JPH0449801B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0449801B2 JPH0449801B2 JP1178885A JP1178885A JPH0449801B2 JP H0449801 B2 JPH0449801 B2 JP H0449801B2 JP 1178885 A JP1178885 A JP 1178885A JP 1178885 A JP1178885 A JP 1178885A JP H0449801 B2 JPH0449801 B2 JP H0449801B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- port
- pin diode
- input
- variable
- hybrid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/22—Attenuating devices
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Attenuators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、マイクロ波通信などの分野で使用さ
れ、減衰量の可変範囲を大きくとることのできる
反射形可変減衰器に関する。
れ、減衰量の可変範囲を大きくとることのできる
反射形可変減衰器に関する。
従来、この種の可変減衰器として、3dBハイブ
リツド回路と２個のPINダイオードとを組み合せ
た形式の反射形可変減水器が用いられている。こ
の可変減衰器の従来例として、第３図の回路図を
参照して説明すると、７は3dBハイブリツド回
路、１は3dBハイブリツド回路の入力ポート、２
はアイソレーシヨンポート、３はカツプリングポ
ート、４は通過ポート、５ａ，５ｂはPINダイオ
ード、６はグランドで示している。RF入力信号
は入力ポート１から印加され、3dBハイブリツド
回路７においてカツプリングポート３および通過
ポート４にそれぞれ1/2ずつ分岐される。そして、
PINダイオード５ａおよび５ｂにそれぞれ流れる
電流を変化させることによつてダイオードの高周
波抵抗を変化させ、それぞれの分岐路の反射量を
制御している。ポート３および４を介してそれぞ
れ反射された信号は、それぞれアイソレーシヨン
ポート２へ出力信号として出力される。
リツド回路と２個のPINダイオードとを組み合せ
た形式の反射形可変減水器が用いられている。こ
の可変減衰器の従来例として、第３図の回路図を
参照して説明すると、７は3dBハイブリツド回
路、１は3dBハイブリツド回路の入力ポート、２
はアイソレーシヨンポート、３はカツプリングポ
ート、４は通過ポート、５ａ，５ｂはPINダイオ
ード、６はグランドで示している。RF入力信号
は入力ポート１から印加され、3dBハイブリツド
回路７においてカツプリングポート３および通過
ポート４にそれぞれ1/2ずつ分岐される。そして、
PINダイオード５ａおよび５ｂにそれぞれ流れる
電流を変化させることによつてダイオードの高周
波抵抗を変化させ、それぞれの分岐路の反射量を
制御している。ポート３および４を介してそれぞ
れ反射された信号は、それぞれアイソレーシヨン
ポート２へ出力信号として出力される。
第４図は、第３図におけるPINダイオード５
ａ，５ｂの等価回路を示す。この等価回路におい
て、Ｌはボンデイングワイヤのインダクタンス、
Ｃは接合容量のキヤパシタンス、Ｒは高周波抵抗
を示す。これらの値を用いて、PINダイオード部
分の入力インピーダンスZinを表わすと、 Zin＝jωL＋１／jωC＋Ｒ／１ となる。この入力インピーダンスZinがスミスチ
ヤートの実軸と交わる点を周波数の関数で表わす
と、 となる。上式において、周波数が高くなるにつれ
てZ1が小となり、スミスチヤートの中心から離れ
ていくことがわかる。そのために、反射係数が十
分に小さい値にならず、結果として可変減衰量の
可変範囲が小さくなるという欠点があつた。
ａ，５ｂの等価回路を示す。この等価回路におい
て、Ｌはボンデイングワイヤのインダクタンス、
Ｃは接合容量のキヤパシタンス、Ｒは高周波抵抗
を示す。これらの値を用いて、PINダイオード部
分の入力インピーダンスZinを表わすと、 Zin＝jωL＋１／jωC＋Ｒ／１ となる。この入力インピーダンスZinがスミスチ
ヤートの実軸と交わる点を周波数の関数で表わす
と、 となる。上式において、周波数が高くなるにつれ
てZ1が小となり、スミスチヤートの中心から離れ
ていくことがわかる。そのために、反射係数が十
分に小さい値にならず、結果として可変減衰量の
可変範囲が小さくなるという欠点があつた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記従来の欠点を除去し、使
用周波数が高くなつても減衰量の可変範囲を大き
くすることのできる可変減衰器を提供することに
ある。
用周波数が高くなつても減衰量の可変範囲を大き
くすることのできる可変減衰器を提供することに
ある。
本発明の構成は、3dBハイブリツド回路の入力
ポート及びアイソレーシヨンポートを入出力端子
とし、カツプリングポート及び通過ポートにそれ
ぞれ接地された可変抵抗素子としてのPINダイオ
ードを接続して構成される反射形可変減衰器にお
いて、前記カツプリングポート及び通過ポートと
前記PINダイオードとの間に、使用周波数におい
て前記PINダイオードのインピーダンスが前記
3dBハイブリツド回路の特性インピーダンスと一
致するような分布定数伝送線路を接続することを
特徴とする。
ポート及びアイソレーシヨンポートを入出力端子
とし、カツプリングポート及び通過ポートにそれ
ぞれ接地された可変抵抗素子としてのPINダイオ
ードを接続して構成される反射形可変減衰器にお
いて、前記カツプリングポート及び通過ポートと
前記PINダイオードとの間に、使用周波数におい
て前記PINダイオードのインピーダンスが前記
3dBハイブリツド回路の特性インピーダンスと一
致するような分布定数伝送線路を接続することを
特徴とする。
次に、本発明による反射形可変減衰器について
実施例を挙げ、図面を参照して説明する。
実施例を挙げ、図面を参照して説明する。
第１図は、本発明による実施例の回路図を示
す。この例は、3dBハイブリツド回路７のカツプ
リングポート３及び通過ポート４と、PINダイオ
ード５ａおよび５ｂのカソードとの間に、それぞ
れ１１ａおよび１１ｂの分布定数伝送線路が接続
されている点に、第３図の従来例と相違がある
が、他の要素には変わりがない。これによつてポ
ート３，４とグランド６との間の等価回路は第２
図のようになる。ここで分布定数伝送線路１１ａ
および１１ｂの特性インピーダンスZ2を、前述の
ごとく、PINダイオード５ａ，５ｂの入力インピ
ーダンス特性がスミスチヤート上の実軸で交わる
点の入力インピーダンスZ1と3dBハイブリツド回
路７の特性インピーダンスZ0とから Z2＝√0・1 と選び、かつその線路長を使用周波数帯の中心周
波数の1/4波長の長さに選定する。
す。この例は、3dBハイブリツド回路７のカツプ
リングポート３及び通過ポート４と、PINダイオ
ード５ａおよび５ｂのカソードとの間に、それぞ
れ１１ａおよび１１ｂの分布定数伝送線路が接続
されている点に、第３図の従来例と相違がある
が、他の要素には変わりがない。これによつてポ
ート３，４とグランド６との間の等価回路は第２
図のようになる。ここで分布定数伝送線路１１ａ
および１１ｂの特性インピーダンスZ2を、前述の
ごとく、PINダイオード５ａ，５ｂの入力インピ
ーダンス特性がスミスチヤート上の実軸で交わる
点の入力インピーダンスZ1と3dBハイブリツド回
路７の特性インピーダンスZ0とから Z2＝√0・1 と選び、かつその線路長を使用周波数帯の中心周
波数の1/4波長の長さに選定する。
このように回路を構成することによつて、分布
定数伝送線路１１ａおよび１１ｂは、それぞれ
PINダイオード５ａおよび５ｂの入力インピーダ
ンスZ1と、3dBハイブリツド回路７のポート３お
よび４の特性インピーダンスZ0との間を結合する
インピーダンス変換器として動作する。そのため
に、第１図の可変減衰器は反射係数が小さくな
り、挿入損が小さくなるため、減衰量の可変範囲
を大きくとることができる。
定数伝送線路１１ａおよび１１ｂは、それぞれ
PINダイオード５ａおよび５ｂの入力インピーダ
ンスZ1と、3dBハイブリツド回路７のポート３お
よび４の特性インピーダンスZ0との間を結合する
インピーダンス変換器として動作する。そのため
に、第１図の可変減衰器は反射係数が小さくな
り、挿入損が小さくなるため、減衰量の可変範囲
を大きくとることができる。
第５図は、従来例と実施例との間の特性の比較
を示すグラフである。このグラフにおいて、特性
Ａは第４図の等価回路における入力インピーダン
スの軌跡をスミスチヤート上に示したものであ
る。信号の周波数は11GHzで抵抗値Ｒを10Ωから
1000Ωまで数点変化させた場合についてプロツト
されている。また、特性Ｂは第２図の等価回路に
おける入力インピーダンスを、周波数11GHzで抵
抗値Ｒを従来例と同じように変化させた場合につ
いてプロツトしたものである。このグラフにおけ
る両者の比較から明らかなように実施例の方が反
射係数を小さくできることが判るであろう。
を示すグラフである。このグラフにおいて、特性
Ａは第４図の等価回路における入力インピーダン
スの軌跡をスミスチヤート上に示したものであ
る。信号の周波数は11GHzで抵抗値Ｒを10Ωから
1000Ωまで数点変化させた場合についてプロツト
されている。また、特性Ｂは第２図の等価回路に
おける入力インピーダンスを、周波数11GHzで抵
抗値Ｒを従来例と同じように変化させた場合につ
いてプロツトしたものである。このグラフにおけ
る両者の比較から明らかなように実施例の方が反
射係数を小さくできることが判るであろう。
以上の説明により明らかなように、本発明によ
れば、3dBハイブリツドのポートとPINダイオー
ドとの間に分布定数伝送線路を挿入することによ
つて、高い周波数帯においても減衰量の可変範囲
を大きくとることができ、活用面において得られ
る効果が大きい。
れば、3dBハイブリツドのポートとPINダイオー
ドとの間に分布定数伝送線路を挿入することによ
つて、高い周波数帯においても減衰量の可変範囲
を大きくとることができ、活用面において得られ
る効果が大きい。
第１図は本発明による実施例の構成を示す回路
図、第２図は、第１図におけるポート３，４とグ
ランド６との間の等価回路、第３図は従来の反射
形可変減衰器の構成例を示す回路図、第４図は、
第３図におけるPINダイオード５ａ，５ｂの等価
回路、第５図は従来例と実施例との間の特性の比
較を示すグラフである。 図において、１は3dBハイブリツドの入力ポー
ト、２は3dBハイブリツドのアイソレーシヨンポ
ート、３は3dBハイブリツドのカツプリングポー
ト、４は3dBハイブリツドの通過ポート、５ａ，
５ｂはPINダイオード、７は3dBハイブリツド、
１１ａ，１１ｂは分布定数伝送線路である。
図、第２図は、第１図におけるポート３，４とグ
ランド６との間の等価回路、第３図は従来の反射
形可変減衰器の構成例を示す回路図、第４図は、
第３図におけるPINダイオード５ａ，５ｂの等価
回路、第５図は従来例と実施例との間の特性の比
較を示すグラフである。 図において、１は3dBハイブリツドの入力ポー
ト、２は3dBハイブリツドのアイソレーシヨンポ
ート、３は3dBハイブリツドのカツプリングポー
ト、４は3dBハイブリツドの通過ポート、５ａ，
５ｂはPINダイオード、７は3dBハイブリツド、
１１ａ，１１ｂは分布定数伝送線路である。
Claims (1)
- １ 3dBハイブリツド回路の入力ポート及びアイ
ソレーシヨンポートを入出力端子とし、カツプリ
ングポート及び通過ポートにそれぞれ接地された
可変抵抗素子としてのPINダイオードを接続して
構成される反射形可変減衰器において、前記カツ
プリングポート及び通過ポートと前記PINダイオ
ードとの間に、使用周波数において前記PINダイ
オードのインピーダンスが前記3dBハイブリツド
回路の特性インピーダンスと一致するような分布
定数伝送線路を接続することを特徴とする反射形
可変減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1178885A JPS61172403A (ja) | 1985-01-26 | 1985-01-26 | 反射形可変減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1178885A JPS61172403A (ja) | 1985-01-26 | 1985-01-26 | 反射形可変減衰器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61172403A JPS61172403A (ja) | 1986-08-04 |
| JPH0449801B2 true JPH0449801B2 (ja) | 1992-08-12 |
Family
ID=11787662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1178885A Granted JPS61172403A (ja) | 1985-01-26 | 1985-01-26 | 反射形可変減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61172403A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3134031B2 (ja) * | 1993-12-27 | 2001-02-13 | 三菱電機株式会社 | アッテネータ |
| KR20000073806A (ko) * | 1999-05-14 | 2000-12-05 | 김영환 | 반사형 저위상 변화 가변 감쇄기 |
-
1985
- 1985-01-26 JP JP1178885A patent/JPS61172403A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61172403A (ja) | 1986-08-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3516024A (en) | Interdigitated strip line coupler | |
| US4074214A (en) | Microwave filter | |
| US7084717B2 (en) | Quadrature hybrid circuit | |
| US5066933A (en) | Band-pass filter | |
| US6608533B2 (en) | Matching circuit chip, filter with matching circuit, duplexer and cellular phone | |
| JPH02142201A (ja) | プレーナー電力結合／分割器装置 | |
| EP0836239A1 (en) | Balanced microstrip filter | |
| US4309666A (en) | Semiconductor amplifier | |
| US4754240A (en) | Pin diode attenuators | |
| US5235296A (en) | Directional coupler using a microstrip line | |
| CN114464973B (zh) | 基于中心频率连续可调的可重构滤波衰减器 | |
| JPS6053921B2 (ja) | ストリツプ線路形移相器 | |
| EP1544941A1 (en) | Matched microwave variable attenuator | |
| US4825177A (en) | Microwave amplifier and other microwave components | |
| US5175517A (en) | Lumped element realization of ring hybrids including π circuit and tank circuit means | |
| US4412351A (en) | Microwave mixing circuit | |
| JPS61172403A (ja) | 反射形可変減衰器 | |
| JPH03121601A (ja) | マイクロ波帯終端器 | |
| US5198787A (en) | Waveguide for dividing and combining microwaves | |
| CN117199759A (zh) | 频率可调滤波功分器及其设计方法 | |
| GB2285190A (en) | Variable attenuator using hybrid and PIN diodes | |
| RU2848917C1 (ru) | Неотражающий полосно-пропускающий фильтр на связанных квази-планарных полосковых линиях | |
| CA1082782A (en) | Directional coupler | |
| JPH11317606A (ja) | Ｐｉｎダイオードスイッチ | |
| JPS62241Y2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |