of conditioning such a device |
| US07/309,034 US5013137A (en) | 1985-09-04 | 1989-02-02 | Ferroelectric liquid crystal device having increased tilt angle |
| CA000615534A CA1317386C (en) | 1985-12-07 | 1989-10-23 | Ferroelectric liquid crystal device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27432885A JPS62134691A (ja) | 1985-12-07 | 1985-12-07 | 液晶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62134691A JPS62134691A (ja) | 1987-06-17 |
| JPH0448367B2 true JPH0448367B2 (ja) | 1992-08-06 |
Family
ID=17540122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27432885A Granted JPS62134691A (ja) | 1985-09-04 | 1985-12-07 | 液晶装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62134691A (ja) |
| CA (1) | CA1317386C (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0318818A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マトリクス形表示装置 |
| WO2007116447A1 (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Fujitsu Limited | 表示素子の駆動方法および表示装置 |
| WO2009050778A1 (ja) * | 2007-10-15 | 2009-04-23 | Fujitsu Limited | ドットマトリクス型の表示素子を有する表示装置 |
| JP5005039B2 (ja) | 2007-10-15 | 2012-08-22 | 富士通株式会社 | 単純マトリクス型の表示素子を有する表示装置および単純マトリクスドライバ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4367924A (en) * | 1980-01-08 | 1983-01-11 | Clark Noel A | Chiral smectic C or H liquid crystal electro-optical device |
| JPS6031120A (ja) * | 1983-07-30 | 1985-02-16 | Canon Inc | 液晶装置 |
-
1985
- 1985-12-07 JP JP27432885A patent/JPS62134691A/ja active Granted
-
1989
- 1989-10-23 CA CA000615534A patent/CA1317386C/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1317386C (en) | 1993-05-04 |
| JPS62134691A (ja) | 1987-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0544009B2 (ja) | ||
| JPS6261931B2 (ja) | ||
| JPH0466327B2 (ja) | ||
| JPH0422496B2 (ja) | ||
| JPH0453405B2 (ja) | ||
| US4927243A (en) | Method and apparatus for driving optical modulation device | |
| JPS6244247B2 (ja) | ||
| JPH0764056A (ja) | 反強誘電性液晶表示素子及び反強誘電性液晶表示素子の駆動方法 | |
| JPH0448367B2 (ja) | ||
| JPH0448366B2 (ja) | ||
| JPH028814A (ja) | 液晶装置 | |
| JPH0431374B2 (ja) | ||
| JPH0442653B2 (ja) | ||
| JP2566149B2 (ja) | 光学変調素子 | |
| JPH0422493B2 (ja) | ||
| JPS6294829A (ja) | 強誘電性液晶装置 | |
| JPS62125330A (ja) | 光学変調素子の駆動法 | |
| JPS61235897A (ja) | 液晶素子の駆動方法 | |
| JPH0823636B2 (ja) | 光学変調素子の駆動法 | |
| JPS61245139A (ja) | 光学変調素子の走査方式 | |
| JPS617829A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS63249130A (ja) | 液晶装置の駆動法 | |
| JPS63306424A (ja) | 表示装置 | |
| JPS63309928A (ja) | 液晶装置 | |
| JPS6388526A (ja) | 光学変調素子の駆動法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |