JPH04493Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH04493Y2 JPH04493Y2 JP1987131457U JP13145787U JPH04493Y2 JP H04493 Y2 JPH04493 Y2 JP H04493Y2 JP 1987131457 U JP1987131457 U JP 1987131457U JP 13145787 U JP13145787 U JP 13145787U JP H04493 Y2 JPH04493 Y2 JP H04493Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- row
- column
- contacts
- key switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Contacts (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は回路基板上に設けられるキースイツチ
装置に関し、特にキースイツチ接点を電気的に接
続するパターンの構成に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a key switch device provided on a circuit board, and particularly to the structure of a pattern for electrically connecting key switch contacts.
従来この種のキースイツチ装置としては、例え
ば電話機のダイヤルスイツチ部に使用されるもの
として第2図に示されるものがある。
As a conventional key switch device of this type, there is one shown in FIG. 2, which is used, for example, in a dial switch section of a telephone.
同図は片面だけに回路パターンが形成される回
路基板のパターン図であり、1は行接点1aおよ
び列接点1bから成るキースイツチ接点、2は各
行の行接点1aを各行ごとに電気的に接続する細
い銅箔からなる行パターン、3は各列の列接点1
bを各列ごとに電気的に接続する細い銅箔からな
る列パターンである。行パターン2はダイヤル
ICのロウアドレスに、列パターン3はダイヤル
ICのコラムアドレスに接続される。また、列パ
ターン3どうしが交わるパターン箇所において
は、一方の列パターン3が分断され、他方の絶縁
膜が被せられた列パターン3の上にカーボンから
成る細いパターン3a,3bがジヤンパとして形
成され、分断されたパターンを電気的に導通させ
ている。 This figure is a pattern diagram of a circuit board on which a circuit pattern is formed only on one side, and 1 is a key switch contact consisting of a row contact 1a and a column contact 1b, and 2 is a key switch contact that electrically connects the row contacts 1a of each row for each row. Row pattern made of thin copper foil, 3 is column contact 1 of each column
This is a column pattern made of thin copper foil that electrically connects each column. Row pattern 2 is dial
Row pattern 3 is dial for IC row address
Connected to the IC column address. Furthermore, at the pattern locations where the row patterns 3 intersect, one of the row patterns 3 is separated, and thin patterns 3a and 3b made of carbon are formed as jumpers on the other row pattern 3 covered with an insulating film, The divided patterns are electrically connected.
しかしながら上記構成のキースイツチ装置に
は、以下に述べる問題点があつた。
However, the key switch device having the above configuration has the following problems.
第1に、各行ごとの行接点および各列ごとの列
接点を電気的に接続するパターンの配設が複雑と
なり、パターンの設計をするのに時間を要し、さ
らに出来上がつた複雑なパターンは雑音の影響を
受け易いという問題があつた。 First, the layout of the pattern that electrically connects the row contacts for each row and the column contacts for each column becomes complicated, and it takes time to design the pattern. The problem was that it was easily affected by noise.
第2に、パターンどうしの交点に設けられるジ
ヤパンとしての細いパターン3a,3bは抵抗分が
高く、キースイツチが押下されて検出回路に入力
される電圧レベルが高くなつてキースイツチの誤
検出を生じるという問題もあつた。これを第3図
の等価回路図を参照して以下に詳述する。 Second, the narrow patterns 3a and 3b provided at the intersections of the patterns have a high resistance, and when the key switch is pressed, the voltage level input to the detection circuit becomes high, causing false detection of the key switch. It was hot too. This will be explained in detail below with reference to the equivalent circuit diagram of FIG.
同図において、5はダイヤルICであり、ダイ
ヤルIC5の出力ポート5aと入力ポート5bと
の間は回路基板上の銅箔パターンに相当する配線
6によりキースイツチ7を介して接続され、また
この配線6には前述のジヤンパとしての細いカー
ボンパターンに相当する等価抵抗R0が挿入され
ている。また、出力ポート5aはダイヤルIC5
内でゲート8に、入力ポート5bはゲート9に接
続され、ゲート8は電源VSSに接続され、入力ポ
ート5bは抵抗R1を介して電源VDDに吊り上げら
れている。 In the figure, 5 is a dial IC, and an output port 5a and an input port 5b of the dial IC 5 are connected via a key switch 7 by a wiring 6 corresponding to a copper foil pattern on the circuit board, and this wiring 6 An equivalent resistance R 0 corresponding to the thin carbon pattern as the jumper described above is inserted in . In addition, the output port 5a is the dial IC 5
The input port 5b is connected to the gate 8 within the gate 9, the gate 8 is connected to the power supply VSS , and the input port 5b is lifted to the power supply VDD via a resistor R1 .
キースイツチ7が閉じられた時にゲート9に入
力される電圧Vは次式のようになる。 The voltage V input to the gate 9 when the key switch 7 is closed is expressed by the following equation.
V=R0×VDD−VSS/R0+R1
ここで簡略化するために、R0=R1、VSS=0と
すると上式は次のようになる。 V=R 0 ×V DD −V SS /R 0 +R 1For simplification, let R 0 =R 1 and V SS =0, and the above equation becomes as follows.
V=R0×VDD/2R0=VDD/2
つまり、キースイツチ7の押下時にダイヤル
IC5に検出される電圧レベルはVDD/2となり、
ゲート9のスレシホールドレベルを仮にVDD/3
以下だとすると、入力ポート5bの電圧レベルは
これ以下に低下しきらず、このキースイツチ7の
押下は検出されないことになる。 V=R 0 ×V DD /2R 0 =V DD /2 In other words, when key switch 7 is pressed, the dial
The voltage level detected by IC5 is V DD /2,
Temporarily set the threshold level of gate 9 to V DD /3.
If it is less than this, the voltage level of the input port 5b will not fall below this level, and the depression of the key switch 7 will not be detected.
本考案は上記問題点を解消するためになされた
もので、行接点または列接点のいずれか一方を銅
箔からなる細いパターンにより接続し、他方を絶
縁膜を介してカーボンからなる太いパターンによ
り接続したものである。
The present invention was developed to solve the above problems. Either the row contacts or the column contacts are connected by a thin pattern made of copper foil, and the other is connected by a thick pattern made of carbon through an insulating film. This is what I did.
各接点を接続するパターンの構成は簡略化さ
れ、かつ、パターンのジヤンパ箇所は無くなる。
The configuration of the pattern that connects each contact is simplified, and jumper portions of the pattern are eliminated.
次に本考案について図面を参照して説明する。
第1図は本考案を電話機のダイヤルスイツチ部に
適用した一実施例を表わすパターン図である。
Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
FIG. 1 is a pattern diagram showing an embodiment in which the present invention is applied to a dial switch section of a telephone set.
同図aは回路基板上に最初に形成される銅箔か
らなるパターンのパターン図であり、11,12
は回路基板上にマトリクス状に配設される行接
点、列接点であり、これらはキースイツチ接点を
構成し、行接点11は各行ごとに一本の細い行パ
ターン13により電気的に接続され、各行パター
ン13の一端はダイヤルICの各ロウアドレスに
接続される。また、列接点12は、図の各列の一
番下に位置するものがダイヤルICのコラムアド
レスにパターン14によつて接続される。なお、
15はアース電位に接続されているアースパター
ンであり、行接点11および列接点12の部分を
除く銅箔パターン上にはレジスト処理が施され、
絶縁膜が形成される。 Figure a is a pattern diagram of a pattern made of copper foil that is first formed on a circuit board, 11, 12
are row contacts and column contacts arranged in a matrix on the circuit board, these constitute key switch contacts, and the row contacts 11 are electrically connected by one thin row pattern 13 for each row. One end of the pattern 13 is connected to each row address of the dial IC. Further, among the column contacts 12, the one located at the bottom of each column in the figure is connected to the column address of the dial IC by a pattern 14. In addition,
15 is a ground pattern connected to ground potential, and a resist treatment is applied to the copper foil pattern except for the row contacts 11 and column contacts 12;
An insulating film is formed.
同図bは、aに示されるパターンが回路基板上
に形成された後にこのパターン上に形成されるパ
ターンのパターン図であり、16は各行接点11
上にこれと電気的に導通して形成されるカーボン
からなる行接点カーボン層、17は各列接点12
を各列ごとに電気的に接続する一本の太いカーボ
ンからなる列パターンである。この各列パターン
17はパターン14により、ダイヤルICの各コ
ラムアドレスに電気的に導通している。 FIG. 2b is a pattern diagram of a pattern formed on the pattern shown in a after it is formed on the circuit board, and 16 is a pattern diagram of a pattern formed on each row of contacts 11.
A row contact carbon layer 17 made of carbon is formed on top of and electrically connected to each column contact 12.
This is a column pattern consisting of a single thick piece of carbon that electrically connects each column. Each column pattern 17 is electrically connected to each column address of the dial IC by the pattern 14.
このような構成において、各キースイツチ接点
上にはキースイツチ(図示せず)が配設され、キ
ースイツチが押下された箇所の行接点カーボン層
16と列パターン17とはキースイツチによつて
電気的に接続され、この箇所の下層に位置する行
接点11と列接点12とは導通し、行パターン1
3とパターン14によつてこの導通箇所はダイヤ
ルICに伝えられ、ダイヤルICはキースイツチの
押下箇所を検出する。 In such a configuration, a key switch (not shown) is disposed on each key switch contact, and the row contact carbon layer 16 and the column pattern 17 at the location where the key switch is pressed are electrically connected by the key switch. , the row contact 11 and the column contact 12 located below this point are electrically connected, and the row pattern 1
3 and pattern 14, this conductive point is transmitted to the dial IC, and the dial IC detects the pressed point of the key switch.
以上のように本実施例によれば、行パターン1
3および列パターン17を直線状に配設すること
が可能になり、パターン構成は簡略化されて回路
の耐ノイズ性能は向上し、さらに、第1図aに示
されるような広い面積のアースパターン15を配
設することが出来るようになつて回路の耐ノイズ
性能は尚一層向上する。また、従来のようにパタ
ーンどうしが交わらないため、ジヤンパ箇所は無
くなり、このため、従来のようなジヤンパ部分の
抵抗分によるダイヤルICのキースイツチの誤検
出は無くなる。また、列パターン17は安価なカ
ーボンを用いているため、パターンの製作コスト
は低減する。 As described above, according to this embodiment, row pattern 1
3 and the column pattern 17 in a straight line, the pattern configuration is simplified and the noise resistance of the circuit is improved.Furthermore, it is possible to arrange the ground pattern with a large area as shown in Figure 1a. 15, the noise resistance of the circuit is further improved. Furthermore, since the patterns do not intersect with each other as in the past, there are no jumper points, and therefore, there is no longer any erroneous detection of the key switch of the dial IC due to the resistance of the jumper part as in the past. Furthermore, since the row pattern 17 uses inexpensive carbon, the manufacturing cost of the pattern is reduced.
なお、上記実施例はキースイツチ接点が4行で
3列のものを示したがこれに限定されることはな
く、また、上記実施例は電話機に適用したものを
示したが他の一般のスイツチ装置に適用しても良
く、また、上記実施例は列接点を太いカーボンパ
ターンにより、行接点を細い銅箔パターンにより
接続したがこの逆であつても良く、上記実施例と
同様な効果を奏する。 Although the above embodiment shows a case where the key switch contacts are arranged in 4 rows and 3 columns, the present invention is not limited to this. Also, although the above embodiment shows a case where the key switch contacts are applied to a telephone, other general switch devices may be used. In addition, although in the above embodiment the column contacts are connected by thick carbon patterns and the row contacts are connected by thin copper foil patterns, the reverse may be used, and the same effect as in the above embodiment can be obtained.
以上説明したように本考案は、行接点または列
接点のいずれか一方を銅箔からなる細いパターン
により接続し、他方を絶縁膜を介してカーボンか
らなる太いパターンにより接続したことにより、
各接点を接続するパターンの構成は簡略化され、
パターンの設計は短時間で行なえ、かつ、回路へ
の雑音の影響は少なくなるという効果を有し、ま
た、パターンのジヤンパ箇所は無くなるためにパ
ターンの有する抵抗分は高くならず、キースイツ
チの誤検出は生じなくなるという効果も有する。
また、パターンに安価なカーボンを用いるため、
パターンの製作コストが低減されるという効果も
有する。
As explained above, the present invention connects either the row contact or the column contact with a thin pattern made of copper foil, and connects the other with a thick pattern made of carbon through an insulating film.
The configuration of the pattern connecting each contact is simplified,
The design of the pattern can be done in a short time, and the effect of noise on the circuit is reduced.Also, since there are no jumper parts in the pattern, the resistance of the pattern does not increase, which reduces the possibility of false key switch detection. It also has the effect that it no longer occurs.
In addition, since cheap carbon is used for the pattern,
This also has the effect of reducing pattern manufacturing costs.
第1図は本考案の一実施例を表わすパターン
図、第2図は従来のパターン図、第3図は従来の
問題点を説明するための等価回路図である。
11……行接点、12……列接点、13……行
パターン、14……列パターン、15……アース
パターン、16……行接点カーボン層、17……
列パターン。
FIG. 1 is a pattern diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a conventional pattern diagram, and FIG. 3 is an equivalent circuit diagram for explaining the problems of the conventional technology. 11... Row contact, 12... Column contact, 13... Row pattern, 14... Column pattern, 15... Earth pattern, 16... Row contact carbon layer, 17...
column pattern.
Claims (1)
および列接点からなるキースイツチ装置におい
て、前記行接点および列接点と前記行接点または
列接点のいずれか一方を各行または各列ごとに電
気的に接続する細いパターンとを銅箔により形成
し、前記行接点および列接点を除く前記銅箔上に
絶縁膜を形成し、前記パターンを接続されていな
い前記行接点または列接点を各行または各列ごと
にカーボンからなる太いパターンにより電気的に
接続したことを特徴とするキースイツチ装置。 In a key switch device consisting of row contacts and column contacts arranged in a matrix on a circuit board, the row contacts and column contacts are electrically connected to either the row contact or the column contact for each row or each column. forming a thin pattern of copper foil, forming an insulating film on the copper foil except for the row contacts and column contacts, and connecting the row contacts or column contacts not connected to the pattern to each row or each column; A key switch device characterized by electrical connection using a thick pattern made of carbon.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987131457U JPH04493Y2 (en) | 1987-08-31 | 1987-08-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987131457U JPH04493Y2 (en) | 1987-08-31 | 1987-08-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6436932U JPS6436932U (en) | 1989-03-06 |
| JPH04493Y2 true JPH04493Y2 (en) | 1992-01-09 |
Family
ID=31387544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987131457U Expired JPH04493Y2 (en) | 1987-08-31 | 1987-08-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04493Y2 (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57199922U (en) * | 1981-06-15 | 1982-12-18 |
-
1987
- 1987-08-31 JP JP1987131457U patent/JPH04493Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6436932U (en) | 1989-03-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6362509B1 (en) | Field effect transistor with organic semiconductor layer | |
| KR930009024B1 (en) | Semicondcutro ic device | |
| US4400758A (en) | Capacitance switch arrangement | |
| KR940012602A (en) | Semiconductor devices | |
| US5111271A (en) | Semiconductor device using standard cell system | |
| US5229629A (en) | Semiconductor integrated circuit having improved cell layout | |
| JPH04493Y2 (en) | ||
| US5691574A (en) | Semiconductor device capable of high speed operation and being integrated with high density | |
| JPH0549966B2 (en) | ||
| US4803315A (en) | Printed circuit board | |
| JPS5853635Y2 (en) | X-Y contact structure | |
| JPH07114258B2 (en) | Semiconductor memory | |
| KR100287826B1 (en) | Semiconductor memory device | |
| US6380567B1 (en) | Semiconductor device and fabrication method thereof | |
| JPH02126665A (en) | semiconductor equipment | |
| EP0150600A2 (en) | Membrane switch assembly | |
| KR920005338A (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
| KR920007093A (en) | Hybrid semiconductor device | |
| JP2778235B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPS60165752A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| JPS5968047A (en) | Input device | |
| CN117173751A (en) | Display panel and its driving method | |
| JPH06252367A (en) | Semiconductor device with cmos basis cell | |
| JPH04218948A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| JPH0834247B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device |