JPH0449691B2 - - Google Patents
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- JPH0449691B2 JPH0449691B2 JP59157020A JP15702084A JPH0449691B2 JP H0449691 B2 JPH0449691 B2 JP H0449691B2 JP 59157020 A JP59157020 A JP 59157020A JP 15702084 A JP15702084 A JP 15702084A JP H0449691 B2 JPH0449691 B2 JP H0449691B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- cell
- injection hole
- crystal cell
- smectic
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、表示装置等の電気光学装置の製造方
法、特に、強誘電性液晶であるスメクテイツク液
晶を用いたスメクテイツク液晶素子の製造方法に
関する。
法、特に、強誘電性液晶であるスメクテイツク液
晶を用いたスメクテイツク液晶素子の製造方法に
関する。
近項、テレビ、パーソナル・コンピユータ等の
情報機器の急速な普及に伴つて表示装置の需要も
大幅に増大している。これらの表示装置として
は、その表示容量の大きさから、圧倒的にCRT
が用いられている。これに対し、液晶表示装置
は、薄型になるという優位性を持つているが、表
示容量が小さいという弱点のために、少し大きな
画面ではまつたく用いられていない。
情報機器の急速な普及に伴つて表示装置の需要も
大幅に増大している。これらの表示装置として
は、その表示容量の大きさから、圧倒的にCRT
が用いられている。これに対し、液晶表示装置
は、薄型になるという優位性を持つているが、表
示容量が小さいという弱点のために、少し大きな
画面ではまつたく用いられていない。
本発明者は、このような従来の液晶表示装置の
限界を打破する、まつたく新しい表示方式のカイ
ラルスメクテイツク液晶を用いた表示装置を発明
し、別途出願している。
限界を打破する、まつたく新しい表示方式のカイ
ラルスメクテイツク液晶を用いた表示装置を発明
し、別途出願している。
従来からスメクテイツク液晶を用いた液晶表示
素子は知られていた。たとえば、特開昭56−
107216号公報、特開昭59−34516号公報に開示さ
れている。
素子は知られていた。たとえば、特開昭56−
107216号公報、特開昭59−34516号公報に開示さ
れている。
強誘電性液晶は、1975年Meyer（J.de.phys.36、
69、1975）らにより合成されその存在が証明され
た。
69、1975）らにより合成されその存在が証明され
た。
その時合成された液晶は通称DOBAMBC（２
−メチルブチルＰ−〔（Ｐ−ｎ−デシロキシベンジ
リデン）アミノ〕） と呼ばれ、現在でも強誘電性液晶の研究に盛んに
使われている。一般にカイラルスメクテイツク液
晶は第３図に示すような分子配列をしている。
−メチルブチルＰ−〔（Ｐ−ｎ−デシロキシベンジ
リデン）アミノ〕） と呼ばれ、現在でも強誘電性液晶の研究に盛んに
使われている。一般にカイラルスメクテイツク液
晶は第３図に示すような分子配列をしている。
すなわち、第３図Ａに示すように液晶分子１は
層状をなしている。各層の液晶分子の長軸方向は
層内で一定であるが、層ごとに層の法線方向Ａに
対してθ傾いており、しかも傾きの方向は回転
しており、全体としてらせん構造をとる。
層状をなしている。各層の液晶分子の長軸方向は
層内で一定であるが、層ごとに層の法線方向Ａに
対してθ傾いており、しかも傾きの方向は回転
しており、全体としてらせん構造をとる。
カイラルスメクテイツク液晶はらせん構造をと
るが、そのらせんの周期は通常数μｍ程度であ
る。カイラルスメクテイツク液晶をらせんの周期
よりも薄い1μｍから3μｍ程度の間隙を有するセ
ルに注入するとらせん構造が消滅する。らせん構
造が消失した後の分子配列構造が第４図に示され
ている。第４図は液晶セルを平面的に見た場合の
図であり、液晶分子はセル基板に対して平行にな
る。すなわち、液晶分子の長軸が基板と平行にな
り、かつ、層の法線方向Ａから＋θまたは−θ傾
いた状態をとる。二つの状態は共に安定であつ
て、電圧を印加することにより両状態間で転移が
起り、これを表示に利用するのである。
るが、そのらせんの周期は通常数μｍ程度であ
る。カイラルスメクテイツク液晶をらせんの周期
よりも薄い1μｍから3μｍ程度の間隙を有するセ
ルに注入するとらせん構造が消滅する。らせん構
造が消失した後の分子配列構造が第４図に示され
ている。第４図は液晶セルを平面的に見た場合の
図であり、液晶分子はセル基板に対して平行にな
る。すなわち、液晶分子の長軸が基板と平行にな
り、かつ、層の法線方向Ａから＋θまたは−θ傾
いた状態をとる。二つの状態は共に安定であつ
て、電圧を印加することにより両状態間で転移が
起り、これを表示に利用するのである。
ところが、上記スメクテイツク液晶は一般に室
温で糊状であり、流動性がないため、また、セル
間隙を非常に小さくする必要があるため、セルに
スメクテイツク液晶を短時間で封入するのは非常
に難しい。
温で糊状であり、流動性がないため、また、セル
間隙を非常に小さくする必要があるため、セルに
スメクテイツク液晶を短時間で封入するのは非常
に難しい。
この発明は、セル間隙が非常に小さくても、ス
メクテイツク液晶を容易に、かつ、短時間でセル
内に注入することができるスメクテイツク液晶素
子の製造方法を提供することを目的とするもので
ある。
メクテイツク液晶を容易に、かつ、短時間でセル
内に注入することができるスメクテイツク液晶素
子の製造方法を提供することを目的とするもので
ある。
本発明の製造方法は、上記問題点を解決するも
のであり、少なくとも一方が透明な上下基板間周
辺部を接着層で接着して空隙を設け液晶セルを形
成する工程と、この液晶セルに設けられた液晶注
入孔近傍の基板上にスメクテイツク液晶を塗布す
る工程と、液晶セルを真空中に置き内部の空気を
排除する工程と、その後、前記液晶セルを加熱し
て前記スメクテイツク液晶の流動性を上げ、これ
によつて液晶注入孔をふさぐ工程と、その後、液
晶セル外部の真空度を下げる工程と、前記液晶注
入孔に封止材を充填する工程とからなる。
のであり、少なくとも一方が透明な上下基板間周
辺部を接着層で接着して空隙を設け液晶セルを形
成する工程と、この液晶セルに設けられた液晶注
入孔近傍の基板上にスメクテイツク液晶を塗布す
る工程と、液晶セルを真空中に置き内部の空気を
排除する工程と、その後、前記液晶セルを加熱し
て前記スメクテイツク液晶の流動性を上げ、これ
によつて液晶注入孔をふさぐ工程と、その後、液
晶セル外部の真空度を下げる工程と、前記液晶注
入孔に封止材を充填する工程とからなる。
このように液晶注入孔近傍の基板上に糊状のス
メクテイツク液晶を塗布し、液晶セル内の空気を
排除した後、液晶セルを加熱していくと、スメク
テイツク液晶は液体に、あるいはコレステリツク
液晶等に相転移し、流動性が上がる。すると、こ
の流動化した液晶は基板上に広がり液晶注入孔を
ふさぐことになる。その後、液晶セル外部の真空
度を下げれば、そのガス圧によつて液晶はセル内
に導入されることになる。
メクテイツク液晶を塗布し、液晶セル内の空気を
排除した後、液晶セルを加熱していくと、スメク
テイツク液晶は液体に、あるいはコレステリツク
液晶等に相転移し、流動性が上がる。すると、こ
の流動化した液晶は基板上に広がり液晶注入孔を
ふさぐことになる。その後、液晶セル外部の真空
度を下げれば、そのガス圧によつて液晶はセル内
に導入されることになる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
第１図において、１２は上基板、１３は下基板
であり、少なくとも上基板１２はガラスなどの透
明材料で形成される。上基板１２と下基板１３は
接着層１４を用いて互いに対向配置するように貼
り合わされる。この際、２枚の基板の間隙が１〜
３μｍの間で一定に保持されるよう、基板間に所
定の径のグラスフアイバー片あるいはアルミナ粒
子等のスペーサをまぶして両基板を外側から押圧
する。これらグラスフアイバー片、アルミナ粒子
等を接着層１４中に混合し、この混合接着層１４
をスペーサとして兼用することもできる。また、
上基板１２と下基板１３は完全に一致してはおら
ず、下基板１３は上基板からはみ出している。
であり、少なくとも上基板１２はガラスなどの透
明材料で形成される。上基板１２と下基板１３は
接着層１４を用いて互いに対向配置するように貼
り合わされる。この際、２枚の基板の間隙が１〜
３μｍの間で一定に保持されるよう、基板間に所
定の径のグラスフアイバー片あるいはアルミナ粒
子等のスペーサをまぶして両基板を外側から押圧
する。これらグラスフアイバー片、アルミナ粒子
等を接着層１４中に混合し、この混合接着層１４
をスペーサとして兼用することもできる。また、
上基板１２と下基板１３は完全に一致してはおら
ず、下基板１３は上基板からはみ出している。
接着層１４は下基板１３の周辺部20〜５０μｍ
程度の厚みにスクリーン印刷等の方法で形成され
る。接着層１４としてはエポキシ樹脂、低融点ガ
ラス等が用いられる。この接着層１４は、下基板
１３周辺部の上基板１２と重なり合う部分からは
み出した部分にまで伸びており、全体として閉じ
た長方形をなしている。したがつて、上下基板を
貼り合わせた後においては、この接着層１４は、
上下基板の重なり合つた部分では数μｍの厚みに
つぶされるが、はみ出した部分上では20〜50μｍ
の厚みを維持している。
程度の厚みにスクリーン印刷等の方法で形成され
る。接着層１４としてはエポキシ樹脂、低融点ガ
ラス等が用いられる。この接着層１４は、下基板
１３周辺部の上基板１２と重なり合う部分からは
み出した部分にまで伸びており、全体として閉じ
た長方形をなしている。したがつて、上下基板を
貼り合わせた後においては、この接着層１４は、
上下基板の重なり合つた部分では数μｍの厚みに
つぶされるが、はみ出した部分上では20〜50μｍ
の厚みを維持している。
このように液晶セルが形成された後、第２図の
工程ブロツク図に示されるように、糊状のカイラ
ルスメクテイツク液晶が基板上に塗布される。
工程ブロツク図に示されるように、糊状のカイラ
ルスメクテイツク液晶が基板上に塗布される。
このように上下基板が貼り合わされた後、前記
下基板１３のはみ出した部分上の接着層１４ａと
上基板１２との間の下基板上に適当量のカイラル
スメクテイツク液晶１５が塗布される。その後、
この液晶セルは真空中に放置され内部の空気が排
除される。この際、セルの２側面すべてが排気孔
として機能するため排気速度は大幅に向上する。
下基板１３のはみ出した部分上の接着層１４ａと
上基板１２との間の下基板上に適当量のカイラル
スメクテイツク液晶１５が塗布される。その後、
この液晶セルは真空中に放置され内部の空気が排
除される。この際、セルの２側面すべてが排気孔
として機能するため排気速度は大幅に向上する。
その後、セルをカイラルスメクテイツク液晶が
液体状態になるまで、あるいはコレステリツク相
等になるまで加熱すると、下基板上に塗布されて
いる糊状のカイラルスメクテイツク液晶１５は流
動性を増し下基板１３上に広がり、上下基板のす
き間をふさぐことになる。しかしながら、下基板
１３のはみ出した部分上にまで接着層が形成され
ており、これが堰１４ａとして機能するため、液
晶が下基板上に広く流れ出てしまうということは
ない。下基板１３と上基板１２の側面と堰１４ａ
の存在、および表面張力とにより、流動化した液
晶は盛り上つた状態を保ち、堰１４ａの外へ流れ
出ないようにすることができる。
液体状態になるまで、あるいはコレステリツク相
等になるまで加熱すると、下基板上に塗布されて
いる糊状のカイラルスメクテイツク液晶１５は流
動性を増し下基板１３上に広がり、上下基板のす
き間をふさぐことになる。しかしながら、下基板
１３のはみ出した部分上にまで接着層が形成され
ており、これが堰１４ａとして機能するため、液
晶が下基板上に広く流れ出てしまうということは
ない。下基板１３と上基板１２の側面と堰１４ａ
の存在、および表面張力とにより、流動化した液
晶は盛り上つた状態を保ち、堰１４ａの外へ流れ
出ないようにすることができる。
次に液晶セル外部の真空度を下げる。すると、
セル内部は高真空を保つているため、上下基板間
のすき間をふさいでいる流動化した液晶はこのす
き間からセル内部に圧入されていくことになる。
この際、前述のように液晶が盛り上つた状態を保
つているため、外部ガス圧によつて液晶は有効に
かつ、容易にセル内に導入される。また、上下基
板間のすき間１６がセルの２側面すべてにわたつ
て液晶注入孔としても機能するため、液晶充填速
度を大幅に向上させることができる。
セル内部は高真空を保つているため、上下基板間
のすき間をふさいでいる流動化した液晶はこのす
き間からセル内部に圧入されていくことになる。
この際、前述のように液晶が盛り上つた状態を保
つているため、外部ガス圧によつて液晶は有効に
かつ、容易にセル内に導入される。また、上下基
板間のすき間１６がセルの２側面すべてにわたつ
て液晶注入孔としても機能するため、液晶充填速
度を大幅に向上させることができる。
液晶充填後、この液晶注入孔１６として用いた
上下基板間のすき間に、たとえばシリコンゴム接
着剤等の注入孔封止材が押し込まれ、セルは封止
されスメクテイツク液晶素子は完成する。
上下基板間のすき間に、たとえばシリコンゴム接
着剤等の注入孔封止材が押し込まれ、セルは封止
されスメクテイツク液晶素子は完成する。
第５図は他の実施例を示すものである。
第５図において、５２は上基板、５３は下基
板、５４は接着層、５４ａは堰、５５はカイラル
スメクテイツク液晶であり、上基板５２と下基板
５３を接着層５４およびスペーサを用いて一定の
間隔を保持し貼り合わせる点では第１図の実施例
と同じである。
板、５４は接着層、５４ａは堰、５５はカイラル
スメクテイツク液晶であり、上基板５２と下基板
５３を接着層５４およびスペーサを用いて一定の
間隔を保持し貼り合わせる点では第１図の実施例
と同じである。
しかしながら、接着層５４が、上基板５２と下
基板５３の重なり合つた部分の周辺部に設けら
れ、その一部のみが切り欠かれ液晶注入孔５６を
形成している点、および堰５４ａが接着層５４と
は別に設けられている点が異なつている。
基板５３の重なり合つた部分の周辺部に設けら
れ、その一部のみが切り欠かれ液晶注入孔５６を
形成している点、および堰５４ａが接着層５４と
は別に設けられている点が異なつている。
堰５４ａは液晶注入孔５６の近傍、下基板５３
延長部上に、注入孔５６開口面に対しほぼ垂直な
方向に伸びるようにシリコンゴム接着剤などで形
成されている。この堰５４ａは前記接着層５４と
接触するように注入孔５６の両側に設けられてお
り、糊状のカイラルスメクテイツク液晶はこの２
本の堰の間の下基板５３上、注入孔５６寄りに塗
布される。その後、真空引き、加熱を行なうと、
液晶は流動性が増すが、表面張力により、堰５４
ａおよび上基板５２側面に付着するように盛り上
つた状態で上基板の側面に沿つて広がつていくた
め、第５図に示すように、注入孔５６と反対側の
堰５５端部が開いていても、この堰の開口部から
液晶が流れ出してしまうことはなく、ことさら閉
じていなければならないというものではない。次
に、真空度を下げてカイラルスメクテイツク液晶
を注入し、注入孔５６を封止すればスメクテイツ
ク液晶素子ができあがる。
延長部上に、注入孔５６開口面に対しほぼ垂直な
方向に伸びるようにシリコンゴム接着剤などで形
成されている。この堰５４ａは前記接着層５４と
接触するように注入孔５６の両側に設けられてお
り、糊状のカイラルスメクテイツク液晶はこの２
本の堰の間の下基板５３上、注入孔５６寄りに塗
布される。その後、真空引き、加熱を行なうと、
液晶は流動性が増すが、表面張力により、堰５４
ａおよび上基板５２側面に付着するように盛り上
つた状態で上基板の側面に沿つて広がつていくた
め、第５図に示すように、注入孔５６と反対側の
堰５５端部が開いていても、この堰の開口部から
液晶が流れ出してしまうことはなく、ことさら閉
じていなければならないというものではない。次
に、真空度を下げてカイラルスメクテイツク液晶
を注入し、注入孔５６を封止すればスメクテイツ
ク液晶素子ができあがる。
なお、この実施例においても、堰５４ａを接着
層５４と同じ材質、たとえばエポキシ系接着剤
で、接着層５４と同時にスクリーン印刷等の方法
で形成してもよい。また、液晶注入孔をセル側面
でなく、上基板１２，５２あるいは下基板１３，
５３に孔をあけて形成してもよい。
層５４と同じ材質、たとえばエポキシ系接着剤
で、接着層５４と同時にスクリーン印刷等の方法
で形成してもよい。また、液晶注入孔をセル側面
でなく、上基板１２，５２あるいは下基板１３，
５３に孔をあけて形成してもよい。
また、上記実施例ではカイラルスメクテイツク
液晶についてのみ説明してきたが、室温で糊状の
他のスメクテイツク液晶にも本発明の方法を適用
し得ることは言うまでもない。
液晶についてのみ説明してきたが、室温で糊状の
他のスメクテイツク液晶にも本発明の方法を適用
し得ることは言うまでもない。
第１図あるいは第５図の実施例のように、液晶
注入を左右複数個所から行なえば、液晶充填時間
が短縮されるばかりでなく、混合液晶の成分が分
離しにくくなり、均一な液晶材料を充填すること
ができる。
注入を左右複数個所から行なえば、液晶充填時間
が短縮されるばかりでなく、混合液晶の成分が分
離しにくくなり、均一な液晶材料を充填すること
ができる。
本発明の製造方法は、液晶セルに設けられた液
晶注入孔近傍の基板上にスメクテイツク液晶を塗
布し、液晶セルを真空中に置き内部の空気を排除
し、その後、前記液晶セルを加熱して前記スメク
テイツク液晶の流動性を上げ、これによつて液晶
注入孔をふさぎ、その後、液晶セル外部の真空度
を下げて液晶を注入した後、前記液晶注入孔に封
止材を充填するものであるから、セル間隙が非常
に小さくても、また、スメクテイツク液晶が糊状
であつても、きわめて容易に、かつ、短時間で液
晶をセル内に注入することができるという効果を
有する。
晶注入孔近傍の基板上にスメクテイツク液晶を塗
布し、液晶セルを真空中に置き内部の空気を排除
し、その後、前記液晶セルを加熱して前記スメク
テイツク液晶の流動性を上げ、これによつて液晶
注入孔をふさぎ、その後、液晶セル外部の真空度
を下げて液晶を注入した後、前記液晶注入孔に封
止材を充填するものであるから、セル間隙が非常
に小さくても、また、スメクテイツク液晶が糊状
であつても、きわめて容易に、かつ、短時間で液
晶をセル内に注入することができるという効果を
有する。
第１図は本発明の製造方法を説明するためのス
メクテイツク液晶素子平面図、第２図は本発明の
一実施例を示す工程ブロツクダイヤグラム、第３
図Ａ，Ｂおよび第４図はカイラルスメクテイツク
液晶の分子整列を示す説明図、第５図は本発明の
他の実施例を説明するためのスメクテイツク液晶
素子平面図である。 １２，５２……上基板、１３，５３……下基
板、１４，５４……接着層、１４ａ，５４ａ……
堰、１５，５５……カイラルスメクテイツク液
晶、１６，５６……液晶注入孔。
メクテイツク液晶素子平面図、第２図は本発明の
一実施例を示す工程ブロツクダイヤグラム、第３
図Ａ，Ｂおよび第４図はカイラルスメクテイツク
液晶の分子整列を示す説明図、第５図は本発明の
他の実施例を説明するためのスメクテイツク液晶
素子平面図である。 １２，５２……上基板、１３，５３……下基
板、１４，５４……接着層、１４ａ，５４ａ……
堰、１５，５５……カイラルスメクテイツク液
晶、１６，５６……液晶注入孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも一方が透明な上下基板間周辺部を
接着層で接着して空隙を設け液晶セルを形成する
工程と、この液晶セルに設けられた液晶注入孔近
傍の基板上にスメクテイツク液晶を塗布する工程
と、液晶セルを真空中に置き内部の空気を排除す
る工程と、その後、前記液晶セルを加熱して前記
スメクテイツク液晶の流動性を上げ、これによつ
て液晶注入孔をふさぐ工程と、その後、液晶セル
外部の真空度を下げる工程と、前記液晶注入孔に
封止材を充填する工程とからなるスメクテイツク
液晶素子の製造方法。 ２ 液晶注入孔を液晶セルの対向する側面にそれ
ぞれ形成し、液晶セルの両側から液晶を注入する
特許請求の範囲第１項記載のスメクテイツク液晶
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15702084A JPS6135429A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15702084A JPS6135429A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6135429A JPS6135429A (ja) | 1986-02-19 |
| JPH0449691B2 true JPH0449691B2 (ja) | 1992-08-12 |
Family
ID=15640425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15702084A Granted JPS6135429A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6135429A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2681267B2 (ja) * | 1986-04-21 | 1997-11-26 | キヤノン株式会社 | 液晶素子の製造方法 |
| JP2824819B2 (ja) * | 1992-12-25 | 1998-11-18 | キヤノン株式会社 | 液晶注入方法及び注入装置 |
| US5546998A (en) * | 1992-12-25 | 1996-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for vacuum injecting liquid crystal |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5875113A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子 |
-
1984
- 1984-07-27 JP JP15702084A patent/JPS6135429A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6135429A (ja) | 1986-02-19 |
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