JPH0448449A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0448449A JPH0448449A JP15614990A JP15614990A JPH0448449A JP H0448449 A JPH0448449 A JP H0448449A JP 15614990 A JP15614990 A JP 15614990A JP 15614990 A JP15614990 A JP 15614990A JP H0448449 A JPH0448449 A JP H0448449A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
- C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
- C03C3/087—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
光磁気記録媒体の製造方法に関し、
データの転送速度を向上させるために、光磁気ディスク
を高速回転させても、小さいレーザパワーで記録できる
ような記録感度の向上した光磁気記録媒体の製造方法を
目的とし、 磁場を印加させる磁石を備えたターゲットと、基板とを
真空容器内で対向配置し、該容器内にスパッタガスを導
入し、マグネトロンスパッタ方法で前記基板上に希土類
−遷移金属アモルファス合金を記録膜とする光磁気記録
媒体を製造する方法に於いて、 前記ターゲットに磁場を印加させる磁石を、複数の電磁
石で構成し、該複数の電磁石に印加する電流をオンオフ
、或いは所定の値に制御することで磁場の強さを制御し
、前記記録膜の柱状化度を制御するようにして構成する
。
を高速回転させても、小さいレーザパワーで記録できる
ような記録感度の向上した光磁気記録媒体の製造方法を
目的とし、 磁場を印加させる磁石を備えたターゲットと、基板とを
真空容器内で対向配置し、該容器内にスパッタガスを導
入し、マグネトロンスパッタ方法で前記基板上に希土類
−遷移金属アモルファス合金を記録膜とする光磁気記録
媒体を製造する方法に於いて、 前記ターゲットに磁場を印加させる磁石を、複数の電磁
石で構成し、該複数の電磁石に印加する電流をオンオフ
、或いは所定の値に制御することで磁場の強さを制御し
、前記記録膜の柱状化度を制御するようにして構成する
。
〔産業上の利用分野］
本発明は光磁気記録媒体の製造方法に関する。
光磁気ディスク装置に於いては、メモリとしての応用分
野を拡大するために、データの転送速度を向上させるこ
とが望まれる。
野を拡大するために、データの転送速度を向上させるこ
とが望まれる。
このため、光磁気ディスクを高速回転させても小さいレ
ーザパワーで記録することができるように、光磁気ディ
スク媒体自体の記録感度を向上させることが望まれる。
ーザパワーで記録することができるように、光磁気ディ
スク媒体自体の記録感度を向上させることが望まれる。
またこの光磁気記録媒体を容易に製造する方法も望まれ
ている。
ている。
従来より光磁気ディスクの磁性膜としては一般に、希土
類−遷移金属アモルファス合金薄膜が使用されている。
類−遷移金属アモルファス合金薄膜が使用されている。
この希土類元素としてはテルビウム（Ｔｂ）、ジスプロ
シウム（Ｄｙ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ホルミウム（
ｎｏ）等が用いられ、遷移金属元素には鉄（Ｆｅ）、コ
バルト（Ｃｏ）等が用いられ、テルビウム・鉄・コバル
ト（ＴｂＦｅＣｏ）や、ジスプロシウム・鉄・コバルト
（ＤｙＦｅＣｏ）等のアモルファス合金薄膜を形成して
いる。
シウム（Ｄｙ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ホルミウム（
ｎｏ）等が用いられ、遷移金属元素には鉄（Ｆｅ）、コ
バルト（Ｃｏ）等が用いられ、テルビウム・鉄・コバル
ト（ＴｂＦｅＣｏ）や、ジスプロシウム・鉄・コバルト
（ＤｙＦｅＣｏ）等のアモルファス合金薄膜を形成して
いる。
ところで上記希土類−遷移金属アモルファス合金の光磁
気記録媒体を有する光磁気ディスクを、３６００ｒｐｍ
の高速回転で回転させて光磁気記録させるためには、１
５■賀の極めて大きい書き込みレーザパワーを必要とす
る。
気記録媒体を有する光磁気ディスクを、３６００ｒｐｍ
の高速回転で回転させて光磁気記録させるためには、１
５■賀の極めて大きい書き込みレーザパワーを必要とす
る。
然し、このような大出力のレーザパワーを半導体レーザ
装置で得ようとするのは困難である。また大出力のレー
ザパワーが得られるヘリウム−ネオン（Ｈｅ−Ｎｅ）
レーザ光源を用いると、装置が大型化するとともに消
費電力が大となり、形成される磁気記録媒体も高価なも
のとなる。
装置で得ようとするのは困難である。また大出力のレー
ザパワーが得られるヘリウム−ネオン（Ｈｅ−Ｎｅ）
レーザ光源を用いると、装置が大型化するとともに消
費電力が大となり、形成される磁気記録媒体も高価なも
のとなる。
従来、高い信号品質と高感度を兼ね備えた光磁気ディス
クの記録媒体として、基板／保護膜／非柱状化記録膜／
柱状化記録膜／保護膜の四層構造の記録媒体を本出願人
は以前に提案している。
クの記録媒体として、基板／保護膜／非柱状化記録膜／
柱状化記録膜／保護膜の四層構造の記録媒体を本出願人
は以前に提案している。
この柱状化記録膜の構造を模式的に第８図に示す。図示
するように典型的な柱状構造の記録膜１は、記録面２に
対して垂直方向に軸を有する微細な柱状体（コラム）３
が集合して構成されている。
するように典型的な柱状構造の記録膜１は、記録面２に
対して垂直方向に軸を有する微細な柱状体（コラム）３
が集合して構成されている。
そして各柱状体３の間には該柱状体３同士が接触してい
ない間隙４が形成されている。このような柱状化記録膜
は走査型電子顕微鏡により観察される。
ない間隙４が形成されている。このような柱状化記録膜
は走査型電子顕微鏡により観察される。
このような柱状化記録膜を設けることで、この柱状化記
録膜の間隙４が熱伝導が悪いために、熱を横方向に伝達
し難く、記録時のレーザ光を効率良く熱エネルギーに変
換することができ、記録膜の温度を効率良く上昇させる
ことによって記録感度を上昇させることができる。
録膜の間隙４が熱伝導が悪いために、熱を横方向に伝達
し難く、記録時のレーザ光を効率良く熱エネルギーに変
換することができ、記録膜の温度を効率良く上昇させる
ことによって記録感度を上昇させることができる。
また上記柱状化記録膜上に非柱状化記録膜を積層するこ
とで、柱状化記録膜と非柱状化記録膜との境界面でレー
ザ光の多重反射を起こさせ、書き込み効率を向上させ、
書き込んだ記録の信号品質を高めることができる。
とで、柱状化記録膜と非柱状化記録膜との境界面でレー
ザ光の多重反射を起こさせ、書き込み効率を向上させ、
書き込んだ記録の信号品質を高めることができる。
ところで、上記四層構造の記録膜を形成するには、例え
ば基板／保護膜／柱状化記録膜／保護膜、或いは基板／
保護膜／非柱状化記録膜／保護膜の三層構造記録膜を形
成する場合に比較してスパッタ用のターゲットが、更に
余分に１つ必要となり、また記録膜の製造工程が１つ増
加することによってその分だけ、余分に時間が掛り、形
成される光磁気記録媒体のコストが大になる問題がある
。
ば基板／保護膜／柱状化記録膜／保護膜、或いは基板／
保護膜／非柱状化記録膜／保護膜の三層構造記録膜を形
成する場合に比較してスパッタ用のターゲットが、更に
余分に１つ必要となり、また記録膜の製造工程が１つ増
加することによってその分だけ、余分に時間が掛り、形
成される光磁気記録媒体のコストが大になる問題がある
。
また通常、一般に用いられているマグネトロンスパッタ
装置の構造は第６図に示すように、容器１１内に基板１
２とターゲット１３とを対向配置させ、このターゲット
は、該ターゲットの下部に設けられた永久磁石１４Ａ、
１４Ｂによってに磁界を付与されている。そして第７図
に示すようにこの永久磁石の構造は中心部の永久磁石１
４Ａとその周囲に同心円状に配置された永久磁石１４Ｂ
とで構成される。
装置の構造は第６図に示すように、容器１１内に基板１
２とターゲット１３とを対向配置させ、このターゲット
は、該ターゲットの下部に設けられた永久磁石１４Ａ、
１４Ｂによってに磁界を付与されている。そして第７図
に示すようにこの永久磁石の構造は中心部の永久磁石１
４Ａとその周囲に同心円状に配置された永久磁石１４Ｂ
とで構成される。
そしてこれらのターゲットは保護膜形成用ターゲット、
柱状化記録膜形成用ターゲット、非柱状化記録膜形成用
ターゲットと３種類、円周状に配置され、このターゲッ
トと基板の間に開口部を有するシャッターが配置され、
基板が該複数のターゲットを配置した円周上を回転し、
基板が回転して所定のターゲット上に移動すると、シャ
ーターが開いて基板とターゲット間に高電圧が印加され
てターゲットの成分を基板上に被着するようにしている
。
柱状化記録膜形成用ターゲット、非柱状化記録膜形成用
ターゲットと３種類、円周状に配置され、このターゲッ
トと基板の間に開口部を有するシャッターが配置され、
基板が該複数のターゲットを配置した円周上を回転し、
基板が回転して所定のターゲット上に移動すると、シャ
ーターが開いて基板とターゲット間に高電圧が印加され
てターゲットの成分を基板上に被着するようにしている
。
ところで従来の永久磁石を用いたターゲットでは、エロ
ージョン領域（ターゲットがスパッタ中に最も多く使用
されて削られる領域）が限定されるため、ターゲットの
全領域を有効に使用できない問題がある。
ージョン領域（ターゲットがスパッタ中に最も多く使用
されて削られる領域）が限定されるため、ターゲットの
全領域を有効に使用できない問題がある。
本発明は上記した問題点を解決し、記録膜の積層数が増
加してもターゲットの増加を必要とせず、かつエロージ
ョン領域が限定されない光磁気記録媒体の製造方法の提
供を目的とする。
加してもターゲットの増加を必要とせず、かつエロージ
ョン領域が限定されない光磁気記録媒体の製造方法の提
供を目的とする。
上記目的を達成する本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、磁界を発生させる磁石を備えたターゲットと、基板
とを真空容器内で対向配置し、該容器内にスパッタガス
を導入し、マグネトロンスパッタ方法で前記基板上に希
土類−遷移金属アモルファス合金を記録膜とする光磁気
記録媒体を製造する方法に於いて、 前記ターゲットに磁界を発生させる磁石を、複数の電磁
石で構成し、該複数の！磁石に印加する電流をオンオフ
、或いは所定の値に制御することで磁場の強さを制御し
、前記記録膜の柱状化度を制御するようにする。更に前
記磁界発生用の複数のＮｖＬ石を、ターゲットに対して
同心円状に配置し、前記電磁石に電流を印加することで
前記ターゲットに対向する同心円に沿って部分的に磁場
が発生するようにする。
は、磁界を発生させる磁石を備えたターゲットと、基板
とを真空容器内で対向配置し、該容器内にスパッタガス
を導入し、マグネトロンスパッタ方法で前記基板上に希
土類−遷移金属アモルファス合金を記録膜とする光磁気
記録媒体を製造する方法に於いて、 前記ターゲットに磁界を発生させる磁石を、複数の電磁
石で構成し、該複数の！磁石に印加する電流をオンオフ
、或いは所定の値に制御することで磁場の強さを制御し
、前記記録膜の柱状化度を制御するようにする。更に前
記磁界発生用の複数のＮｖＬ石を、ターゲットに対して
同心円状に配置し、前記電磁石に電流を印加することで
前記ターゲットに対向する同心円に沿って部分的に磁場
が発生するようにする。
一般にターゲットに印加する磁場の大きさが大きく成る
程、記録膜の柱状化度が小となる傾向があり、ターゲッ
トに印加する磁場の大きさが小さくなる程、柱状化度が
大となる傾向がある。
程、記録膜の柱状化度が小となる傾向があり、ターゲッ
トに印加する磁場の大きさが小さくなる程、柱状化度が
大となる傾向がある。
またスパッタガスのガス圧が大に成る程、柱状化度が大
となり、またスパッタガス圧が小に成る程、柱状化度が
小となる。
となり、またスパッタガス圧が小に成る程、柱状化度が
小となる。
そのため、従来の方法では非柱状化記録膜と柱状化記録
膜を形成する場合、同一成分のターゲットを２個設け、
一方のターゲットに印加する磁場の強さを大きくして非
柱状化記録膜を形成し、他方のターゲットに印加する磁
場の強さを小さくして柱状化記録膜を形成している。
膜を形成する場合、同一成分のターゲットを２個設け、
一方のターゲットに印加する磁場の強さを大きくして非
柱状化記録膜を形成し、他方のターゲットに印加する磁
場の強さを小さくして柱状化記録膜を形成している。
第５図はマグネトロン磁場と光磁気記録媒体の感度との
関係図で、図の横軸は成膜する際のマグネトロンの磁場
の強さを示し、縦軸はビットの書き込みを開始するレー
ザパワーの出力を示す。
関係図で、図の横軸は成膜する際のマグネトロンの磁場
の強さを示し、縦軸はビットの書き込みを開始するレー
ザパワーの出力を示す。
図の曲線２１に示すようにスパッタ成膜する際の磁場が
２０００ｅ以下となると書き込みレーザパワーの出力が
低下していることが判る。このことはスパッタ成膜する
際の磁場の強さが弱い程、記録膜の柱状化度が進行し、
小さいレーザパワーでビットの書き込みを開始できる。
２０００ｅ以下となると書き込みレーザパワーの出力が
低下していることが判る。このことはスパッタ成膜する
際の磁場の強さが弱い程、記録膜の柱状化度が進行し、
小さいレーザパワーでビットの書き込みを開始できる。
このことより、本発明では非柱状化記録膜、および柱状
化記録膜を形成するターゲットを複数の電磁石を備えた
共通のターゲットとし、前記ターゲットに印加する磁場
の強さを、複数の電磁石に印加する電流の強さを制御す
ることで、或いは複数の１１Ｎ石に印加する電流をオン
オフすることで、スパッタ成膜される記録膜の柱状化度
を制御することができる。
化記録膜を形成するターゲットを複数の電磁石を備えた
共通のターゲットとし、前記ターゲットに印加する磁場
の強さを、複数の電磁石に印加する電流の強さを制御す
ることで、或いは複数の１１Ｎ石に印加する電流をオン
オフすることで、スパッタ成膜される記録膜の柱状化度
を制御することができる。
また上記ターゲットに磁界を付与する複数の電磁石の電
流値を制御することで、或いは電流値をオンオフするこ
とで、エロージョン領域を所望の領域に制御できるよう
になる。
流値を制御することで、或いは電流値をオンオフするこ
とで、エロージョン領域を所望の領域に制御できるよう
になる。
このようにしてターゲットに印加する電流値を制御する
ことで、共通の１個のターゲットで非柱状化記録膜と柱
状化記録膜が形成でき、ターゲットの必要個数が少なく
成り、また非柱状化記録膜形成用ターゲットと柱状化記
録膜形成用ターゲットの２種類のターゲット上に基板を
移動させる必要が無（なるので、記録膜を形成する時間
も短縮できる。
ことで、共通の１個のターゲットで非柱状化記録膜と柱
状化記録膜が形成でき、ターゲットの必要個数が少なく
成り、また非柱状化記録膜形成用ターゲットと柱状化記
録膜形成用ターゲットの２種類のターゲット上に基板を
移動させる必要が無（なるので、記録膜を形成する時間
も短縮できる。
またターゲットの電磁石に印加する電流を制御すること
で、エロージ式ン領域を適当な範囲に制御できるので、
ターゲットの使用回数が増大するのでスパッタに要する
コストが低下する。
で、エロージ式ン領域を適当な範囲に制御できるので、
ターゲットの使用回数が増大するのでスパッタに要する
コストが低下する。
以下、図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の方法に用いる装置の模式図で、第２図
は本発明の方法に用いるターゲットの模式図で、該ター
ゲットを裏面側より見た平面図である。
は本発明の方法に用いるターゲットの模式図で、該ター
ゲットを裏面側より見た平面図である。
第１図、および第２図に示すように本発明の方法に用い
るターゲット３１は円板状で、この円板状のターゲット
の中心、および該ターゲットの同心円に沿って複数の電
磁石３２を配設する。そしてこのターゲット３１をスパ
ッタ容器３３内に保護膜形成用ターゲットと、記録膜形
成用ターゲットの二種類のターゲットを設置し、柱状化
記録膜と非柱状化記録膜は前記記録膜形成用ターゲット
の電磁石に印加する電流値を所定の値に制御することで
形成する。
るターゲット３１は円板状で、この円板状のターゲット
の中心、および該ターゲットの同心円に沿って複数の電
磁石３２を配設する。そしてこのターゲット３１をスパ
ッタ容器３３内に保護膜形成用ターゲットと、記録膜形
成用ターゲットの二種類のターゲットを設置し、柱状化
記録膜と非柱状化記録膜は前記記録膜形成用ターゲット
の電磁石に印加する電流値を所定の値に制御することで
形成する。
本発明の方法に於いては第１図に示すような電磁石を備
えたＲＦ型マグネトロンスパッタ装置を用いたが、この
装置はＤＣスパッタ装置に於いても適用できる。
えたＲＦ型マグネトロンスパッタ装置を用いたが、この
装置はＤＣスパッタ装置に於いても適用できる。
このような本発明の方法を用いて光磁気ディスクを形成
する場合について述べる。
する場合について述べる。
第３図、および第４図に示すように、スパッタ容器３３
内に基板４１と保護膜形成用ターゲット４２と記録膜形
成用ターゲット４３とを対向して設置し、該基板と両者
のターゲット間にシャッター４４を配置する。次いで排
気管４５に連なる排気ポンプ（図示せず）を用いて容器
内を高真空に排気した後、ガス供給管４６よりＡｒガス
を容器内の圧力が１．８Ｐａと成る迄供給すする。
内に基板４１と保護膜形成用ターゲット４２と記録膜形
成用ターゲット４３とを対向して設置し、該基板と両者
のターゲット間にシャッター４４を配置する。次いで排
気管４５に連なる排気ポンプ（図示せず）を用いて容器
内を高真空に排気した後、ガス供給管４６よりＡｒガス
を容器内の圧力が１．８Ｐａと成る迄供給すする。
次いで基板４１を回転させて保護膜形成用ターゲット４
２の直上に移動させ、シャッター４４を開いて基板とタ
ーゲット間に高周波電圧を印加し、ターゲットに電磁石
３２によって磁界を形成しながら基板上に厚さが９０ｎ
ｍのテルビウム−二酸化珪素（ＴｂＳｉＯ□）膜よりな
る保護膜４７を形成する。上記電磁石３２の内側と外側
の電磁石の磁場の大きさを調節することでエロージッン
領域が所望の範囲に拡大し、保護膜形成用ターゲットが
多数回のスパッタでも部分的に削られることが無くなり
、有効に長時間使用できる。
２の直上に移動させ、シャッター４４を開いて基板とタ
ーゲット間に高周波電圧を印加し、ターゲットに電磁石
３２によって磁界を形成しながら基板上に厚さが９０ｎ
ｍのテルビウム−二酸化珪素（ＴｂＳｉＯ□）膜よりな
る保護膜４７を形成する。上記電磁石３２の内側と外側
の電磁石の磁場の大きさを調節することでエロージッン
領域が所望の範囲に拡大し、保護膜形成用ターゲットが
多数回のスパッタでも部分的に削られることが無くなり
、有効に長時間使用できる。
更に基板４１を回転させて記録膜形成用ターゲット４３
の直上に移動させ、シャッター４４を開いて基板と記録
膜形成用ターゲット間に高周波電圧を印加し、記録膜形
成用ターゲットに！磁石３２によって磁界を１００００
ｅ以上の強磁界とし、更にスパッタガス圧を０．２Ｐ
ａと低下した状態で基板上に厚さがＩｏｎｓのテルビウ
ム−鉄−コパルｌ−（ＴｂＦｅＣｏ）の非柱状化記録膜
４８を形成する。
の直上に移動させ、シャッター４４を開いて基板と記録
膜形成用ターゲット間に高周波電圧を印加し、記録膜形
成用ターゲットに！磁石３２によって磁界を１００００
ｅ以上の強磁界とし、更にスパッタガス圧を０．２Ｐ
ａと低下した状態で基板上に厚さがＩｏｎｓのテルビウ
ム−鉄−コパルｌ−（ＴｂＦｅＣｏ）の非柱状化記録膜
４８を形成する。
更に基板４１はそのままの状態で移動させずに、記録膜
形成用ターゲット４３に磁場を印加する電磁石３２の磁
場を１０００ｅの弱い磁場とし、かつスパッタガス圧を
１．８Ｐａと増加させて基板上に厚さが８０ｎ−の柱状
化記録膜４９を形成する。
形成用ターゲット４３に磁場を印加する電磁石３２の磁
場を１０００ｅの弱い磁場とし、かつスパッタガス圧を
１．８Ｐａと増加させて基板上に厚さが８０ｎ−の柱状
化記録膜４９を形成する。
このようにすれば、基板を回転移動することなく、かつ
１個のターゲットで記録膜形成用ターゲットに磁場を印
加する電磁石に流す電流の強さを制御して、ターゲット
に印加する磁場の強さを制御することで、柱状化記録膜
と非柱状化記録膜の両方の記録膜が、容易に形成できる
。
１個のターゲットで記録膜形成用ターゲットに磁場を印
加する電磁石に流す電流の強さを制御して、ターゲット
に印加する磁場の強さを制御することで、柱状化記録膜
と非柱状化記録膜の両方の記録膜が、容易に形成できる
。
次いで基板４１を回転させて保護膜形成用ターゲット４
２の直上に移動させ、シャッター４４を開いて基板とタ
ーゲット間に高周波電圧を印加し、ターゲットに電磁石
３２によって磁界を形成しながら基板上に厚さが９Ｏｎ
−のテルビウム−二酸化珪素（ＴｂＳｉＯ□）膜よりな
る保護膜４７を形成する。
２の直上に移動させ、シャッター４４を開いて基板とタ
ーゲット間に高周波電圧を印加し、ターゲットに電磁石
３２によって磁界を形成しながら基板上に厚さが９Ｏｎ
−のテルビウム−二酸化珪素（ＴｂＳｉＯ□）膜よりな
る保護膜４７を形成する。
このように非柱状化記録膜／柱状化記録膜を成膜するの
に、同一のターゲットを用いて行い、Ａｒガス圧、１１
Ｍ１石の大きさを瞬時に変えることにより、連続して成
膜できるようになる。
に、同一のターゲットを用いて行い、Ａｒガス圧、１１
Ｍ１石の大きさを瞬時に変えることにより、連続して成
膜できるようになる。
またターゲットに磁場を付与する磁石を、従来、使用し
ていた永久磁石からＭＴａ石に置き代えることにより、
ターゲットの数を１つ減らすことができ、かつスパッタ
時間を通常の５０分（保護膜の成膜時間も含む）から４
０分に短縮することができる。
ていた永久磁石からＭＴａ石に置き代えることにより、
ターゲットの数を１つ減らすことができ、かつスパッタ
時間を通常の５０分（保護膜の成膜時間も含む）から４
０分に短縮することができる。
更に電磁石に流れる電流値を制御したり、または電磁石
の個数を切り換えることで、エロージョン領域を変える
ことができるため、通常の永久磁石のスパッタ装置では
１つのターゲットで１２００枚の光磁気ディスクしか作
成出来なかったが、本発明の電磁石を用いた装置により
２倍の２３００枚の光磁気ディスクの製造ができるよう
に成った。
の個数を切り換えることで、エロージョン領域を変える
ことができるため、通常の永久磁石のスパッタ装置では
１つのターゲットで１２００枚の光磁気ディスクしか作
成出来なかったが、本発明の電磁石を用いた装置により
２倍の２３００枚の光磁気ディスクの製造ができるよう
に成った。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、保護膜
、非柱状化記録膜、柱状化記録膜、非柱状化記録膜の四
層構造の光磁気記録媒体がターゲットの数量を増加する
ことなく、かつ製造工程を短縮した状態で容易に得られ
る。
、非柱状化記録膜、柱状化記録膜、非柱状化記録膜の四
層構造の光磁気記録媒体がターゲットの数量を増加する
ことなく、かつ製造工程を短縮した状態で容易に得られ
る。
またターゲットに印加する磁場を電磁石に印加する電流
の強さを変えることで制御できるので、エロージョン領
域が所望の範囲に制御でき、ターゲットの使用効率が増
加するのでターゲットの消費量が少なくて済み、スパッ
タに要するコストが低下する効果がある。
の強さを変えることで制御できるので、エロージョン領
域が所望の範囲に制御でき、ターゲットの使用効率が増
加するのでターゲットの消費量が少なくて済み、スパッ
タに要するコストが低下する効果がある。
第１図は本発明の方法を示す模式図、
第２図は本発明の方法に用いるターゲットの模式図、
第３図は本発明の方法で形成した光磁気ディスクの断面
図、 第４図は本発明の方法の一実施例を示す模式図、第５図
はマグネトロンの磁場と光磁気記録媒体の感度との関係
図、 第６図は従来の方法に用いる装置の模式図、第７図は従
来の方法に用いるターゲットの模式第８図は柱状化記録
膜の模式図である。 図において、 ３１はターゲット、３２は電磁石、３３はスパッタ容器
、４１は基板、４２は保護膜形成用ターゲット、４３は
記録膜形成用ターゲット、４４はシャッター、４５は排
気管、４６はガス供給管、４７は保護膜、４８は非＄４
ｅｙ４ ｐ ’Ｉｎｋ ７ ノｉＦＸ 咋１ 硫１ｆ”
ａ７ｑ Ｑ ａｒＡ第３− 不発所６方法ε末Ｔ項式Ｈ 第ｔｅ１ ７！ｔ４ｓ２；５’ｔ＋：ｒｆｌ＝ｓ １−’ｙ；Ｉ−
−ｊｌ（ｒＸＪ（４ｕｔノ 従来、眉盪ｌ−，ＦｆＩ、・３（ト隷人図第６１１ ６を輩＾方汁ｈ４・シフーゲ：／トｔ）更式乙り第 ７
図
図、 第４図は本発明の方法の一実施例を示す模式図、第５図
はマグネトロンの磁場と光磁気記録媒体の感度との関係
図、 第６図は従来の方法に用いる装置の模式図、第７図は従
来の方法に用いるターゲットの模式第８図は柱状化記録
膜の模式図である。 図において、 ３１はターゲット、３２は電磁石、３３はスパッタ容器
、４１は基板、４２は保護膜形成用ターゲット、４３は
記録膜形成用ターゲット、４４はシャッター、４５は排
気管、４６はガス供給管、４７は保護膜、４８は非＄４
ｅｙ４ ｐ ’Ｉｎｋ ７ ノｉＦＸ 咋１ 硫１ｆ”
ａ７ｑ Ｑ ａｒＡ第３− 不発所６方法ε末Ｔ項式Ｈ 第ｔｅ１ ７！ｔ４ｓ２；５’ｔ＋：ｒｆｌ＝ｓ １−’ｙ；Ｉ−
−ｊｌ（ｒＸＪ（４ｕｔノ 従来、眉盪ｌ−，ＦｆＩ、・３（ト隷人図第６１１ ６を輩＾方汁ｈ４・シフーゲ：／トｔ）更式乙り第 ７
図
Claims (2)
- （１） 磁場を印加する磁石を備えたターゲット（３１
，４２，４３）と、基板（４１）とを真空容器（３３）
内で対向配置し、該容器内にスパッタガスを導入し、マ
グネトロンスパッタ方法で前記基板上に希土類−遷移金
属アモルファス合金を記録膜とする光磁気記録媒体を製
造する方法に於いて、 前記ターゲット（３１，４２，４３）に磁場を印加する
磁石を、複数の電磁石（３２）で構成し、該複数の電磁
石に印加する電流をオンオフ、或いは所定の値に制御す
ることでターゲットに印加する磁場の強さを制御して前
記記録膜の柱状化度を制御するようにしたことを特徴と
する光磁気記録媒体の製造方法。 - （２） 前記磁場印加用の複数の電磁石（３２）を、タ
ーゲット（３１，４２，４３）の裏面側に同心円状に対
向配置し、前記電磁石（３２）に電流を印加することで
前記ターゲットに同心円状に磁場が発生するようにした
ことを特徴とする請求項（１）記載の光磁気記録媒体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15614990A JPH0448449A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15614990A JPH0448449A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448449A true JPH0448449A (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=15621412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15614990A Pending JPH0448449A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0448449A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003046905A1 (en) * | 2001-11-29 | 2003-06-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium and manufacturing method thereof |
-
1990
- 1990-06-13 JP JP15614990A patent/JPH0448449A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003046905A1 (en) * | 2001-11-29 | 2003-06-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium and manufacturing method thereof |
| US7180831B2 (en) | 2001-11-29 | 2007-02-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium having a recording layer of columnar structure |
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