JPH0448410A - 磁気ディスク装置 - Google Patents
磁気ディスク装置Info
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- JPH0448410A JPH0448410A JP2155987A JP15598790A JPH0448410A JP H0448410 A JPH0448410 A JP H0448410A JP 2155987 A JP2155987 A JP 2155987A JP 15598790 A JP15598790 A JP 15598790A JP H0448410 A JPH0448410 A JP H0448410A
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- Japan
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- magnetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度磁気記録装置に関するものである。
従来の技術
近年、磁気ディスク装置に対する小型・大容量化の要求
はめざましい。磁気ディスク装置において大容量化を達
成するためには、トラック密度（単位長さ当たりに入る
トラックの数）および線記録密度（単位長さ当たりに入
る信号磁化の数）を高くするとともに、記録変調方式の
最適化を図る必要がある。また、磁気ディスクの大きさ
も５．２５，３．５インチから２．５インチと小径のデ
ィスクも使用されつつある。
はめざましい。磁気ディスク装置において大容量化を達
成するためには、トラック密度（単位長さ当たりに入る
トラックの数）および線記録密度（単位長さ当たりに入
る信号磁化の数）を高くするとともに、記録変調方式の
最適化を図る必要がある。また、磁気ディスクの大きさ
も５．２５，３．５インチから２．５インチと小径のデ
ィスクも使用されつつある。
このように小型・大容量化を図ると相対速度の減少やト
ラック幅の狭小による再生信号の低下（ＳＮ比の低下）
や周波数特性の悪化（分解能の低下）をまねいてしまう
。
ラック幅の狭小による再生信号の低下（ＳＮ比の低下）
や周波数特性の悪化（分解能の低下）をまねいてしまう
。
ＳＮ比の低下はタイムジッターによるピークシフトを増
加させる。また、分解能の低下は信号再生時において再
生信号間の干渉を助長し、ある記録パターンの場合には
ピークの位置が記録電流の反転位置とずれてしまうパタ
ーンピークシフトを増大させる。
加させる。また、分解能の低下は信号再生時において再
生信号間の干渉を助長し、ある記録パターンの場合には
ピークの位置が記録電流の反転位置とずれてしまうパタ
ーンピークシフトを増大させる。
そのため、磁気記録媒体として高保磁力、高残留磁束密
度、薄膜という特徴を持つ金属薄膜媒体が開発されてい
る。一方、この媒体を十分に飽和記録し優れた記録再生
特性を得るために、従来の強磁性酸化物を磁気コアに用
いた磁気へ・ソドに代わってギャップ近傍部に強磁性薄
膜を設けた複合型磁気ヘッドが開発され磁気ディスク装
置に用いられている。このように複合型磁気へ・ソドと
金属薄膜媒体とを組み合わせることにより、ＳＮ比分解
能の向上を図ることができる。
度、薄膜という特徴を持つ金属薄膜媒体が開発されてい
る。一方、この媒体を十分に飽和記録し優れた記録再生
特性を得るために、従来の強磁性酸化物を磁気コアに用
いた磁気へ・ソドに代わってギャップ近傍部に強磁性薄
膜を設けた複合型磁気ヘッドが開発され磁気ディスク装
置に用いられている。このように複合型磁気へ・ソドと
金属薄膜媒体とを組み合わせることにより、ＳＮ比分解
能の向上を図ることができる。
しかし、磁気ヘッドのギャップ長や浮上量あるいは記録
能力から制約される保磁力等により分解能にも自から限
界があり、したがって７＜ターンピークシフトの改善に
も限界があった。
能力から制約される保磁力等により分解能にも自から限
界があり、したがって７＜ターンピークシフトの改善に
も限界があった。
また、この複合型磁気ヘッドにおいては、強磁性酸化物
と強磁性薄膜との界面において疑似ギャップが生じ、疑
似再生出力を生じることが知られている。
と強磁性薄膜との界面において疑似ギャップが生じ、疑
似再生出力を生じることが知られている。
そこで、強磁性薄膜の厚み（１）と磁気ギャップ長の半
分（ｇ １／２）中間層層の厚みの半分（ｔ ｐ ／
２ ）との和（つまり、磁気ギャップの中心と中間層の
中心との間隔）を、磁気記録媒に記録された最小記録間
隔よりも大きく、かつその倍の距離よりも小さくするよ
うに最小記録間隔２強磁性薄膜の厚み、磁気ギャップ長
、中間層を構成することで、この疑似再生出力を用いて
パターンピークシフトを改善することが提案されている
（特開昭６３−１３１０６号公報）。
分（ｇ １／２）中間層層の厚みの半分（ｔ ｐ ／
２ ）との和（つまり、磁気ギャップの中心と中間層の
中心との間隔）を、磁気記録媒に記録された最小記録間
隔よりも大きく、かつその倍の距離よりも小さくするよ
うに最小記録間隔２強磁性薄膜の厚み、磁気ギャップ長
、中間層を構成することで、この疑似再生出力を用いて
パターンピークシフトを改善することが提案されている
（特開昭６３−１３１０６号公報）。
発明が解決しようとする課題
現在、トラック密度は１７００〜１８００７ＰＩ（トラ
ック・パー・インチ １インチ当たりのトラックの数）
となり、トラック幅は１０μｍ前後までになっている。
ック・パー・インチ １インチ当たりのトラックの数）
となり、トラック幅は１０μｍ前後までになっている。
そのため、今後の高密度化は記録周波数を高くするか、
あるいは回転数を下げるかして線記録密度を上げなけれ
ば達成できなくなってきている。線記録密度を高くして
ゆくと、記録媒体に記録される最小記録間隔は小さくな
ってゆく。
あるいは回転数を下げるかして線記録密度を上げなけれ
ば達成できなくなってきている。線記録密度を高くして
ゆくと、記録媒体に記録される最小記録間隔は小さくな
ってゆく。
現在、３．５インチハードディスクで、最小記録間隔は
１．０μｍ程度であり、特開昭６３１３１０６号公報に
よる適正値は、１．０〜２．０μｍとなる。しかしなが
ら、さらに高密度記録を目指せば最小記録間隔は１μｍ
以下になってゆく。たとえば、３．５インチ最内周２２
胴に周波数７ＭＨｚを記録した場合の最小記録間隔は、
０．５９μｍ程度（４２，９ｋＦＲＰＩ：１インチ当た
りの信号磁化の数）となり、この場合の適正値は、０．
５９〜１．１８μｍになる。
１．０μｍ程度であり、特開昭６３１３１０６号公報に
よる適正値は、１．０〜２．０μｍとなる。しかしなが
ら、さらに高密度記録を目指せば最小記録間隔は１μｍ
以下になってゆく。たとえば、３．５インチ最内周２２
胴に周波数７ＭＨｚを記録した場合の最小記録間隔は、
０．５９μｍ程度（４２，９ｋＦＲＰＩ：１インチ当た
りの信号磁化の数）となり、この場合の適正値は、０．
５９〜１．１８μｍになる。
ここで、第９図に強磁性薄膜の厚みと磁・気ヘッドの書
き込み能力を示すパラメータである起磁力ＮＴ９０（入
出力特性において記録電流に対する再生出力の最大値の
９０％に達するときの記録時の起磁力）との関係を示す
。Ｎｌ ９０の値が小さい程、記録効率が良く小さな記
録電流で書き込みができ、磁気ディスク装置として消費
電力が少なくなる利点がある。
き込み能力を示すパラメータである起磁力ＮＴ９０（入
出力特性において記録電流に対する再生出力の最大値の
９０％に達するときの記録時の起磁力）との関係を示す
。Ｎｌ ９０の値が小さい程、記録効率が良く小さな記
録電流で書き込みができ、磁気ディスク装置として消費
電力が少なくなる利点がある。
このように、高密度記録を目指して最小記録間隔を小さ
くした場合、ヘッドの強磁性薄膜の厚みが１μｍ以下に
なると記録効率が悪くなるという問題点がある。また、
強磁性薄膜が、薄くなるとそれだけ早く強磁性薄膜の磁
気的飽和が生じたり、初期の磁気特性の悪い層が強磁性
薄膜の全膜厚に対して相対的に多くなるなど、磁気へ・
ソドの特性か悪化してしまい磁気ディスク装置の信頼性
を損なうという問題点もある。また、この現象は記録媒
体の保磁力が高い程、つまり高線記録密度を目指す程、
顕著になり強磁性薄膜の厚みが薄すぎると高密度記録に
適さなくなる。
くした場合、ヘッドの強磁性薄膜の厚みが１μｍ以下に
なると記録効率が悪くなるという問題点がある。また、
強磁性薄膜が、薄くなるとそれだけ早く強磁性薄膜の磁
気的飽和が生じたり、初期の磁気特性の悪い層が強磁性
薄膜の全膜厚に対して相対的に多くなるなど、磁気へ・
ソドの特性か悪化してしまい磁気ディスク装置の信頼性
を損なうという問題点もある。また、この現象は記録媒
体の保磁力が高い程、つまり高線記録密度を目指す程、
顕著になり強磁性薄膜の厚みが薄すぎると高密度記録に
適さなくなる。
また、高密度を達成するための条件である記録変調方式
によっても最小記録間隔に対する強磁性薄膜の厚み、磁
気ギャップ長、中間層の適正値は異なることが明らかに
なった。
によっても最小記録間隔に対する強磁性薄膜の厚み、磁
気ギャップ長、中間層の適正値は異なることが明らかに
なった。
本発明は上記従来の課題を解決し、高い密度の磁気記録
ができる磁気ディスク装置を提供しようとするものであ
る。
ができる磁気ディスク装置を提供しようとするものであ
る。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するため、強磁性酸化物よりな
る磁気コアのギャップ対向面の少なくとも一方に、厚み
【ｐの中間層を有し、該中間層に隣接して厚みｔの強磁
性薄膜を設け、厚さｇｌの磁気ギャップを介して接合し
た複合型磁気ヘッドを用い、前記磁気ギャップ長の半分
（ｇｌ／２）と前記強磁性薄膜の厚み（１）と前記中間
層の厚みの半分（ｔ ｐ／２）との和が、磁気記録媒体
の信号記録領域の最内周に記録される最小記録間隔をｂ
ＭＩＮ、最大記録間隔をｂ ＭＡＸとしｂ ＭＩＮ＋
ｎｘ（ｂ ＭｒＮ＋ ｂ ＭＡＸ）≦（ｇｌ／２＋ｔ＋
ｔｐ／２）≦ｂ ＭＡＸ＋ｎｘ（ｂ ＭＩＮ＋ ｂ Ｍ
ＡＸ）（ｎ＝０．１．２．３・・・・・・） となるように磁気ディスク装置を構成したものである。
る磁気コアのギャップ対向面の少なくとも一方に、厚み
【ｐの中間層を有し、該中間層に隣接して厚みｔの強磁
性薄膜を設け、厚さｇｌの磁気ギャップを介して接合し
た複合型磁気ヘッドを用い、前記磁気ギャップ長の半分
（ｇｌ／２）と前記強磁性薄膜の厚み（１）と前記中間
層の厚みの半分（ｔ ｐ／２）との和が、磁気記録媒体
の信号記録領域の最内周に記録される最小記録間隔をｂ
ＭＩＮ、最大記録間隔をｂ ＭＡＸとしｂ ＭＩＮ＋
ｎｘ（ｂ ＭｒＮ＋ ｂ ＭＡＸ）≦（ｇｌ／２＋ｔ＋
ｔｐ／２）≦ｂ ＭＡＸ＋ｎｘ（ｂ ＭＩＮ＋ ｂ Ｍ
ＡＸ）（ｎ＝０．１．２．３・・・・・・） となるように磁気ディスク装置を構成したものである。
作用
以上の構成の磁気ディスク装置によって線記録密度を大
きくしても、十分な記録能力を持ち、かつパターンピー
クシフトを改善することかでき高密度記録を達成し、消
費電力も小さな小型・大容量の磁気ディスク装置を提供
できる。
きくしても、十分な記録能力を持ち、かつパターンピー
クシフトを改善することかでき高密度記録を達成し、消
費電力も小さな小型・大容量の磁気ディスク装置を提供
できる。
実施例
本発明の磁気ディスク装置に用いられる複合型磁気ヘッ
ドの一例を第１０図に示す。強磁性酸化物であるＭ ｎ
−Ｚ ｎフェライト、あるいはＮｉＺｎフェライトか
らなる磁気コアの一方１に中間層２として厚みｔｐのＳ
ｉＯ２，Ｃｒ、ＳｉＮ。
ドの一例を第１０図に示す。強磁性酸化物であるＭ ｎ
−Ｚ ｎフェライト、あるいはＮｉＺｎフェライトか
らなる磁気コアの一方１に中間層２として厚みｔｐのＳ
ｉＯ２，Ｃｒ、ＳｉＮ。
Ｔ ｉ、Ａｌ２Ｏ３，Ｍｏ、Ｉ ｒ等がスパッタリンク
蒸着等によって被着され、その上にＦｅ−Ａｊ＋Ｓｉ系
合金３をスパッタリング、蒸着等によって厚みｔを被着
した後、非磁性材である５ｉ０２等からなる厚みｇｌの
磁気ギャップ４を介して、他方の磁気コア１°と接合す
ることにより複合型磁気ヘッドか形成され、巻線５が施
されている。この場合、５ｉ０２．Ｃｒは強磁性薄膜で
あるＦｅ−Ａｊ’−８ｉ系合金の特性改善および強磁性
薄膜から強磁性酸化物への拡散防止を目的として設けら
れたものであり、Ｓ ｉＮ、Ｔ ｉ、、 ＡＩ＝０３
Ｍｏ、Ｉｒは強磁性薄膜から強磁性酸化物への拡散防止
を目的として設けられたものである。また、強磁性薄膜
３はパーマロイ、アモルファス杏金、Ｆｅ−Ｇａ−３ｉ
−Ｒｕ合金等を用いても良い。
蒸着等によって被着され、その上にＦｅ−Ａｊ＋Ｓｉ系
合金３をスパッタリング、蒸着等によって厚みｔを被着
した後、非磁性材である５ｉ０２等からなる厚みｇｌの
磁気ギャップ４を介して、他方の磁気コア１°と接合す
ることにより複合型磁気ヘッドか形成され、巻線５が施
されている。この場合、５ｉ０２．Ｃｒは強磁性薄膜で
あるＦｅ−Ａｊ’−８ｉ系合金の特性改善および強磁性
薄膜から強磁性酸化物への拡散防止を目的として設けら
れたものであり、Ｓ ｉＮ、Ｔ ｉ、、 ＡＩ＝０３
Ｍｏ、Ｉｒは強磁性薄膜から強磁性酸化物への拡散防止
を目的として設けられたものである。また、強磁性薄膜
３はパーマロイ、アモルファス杏金、Ｆｅ−Ｇａ−３ｉ
−Ｒｕ合金等を用いても良い。
このような構成の複合型磁気ヘッドの孤立再生波形を第
８図に示す。再生信号のピークと疑似出力のピークとの
間隔は、（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２ ）である。
８図に示す。再生信号のピークと疑似出力のピークとの
間隔は、（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２ ）である。
また、疑似出力の大きさは、中間層の厚みｔｐにより異
なってくる。
なってくる。
磁気ディスクに信号を記録する場合、最内周において相
対速度が最も遅くなり、線記録密度が最も大きくなるた
め、出力１分解能が最小になる。
対速度が最も遅くなり、線記録密度が最も大きくなるた
め、出力１分解能が最小になる。
そのため、パターンピークシフトも最内周で最も大きく
なる。従って、最内周においてパターンピークシフトを
改善し隣接する信号を判別できるように磁気ディスク装
置を構成すれば良いことがわかる。
なる。従って、最内周においてパターンピークシフトを
改善し隣接する信号を判別できるように磁気ディスク装
置を構成すれば良いことがわかる。
今、最内周における信号の最小記録間隔をｂ ＭＩＮ、
最大記録間隔をｂ ＭＡＸとすると、本発明の磁気ディ
スク装置は結論から述べると、ｂ ＭＩＮ＋ｎｘ（ｂ
ＭＩＮ＋ ｂ ＭＡＸ）≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）
≦ｂ ＭＡＸ＋ｎｘ（ｂ ＭＩＮ＋ ｂ ＭＡＸ） −
−（１１（ｎ＝０．１．２，３・・・・・・） となるように最小記録間隔１強磁性薄膜、磁気ギャップ
、中間層が形成されている（最大記録間隔は、変調方式
により最小記録間隔に対しである比になるように決定さ
れる）。
最大記録間隔をｂ ＭＡＸとすると、本発明の磁気ディ
スク装置は結論から述べると、ｂ ＭＩＮ＋ｎｘ（ｂ
ＭＩＮ＋ ｂ ＭＡＸ）≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）
≦ｂ ＭＡＸ＋ｎｘ（ｂ ＭＩＮ＋ ｂ ＭＡＸ） −
−（１１（ｎ＝０．１．２，３・・・・・・） となるように最小記録間隔１強磁性薄膜、磁気ギャップ
、中間層が形成されている（最大記録間隔は、変調方式
により最小記録間隔に対しである比になるように決定さ
れる）。
ここで、第２図ないし第７図をもとに、このような結果
を導くに至った経過を逆にたどって、磁気ディスク装置
におけるパターンピークシフトについて考察する。
を導くに至った経過を逆にたどって、磁気ディスク装置
におけるパターンピークシフトについて考察する。
第２図に、記録変調方式がＭ Ｆ Ｍ （ｉｌｏｄｉｆ
ｉｅｄＦｒｅｑｕｅｎｃｙ ）［ｏｄｕｌａｔｉｏｎ）
方式の場合の最悪パターンである ・・・・・・１１０
１１０・・・・・・ のパターンピークシフトをシミュ
レーションにより計算した結果を示す。強磁性薄膜がな
い場合の値を基準としてパーセントで示している。疑似
出力は再生出力に対して一２１ｄＢとした。強磁性薄膜
の厚み（１）と磁気ギャップ長の半分（ｇ １／２）と
中間層の厚みの半分（ｔｐ／２）との和と最小記録間隔
との比に対してパターンピークシフトが改善される場合
と悪化する場合とがあることがわかる。
ｉｅｄＦｒｅｑｕｅｎｃｙ ）［ｏｄｕｌａｔｉｏｎ）
方式の場合の最悪パターンである ・・・・・・１１０
１１０・・・・・・ のパターンピークシフトをシミュ
レーションにより計算した結果を示す。強磁性薄膜がな
い場合の値を基準としてパーセントで示している。疑似
出力は再生出力に対して一２１ｄＢとした。強磁性薄膜
の厚み（１）と磁気ギャップ長の半分（ｇ １／２）と
中間層の厚みの半分（ｔｐ／２）との和と最小記録間隔
との比に対してパターンピークシフトが改善される場合
と悪化する場合とがあることがわかる。
ＭＦＭ方式の場合、ｂＭＡｘ＝２ｂＭＩＮであるから（
１）式を変形すると次式が得られる。
１）式を変形すると次式が得られる。
（１＋３ｎ）≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）／ ｂ
ＭＩＮ≦（２＋３ｎ） ・・・・・
・（２）（ｎ＝ｏ、 １．２．３・・・・・・）パター
ンピークシフトが改善される場合は・ｎ＝ｏの時 １≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）／ｂ ＭＩＮ≦２・
・・・・・第２図中領域Ａ ・ｎ＝１の時 ４≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）／ｂ ＭＩＮ≦５・
・・・・・第２図中領域Ｂ ・ｎ＝２の時 ７≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）／ｂ ＭＩＮ≦８・
・・・・・第２図中頭域Ｃ であることかわかる。ｎが３以上は省略している。
ＭＩＮ≦（２＋３ｎ） ・・・・・
・（２）（ｎ＝ｏ、 １．２．３・・・・・・）パター
ンピークシフトが改善される場合は・ｎ＝ｏの時 １≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）／ｂ ＭＩＮ≦２・
・・・・・第２図中領域Ａ ・ｎ＝１の時 ４≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）／ｂ ＭＩＮ≦５・
・・・・・第２図中領域Ｂ ・ｎ＝２の時 ７≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）／ｂ ＭＩＮ≦８・
・・・・・第２図中頭域Ｃ であることかわかる。ｎが３以上は省略している。
また、第３図に最小記録間隔に対してパターンピークシ
フトが改善される領域を示す。
フトが改善される領域を示す。
たとえば、最小記録間隔が０．５９μｍ、ギャップ長が
０．３μｍ、中間層が０．０２μｍとすると強磁性薄膜
の厚みｔを ｎ＝ｏ（Ｄとき ０．５９μｍ〜１．１８μｍｎ＝１
のとき ２．３６μｍ〜２，９５μｍｎ＝２のとき
４．１３μｍ〜４．７２μｍｎ＝３のとき ５．９
μｍ〜６，４９μｍとすればよいことがわかる。
０．３μｍ、中間層が０．０２μｍとすると強磁性薄膜
の厚みｔを ｎ＝ｏ（Ｄとき ０．５９μｍ〜１．１８μｍｎ＝１
のとき ２．３６μｍ〜２，９５μｍｎ＝２のとき
４．１３μｍ〜４．７２μｍｎ＝３のとき ５．９
μｍ〜６，４９μｍとすればよいことがわかる。
この場合、ｎ＝０の時は、強磁性薄膜が薄くなりすぎる
ため、前述したように書き込み効率が悪くなり、また磁
気ヘッドの特性も悪くなる。また、ｎ＝３．４．５とな
ると強磁性薄膜の厚みが厚くなり生産性の点から問題が
あり望ましくは、ｎ＝１．２の場合となる。
ため、前述したように書き込み効率が悪くなり、また磁
気ヘッドの特性も悪くなる。また、ｎ＝３．４．５とな
ると強磁性薄膜の厚みが厚くなり生産性の点から問題が
あり望ましくは、ｎ＝１．２の場合となる。
このように、使用する最小記録間隔により係数ｎの値を
選択し適正な強磁性薄膜の厚みを選択すれば、十分な記
録能力を持ちかつパターンピークシフトを改善できるこ
とがわかる。
選択し適正な強磁性薄膜の厚みを選択すれば、十分な記
録能力を持ちかつパターンピークシフトを改善できるこ
とがわかる。
つぎに、ＭＦＭ方式以外の記録変調方式について考えて
みる。
みる。
第４図に、（２，７）ＲＬＬ方式（１？ＵＮ ＬＥＮＧ
ＴＨＬＩＭＩＴＥＤ）の場合の最悪パターンである・・
・・・・１００１０００００００１００１・・・・・・
”のパターンピークシフトをシミュレーションにより計
算した結果を示す。条件は、ＭＦＭ方式の場合と同じで
ある。
ＴＨＬＩＭＩＴＥＤ）の場合の最悪パターンである・・
・・・・１００１０００００００１００１・・・・・・
”のパターンピークシフトをシミュレーションにより計
算した結果を示す。条件は、ＭＦＭ方式の場合と同じで
ある。
（２，７）ＲＬＬ方式の場合、ｂ ’ＭＡＸ＝８／３ｂ
ＭＩＮであるから１式より次式か得られる。
ＭＩＮであるから１式より次式か得られる。
（１＋ｎＸ１１／３）≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）／
ｂ ＭＩＮ≦（８／３＋ｎｘｌｌ／３）
＋＋＋ ＝−（３１（ｎ＝０１２，３・・・・・・） パターンピークシフトが改善される場合は・ｎ＝ｏの時 １≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）／ ｂ ＭＩＮ≦８
／３・・・・・・第４図中領域Ａ ・ｎ＝１の時 １４／３≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）／ ｂ ＭＩ
Ｎ≦１９／３・・・・・・第４図中領域Ｂ ・ｎ＝２の時 ２５／３≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）／ｂ ＷＩＮ
≦ｌＯ・・第４図中領域Ｃ であることがわかる。ｎが３以上は省略している。
ｂ ＭＩＮ≦（８／３＋ｎｘｌｌ／３）
＋＋＋ ＝−（３１（ｎ＝０１２，３・・・・・・） パターンピークシフトが改善される場合は・ｎ＝ｏの時 １≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）／ ｂ ＭＩＮ≦８
／３・・・・・・第４図中領域Ａ ・ｎ＝１の時 １４／３≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）／ ｂ ＭＩ
Ｎ≦１９／３・・・・・・第４図中領域Ｂ ・ｎ＝２の時 ２５／３≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）／ｂ ＷＩＮ
≦ｌＯ・・第４図中領域Ｃ であることがわかる。ｎが３以上は省略している。
第５図に最小記録間隔に対してパターンピークシフトが
改善される領域を示す。ＭＦＭ方式と同様に、最小記録
間隔が０．５９μｍ、ギャップ長が０．３μｍ、中間層
が０．０２μｍとすると強磁性薄膜の厚みを ｎ＝ｏのとき ０．５９μｍ〜１．５７μｍｎ＝１の
とき ２．７５μｍ〜３．７４μｍｎ＝２のとき
４．９２μｍ〜５．９ μｍｎ＝３のとき ７．０
８ μｍ〜８．０６ ｐｍとすればよいことがわかる。
改善される領域を示す。ＭＦＭ方式と同様に、最小記録
間隔が０．５９μｍ、ギャップ長が０．３μｍ、中間層
が０．０２μｍとすると強磁性薄膜の厚みを ｎ＝ｏのとき ０．５９μｍ〜１．５７μｍｎ＝１の
とき ２．７５μｍ〜３．７４μｍｎ＝２のとき
４．９２μｍ〜５．９ μｍｎ＝３のとき ７．０
８ μｍ〜８．０６ ｐｍとすればよいことがわかる。
この場合、ｎ＝ｏの場合でも強磁性薄膜の膜厚として十
分な値を選択できる。また、ＭＦＭ方式の場合と同様に
望ましくは、ｎ＝０．１．２の場合となる。
分な値を選択できる。また、ＭＦＭ方式の場合と同様に
望ましくは、ｎ＝０．１．２の場合となる。
第６図に、（１，７）ＲＬＬ方式の場合の最悪パターン
である“・・・・・・１０１０００００００１０１・・
・・・”のパターンピークシフトをシミュレーションに
より計算した結果を示す。条件は、ＭＦＭ方式の場合と
同じである。
である“・・・・・・１０１０００００００１０１・・
・・・”のパターンピークシフトをシミュレーションに
より計算した結果を示す。条件は、ＭＦＭ方式の場合と
同じである。
（１，７）ＲＬＬ方式の場合、ｂ ＭＡＸ＝４ｂ ＩＩ
ＩＮであるから（１）式より次式が得られる。
ＩＮであるから（１）式より次式が得られる。
（１＋５ｎ）≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）／ ｂ Ｍ
ＩＮ≦（４＋５ｎ） ・・・・・・
（４）（ｎ＝０．１．２．３・・・・・・） パターンピークシフトが改善される場合は・ｎ＝０の時 １≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）／ ｂ ｉ［ＩＮ≦４
・・・・・・第６図中領域Ａ ・ｎ＝１の時 ６≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）／ｂ ＭＩＮ≦９・
・・・・・第６図中領域Ｂ ・ｎ＝２の時 １１≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）／ｂ 蓋ＩＮ≦１
４・・・・・・第６図中領域Ｃ であることがわかる。ｎが３以上は省略している。
ＩＮ≦（４＋５ｎ） ・・・・・・
（４）（ｎ＝０．１．２．３・・・・・・） パターンピークシフトが改善される場合は・ｎ＝０の時 １≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）／ ｂ ｉ［ＩＮ≦４
・・・・・・第６図中領域Ａ ・ｎ＝１の時 ６≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）／ｂ ＭＩＮ≦９・
・・・・・第６図中領域Ｂ ・ｎ＝２の時 １１≦（ｇｌ／２＋ｔ＋ｔｐ／２）／ｂ 蓋ＩＮ≦１
４・・・・・・第６図中領域Ｃ であることがわかる。ｎが３以上は省略している。
第７図に最小記録間隔に対してパターンピークシフトが
改善される領域を示す。ＭＦＭ方式と同様に、最小記録
間隔が０．５９μｍ、ギヤ・ツブ長が０．３μｍ、中間
層が０．０２μｍとすると強磁性薄膜の厚みを ｎ＝ｏのとき ０５９μｍ〜２３６μｍｎ＝１のとき
３．５４μｍ〜５３１μｍｎ＝２のとき ６．４
９μｍ〜８．２６μｍｎ＝３のとき ９４４μｍ〜１
１．２１μｍとすればよいことがわかる。
改善される領域を示す。ＭＦＭ方式と同様に、最小記録
間隔が０．５９μｍ、ギヤ・ツブ長が０．３μｍ、中間
層が０．０２μｍとすると強磁性薄膜の厚みを ｎ＝ｏのとき ０５９μｍ〜２３６μｍｎ＝１のとき
３．５４μｍ〜５３１μｍｎ＝２のとき ６．４
９μｍ〜８．２６μｍｎ＝３のとき ９４４μｍ〜１
１．２１μｍとすればよいことがわかる。
この場合、望ましくは、ｎ＝０．１の場合となる。
このように使用する記録変調方式により、最小記録間隔
に対してパターンピークシフトを改善する強磁性薄膜の
厚み、中間層の厚み、磁気ギャップ長は（２）式、（３
）式、（４）式のように異なるが、最小記録間隔に応し
て係数ｎの値を選択すればよい。
に対してパターンピークシフトを改善する強磁性薄膜の
厚み、中間層の厚み、磁気ギャップ長は（２）式、（３
）式、（４）式のように異なるが、最小記録間隔に応し
て係数ｎの値を選択すればよい。
また、中間層（ｔｐ）をなくすと疑似出力は、強磁性酸
化物と強磁性薄膜の界面に生しる。拡散防止の手段をう
ってないため、その疑似出力は大きくなる。この場合は
、上述した（１）式においてｔｐ＝０とした場合で表さ
れ中間層を用いた場合と同様の効果を得ることができる
。
化物と強磁性薄膜の界面に生しる。拡散防止の手段をう
ってないため、その疑似出力は大きくなる。この場合は
、上述した（１）式においてｔｐ＝０とした場合で表さ
れ中間層を用いた場合と同様の効果を得ることができる
。
発明の効果
本発明は、上記実施例で示したように、強磁性酸化物よ
りなる磁気コアのギャップ対向面の少なくとも一方に、
厚みｔｐの中間層を有し、該中間層に隣接して厚みｔの
強磁性薄膜を設け、厚さｇｌの磁気ギャップを介して接
合した複合型磁気ヘッドを用い、前記磁気ギャップ長の
半分（ｇｌ／２）と前記強磁性薄膜の厚み（１）と前記
中間層の厚みの半分（ｔｐ／２）との和が、磁気記録媒
体の信号記録領域の最内周に記録される最小記録間隔を
ｂ ＭＩＮ、最大記録間隔をｂ ＭＡＸとしｂ ＭＩＮ
＋ｎｘ（ｂ ＭＩＮ＋ ｂ ＭＡＸ）≦（ｇｌ／２＋ｔ
＋ｔｐ／２）≦ｂ ＭＡＸ＋ｎｘ（ｂ ＭＩＮ＋ ｂ
ＭＡＸ）（ｎ＝ｏ、 １．２．３・・・・・・）となる
ように磁気ディスク装置を構成し、使用する最小記録間
隔および記録変調方式により適正な係数ｎを選択するこ
とで、線記録密度を大きくしても、パターンピークシフ
トを改善することができ、かつ十分な記録能力を持ち高
密度記録を達成することができ、かつ消費電力も小さい
小型・大容量の磁気ディスク装置を提供することができ
る。
りなる磁気コアのギャップ対向面の少なくとも一方に、
厚みｔｐの中間層を有し、該中間層に隣接して厚みｔの
強磁性薄膜を設け、厚さｇｌの磁気ギャップを介して接
合した複合型磁気ヘッドを用い、前記磁気ギャップ長の
半分（ｇｌ／２）と前記強磁性薄膜の厚み（１）と前記
中間層の厚みの半分（ｔｐ／２）との和が、磁気記録媒
体の信号記録領域の最内周に記録される最小記録間隔を
ｂ ＭＩＮ、最大記録間隔をｂ ＭＡＸとしｂ ＭＩＮ
＋ｎｘ（ｂ ＭＩＮ＋ ｂ ＭＡＸ）≦（ｇｌ／２＋ｔ
＋ｔｐ／２）≦ｂ ＭＡＸ＋ｎｘ（ｂ ＭＩＮ＋ ｂ
ＭＡＸ）（ｎ＝ｏ、 １．２．３・・・・・・）となる
ように磁気ディスク装置を構成し、使用する最小記録間
隔および記録変調方式により適正な係数ｎを選択するこ
とで、線記録密度を大きくしても、パターンピークシフ
トを改善することができ、かつ十分な記録能力を持ち高
密度記録を達成することができ、かつ消費電力も小さい
小型・大容量の磁気ディスク装置を提供することができ
る。
第１図は本発明の一実施例の磁気ディスク装置に用いら
れる複合型磁気ヘッドの一例を示す断面図、第２図は同
じ＜ＭＦＭ方式の場合のパターンピークシフトのシミニ
レ−ジョンの結果を示す特性図、第３図は同じ＜ＭＦＭ
方式の場合の最小記録間隔に対してパターンピークシフ
トの改善する領域を示した特性図、第４図は同じ＜ （
２，７）ＲＬＬ方式の場合のパターンピークシフトのシ
ミュレーション結果を示す特性図、第５図は同じ＜ （
２，７）ＲＬＬ方式の場合の最小記録間隔に対シてパタ
ーンピークシフトの改善する領域を示した特性図、第６
図は同じ＜ （１，７）ＲＬＬ方式のパターンピークシ
フトのシミュレーション結果を示す特性図、第７図は同
しく （１，７）ＲＬＬ方式の場合の最小記録間隔に対
してパターンピークシフトの改善する領域を示した特性
図、第８図は第１図に示した複合型磁気ヘッドの孤立再
生波形を示す特性図、第９図は強磁性薄膜の厚みと記録
特性を表す起磁力Ｎｌ９０との関係を示す特性図である
。 １．１′・・・・・・強磁性酸化物の磁気コア、２・・
・・・・中間層、３・・・・・・強磁性薄膜、４・・・
・・・磁気ギヤツブ、５・・・・・・巻線。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第１図 脈 ビ躯−ｒ）℃−へｔハヘエＱ夕！＆ 第 図 第 図 ｂＭ＋ｓ （ｐｍｌ ｂａｔＮ（胛〕 載 取部−２）ソーへ、シμ９−ξＳ ＋：曙−，）Ｔソーへ・）ヘス９考破ジ ミ、第 図 す間１Ｎ （ｐｍｌ 第 図 第 図 りを五ム本生Ｘ練の環２ヲー（い〕
れる複合型磁気ヘッドの一例を示す断面図、第２図は同
じ＜ＭＦＭ方式の場合のパターンピークシフトのシミニ
レ−ジョンの結果を示す特性図、第３図は同じ＜ＭＦＭ
方式の場合の最小記録間隔に対してパターンピークシフ
トの改善する領域を示した特性図、第４図は同じ＜ （
２，７）ＲＬＬ方式の場合のパターンピークシフトのシ
ミュレーション結果を示す特性図、第５図は同じ＜ （
２，７）ＲＬＬ方式の場合の最小記録間隔に対シてパタ
ーンピークシフトの改善する領域を示した特性図、第６
図は同じ＜ （１，７）ＲＬＬ方式のパターンピークシ
フトのシミュレーション結果を示す特性図、第７図は同
しく （１，７）ＲＬＬ方式の場合の最小記録間隔に対
してパターンピークシフトの改善する領域を示した特性
図、第８図は第１図に示した複合型磁気ヘッドの孤立再
生波形を示す特性図、第９図は強磁性薄膜の厚みと記録
特性を表す起磁力Ｎｌ９０との関係を示す特性図である
。 １．１′・・・・・・強磁性酸化物の磁気コア、２・・
・・・・中間層、３・・・・・・強磁性薄膜、４・・・
・・・磁気ギヤツブ、５・・・・・・巻線。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第１図 脈 ビ躯−ｒ）℃−へｔハヘエＱ夕！＆ 第 図 第 図 ｂＭ＋ｓ （ｐｍｌ ｂａｔＮ（胛〕 載 取部−２）ソーへ、シμ９−ξＳ ＋：曙−，）Ｔソーへ・）ヘス９考破ジ ミ、第 図 す間１Ｎ （ｐｍｌ 第 図 第 図 りを五ム本生Ｘ練の環２ヲー（い〕
Claims (5)
- （１）強磁性酸化物よりなる磁気コアのギャップ対向面
の少なくとも一方に、厚みｔｐの中間層を設け、この中
間層に隣接して強磁性薄膜を設け、厚さｇｌの磁気ギャ
ップを介して他方の磁気コアに接合した複合型磁気ヘッ
ドを用い、前記磁気ギャップ長の半分（ｇｌ／２）と前
記強磁性薄膜の厚み（ｔ）と前記中間層の厚みの半分（
ｔｐ／２）との和が、磁気記録媒体の信号記録領域の最
内周に記録される最小記録間隔をｂＭＩＮ、最大記録間
隔をｂＭＡＸとし ｂＭＩＮ＋ｎｘ（ｂＭＩＮ＋ｂＭＡＸ）≦（ｇｌ／２＋
ｔ＋ｔｐ／２）≦ｂＭＡＸ＋ｎｘ（ｂＭＩＮ＋ｂＭＡＸ
） （ｎ＝０，１，２，３・・・・・・） となるように構成した磁気ディスク装置。 - （２）中間層は強磁性薄膜から強磁性酸化物への拡散を
防止する材料を用いた請求項１記載の磁気ディスク装置
。 - （３）中間層は強磁性薄膜の特性を改善する材料を用い
た請求項１記載の磁気ディスク装置。 - （４）強磁性酸化物よりなる磁気コアのギャップ対向面
の少なくとも一方に強磁性薄膜を設け、厚さｇｌの磁気
ギャップを介して他方の磁気コアに接合した複合型磁気
ヘッドを用い、前記磁気ギャップ長の半分（ｇｌ／２）
と前記強磁性薄膜の厚み（ｔ）との和が、磁気記録媒体
の信号記録領域の最内周に記録される最小記録間隔をｂ
ＭＩＮ、最大記録間隔をｂＭＡＸとし ｂＭＩＮ＋ｎｘ（ｂＭＩＮ＋ｂＭＡＸ）≦（ｇｌ／２＋
ｔ）≦ｂＭＡＸ＋ｎｘ（ｂＭＩＮ＋ｂＭＡＸ） （ｎ＝０，１，２，３・・・・・・） となるように構成した磁気ディスク装置。 - （５）強磁性薄膜の厚みをが１μｍが以上である請求項
１，２，３あるいは４記載の磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155987A JPH0448410A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155987A JPH0448410A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 磁気ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448410A true JPH0448410A (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=15617876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2155987A Pending JPH0448410A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0448410A (ja) |
-
1990
- 1990-06-14 JP JP2155987A patent/JPH0448410A/ja active Pending
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