JPH0449680A - Laser machining method for semiconductor wafer - Google Patents
Laser machining method for semiconductor waferInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、回路パターンが形成された半導体ウェハを
レーザ加工する方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION "Field of Industrial Application" The present invention relates to a method of laser processing a semiconductor wafer on which a circuit pattern is formed.
「従来の技術」
半導体メモリの製造にあたっては、半導体ウェハ上に形
成されたメモリチップの一部の回路をレーザ光の照射に
よって切断することがあり、このような場合、第４図に
示すように、半導体ウェハ１のパターン面１ａの例えば
ポリシリコン層によるレーザ加工点２ａを有するチップ
２のコーナー部の外側には例えばアルミニウム層による
位置合わせ用のマーク３を形成する。"Prior Art" In manufacturing semiconductor memories, some circuits of memory chips formed on semiconductor wafers are sometimes cut by irradiation with laser light, and in such cases, as shown in FIG. On the outside of the corner portion of the chip 2 having the laser processing point 2a made of, for example, a polysilicon layer on the patterned surface 1a of the semiconductor wafer 1, a mark 3 for alignment is formed, for example, by an aluminum layer.
そして、従来のレーザ加工方法においては、第５図にレ
ーザ加工装置の一例を示すように、その半導体ウェハ１
をＸＹＺステージ５１上に真空吸着などにより固定して
置き、加工用レーザ５２からの半導体ウェハ１の上記の
レーザ加工点２ａでは反射しないで吸収され、マーク３
では反射するレーザ光５３ａをビームスプリンタ５４で
反射させて対物レンズ５５を介して半導体ウェハ１のパ
ターン面１ａに入射させながら駆動機構５６によりχＹ
Ｚステージ５１を対物レンズ５５の光軸方向であるＺ方
向に垂直なＸＹ力方向動かしてレーザ光５３ａを半導体
ウェハ１のパターン面ｌａ上においてｘＹ力方向走査さ
せ、そのパターン面１ａからの反射光５３ｂを対物レン
ズ５５およびビームスプリンタ５４を介してミラー５７
で反射させて受光器５８に入射させることによって半導
体ウェハ１の上記のマーク３を検出し、その受光器５８
の出力を演算制御部５９に供給することにより演算制御
部５９においてマーク３の半導体ウェハ１上の位置を検
出するとともに、そのマーク３の位置から半導体ウェハ
１上の上記のレーザ加工点２ａの位置を計算し、その計
算値にもとづいてレーザ加工点２ａが対物レンズ５５の
光軸上に位置するように駆動機構５６によりＸＹＺステ
ージ５１をＸＹ力方向動かし、その動かした位置で加工
用レーザ５２からのレーザ光５３ａをビームスプリッタ
５４で反射させて対物レンズ５５を介Ｌ７て半導体ウェ
ハ１上のレーザ加工点２ａに照射する。In the conventional laser processing method, the semiconductor wafer 1 is
is fixed on the XYZ stage 51 by vacuum suction or the like, and the laser beam from the processing laser 52 is absorbed without being reflected at the laser processing point 2a of the semiconductor wafer 1, and the mark 3 is
Then, while the reflected laser beam 53a is reflected by the beam splinter 54 and incident on the pattern surface 1a of the semiconductor wafer 1 via the objective lens 55, the drive mechanism 56 generates χY.
The Z stage 51 is moved in the XY force direction perpendicular to the Z direction, which is the optical axis direction of the objective lens 55, to scan the laser beam 53a on the pattern surface la of the semiconductor wafer 1 in the xY force direction, and the reflected light from the pattern surface 1a is 53b to the mirror 57 via the objective lens 55 and beam splinter 54.
The mark 3 on the semiconductor wafer 1 is detected by reflecting the mark 3 and making it incident on the light receiver 58.
By supplying the output to the arithmetic and control unit 59, the arithmetic and control unit 59 detects the position of the mark 3 on the semiconductor wafer 1, and determines the position of the laser processing point 2a on the semiconductor wafer 1 from the position of the mark 3. Based on the calculated value, the XYZ stage 51 is moved in the XY force direction by the drive mechanism 56 so that the laser processing point 2a is located on the optical axis of the objective lens 55, and the processing laser 52 is moved at the moved position. The laser beam 53a is reflected by the beam splitter 54 and irradiated onto the laser processing point 2a on the semiconductor wafer 1 through the objective lens 55 L7.
「発明が解決しようとする課題」
しかしながら、第４図に示すように半導体ウェハ１上に
メモリチップなどのチップ２を形成した場合、そのチッ
プ２の形状や半導体ウニへ１上の位置は必ずしも設計ど
おりのものにならず、第６図に設計上の形状および位置
を破線で示し、実際の形状および位置を実線で示すよう
に、チップ２の位置が全体としである方向にずれたり、
チップ２が傾いたり、チップ２の大きさが設計上のもの
と異なったり、チップ２の形状がいびつになったりし、
そのため、半導体ウェハ１上の上記のレーザ加工点２ａ
のマーク３に対する位置も必ずしも設計どおりのものに
ならない。"Problem to be Solved by the Invention" However, when a chip 2 such as a memory chip is formed on a semiconductor wafer 1 as shown in FIG. As shown in FIG. 6, where the designed shape and position are shown by broken lines and the actual shape and position are shown by solid lines, the overall position of the chip 2 may be shifted in a certain direction.
If the chip 2 is tilted, the size of the chip 2 is different from the designed one, or the shape of the chip 2 is distorted,
Therefore, the above laser processing point 2a on the semiconductor wafer 1
The position of the mark 3 relative to the mark 3 is not necessarily as designed.
そのため、上述したように演算制御部５９において受光
器５８の出力からマーク３０半導体ウェハ１上の位置を
検出するとともに、そのマーク３の位置から半導体ウェ
ハ１上のレーザ加工点２ａの位置を計算し、その計算値
にもとづいて加工用レーザ５２からレーザ光５３ａが半
導体ウェハ１上のレーザ加工点２ａに照射されるように
ＸＹＺステージ５１をＸＹ力方向動かす従来のレーザ加
工方法においては、必ずしもレーザ加工点２ａの位置を
正確に求めることができず、加工用レーザ５２からのレ
ーザ光５３ａをレーザ加工点２ａに確実に照射すること
ができない不都合がある。Therefore, as described above, the arithmetic control unit 59 detects the position of the mark 30 on the semiconductor wafer 1 from the output of the light receiver 58, and calculates the position of the laser processing point 2a on the semiconductor wafer 1 from the position of the mark 3. In the conventional laser processing method, in which the XYZ stage 51 is moved in the XY force direction so that the laser beam 53a from the processing laser 52 is irradiated to the laser processing point 2a on the semiconductor wafer 1 based on the calculated value, the laser processing is not necessarily performed. There is a disadvantage that the position of the point 2a cannot be accurately determined and the laser beam 53a from the processing laser 52 cannot be reliably irradiated to the laser processing point 2a.
そこで、この発明は、回路パターンが形成された半導体
ウェハをレーザ加工する方法において、半導体ウェハ上
のレーザ加工点の位置を正確に検出することができ、加
工用レーザからのレーザ光を半導体ウェハ上のレーザ加
工点に確実に照射することができるようにしたものであ
る。Accordingly, the present invention is capable of accurately detecting the position of a laser processing point on a semiconductor wafer in a method of laser processing a semiconductor wafer on which a circuit pattern is formed, and the laser beam from the processing laser is directed onto the semiconductor wafer. This makes it possible to reliably irradiate the laser processing points.
「課題を解決するための手段」
請求項１の発明においては、走査用レーザからの回路パ
ターンが形成された半導体ウェハのレーザ加工点で反射
するレーザ光を対物レンズを介してＸＹＺステージ上に
置かれた上記半導体ウェハツバターン面上に走査させて
、そのパターン面からの反射光を検出し、その反射光の
検出出力から上記半導体ウェハ上の上記レーザ加工点の
位置を検出し、その位置検出出力により、上記レーザ加
工点が上記対物レンズの光軸上に位置するように上記ｘ
ｙｚステージを上記対物レンズの光軸方向であるＺ方向
に垂直なＸＹ力方向動かし、その動かした位置で、加工
用レーザからの上記レーザ加工点で吸収されるレーザ光
を上記対物レンズを介して上記レーザ加工点に照射する
。"Means for Solving the Problem" In the invention of claim 1, a laser beam reflected at a laser processing point of a semiconductor wafer on which a circuit pattern is formed from a scanning laser is placed on an XYZ stage via an objective lens. scanning the patterned surface of the semiconductor wafer, detecting the reflected light from the patterned surface, detecting the position of the laser processing point on the semiconductor wafer from the detection output of the reflected light, and detecting the position. With the output, the x
The yz stage is moved in the XY force direction perpendicular to the Z direction, which is the optical axis direction of the objective lens, and at the moved position, the laser beam absorbed at the laser processing point from the processing laser is transmitted through the objective lens. Irradiate the above laser processing point.
請求項２の発明においては、照明用光源からの照明光を
対物レンズを介してＸＹＺステージ上に置かれた回路パ
ターンが形成された半導体ウェハのパターン面上に照射
して、そのパターン面をビデオカメラにより撮影し、そ
のビデオカメラの出力を請求項１の発明における半導体
ウェハのパターン面からの反射光の検出出力に代える。In the invention of claim 2, illumination light from an illumination light source is irradiated through an objective lens onto a patterned surface of a semiconductor wafer on which a circuit pattern is formed, which is placed on an XYZ stage, and the patterned surface is displayed on a video. The image is photographed by a camera, and the output of the video camera is replaced with the detection output of the reflected light from the patterned surface of the semiconductor wafer according to the first aspect of the invention.
「作 用」
上記の方法をとる請求項１または２の発明のレーザ加工
方法においては、走査用レーザからのレーザ光をＸＹＺ
ステージ上に置かれた半導体ウェハのパターン面上に走
査させたときのパターン面からの反射光の検出出力から
、またはビデオカメラによりＸＹＺステージ上に置かれ
た半導体ウェハのパターン面を撮影したときのビデオカ
メラの出力から、半導体ウェハ上のレーザ加工点の位置
を直接検出するので、半導体ウェハ上のレーザ加工点の
位置を正確に検出することができ、加工用レーザからの
レーザ光を半導体ウェハ上のレーザ加工点に確実に照射
することができる。"Function" In the laser processing method of the invention according to claim 1 or 2, which takes the above method, the laser beam from the scanning laser is
From the detection output of reflected light from the pattern surface when scanning the pattern surface of a semiconductor wafer placed on a stage, or from the detection output of the pattern surface of a semiconductor wafer placed on an XYZ stage with a video camera. Since the position of the laser processing point on the semiconductor wafer is directly detected from the output of the video camera, the position of the laser processing point on the semiconductor wafer can be accurately detected, and the laser beam from the processing laser can be directly detected on the semiconductor wafer. It is possible to reliably irradiate the laser processing points.
「実施例」
第１図は、請求項１の発明のレーザ加工方法を実現する
レーザ加工装置の一例で、ＸＹｚステージ１１上には、
第３図に示すように例えばポリシリコン層によるレーザ
加工点２ａを有するチップ２が形成された半導体ウェハ
１を真空吸着などにより固定して置く。"Embodiment" FIG. 1 shows an example of a laser processing apparatus for realizing the laser processing method of the invention of claim 1, in which on the XYz stage 11 there are
As shown in FIG. 3, a semiconductor wafer 1 on which a chip 2 having a laser processing point 2a formed of, for example, a polysilicon layer is formed is fixed by vacuum suction or the like.
そして、走査用レーザ１２からの半導体ウェハ１の上記
のレーザ加工点２ａで反射するレーザ光１３ａをビーム
エキスパンダ１４およびＸＹ偏向手段１５を介してミラ
ー１６で反射させたのちビームスプリッタ１７．１８お
よび対物レンズ１９を介して半導体ウェハ１のパターン
面１ａに入射させ、そのパターン面１ａからの反射光１
３ｂを対物レンズ１９およびビームスプリッタ１８．１
７を介して対物レンズ１９の共焦点位置に配したピンホ
ール２１を通過させたのち受光器２２に入射させ、受光
器２２の出力を検出制御部２３に供給して、まず、走査
用レーザ１２からのレーザ光１３ａが半導体ウェハ１の
パターン面ｌａ上に焦点を結ぶように駆動機構２４によ
りＸＹＺステージ１１を対物レンズ１９の光軸方向であ
るＺ方向に動かした上で、検出制御部２３からＸＹ偏向
手段１５にＸＹ偏向信号を供給することにより走査用レ
ーザ１２からのレーザ光１３ａを半導体ウェハ１のパタ
ーン面ｌａ上においてＺ方向に垂直なＸＹ力方向走査さ
せて、検出制御部２３において受光器２２の出力と上記
のＸＹ偏向信号とから半導体ウェハ１上の上記のレーザ
加工点２ａの位置を検出する。走査用レーザ１２として
は、具体的にはレーザ光１３ａとして波長が５３２ナノ
メートルのものを発するヘリウムネオンレーザを用いる
ことができる。Then, the laser beam 13a from the scanning laser 12 reflected at the laser processing point 2a of the semiconductor wafer 1 is reflected by the mirror 16 via the beam expander 14 and the XY deflection means 15, and then the beam splitter 17.18 and The reflected light 1 from the pattern surface 1a is incident on the pattern surface 1a of the semiconductor wafer 1 through the objective lens 19.
3b as the objective lens 19 and beam splitter 18.1
7 and passes through a pinhole 21 placed at the confocal position of the objective lens 19, and then enters the light receiver 22, and the output of the light receiver 22 is supplied to the detection control section 23. The drive mechanism 24 moves the XYZ stage 11 in the Z direction, which is the optical axis direction of the objective lens 19, so that the laser beam 13a from the detection controller 23 focuses on the pattern surface la of the semiconductor wafer 1. By supplying an XY deflection signal to the XY deflection means 15, the laser beam 13a from the scanning laser 12 is scanned in the XY force direction perpendicular to the Z direction on the pattern surface la of the semiconductor wafer 1, and the light is received by the detection control section 23. The position of the laser processing point 2a on the semiconductor wafer 1 is detected from the output of the device 22 and the XY deflection signal. Specifically, as the scanning laser 12, a helium neon laser that emits laser light 13a with a wavelength of 532 nanometers can be used.
次に、検出制御部２３においてはレーザ加工点２ａの位
置の検出出力により駆動機構２４を制御してレーザ加工
点２ａが対物レンズ１９の光軸上に位置するようにχＹ
Ｚステージ１１をＸＹ力方向動かし、次に、その動かし
た位置で加工用レーザ２５からのレーザ加工点２ａで吸
収されるレーザ光２６をビームスプリンタ１８および対
物レンズ１９を介してレーザ加工点２ａに照射してレー
ザ加工点２ａに所期の加工を施す。加工用レーザ２５と
しては、具体的にはレーザ光２６として波長が１０４７
ナノメードルのものを発するＹＬＦレーザを用いること
ができる。Next, the detection control unit 23 controls the drive mechanism 24 based on the detection output of the position of the laser processing point 2a so that the laser processing point 2a is located on the optical axis of the objective lens 19.
The Z stage 11 is moved in the XY force direction, and then, at the moved position, the laser beam 26 from the processing laser 25 absorbed at the laser processing point 2a is transmitted to the laser processing point 2a via the beam splinter 18 and the objective lens 19. The laser beam is irradiated to perform the desired processing on the laser processing point 2a. Specifically, the processing laser 25 has a wavelength of 1047 as the laser beam 26.
YLF lasers emitting nanometers can be used.
このように請求項１の発明のレーザ加工方法においては
、走査用レーザ１２からのレーザ光１３ａをＸＹＺステ
ージ１１上に置かれた半導体ウェハ１のパターン面ｌａ
上に走査されたときのパターン面１ａからの反射光１３
ｂの検出出力からレーザ加工点２ａの位置を直接検出す
るので、レーザ加工点２ａの位置を正確に検出すること
ができ、加工用レーザ２５からのレーザ光２６をレーザ
加工点２ａに確実に照射することができる。As described above, in the laser processing method of the invention of claim 1, the laser beam 13a from the scanning laser 12 is directed to the pattern surface la of the semiconductor wafer 1 placed on the XYZ stage 11.
Reflected light 13 from the pattern surface 1a when scanned upward
Since the position of the laser processing point 2a is directly detected from the detection output of b, the position of the laser processing point 2a can be detected accurately, and the laser beam 26 from the processing laser 25 can be reliably irradiated to the laser processing point 2a. can do.
第２図は、請求項２の発明のレーザ加工方法を実現する
レーザ加工装置の一例である。FIG. 2 is an example of a laser processing apparatus that implements the laser processing method according to the second aspect of the invention.
この場合には、ｘＹＺステージ１１上に第３図に示した
ような半導体ウェハＩを真空吸着などにより固定して置
いた状態で、照明用光源２７からの照明光２８ａをミラ
ー１６で反射させたのちビームスプリッタ１７．１８お
よび対物レンズ１９を介して半導体ウェハ１のパターン
面ｌａ上に照射し、そのパターン面１ａからの反射光２
８ｂを対物レンズ１９およびビームスプリッタ１８．１
７を介してＣＯＤカメラなどのビデオカメラ２９に入射
させることによってパターン面１ａをビデオカメラ２９
により撮影し、そのビデオカメラ２９の出力をパターン
認識部３１に供給することによってパターン認識部３１
において半導体ウェハ１上の上記のレーザ加工点２ａの
位置を検出する。In this case, the semiconductor wafer I as shown in FIG. 3 is fixed on the xYZ stage 11 by vacuum suction or the like, and the illumination light 28a from the illumination light source 27 is reflected by the mirror 16. Afterwards, the patterned surface la of the semiconductor wafer 1 is irradiated via the beam splitter 17, 18 and the objective lens 19, and the reflected light 2 from the patterned surface 1a is
8b as objective lens 19 and beam splitter 18.1
7 to a video camera 29 such as a COD camera.
The output of the video camera 29 is supplied to the pattern recognition section 31.
In this step, the position of the laser processing point 2a on the semiconductor wafer 1 is detected.
次に、制御部３２においてパターン認識部３１からのレ
ーザ加工点２ａの位置の検出出力により駆動機構２４を
制御してレーザ加工点２ａが対物レンズ１９の光軸上に
位置するようにＸＹｚステージ１１をχＹ力方向動かし
、次に、その動かした位置で加工用レーザ２５からのレ
ーザ加工点２ａで吸収されるレーザ光２６をビームスプ
リッタ１８および対物レンズ１９を介してレーザ加工点
２ａに照射してレーザ加工点２ａに所期の加工を施す。Next, the control unit 32 controls the drive mechanism 24 based on the detection output of the position of the laser processing point 2a from the pattern recognition unit 31, and moves the XYz stage 11 so that the laser processing point 2a is located on the optical axis of the objective lens 19. is moved in the χY force direction, and then, at the moved position, the laser beam 26 from the processing laser 25 that is absorbed at the laser processing point 2a is irradiated to the laser processing point 2a via the beam splitter 18 and the objective lens 19. The desired processing is performed on the laser processing point 2a.
このように請求項２の発明のレーザ加工方法においては
、ビデオカメラ２９によりＸＹｚステージ１１上に置か
れた半導体ウェハ１のパターン面１ａを撮影したときの
ビデオカメラ２９の出力からレーザ加工点２ａの位置を
直接検出するので、レーザ加工点２ａの位置を正確に検
出することができ、加工用レーザ２５からのレーザ光２
６をレーザ加工点２ａに確実に照射することができる。In this way, in the laser processing method of the invention of claim 2, the laser processing point 2a is determined from the output of the video camera 29 when the pattern surface 1a of the semiconductor wafer 1 placed on the XYZ stage 11 is photographed by the video camera 29. Since the position is directly detected, the position of the laser processing point 2a can be accurately detected, and the laser beam 2 from the processing laser 25
6 can be reliably irradiated onto the laser processing point 2a.
「発明の効果Ｊ
上述したように、請求項１または２の発明によれば、半
導体ウェハ上のレーザ加工点の位置を正確に検出するこ
とができ、加工用レーザからのレーザ光を半導体ウェハ
上のレーザ加工点に確実に照射することができる。"Effect of the Invention J As described above, according to the invention of claim 1 or 2, the position of the laser processing point on the semiconductor wafer can be accurately detected, and the laser beam from the processing laser can be directed onto the semiconductor wafer. It is possible to reliably irradiate the laser processing points.
第１図は、請求項１の発明のレーザ加工方法を実現する
レーザ加工装置の一例を゛示す図、第２図は、請求項２
の発明のレーザ加工方法を実現するレーザ加工装置の一
例を示す図、第３図は、請求項１または２の発明のレー
ザ加工方法によってレーザ加工する半導体ウェハの一例
を概略的に示す図、第４図は、従来のレーザ加工方法に
よってレーザ加工する半導体ウェハの一例を概略的に示
す図、第５図は、従来のレーザ加工方法を実現するレー
ザ加工装置の一例を示す図、第６図は、半導体ウェハ上
に形成されたチップの実際の形状および位置の設計上の
形状および位置に対するずれの種々の態様を示す図であ
る。FIG. 1 is a diagram showing an example of a laser processing apparatus that implements the laser processing method of the invention according to claim 1, and FIG.
FIG. 3 is a diagram schematically showing an example of a semiconductor wafer to be laser processed by the laser processing method of the invention according to claim 1 or 2, and FIG. FIG. 4 is a diagram schematically showing an example of a semiconductor wafer processed by a conventional laser processing method, FIG. 5 is a diagram showing an example of a laser processing apparatus that implements the conventional laser processing method, and FIG. FIG. 2 is a diagram showing various aspects of deviations between the actual shape and position of a chip formed on a semiconductor wafer with respect to the designed shape and position.
Claims (2)
導体ウェハのレーザ加工点で反射するレーザ光を対物レ
ンズを介してＸＹＺステージ上に置かれた上記半導体ウ
ェハのパターン面上に走査させて、そのパターン面から
の反射光を検出し、 その反射光の検出出力から上記半導体ウェハ上の上記レ
ーザ加工点の位置を検出し、 その位置検出出力により、上記レーザ加工点が上記対物
レンズの光軸上に位置するように上記ＸＹＺステージを
上記対物レンズの光軸方向であるＺ方向に垂直なＸＹ方
向に動かし、 その動かした位置で、加工用レーザからの上記レーザ加
工点で吸収されるレーザ光を上記対物レンズを介して上
記レーザ加工点に照射する、半導体ウェハのレーザ加工
方法。(1) scanning laser light reflected from a laser processing point of a semiconductor wafer on which a circuit pattern is formed from a scanning laser through an objective lens onto the patterned surface of the semiconductor wafer placed on an XYZ stage; The reflected light from the pattern surface is detected, the position of the laser processing point on the semiconductor wafer is detected from the detection output of the reflected light, and the position detection output determines that the laser processing point is located on the optical axis of the objective lens. The XYZ stage is moved in the XY direction perpendicular to the Z direction, which is the optical axis direction of the objective lens, so that the stage is positioned above, and at the moved position, the laser beam from the processing laser is absorbed at the laser processing point. A method of laser processing a semiconductor wafer, wherein the laser processing point is irradiated with the laser beam through the objective lens.
ＹＺステージ上に置かれた回路パターンが形成された半
導体ウェハのパターン面上に照射して、そのパターン面
をビデオカメラにより撮影し、 そのビデオカメラの出力から上記半導体ウェハ上の上記
レーザ加工点の位置を検出し、 その位置検出出力により、上記レーザ加工点が上記対物
レンズの光軸上に位置するように上記ＸＹＺステージを
上記対物レンズの光軸方向であるＺ方向に垂直なＸＹ方
向に動かし、 その動かした位置で、加工用レーザからの上記レーザ加
工点で吸収されるレーザ光を上記対物レンズを介して上
記レーザ加工点に照射する、半導体ウェハのレーザ加工
方法。(2) Illumination light from the illumination light source is passed through the objective lens
The laser beam is irradiated onto the patterned surface of a semiconductor wafer on which a circuit pattern is formed, which is placed on a YZ stage, and the patterned surface is photographed using a video camera, and the laser processing points on the semiconductor wafer are determined from the output of the video camera. Detecting the position, and using the position detection output, move the XYZ stage in the XY direction perpendicular to the Z direction, which is the optical axis direction of the objective lens, so that the laser processing point is located on the optical axis of the objective lens. , A method for laser processing a semiconductor wafer, in which the laser beam absorbed at the laser processing point from a processing laser is irradiated to the laser processing point via the objective lens at the moved position.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2160269A JPH0449680A (en) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | Laser machining method for semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2160269A JPH0449680A (en) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | Laser machining method for semiconductor wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0449680A true JPH0449680A (en) | 1992-02-19 |
Family
ID=15711351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2160269A Pending JPH0449680A (en) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | Laser machining method for semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0449680A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085353A (en) * | 2000-08-10 | 2001-03-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Laser treatment method |
| JP2002321080A (en) * | 2001-04-24 | 2002-11-05 | Tokyo Instruments Inc | Autofocus device for laser micromachining |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226872A (en) * | 1985-07-29 | 1987-02-04 | Toshiba Corp | Light transmission device provided with optical bypass mechanism |
| JPS62144891A (en) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Laser processing equipment |
| JPH01273683A (en) * | 1988-04-27 | 1989-11-01 | Toshiba Corp | Laser beam machining device |
-
1990
- 1990-06-18 JP JP2160269A patent/JPH0449680A/en active Pending
Patent Citations (3)
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