JPH0449680A - 半導体ウェハのレーザ加工方法 - Google Patents
半導体ウェハのレーザ加工方法Info
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- JPH0449680A JPH0449680A JP2160269A JP16026990A JPH0449680A JP H0449680 A JPH0449680 A JP H0449680A JP 2160269 A JP2160269 A JP 2160269A JP 16026990 A JP16026990 A JP 16026990A JP H0449680 A JPH0449680 A JP H0449680A
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、回路パターンが形成された半導体ウェハを
レーザ加工する方法に関する。
レーザ加工する方法に関する。
「従来の技術」
半導体メモリの製造にあたっては、半導体ウェハ上に形
成されたメモリチップの一部の回路をレーザ光の照射に
よって切断することがあり、このような場合、第４図に
示すように、半導体ウェハ１のパターン面１ａの例えば
ポリシリコン層によるレーザ加工点２ａを有するチップ
２のコーナー部の外側には例えばアルミニウム層による
位置合わせ用のマーク３を形成する。
成されたメモリチップの一部の回路をレーザ光の照射に
よって切断することがあり、このような場合、第４図に
示すように、半導体ウェハ１のパターン面１ａの例えば
ポリシリコン層によるレーザ加工点２ａを有するチップ
２のコーナー部の外側には例えばアルミニウム層による
位置合わせ用のマーク３を形成する。
そして、従来のレーザ加工方法においては、第５図にレ
ーザ加工装置の一例を示すように、その半導体ウェハ１
をＸＹＺステージ５１上に真空吸着などにより固定して
置き、加工用レーザ５２からの半導体ウェハ１の上記の
レーザ加工点２ａでは反射しないで吸収され、マーク３
では反射するレーザ光５３ａをビームスプリンタ５４で
反射させて対物レンズ５５を介して半導体ウェハ１のパ
ターン面１ａに入射させながら駆動機構５６によりχＹ
Ｚステージ５１を対物レンズ５５の光軸方向であるＺ方
向に垂直なＸＹ力方向動かしてレーザ光５３ａを半導体
ウェハ１のパターン面ｌａ上においてｘＹ力方向走査さ
せ、そのパターン面１ａからの反射光５３ｂを対物レン
ズ５５およびビームスプリンタ５４を介してミラー５７
で反射させて受光器５８に入射させることによって半導
体ウェハ１の上記のマーク３を検出し、その受光器５８
の出力を演算制御部５９に供給することにより演算制御
部５９においてマーク３の半導体ウェハ１上の位置を検
出するとともに、そのマーク３の位置から半導体ウェハ
１上の上記のレーザ加工点２ａの位置を計算し、その計
算値にもとづいてレーザ加工点２ａが対物レンズ５５の
光軸上に位置するように駆動機構５６によりＸＹＺステ
ージ５１をＸＹ力方向動かし、その動かした位置で加工
用レーザ５２からのレーザ光５３ａをビームスプリッタ
５４で反射させて対物レンズ５５を介Ｌ７て半導体ウェ
ハ１上のレーザ加工点２ａに照射する。
ーザ加工装置の一例を示すように、その半導体ウェハ１
をＸＹＺステージ５１上に真空吸着などにより固定して
置き、加工用レーザ５２からの半導体ウェハ１の上記の
レーザ加工点２ａでは反射しないで吸収され、マーク３
では反射するレーザ光５３ａをビームスプリンタ５４で
反射させて対物レンズ５５を介して半導体ウェハ１のパ
ターン面１ａに入射させながら駆動機構５６によりχＹ
Ｚステージ５１を対物レンズ５５の光軸方向であるＺ方
向に垂直なＸＹ力方向動かしてレーザ光５３ａを半導体
ウェハ１のパターン面ｌａ上においてｘＹ力方向走査さ
せ、そのパターン面１ａからの反射光５３ｂを対物レン
ズ５５およびビームスプリンタ５４を介してミラー５７
で反射させて受光器５８に入射させることによって半導
体ウェハ１の上記のマーク３を検出し、その受光器５８
の出力を演算制御部５９に供給することにより演算制御
部５９においてマーク３の半導体ウェハ１上の位置を検
出するとともに、そのマーク３の位置から半導体ウェハ
１上の上記のレーザ加工点２ａの位置を計算し、その計
算値にもとづいてレーザ加工点２ａが対物レンズ５５の
光軸上に位置するように駆動機構５６によりＸＹＺステ
ージ５１をＸＹ力方向動かし、その動かした位置で加工
用レーザ５２からのレーザ光５３ａをビームスプリッタ
５４で反射させて対物レンズ５５を介Ｌ７て半導体ウェ
ハ１上のレーザ加工点２ａに照射する。
「発明が解決しようとする課題」
しかしながら、第４図に示すように半導体ウェハ１上に
メモリチップなどのチップ２を形成した場合、そのチッ
プ２の形状や半導体ウニへ１上の位置は必ずしも設計ど
おりのものにならず、第６図に設計上の形状および位置
を破線で示し、実際の形状および位置を実線で示すよう
に、チップ２の位置が全体としである方向にずれたり、
チップ２が傾いたり、チップ２の大きさが設計上のもの
と異なったり、チップ２の形状がいびつになったりし、
そのため、半導体ウェハ１上の上記のレーザ加工点２ａ
のマーク３に対する位置も必ずしも設計どおりのものに
ならない。
メモリチップなどのチップ２を形成した場合、そのチッ
プ２の形状や半導体ウニへ１上の位置は必ずしも設計ど
おりのものにならず、第６図に設計上の形状および位置
を破線で示し、実際の形状および位置を実線で示すよう
に、チップ２の位置が全体としである方向にずれたり、
チップ２が傾いたり、チップ２の大きさが設計上のもの
と異なったり、チップ２の形状がいびつになったりし、
そのため、半導体ウェハ１上の上記のレーザ加工点２ａ
のマーク３に対する位置も必ずしも設計どおりのものに
ならない。
そのため、上述したように演算制御部５９において受光
器５８の出力からマーク３０半導体ウェハ１上の位置を
検出するとともに、そのマーク３の位置から半導体ウェ
ハ１上のレーザ加工点２ａの位置を計算し、その計算値
にもとづいて加工用レーザ５２からレーザ光５３ａが半
導体ウェハ１上のレーザ加工点２ａに照射されるように
ＸＹＺステージ５１をＸＹ力方向動かす従来のレーザ加
工方法においては、必ずしもレーザ加工点２ａの位置を
正確に求めることができず、加工用レーザ５２からのレ
ーザ光５３ａをレーザ加工点２ａに確実に照射すること
ができない不都合がある。
器５８の出力からマーク３０半導体ウェハ１上の位置を
検出するとともに、そのマーク３の位置から半導体ウェ
ハ１上のレーザ加工点２ａの位置を計算し、その計算値
にもとづいて加工用レーザ５２からレーザ光５３ａが半
導体ウェハ１上のレーザ加工点２ａに照射されるように
ＸＹＺステージ５１をＸＹ力方向動かす従来のレーザ加
工方法においては、必ずしもレーザ加工点２ａの位置を
正確に求めることができず、加工用レーザ５２からのレ
ーザ光５３ａをレーザ加工点２ａに確実に照射すること
ができない不都合がある。
そこで、この発明は、回路パターンが形成された半導体
ウェハをレーザ加工する方法において、半導体ウェハ上
のレーザ加工点の位置を正確に検出することができ、加
工用レーザからのレーザ光を半導体ウェハ上のレーザ加
工点に確実に照射することができるようにしたものであ
る。
ウェハをレーザ加工する方法において、半導体ウェハ上
のレーザ加工点の位置を正確に検出することができ、加
工用レーザからのレーザ光を半導体ウェハ上のレーザ加
工点に確実に照射することができるようにしたものであ
る。
「課題を解決するための手段」
請求項１の発明においては、走査用レーザからの回路パ
ターンが形成された半導体ウェハのレーザ加工点で反射
するレーザ光を対物レンズを介してＸＹＺステージ上に
置かれた上記半導体ウェハツバターン面上に走査させて
、そのパターン面からの反射光を検出し、その反射光の
検出出力から上記半導体ウェハ上の上記レーザ加工点の
位置を検出し、その位置検出出力により、上記レーザ加
工点が上記対物レンズの光軸上に位置するように上記ｘ
ｙｚステージを上記対物レンズの光軸方向であるＺ方向
に垂直なＸＹ力方向動かし、その動かした位置で、加工
用レーザからの上記レーザ加工点で吸収されるレーザ光
を上記対物レンズを介して上記レーザ加工点に照射する
。
ターンが形成された半導体ウェハのレーザ加工点で反射
するレーザ光を対物レンズを介してＸＹＺステージ上に
置かれた上記半導体ウェハツバターン面上に走査させて
、そのパターン面からの反射光を検出し、その反射光の
検出出力から上記半導体ウェハ上の上記レーザ加工点の
位置を検出し、その位置検出出力により、上記レーザ加
工点が上記対物レンズの光軸上に位置するように上記ｘ
ｙｚステージを上記対物レンズの光軸方向であるＺ方向
に垂直なＸＹ力方向動かし、その動かした位置で、加工
用レーザからの上記レーザ加工点で吸収されるレーザ光
を上記対物レンズを介して上記レーザ加工点に照射する
。
請求項２の発明においては、照明用光源からの照明光を
対物レンズを介してＸＹＺステージ上に置かれた回路パ
ターンが形成された半導体ウェハのパターン面上に照射
して、そのパターン面をビデオカメラにより撮影し、そ
のビデオカメラの出力を請求項１の発明における半導体
ウェハのパターン面からの反射光の検出出力に代える。
対物レンズを介してＸＹＺステージ上に置かれた回路パ
ターンが形成された半導体ウェハのパターン面上に照射
して、そのパターン面をビデオカメラにより撮影し、そ
のビデオカメラの出力を請求項１の発明における半導体
ウェハのパターン面からの反射光の検出出力に代える。
「作 用」
上記の方法をとる請求項１または２の発明のレーザ加工
方法においては、走査用レーザからのレーザ光をＸＹＺ
ステージ上に置かれた半導体ウェハのパターン面上に走
査させたときのパターン面からの反射光の検出出力から
、またはビデオカメラによりＸＹＺステージ上に置かれ
た半導体ウェハのパターン面を撮影したときのビデオカ
メラの出力から、半導体ウェハ上のレーザ加工点の位置
を直接検出するので、半導体ウェハ上のレーザ加工点の
位置を正確に検出することができ、加工用レーザからの
レーザ光を半導体ウェハ上のレーザ加工点に確実に照射
することができる。
方法においては、走査用レーザからのレーザ光をＸＹＺ
ステージ上に置かれた半導体ウェハのパターン面上に走
査させたときのパターン面からの反射光の検出出力から
、またはビデオカメラによりＸＹＺステージ上に置かれ
た半導体ウェハのパターン面を撮影したときのビデオカ
メラの出力から、半導体ウェハ上のレーザ加工点の位置
を直接検出するので、半導体ウェハ上のレーザ加工点の
位置を正確に検出することができ、加工用レーザからの
レーザ光を半導体ウェハ上のレーザ加工点に確実に照射
することができる。
「実施例」
第１図は、請求項１の発明のレーザ加工方法を実現する
レーザ加工装置の一例で、ＸＹｚステージ１１上には、
第３図に示すように例えばポリシリコン層によるレーザ
加工点２ａを有するチップ２が形成された半導体ウェハ
１を真空吸着などにより固定して置く。
レーザ加工装置の一例で、ＸＹｚステージ１１上には、
第３図に示すように例えばポリシリコン層によるレーザ
加工点２ａを有するチップ２が形成された半導体ウェハ
１を真空吸着などにより固定して置く。
そして、走査用レーザ１２からの半導体ウェハ１の上記
のレーザ加工点２ａで反射するレーザ光１３ａをビーム
エキスパンダ１４およびＸＹ偏向手段１５を介してミラ
ー１６で反射させたのちビームスプリッタ１７．１８お
よび対物レンズ１９を介して半導体ウェハ１のパターン
面１ａに入射させ、そのパターン面１ａからの反射光１
３ｂを対物レンズ１９およびビームスプリッタ１８．１
７を介して対物レンズ１９の共焦点位置に配したピンホ
ール２１を通過させたのち受光器２２に入射させ、受光
器２２の出力を検出制御部２３に供給して、まず、走査
用レーザ１２からのレーザ光１３ａが半導体ウェハ１の
パターン面ｌａ上に焦点を結ぶように駆動機構２４によ
りＸＹＺステージ１１を対物レンズ１９の光軸方向であ
るＺ方向に動かした上で、検出制御部２３からＸＹ偏向
手段１５にＸＹ偏向信号を供給することにより走査用レ
ーザ１２からのレーザ光１３ａを半導体ウェハ１のパタ
ーン面ｌａ上においてＺ方向に垂直なＸＹ力方向走査さ
せて、検出制御部２３において受光器２２の出力と上記
のＸＹ偏向信号とから半導体ウェハ１上の上記のレーザ
加工点２ａの位置を検出する。走査用レーザ１２として
は、具体的にはレーザ光１３ａとして波長が５３２ナノ
メートルのものを発するヘリウムネオンレーザを用いる
ことができる。
のレーザ加工点２ａで反射するレーザ光１３ａをビーム
エキスパンダ１４およびＸＹ偏向手段１５を介してミラ
ー１６で反射させたのちビームスプリッタ１７．１８お
よび対物レンズ１９を介して半導体ウェハ１のパターン
面１ａに入射させ、そのパターン面１ａからの反射光１
３ｂを対物レンズ１９およびビームスプリッタ１８．１
７を介して対物レンズ１９の共焦点位置に配したピンホ
ール２１を通過させたのち受光器２２に入射させ、受光
器２２の出力を検出制御部２３に供給して、まず、走査
用レーザ１２からのレーザ光１３ａが半導体ウェハ１の
パターン面ｌａ上に焦点を結ぶように駆動機構２４によ
りＸＹＺステージ１１を対物レンズ１９の光軸方向であ
るＺ方向に動かした上で、検出制御部２３からＸＹ偏向
手段１５にＸＹ偏向信号を供給することにより走査用レ
ーザ１２からのレーザ光１３ａを半導体ウェハ１のパタ
ーン面ｌａ上においてＺ方向に垂直なＸＹ力方向走査さ
せて、検出制御部２３において受光器２２の出力と上記
のＸＹ偏向信号とから半導体ウェハ１上の上記のレーザ
加工点２ａの位置を検出する。走査用レーザ１２として
は、具体的にはレーザ光１３ａとして波長が５３２ナノ
メートルのものを発するヘリウムネオンレーザを用いる
ことができる。
次に、検出制御部２３においてはレーザ加工点２ａの位
置の検出出力により駆動機構２４を制御してレーザ加工
点２ａが対物レンズ１９の光軸上に位置するようにχＹ
Ｚステージ１１をＸＹ力方向動かし、次に、その動かし
た位置で加工用レーザ２５からのレーザ加工点２ａで吸
収されるレーザ光２６をビームスプリンタ１８および対
物レンズ１９を介してレーザ加工点２ａに照射してレー
ザ加工点２ａに所期の加工を施す。加工用レーザ２５と
しては、具体的にはレーザ光２６として波長が１０４７
ナノメードルのものを発するＹＬＦレーザを用いること
ができる。
置の検出出力により駆動機構２４を制御してレーザ加工
点２ａが対物レンズ１９の光軸上に位置するようにχＹ
Ｚステージ１１をＸＹ力方向動かし、次に、その動かし
た位置で加工用レーザ２５からのレーザ加工点２ａで吸
収されるレーザ光２６をビームスプリンタ１８および対
物レンズ１９を介してレーザ加工点２ａに照射してレー
ザ加工点２ａに所期の加工を施す。加工用レーザ２５と
しては、具体的にはレーザ光２６として波長が１０４７
ナノメードルのものを発するＹＬＦレーザを用いること
ができる。
このように請求項１の発明のレーザ加工方法においては
、走査用レーザ１２からのレーザ光１３ａをＸＹＺステ
ージ１１上に置かれた半導体ウェハ１のパターン面ｌａ
上に走査されたときのパターン面１ａからの反射光１３
ｂの検出出力からレーザ加工点２ａの位置を直接検出す
るので、レーザ加工点２ａの位置を正確に検出すること
ができ、加工用レーザ２５からのレーザ光２６をレーザ
加工点２ａに確実に照射することができる。
、走査用レーザ１２からのレーザ光１３ａをＸＹＺステ
ージ１１上に置かれた半導体ウェハ１のパターン面ｌａ
上に走査されたときのパターン面１ａからの反射光１３
ｂの検出出力からレーザ加工点２ａの位置を直接検出す
るので、レーザ加工点２ａの位置を正確に検出すること
ができ、加工用レーザ２５からのレーザ光２６をレーザ
加工点２ａに確実に照射することができる。
第２図は、請求項２の発明のレーザ加工方法を実現する
レーザ加工装置の一例である。
レーザ加工装置の一例である。
この場合には、ｘＹＺステージ１１上に第３図に示した
ような半導体ウェハＩを真空吸着などにより固定して置
いた状態で、照明用光源２７からの照明光２８ａをミラ
ー１６で反射させたのちビームスプリッタ１７．１８お
よび対物レンズ１９を介して半導体ウェハ１のパターン
面ｌａ上に照射し、そのパターン面１ａからの反射光２
８ｂを対物レンズ１９およびビームスプリッタ１８．１
７を介してＣＯＤカメラなどのビデオカメラ２９に入射
させることによってパターン面１ａをビデオカメラ２９
により撮影し、そのビデオカメラ２９の出力をパターン
認識部３１に供給することによってパターン認識部３１
において半導体ウェハ１上の上記のレーザ加工点２ａの
位置を検出する。
ような半導体ウェハＩを真空吸着などにより固定して置
いた状態で、照明用光源２７からの照明光２８ａをミラ
ー１６で反射させたのちビームスプリッタ１７．１８お
よび対物レンズ１９を介して半導体ウェハ１のパターン
面ｌａ上に照射し、そのパターン面１ａからの反射光２
８ｂを対物レンズ１９およびビームスプリッタ１８．１
７を介してＣＯＤカメラなどのビデオカメラ２９に入射
させることによってパターン面１ａをビデオカメラ２９
により撮影し、そのビデオカメラ２９の出力をパターン
認識部３１に供給することによってパターン認識部３１
において半導体ウェハ１上の上記のレーザ加工点２ａの
位置を検出する。
次に、制御部３２においてパターン認識部３１からのレ
ーザ加工点２ａの位置の検出出力により駆動機構２４を
制御してレーザ加工点２ａが対物レンズ１９の光軸上に
位置するようにＸＹｚステージ１１をχＹ力方向動かし
、次に、その動かした位置で加工用レーザ２５からのレ
ーザ加工点２ａで吸収されるレーザ光２６をビームスプ
リッタ１８および対物レンズ１９を介してレーザ加工点
２ａに照射してレーザ加工点２ａに所期の加工を施す。
ーザ加工点２ａの位置の検出出力により駆動機構２４を
制御してレーザ加工点２ａが対物レンズ１９の光軸上に
位置するようにＸＹｚステージ１１をχＹ力方向動かし
、次に、その動かした位置で加工用レーザ２５からのレ
ーザ加工点２ａで吸収されるレーザ光２６をビームスプ
リッタ１８および対物レンズ１９を介してレーザ加工点
２ａに照射してレーザ加工点２ａに所期の加工を施す。
このように請求項２の発明のレーザ加工方法においては
、ビデオカメラ２９によりＸＹｚステージ１１上に置か
れた半導体ウェハ１のパターン面１ａを撮影したときの
ビデオカメラ２９の出力からレーザ加工点２ａの位置を
直接検出するので、レーザ加工点２ａの位置を正確に検
出することができ、加工用レーザ２５からのレーザ光２
６をレーザ加工点２ａに確実に照射することができる。
、ビデオカメラ２９によりＸＹｚステージ１１上に置か
れた半導体ウェハ１のパターン面１ａを撮影したときの
ビデオカメラ２９の出力からレーザ加工点２ａの位置を
直接検出するので、レーザ加工点２ａの位置を正確に検
出することができ、加工用レーザ２５からのレーザ光２
６をレーザ加工点２ａに確実に照射することができる。
「発明の効果Ｊ
上述したように、請求項１または２の発明によれば、半
導体ウェハ上のレーザ加工点の位置を正確に検出するこ
とができ、加工用レーザからのレーザ光を半導体ウェハ
上のレーザ加工点に確実に照射することができる。
導体ウェハ上のレーザ加工点の位置を正確に検出するこ
とができ、加工用レーザからのレーザ光を半導体ウェハ
上のレーザ加工点に確実に照射することができる。
第１図は、請求項１の発明のレーザ加工方法を実現する
レーザ加工装置の一例を゛示す図、第２図は、請求項２
の発明のレーザ加工方法を実現するレーザ加工装置の一
例を示す図、第３図は、請求項１または２の発明のレー
ザ加工方法によってレーザ加工する半導体ウェハの一例
を概略的に示す図、第４図は、従来のレーザ加工方法に
よってレーザ加工する半導体ウェハの一例を概略的に示
す図、第５図は、従来のレーザ加工方法を実現するレー
ザ加工装置の一例を示す図、第６図は、半導体ウェハ上
に形成されたチップの実際の形状および位置の設計上の
形状および位置に対するずれの種々の態様を示す図であ
る。
レーザ加工装置の一例を゛示す図、第２図は、請求項２
の発明のレーザ加工方法を実現するレーザ加工装置の一
例を示す図、第３図は、請求項１または２の発明のレー
ザ加工方法によってレーザ加工する半導体ウェハの一例
を概略的に示す図、第４図は、従来のレーザ加工方法に
よってレーザ加工する半導体ウェハの一例を概略的に示
す図、第５図は、従来のレーザ加工方法を実現するレー
ザ加工装置の一例を示す図、第６図は、半導体ウェハ上
に形成されたチップの実際の形状および位置の設計上の
形状および位置に対するずれの種々の態様を示す図であ
る。
Claims (2)
- （１）走査用レーザからの回路パターンが形成された半
導体ウェハのレーザ加工点で反射するレーザ光を対物レ
ンズを介してＸＹＺステージ上に置かれた上記半導体ウ
ェハのパターン面上に走査させて、そのパターン面から
の反射光を検出し、 その反射光の検出出力から上記半導体ウェハ上の上記レ
ーザ加工点の位置を検出し、 その位置検出出力により、上記レーザ加工点が上記対物
レンズの光軸上に位置するように上記ＸＹＺステージを
上記対物レンズの光軸方向であるＺ方向に垂直なＸＹ方
向に動かし、 その動かした位置で、加工用レーザからの上記レーザ加
工点で吸収されるレーザ光を上記対物レンズを介して上
記レーザ加工点に照射する、半導体ウェハのレーザ加工
方法。 - （２）照明用光源からの照明光を対物レンズを介してＸ
ＹＺステージ上に置かれた回路パターンが形成された半
導体ウェハのパターン面上に照射して、そのパターン面
をビデオカメラにより撮影し、 そのビデオカメラの出力から上記半導体ウェハ上の上記
レーザ加工点の位置を検出し、 その位置検出出力により、上記レーザ加工点が上記対物
レンズの光軸上に位置するように上記ＸＹＺステージを
上記対物レンズの光軸方向であるＺ方向に垂直なＸＹ方
向に動かし、 その動かした位置で、加工用レーザからの上記レーザ加
工点で吸収されるレーザ光を上記対物レンズを介して上
記レーザ加工点に照射する、半導体ウェハのレーザ加工
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2160269A JPH0449680A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 半導体ウェハのレーザ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2160269A JPH0449680A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 半導体ウェハのレーザ加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0449680A true JPH0449680A (ja) | 1992-02-19 |
Family
ID=15711351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2160269A Pending JPH0449680A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 半導体ウェハのレーザ加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0449680A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085353A (ja) * | 2000-08-10 | 2001-03-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー処理方法 |
| JP2002321080A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-05 | Tokyo Instruments Inc | レーザ微細加工用オートフォーカス装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226872A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-04 | Toshiba Corp | 光バイパス機構付き光伝送装置 |
| JPS62144891A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | レ−ザ加工装置 |
| JPH01273683A (ja) * | 1988-04-27 | 1989-11-01 | Toshiba Corp | レーザ加工装置 |
-
1990
- 1990-06-18 JP JP2160269A patent/JPH0449680A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226872A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-04 | Toshiba Corp | 光バイパス機構付き光伝送装置 |
| JPS62144891A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | レ−ザ加工装置 |
| JPH01273683A (ja) * | 1988-04-27 | 1989-11-01 | Toshiba Corp | レーザ加工装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085353A (ja) * | 2000-08-10 | 2001-03-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー処理方法 |
| JP2002321080A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-05 | Tokyo Instruments Inc | レーザ微細加工用オートフォーカス装置 |
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