JPH0449150Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0449150Y2 JPH0449150Y2 JP207587U JP207587U JPH0449150Y2 JP H0449150 Y2 JPH0449150 Y2 JP H0449150Y2 JP 207587 U JP207587 U JP 207587U JP 207587 U JP207587 U JP 207587U JP H0449150 Y2 JPH0449150 Y2 JP H0449150Y2
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- Japan
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- matsufuru
- fluorine
- cylinder
- heater
- quartz
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- Expired
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
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Landscapes
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本考案は、ふつ素ドープ用石英マツフルに関す
るものである。
るものである。
［従来の技術］
光フアイバはコア部とクラツド部からなり、光
の伝送上、クラツド部の屈折率はコア部に比べて
低い。
の伝送上、クラツド部の屈折率はコア部に比べて
低い。
従来、シングルモード光フアイバにおいて、長
波長帯で低損失化を達成するためには、クラツド
部はSiO2あるいはふつ素ドープト石英ガラスが
用いられる。ふつ素ドープト石英ガラスはSiO2
より屈折率が小さいため、コアのドーパント量が
少なくても、屈折率構造上同じ屈折率分布が得ら
れる。コアのドーパント量が少ないことは、レー
リ散乱損が小さく、低損失化が達成できるためふ
つ素ドープト石英ガラスは実用価値が高い。
波長帯で低損失化を達成するためには、クラツド
部はSiO2あるいはふつ素ドープト石英ガラスが
用いられる。ふつ素ドープト石英ガラスはSiO2
より屈折率が小さいため、コアのドーパント量が
少なくても、屈折率構造上同じ屈折率分布が得ら
れる。コアのドーパント量が少ないことは、レー
リ散乱損が小さく、低損失化が達成できるためふ
つ素ドープト石英ガラスは実用価値が高い。
VAD法では、ふつ素ドープト石英ガラスは、
スート焼結時、Heとふつ化物を含む雰囲気中で
の操作により得られる。そのスート焼結時に、他
の金属不純物が混入するのを防ぐためにマツフル
筒には石英ガラスが用いられている。
スート焼結時、Heとふつ化物を含む雰囲気中で
の操作により得られる。そのスート焼結時に、他
の金属不純物が混入するのを防ぐためにマツフル
筒には石英ガラスが用いられている。
［考案が解決しようとする問題点］
ところが、石英ガラスのマツフル筒は、ふつ化
物の熱分解によつて生じるふつ素により腐食さ
れ、数本の多孔質母材の処理操作で、マツフル筒
の、特にヒータの下部の位置の内壁に穴があき使
用不可能になるという点に問題があつた。
物の熱分解によつて生じるふつ素により腐食さ
れ、数本の多孔質母材の処理操作で、マツフル筒
の、特にヒータの下部の位置の内壁に穴があき使
用不可能になるという点に問題があつた。
本考案の目的は、上記問題点を解決し、使用寿
命の長い、マツフル筒を有するふつ素ドープ用石
英マツフルを提供することにある。
命の長い、マツフル筒を有するふつ素ドープ用石
英マツフルを提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
上記目的は、外側にヒータを有するマツフル筒
内に多孔質母材を保持し、該多孔質母材をふつ素
化物を含む雰囲気中で加熱して透明ガラス化する
ふつ素ドープ用石英マツフルにおいて、前記マツ
フル筒内で前記ヒータより下方の位置に、該マツ
フル筒の内壁と小間隙を保つて内筒が設けられ、
かつ、前記小間隙の部分にふつ素化物を含まない
ガスを送入するガス送入口が設けられていること
により達成される。
内に多孔質母材を保持し、該多孔質母材をふつ素
化物を含む雰囲気中で加熱して透明ガラス化する
ふつ素ドープ用石英マツフルにおいて、前記マツ
フル筒内で前記ヒータより下方の位置に、該マツ
フル筒の内壁と小間隙を保つて内筒が設けられ、
かつ、前記小間隙の部分にふつ素化物を含まない
ガスを送入するガス送入口が設けられていること
により達成される。
［作用］
本考案では、石英ガラスのマツフル筒におい
て、ふつ素による腐食を最も受け易い、ヒータの
下部の位置のマツフル筒内壁部分が、ふつ素化物
を含む雰囲気と接触するのを避けるように、マツ
フル筒の内壁と小間隙を保つて内筒を設け、前記
小間隙にふつ素を含まないガスを送入することに
よりマツフル筒を腐食から護り、ふつ素ドープ用
石英マツフルの使用寿命を長くすることができ
る。
て、ふつ素による腐食を最も受け易い、ヒータの
下部の位置のマツフル筒内壁部分が、ふつ素化物
を含む雰囲気と接触するのを避けるように、マツ
フル筒の内壁と小間隙を保つて内筒を設け、前記
小間隙にふつ素を含まないガスを送入することに
よりマツフル筒を腐食から護り、ふつ素ドープ用
石英マツフルの使用寿命を長くすることができ
る。
［実施例］
本考案の一実施例を図によつて説明する。図は
ふつ素ドープ用石英マツフルの縦断面図で、１は
多孔質母材（スート母材）、２はふつ素ドープト
ガラス、３は電気炉のヒータ、４は石英ガラスの
マツフル筒、５は石英ガラスの内筒、５′は小間
隙、６はターゲツト棒、７はふつ素化物を含む雰
囲気ガス送入口、８はふつ素化物を含まないガス
送入口、９は排気口である。本考案が従来のもの
と異なるところは、マツフル筒４の内壁と小間隙
５′を保つて内筒５が設けられ、かつ、前記小間
隙５の部分にふつ素化物を含まないガスを送入す
ることができるようにガス送入口８が設けられて
いる点である。
ふつ素ドープ用石英マツフルの縦断面図で、１は
多孔質母材（スート母材）、２はふつ素ドープト
ガラス、３は電気炉のヒータ、４は石英ガラスの
マツフル筒、５は石英ガラスの内筒、５′は小間
隙、６はターゲツト棒、７はふつ素化物を含む雰
囲気ガス送入口、８はふつ素化物を含まないガス
送入口、９は排気口である。本考案が従来のもの
と異なるところは、マツフル筒４の内壁と小間隙
５′を保つて内筒５が設けられ、かつ、前記小間
隙５の部分にふつ素化物を含まないガスを送入す
ることができるようにガス送入口８が設けられて
いる点である。
即ちこの実施例では、外側にヒータ３を有する
マツフル筒４内に、多孔質母材１を保持し、この
多孔質母材１をふつ素化物を含む雰囲気中で加熱
して透明ガラス化するふつ素ドープ用石英マツフ
ルにおいて、マツフル筒４内でヒータ３より下方
の位置に、マツフル筒４の内壁と小間隙５′を保
つて内筒５が設けられ、かつ、小間隙５′の部分
にふつ素化物を含まないガスを送入するガス送入
口８を設け、このガス送入口８から送入され内筒
５の上辺から吐出されるふつ素化物を含まないガ
スによりマツフル筒４の内壁はふつ素との接触か
ら護られ、腐食されるのが防止される。
マツフル筒４内に、多孔質母材１を保持し、この
多孔質母材１をふつ素化物を含む雰囲気中で加熱
して透明ガラス化するふつ素ドープ用石英マツフ
ルにおいて、マツフル筒４内でヒータ３より下方
の位置に、マツフル筒４の内壁と小間隙５′を保
つて内筒５が設けられ、かつ、小間隙５′の部分
にふつ素化物を含まないガスを送入するガス送入
口８を設け、このガス送入口８から送入され内筒
５の上辺から吐出されるふつ素化物を含まないガ
スによりマツフル筒４の内壁はふつ素との接触か
ら護られ、腐食されるのが防止される。
以下具体例について説明する。VAD法で製造
したシングルモード用スート材の多孔質母材１を
図に示すマツフル筒４にターゲツト棒６により保
持し、このターゲツト棒６の回転数5rpm、速度
３mm／minで引き上げ操作した。この場合、雰囲
気ガス送入口７からは、He：10／min、SF6：
150cc／min、の割合で送入し、ガス送入口８か
らはHe：５／minの割合で送入した。
したシングルモード用スート材の多孔質母材１を
図に示すマツフル筒４にターゲツト棒６により保
持し、このターゲツト棒６の回転数5rpm、速度
３mm／minで引き上げ操作した。この場合、雰囲
気ガス送入口７からは、He：10／min、SF6：
150cc／min、の割合で送入し、ガス送入口８か
らはHe：５／minの割合で送入した。
マツフル筒４の内壁で、特にふつ素により腐食
を受け易い場所は、ヒータ３の下端から約50mmの
範囲が大であり、この領域ではSF6が熱分解（熱
分解温度1227℃）が行なわれ易く腐食速度が速
い。又、ヒータ３の位置する部分、並びにそれよ
り上方の部分では、ふつ素は多孔質母材１と反応
し雰囲気中のふつ素量が減り、マツフル筒４の内
壁部に対する腐食速度は減少する。
を受け易い場所は、ヒータ３の下端から約50mmの
範囲が大であり、この領域ではSF6が熱分解（熱
分解温度1227℃）が行なわれ易く腐食速度が速
い。又、ヒータ３の位置する部分、並びにそれよ
り上方の部分では、ふつ素は多孔質母材１と反応
し雰囲気中のふつ素量が減り、マツフル筒４の内
壁部に対する腐食速度は減少する。
従つて、本実施例では、内筒５を上辺がヒータ
３の下端から60mmの位置になるように設け、He
のみを流すことによりマツフル筒４が腐食される
速度を減少させ、従来のものに比べて使用寿命を
数倍に延長することができた。
３の下端から60mmの位置になるように設け、He
のみを流すことによりマツフル筒４が腐食される
速度を減少させ、従来のものに比べて使用寿命を
数倍に延長することができた。
［考案の効果］
以上説明したように、本考案のふつ素ドープ用
石英マツフルは、従来のものに比べて数倍使用寿
命が延長されるという実用効果を奏することがで
きる。
石英マツフルは、従来のものに比べて数倍使用寿
命が延長されるという実用効果を奏することがで
きる。
図は本考案のふつ素ドープ用石英マツフルの一
実施例の縦断面図である。 １……多孔質母材、２……ふつ素ドープトガラ
ス、３……ヒータ、４……マツフル筒、５……内
筒、８……ガラス送入口。
実施例の縦断面図である。 １……多孔質母材、２……ふつ素ドープトガラ
ス、３……ヒータ、４……マツフル筒、５……内
筒、８……ガラス送入口。
Claims (1)
- 外側にヒータを有するマツフル筒内に多孔質母
材を保持し、該多孔質母材をふつ素化物を含む雰
囲気中で加熱して透明ガラス化するふつ素ドープ
用石英マツフルにおいて、前記マツフル筒内で前
記ヒータより下方の位置に、該マツフル筒の内壁
と小間隙を保つて内筒が設けられ、かつ、前記小
間隙の部分にふつ素化物を含まないガスを送入す
るガス送入口が設けられていることを特徴とする
ふつ素ドープ用石英マツフル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP207587U JPH0449150Y2 (ja) | 1987-01-10 | 1987-01-10 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP207587U JPH0449150Y2 (ja) | 1987-01-10 | 1987-01-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63110533U JPS63110533U (ja) | 1988-07-15 |
| JPH0449150Y2 true JPH0449150Y2 (ja) | 1992-11-19 |
Family
ID=30780574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP207587U Expired JPH0449150Y2 (ja) | 1987-01-10 | 1987-01-10 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0449150Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-01-10 JP JP207587U patent/JPH0449150Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63110533U (ja) | 1988-07-15 |
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