JPH0448415A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH0448415A JPH0448415A JP15445190A JP15445190A JPH0448415A JP H0448415 A JPH0448415 A JP H0448415A JP 15445190 A JP15445190 A JP 15445190A JP 15445190 A JP15445190 A JP 15445190A JP H0448415 A JPH0448415 A JP H0448415A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film layer
- thickness
- magnetic
- trailing side
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 4
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- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、いわゆるメタルインギャップ型の磁気ヘッド
、すなわち、磁気ギャップ内に磁性金属の薄膜層を設け
た形式の磁気ヘッドに関するものである。
、すなわち、磁気ギャップ内に磁性金属の薄膜層を設け
た形式の磁気ヘッドに関するものである。
「従来の技術およびその課題」
固定ディスク用の磁気ヘッドとして、！６図に示すメタ
ルインギャップ型といわれる形式のものが知られている
。これは、フェライトからなる一対の磁気コアｌｉ、ｌ
ｂのうち、トレーリング側の磁気コア１１の表面に、ク
ロム等の下地層２を介してたとえばＦ ｓ−Ａ Ｉ−３
ｉ系合金（センダスト）、パーマロイ、アモルファス金
属等の磁性金属からなる薄膜層３を設けるとともに、そ
の磁性金属の薄膜層３とリーディング側の磁気コアｌｂ
の間に、Ｓｉｎ、等からなるギャップ層４により磁気ギ
ャップを形成した構成のものである。上記の下地層２は
、薄膜層３の磁気コア１１への拡散を防止するとともに
、２次ギャップ対策として設けられるが、これは省略さ
れることもある。
ルインギャップ型といわれる形式のものが知られている
。これは、フェライトからなる一対の磁気コアｌｉ、ｌ
ｂのうち、トレーリング側の磁気コア１１の表面に、ク
ロム等の下地層２を介してたとえばＦ ｓ−Ａ Ｉ−３
ｉ系合金（センダスト）、パーマロイ、アモルファス金
属等の磁性金属からなる薄膜層３を設けるとともに、そ
の磁性金属の薄膜層３とリーディング側の磁気コアｌｂ
の間に、Ｓｉｎ、等からなるギャップ層４により磁気ギ
ャップを形成した構成のものである。上記の下地層２は
、薄膜層３の磁気コア１１への拡散を防止するとともに
、２次ギャップ対策として設けられるが、これは省略さ
れることもある。
ところで、上記のようなメタルインギャップ型の磁気ヘ
ッドでは、薄膜層３の厚みを大きくすると原理的には記
録特性が向上するはずであるが、実際には、薄膜層３を
単に厚くすることでは記録特性がそれほど向上するもの
ではないことが確認されている。その理由は定かではな
いが、薄膜層３の厚みが大きくなるにつれて渦電流損が
増大するため、まＩ；、ガラスポンディングの際の熱変
形に起因して膜応力が増大するためではないか、と考え
られている。
ッドでは、薄膜層３の厚みを大きくすると原理的には記
録特性が向上するはずであるが、実際には、薄膜層３を
単に厚くすることでは記録特性がそれほど向上するもの
ではないことが確認されている。その理由は定かではな
いが、薄膜層３の厚みが大きくなるにつれて渦電流損が
増大するため、まＩ；、ガラスポンディングの際の熱変
形に起因して膜応力が増大するためではないか、と考え
られている。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、記録特性
をより向上させ得るメタルインギャップ型の磁気ヘッド
を提供することを目的とするものである。
をより向上させ得るメタルインギャップ型の磁気ヘッド
を提供することを目的とするものである。
「課題を解決するための手段」
本発明は、対の磁気コア間に形成したギャップ内に磁性
金属からなる薄膜層を設けてなるメタルインギャップ型
の磁気ヘッドにおいて、前記薄膜層を双方の磁気コアの
表面にそれぞれ形成してそれら薄膜層間にギャップを形
成するとともに、トレーリング側の薄膜層の厚みをリー
ディング側の薄膜層の厚みに比して大きくしてなること
を特徴とするものである。
金属からなる薄膜層を設けてなるメタルインギャップ型
の磁気ヘッドにおいて、前記薄膜層を双方の磁気コアの
表面にそれぞれ形成してそれら薄膜層間にギャップを形
成するとともに、トレーリング側の薄膜層の厚みをリー
ディング側の薄膜層の厚みに比して大きくしてなること
を特徴とするものである。
「実施例」
以下、本発明に係る磁気ヘッドの一実施例を第１図を参
照して説明する。
照して説明する。
本実施例の磁気ヘッドはメタルインギャップ型のもので
あって、磁気ギャップ内に２層の薄膜層３ｓ、３ｂがギ
ャップ層４を挟んで設けられた構成となっている。すな
わち、トレーリング側の磁気コア１１およびリーディン
グ側の磁気コア１ｂの双方の表面に、従来の磁気ヘッド
における薄膜層３と同様のたとえばＦ ｅ−Ａ Ｉｓ
ｉ系合金（センダスト）、パーマロイ、アモルファス金
属等の磁性金属からなる薄膜層３！、３ｂが、それぞれ
下地層２゜２としてのクロム層を介して形成され、それ
ら薄膜層３ｉ、３ｂ間にギャップ層４によるギャップが
形成された構成とされている。そして、本実施例の磁気
ヘッドにおいては、トレーリング側の薄膜層３ａの厚み
が、リーディング側の薄膜層３ｂの厚みに比して大きく
なるようされている。
あって、磁気ギャップ内に２層の薄膜層３ｓ、３ｂがギ
ャップ層４を挟んで設けられた構成となっている。すな
わち、トレーリング側の磁気コア１１およびリーディン
グ側の磁気コア１ｂの双方の表面に、従来の磁気ヘッド
における薄膜層３と同様のたとえばＦ ｅ−Ａ Ｉｓ
ｉ系合金（センダスト）、パーマロイ、アモルファス金
属等の磁性金属からなる薄膜層３！、３ｂが、それぞれ
下地層２゜２としてのクロム層を介して形成され、それ
ら薄膜層３ｉ、３ｂ間にギャップ層４によるギャップが
形成された構成とされている。そして、本実施例の磁気
ヘッドにおいては、トレーリング側の薄膜層３ａの厚み
が、リーディング側の薄膜層３ｂの厚みに比して大きく
なるようされている。
なお、リーディング側の磁気コア１！と薄膜層３ａとの
間、トレーリング側の磁気コアｌｂと薄膜層３ｂとの間
に設けた下地層２．２は省略することも可能である。
間、トレーリング側の磁気コアｌｂと薄膜層３ｂとの間
に設けた下地層２．２は省略することも可能である。
上記のように、トレーリング側の磁気コア１１の表面に
薄膜層３１を形成するのみならず、リーディング側の磁
気コア１ｂの表面にも薄膜層３ｂを形成することにより
、この磁気ヘッドでは、各薄膜層３ａ、３ｂの厚みをそ
れほど大きくせずともそれら薄膜層３ｚ、３ｂ全体での
厚みを大きく確保することができ、それによって、単一
の薄膜層の厚みを単に大きくする場合においては顕著に
生じる渦電流損の増大や膜応力の増大が抑制され、その
結果、第６図に示した従来のものに比して記録特性を向
上させることができる。
薄膜層３１を形成するのみならず、リーディング側の磁
気コア１ｂの表面にも薄膜層３ｂを形成することにより
、この磁気ヘッドでは、各薄膜層３ａ、３ｂの厚みをそ
れほど大きくせずともそれら薄膜層３ｚ、３ｂ全体での
厚みを大きく確保することができ、それによって、単一
の薄膜層の厚みを単に大きくする場合においては顕著に
生じる渦電流損の増大や膜応力の増大が抑制され、その
結果、第６図に示した従来のものに比して記録特性を向
上させることができる。
それに加えて、この磁気ヘッドでは、トレーリング側の
薄膜層３直の厚みをリーディング側の薄膜層３ｂの厚み
に比して大きくしたことによって、以下の実験例に示す
ように、それら薄膜層３１，３ｂの厚みの合計値が一定
であっても上記とは逆の場合、つまり、リーディング側
の薄膜層３１の厚みをトレーリング側の薄膜層３ｂの厚
みに比して大きくする場合に比して、より一層の記録特
性の向上を実現できるものである。
薄膜層３直の厚みをリーディング側の薄膜層３ｂの厚み
に比して大きくしたことによって、以下の実験例に示す
ように、それら薄膜層３１，３ｂの厚みの合計値が一定
であっても上記とは逆の場合、つまり、リーディング側
の薄膜層３１の厚みをトレーリング側の薄膜層３ｂの厚
みに比して大きくする場合に比して、より一層の記録特
性の向上を実現できるものである。
（実験例）
トレーリング側の薄膜層３Ｊの厚みＴＲを３．０μｍと
し、リーディング側の薄膜層３ｂの厚みＬＥを１．５μ
ｍとした本発明品の記録特性（起磁力に対する記録磁界
の大きさ）を、スペーシングを４段階（０，１５μｍ、
０．２μ騙、０，２５μ膳、０．３μｍ）にとり計算機
／ユミレーＶヨンを行った。薄膜層３ｍ、３ｂはＦｔ−
ＡＩ−５ｉ系合金により形成し、それらの飽和磁束密度
Ｂｓを９，８００、透磁率μをｌ 、ＯＯＯとした。ま
た、ギャップ長ＧＬを０゜４μ履、ギャップデプスＧＤ
を６．０μｌとしｔ二。
し、リーディング側の薄膜層３ｂの厚みＬＥを１．５μ
ｍとした本発明品の記録特性（起磁力に対する記録磁界
の大きさ）を、スペーシングを４段階（０，１５μｍ、
０．２μ騙、０，２５μ膳、０．３μｍ）にとり計算機
／ユミレーＶヨンを行った。薄膜層３ｍ、３ｂはＦｔ−
ＡＩ−５ｉ系合金により形成し、それらの飽和磁束密度
Ｂｓを９，８００、透磁率μをｌ 、ＯＯＯとした。ま
た、ギャップ長ＧＬを０゜４μ履、ギャップデプスＧＤ
を６．０μｌとしｔ二。
その結果を第２図に示し、第３図に磁界急峻度θＨｘ／
ａｘの最大値とそのときの磁界強度Ｈｚを示す。
ａｘの最大値とそのときの磁界強度Ｈｚを示す。
また、本発明品とは逆に、トレーリング側の薄膜層３１
の厚みＴＲを１５μｍ、リーディング側の薄膜層３ｂの
厚みＬＥを３．０μｍとし、その他は本発明品と同様と
した比較対象品の記録磁界の飽和特性を第４図に示し、
第５図に磁界急峻度の特性を示す。
の厚みＴＲを１５μｍ、リーディング側の薄膜層３ｂの
厚みＬＥを３．０μｍとし、その他は本発明品と同様と
した比較対象品の記録磁界の飽和特性を第４図に示し、
第５図に磁界急峻度の特性を示す。
＠２図〜第５図から明らかなように、トレーリング側の
薄膜層３！の厚みをリーディング側の薄膜層３ｂの厚み
より大きくした本発明品の磁気ヘッドでは、比較対象品
に比して記録特性がより層内上していることが確認され
た。
薄膜層３！の厚みをリーディング側の薄膜層３ｂの厚み
より大きくした本発明品の磁気ヘッドでは、比較対象品
に比して記録特性がより層内上していることが確認され
た。
「発明の効果」
以上で詳細に説明したように、本発明の磁気ヘッドは、
トレーリング側およびリーディング側の磁気コアの双方
の表面に磁性金属からなる薄膜層を形成するとともに、
トレーリング側の薄膜層の厚みをリーディング側の薄膜
層の厚みに比して大きくしてなるものであるから、磁気
コアの片側にのみ薄膜層を形成する場合に比して、また
、リーディング側の薄膜層の厚みをトレーリング側の薄
膜層の厚みメこ比して大きくする場合に比して、そｎぞ
れ記録特性を向上させることができる、という優れた効
果を奏する。
トレーリング側およびリーディング側の磁気コアの双方
の表面に磁性金属からなる薄膜層を形成するとともに、
トレーリング側の薄膜層の厚みをリーディング側の薄膜
層の厚みに比して大きくしてなるものであるから、磁気
コアの片側にのみ薄膜層を形成する場合に比して、また
、リーディング側の薄膜層の厚みをトレーリング側の薄
膜層の厚みメこ比して大きくする場合に比して、そｎぞ
れ記録特性を向上させることができる、という優れた効
果を奏する。
第１図は本発明の一実施例に係る磁気ヘッドの磁気ギャ
ップ部の拡大断面図、第２図はこの磁気ヘッドの記録磁
界の飽和特性を示す図、＠３図はこの磁気ヘッドの記録
磁界急峻度を示す図、第４図は比較対象品の記録磁界の
飽和特性を示す図、第５図はその比較対象品の記録磁界
急峻度を示す図、第６図は従来の磁気ヘッドの磁気ギャ
ップ部の拡大断面図である。 １１・・・・・・トレーリング側の磁気コア、１ｂ・・
・・・・リーディング側の磁気コア、２・・・・・・下
地層、 ３１・・・・・・トレーリング側の薄膜層、３ｂ・・・
・・・リーディング側の薄膜層、４・・・・・・ギャッ
プ層。 出願人 アルプス電気株式会社 代表者 片 岡 政 隆 第３図 第５図 第２図 （起 磁 力） 第４図 （起 磁 力） ［ＡＴ］ ［ＡＴ］
ップ部の拡大断面図、第２図はこの磁気ヘッドの記録磁
界の飽和特性を示す図、＠３図はこの磁気ヘッドの記録
磁界急峻度を示す図、第４図は比較対象品の記録磁界の
飽和特性を示す図、第５図はその比較対象品の記録磁界
急峻度を示す図、第６図は従来の磁気ヘッドの磁気ギャ
ップ部の拡大断面図である。 １１・・・・・・トレーリング側の磁気コア、１ｂ・・
・・・・リーディング側の磁気コア、２・・・・・・下
地層、 ３１・・・・・・トレーリング側の薄膜層、３ｂ・・・
・・・リーディング側の薄膜層、４・・・・・・ギャッ
プ層。 出願人 アルプス電気株式会社 代表者 片 岡 政 隆 第３図 第５図 第２図 （起 磁 力） 第４図 （起 磁 力） ［ＡＴ］ ［ＡＴ］
Claims (1)
- 対の磁気コア間に形成したギャップ内に磁性金属からな
る薄膜層を設けてなるメタルインギャップ型の磁気ヘッ
ドにおいて、前記薄膜層を双方の磁気コアの表面にそれ
ぞれ形成してそれら薄膜層間にギャップを形成するとと
もに、トレーリング側の薄膜層の厚みをリーディング側
の薄膜層の厚みに比して大きくしてなることを特徴とす
る磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15445190A JPH0448415A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15445190A JPH0448415A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448415A true JPH0448415A (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=15584510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15445190A Pending JPH0448415A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0448415A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55157121A (en) * | 1979-05-19 | 1980-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Magnetic head core |
| JPS60160008A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-21 | エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン | 磁気ヘツド |
-
1990
- 1990-06-13 JP JP15445190A patent/JPH0448415A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55157121A (en) * | 1979-05-19 | 1980-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Magnetic head core |
| JPS60160008A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-21 | エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン | 磁気ヘツド |
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