JPH0449831B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明はプルーミングを効果的に抑制し得る撮
像装置に関する。

（従来技術） 従来特開昭56−138371号公報に示される如く
CCD等の固体イメージセンサにおいてプルーミ
ング防止の為に、受光面にオーバー・フロー・ド
レインを設ける代わりに表面再結合を利用して過
剰キヤリアを消滅させるものが考えられている。

この方法によるものでは、受光面内の開口率を
犠牲にする事がないので感度が高く、又集積度を
向上させる事ができるので水平解像度がアツプす
る、等の利点を有する。

第１図〜第３図はこのような表面再結合による
ブルーミング防止方法について説明する為の図
で、第１図は一般的なフレーム・トランスフアー
型CCDの正面図である。

図中１は受光部で、感光性を有する複数の垂直
転送レジスタから成る。

又、２は蓄積部で、遮光された複数の垂直転送
レジスタから成る。

３は水平転送レジスタであつて、蓄積部２の各
垂直転送レジスタ内の情報を同時に１ビツトシフ
トする事によりこの水平転送レジスタに取り込
み、次いでレジスタ３を水平転送動作させる事に
より出力アンプ４からビデオ信号を得る事ができ
る。

一般に、受光部１の各垂直転送レジスタ内で形
成された情報は標準テルビジヨン方式における垂
直ブランキング期間内に、蓄積部２に垂直転送さ
れ、次の垂直走査期間内に水平転送レジスタ３よ
り順次１行ずつ読み出される。

尚、ここで受光部１、蓄積部２、水平転送レジ
スタ３は夫々２相駆動されるものとし、夫々の転
送電極をP₁，P₂，P₃，P₄，P₅，P₆とし、その転
送クロツクを（φp₁，φp₂），（φp₃，φp₄），（φp₅
，
φp₆）とする。

第２図はこのような転送電極P₁〜P₆下のポテ
ンンシヤル・プロフイールを示す図であつて、例
えばＰ型シリコン基板６に絶縁層５を介して設け
られた各電極下には、イオン注入等により電子か
ら見てポンテンシヤルの低い部分と高い部分とが
形成されており、例えば電極P₂，P₄，P₆にロー
レベルの電圧−V₁印加し、電極P₁，P₃，P₅にハ
イレベルの電圧V₂を印加した時には、図中実線
のようなポテンシヤルが形成される。又、電極
P₁，P₃，P₅にローレベル電圧V₁を印加し、電極
P₂，P₄，P₆にハイレベル電圧V₂印加した場合に
は図中破線のようなポテンシヤルが形成される。

従つて電極P₁，P₃，P₅と電極P₂，P₄，P₆とに
交番電圧を互いに逆位相で印加する事によりキヤ
リアは一方向（図では右方向）に順次転送されて
いく。

又、図中一点鎖線は電極に大きな正の電圧V₃
を印加した場合のポテンシヤルを示し、このポテ
ンシヤルのウエルは反転状態となる為、所定量以
上の過剰なキヤリアは多数キヤリアと再結合し消
滅してしまう。

第３図はこのような電極電圧と内部のポテンシ
ヤルの形状を半導体基板６の厚さ方向について示
した図で、図のように電極電圧V₃に対してはポ
テンシヤル・ウエルは浅くなり、過剰キヤリア絶
縁層との界面において多数キヤリアと再結合する
第２の状態となる。

一方、電極電圧−V₁においては第１の状態と
してのアキユムレーシヨン状態となり、界面周辺
に多数キヤリアが集まり易くなり、例えば不図示
のチヤネル・ストツパー領域からこの多数キヤリ
アが供給される。

従つて例えば電極P₂に電圧−V₁を印加する事
によつてバリアを形成した状態で、電圧P₁に電
圧−V₁とV₃とを交互に印加する事により、電極
P₁蓄積される小数キヤリアは所定量以下に制御
される。

しかし、このような電荷再結合を用いたイメー
ジセンサーでは再結合の為のクロツク信号が出力
信号に混入し雑音になるという欠点があつた。

（目的） 本発明はこのような従来技術の欠点を解消し得
る撮像装置を提供する事を目的としている。

特にノズル及び消費電力の少ない撮像装置を提
供する事を目的としている。

（実施例） 以下実施例に基づき本発明を説明する。

第４図は本発明に係る撮像素子を用いた撮像装
置の一例を示す図である。本実施例では一相駆動
方式のフレームトランスフアー型CCDの場合に
つき説明する。

図中第１〜第３図と同じ符番のものは同じ要素
を示す。

UODは受光部１の蓄積部２に対して反対側に
設けられた過剰電荷排出用のオーバー・フロー・
ドレインであつて、一定の正電V_ODによりバイア
スされている。

本実施例では受光部に転送クロツクφ_PIと共に、
過剰電荷を表面再結合中心でホールと再結合させ
て消滅する為のクロツクφ_ABが印加されている。

又、蓄積部２、水平転送レジスタ３には夫々転
送用とクロツクφ_PS，φ_Sが印加されている。

CKDはこれらのクロツクパルスφ_PI，φ_AB，φ_PS，
φ_S等を撮像素子に供給する為の制御手段としての
クロツクドライバー、CKGはこれらのパルスを
形成する為のタイミング信号を発生するクロツク
ジエネレータ、PAPはプロセスアンプ、ECDは
エンコーダーであつて、アンプPAPを介したビ
デオ信号はこのエンコーダによつて例えばNTSC
信号のような標準テレビジヨン方式の信号に変換
される。

MSはクロツクドライバーCKDによる各種パル
スの出力状態を切換える為のモード設定回路であ
り、再結合用のクロツクφ_ABの周波数を切換え得
る。又、該モード設定回路はアナログゲートAG
の開閉を制御する。

RCCは記録装置である。又、SW１は指示手段
としてのスチル信号の形成及び記録を行なわせる
スイツチで、このスイツチをONすると、後述の
如く自動的にモード設定回路をスチル用のモード
に設定し、ドライバCKDを制御すると共に設定
のタイミングで１フイールド又は１フレーム期間
ゲートAGを開く。

第５図は受光部１と蓄積部２の境界領域の断面
の電極構造及びポテンシヤルの概略を示す図であ
る。

図中P_PIは受光部の転送クロツクφ_PIを印加する
転送電極、P_ABは再結合クロツクφ_ABを印加する為
の再結合手段としての再結合制御電極、P_PSは蓄
積部の転送クロツクφ_PSを印加する転送電極、６
Ｅはオーバー・フロー・ドレインをを構成する
n⁺領域である。

図の実線のポテンシヤル状態はφ_PI，φ_PSとして
ローレベルの電圧を印加し、φ_ABとしてハイレベ
ルの電圧を印加した場合のものであり、破線は
φ_PI，φ_PSをハイレベル、φ_ABをローレベルとした
場合のものである。

尚、基板６内にはイオン注入により図示のよう
なポテンシヤルの階段が形成されている。又、電
極P_PI，P_PS，P_ABによつて蔽われていない絶縁層
の下部即ち絶縁層と半導体基板との境界部分には
図示していないが、仮想電極
（Virtualelectrode）を構成する為の例えばＰ型
反転層が形成されている。

従つて電極に蔽われていない半導体領域内のポ
テンシヤルは各電極へのバイアスによつて変化し
ないようになつている。

第６図は第５図示の領域における電極パターン
の例を示す図である。

CSはチヤネルストツプであつて、水平方向の
電荷の移動を阻止する。

第４〜第６図示の実施例によれば、電荷再結合
の為の電極P_ABの巾を転送電極P_PIの巾よりも充分
小さくできるので過剰電荷を除去する場合に除去
効率を高くできる。

又、一相駆動方式のCCDイメージセンサに於
いて電荷の再結合動作を転送動作と独立して行な
う事ができる。

しかも、本実施例の撮像素子の再結合制御用構
造はチヤネルストツプと同一プロセスで製造可能
な電荷用のポリシリコンゲート形成ステツプ及び
内部ポテンシヤルの階段を形成する為のイオン注
入ステツプで形成する事ができる。

次に第７図はスイツチSW₁がOFFのとき、即
ちムービー撮影モードにおいて第４図示の撮像阻
止を駆動する為にクロツクドライバーCKDより
出力されるクロツクパルスφ_AB，φ_PI，φ_PS，φ_S及
びアンプ４の出力V_OUT等の波形図である。

１テレビジヨンフイールド毎に得られる垂直同
期信号V_Dに同期して時刻t₁〜t₃及びt₄〜t₆の間に
垂直ブランキング信号V_BLKが出力される。

又、H_BLKは水平ブランキング信号である。先
ず時刻〜t₁，t₃〜t₄，t₆〜にかけての蓄積期間中
にφ_PIのレベルを−V₁とV₂の略中間レベルである
V₅レベルに固定する。又、各蓄積期間の終了点
でフイールド毎にφ_PIを立上げるか、立下げるか
を切換えている。

これにつき説明すると、蓄積期間中はφ_PIをV₅
レベルにする事により、第８図ａに示す如く、転
送電極P_PI下の基板内と仮想電極下の基板内に
夫々ポテンシヤルウエルＡ，Ｃが形成され、夫々
のウエルに電極が蓄積される。

この蓄積期間の内の各水平ブランキング期間に
第７図の如く、パルスφ_ABが複数個供給される為
電極P_AB下のポテンシヤルは第８図ａのように上
下するが、このポテンシヤルが下がつた時にでき
るウエルＢ内の電荷の内絶縁層５近傍に集められ
た過剰電荷はポテンシヤルが上がつた時にはホー
ルと再結合するので消滅し、ウエルＡには漏れ込
まない。

次いで時刻t₁〜t₂及びt₄〜t₅にかけてφ_ABを複数
パルス供給する事により垂直転送直前の過剰電荷
を除去する。

更に、時刻t₂〜t₃及びt₅〜t₆の間に受光部１と
蓄積部２の垂直方向の画素数に相当する数のクロ
ツクφ_PI，φ_PSが同相で供給される。

これにより受光部１内の各画素セル内の電荷は
蓄積部内の対応する蓄積セル内に転送されて蓄積
される。

この時、本発明では再結合電極P_ABに印加する
クロツクφ_ABをV₄に固定する。

この電圧V₄は例えば第９図示の如く電極P_AB下
のポテンシヤルレベルが仮想電極部のポテンシヤ
ルレベルの上限と下限の間に位置するような電圧
値である。

ここで前述した如く、各蓄積期間の終了時点で
φ_PIを立上げるか、立下げるかをフイールド毎に
切換えている。

即ち、第７図時刻t₁までの第１フイールドの蓄
積期間中にウエルＡ，Ｃ（もしくはＢ）にはいる
電荷量をそれぞれ第８図ａのようにA_1NT，B_1NT，
C_1NTとする。次に第７図時刻t₂から始まる垂直転
送時は第８図ｂに示すごとく、転送のはじめに
φ_PIを中間レベルV₅からV₂レベルに立上げること
によつて′と，′と…の部分に蓄積された
電荷が加算され、蓄積部に転送されていく。又、
第２フイールドは転送のはじめにφ_PIを中間レベ
ルV₅から−V₁に立下げることによつてと′，
と′，と′…の部分に蓄積された電荷を加
算する。

このようにフイールド毎に加算される電荷の組
み合わせを変えることによつてインタレース、動
作をおこなわせる。

このように構成することにより少ない画素数で
インターレース効果を持たせる事ができると共
に、暗電流レベルもフイールド毎に変化せず、フ
リツカも生じにくい。

垂直転送が終了すると、時刻t₃〜t₄，t₆〜の間
にクロツクφ_PSとφ_Sとによつて蓄積部の電荷が水
平周期に同期して１行ずつ読み出され、水平ライ
ン信号として出力される。この期間t₂〜t₃，t₆〜
は標準テレビジヨン信号の垂直走査期間に相当し
ている。

次に第１０図はスチルモード撮影を行なう為に
スイツチSW１をONした場合のタイミングチヤ
ートである。任意の時刻t₀にスイツチSW１を
ONすると次の垂直ブランキングパルスV_BLKの立
下り（時刻t₃）及び更に次の立下り（時刻t₆）に
同期して設定回路MSより後述のスチルモード用
のMODEφの信号が出力される。

このMODEφの信号は、夫々次の垂直ブランキ
ングパルスV_BLKの立上り時点t₄，t₁₁まで保持され
る。

このうち時刻t₃〜t₄にかけてMODEφが出力さ
れている間にはφ_ABはクロツク周期の高速のパル
スが常時供給される。

又、時刻t₆〜t₁₁にかけてMODEφの信号が出力
されている間、φ_ABは電位V₃に又、φ_PIは電位V₂
に固定される。又、この間アナログゲートAGが
ONとなる。

その他のパルスに関しては、第７図と同様であ
る。

従つてスイツチSW１をONとした後の１フイ
ールドをパルスφ_PS，φ_Sにより読み出す間には再
結合が最大能力を発揮し、この間に受光部１で形
成される画像にはプルーミングが発生しない。

但し、この間に読み出される信号はノズルが重
畳するので画面には縦縞が出るが1/60秒なのでほ
ぼ無視し得る。

又、このようにして形成された画像信号は時刻
t₆〜t₁₁にかけてパルスφ_PS，φ_Sにより読み出され、
この間ゲートAGが開くので記録装置RCCに記録
される。

このように本実施例ではムービーモードで画像
形成中に行なう再結合の能力に対し、スチルモー
ドで画像形成中に行なう再結合の能力を高くした
のでスチル画像の画質が向上する。又、このムー
ビーモードの画像読み出し中のノイズを低減する
ことができる。

更に、ムービーモードでは水平ブランキング期
間中のみφ_ABを供給しているので読み出し中のノ
イズは画面上には現われない。

尚、本実施例ではφ_ABによる再結合能力を制御
する為に画像形成時間中におけるφ_ABのパルス数
を制御しているが、例えばφ_ABのＰ−Ｐ値（突頭
値）を制御しても良い。

即ちスチールモードの画像形成期間中ではφ_AB
のＰ−Ｐ値を大きくし、ムービーモードの場合に
はφ_ABのＰ−Ｐ値を小さくしても良い。

又、本実施例ではムービーモードにおいて画像
形成期間中のφ_ABのパル数を減少させ、かつ読み
出し中のノズルを解消する為に水平ブランキング
期間中にφ_ABを供給しているが、ムービーモード
の画像形成時間中のほぼ全期間にわたつてスチル
モードに比べて低い周波数のφ_ABを供給するよう
にしても良い。

本発明に係る再結合能力はこのようなφ_ABのＰ
−Ｐ値、周波数等によるものを含む。

尚、この間特に時刻t₆〜t₁₁にかけてφ_ABは一定
レベルなので信号V_OUT読み出し中にノイズが乗
ることがなく、又消費電力もセーブできる。

又、この間（t₆〜t₁₁）において受光部１内のポ
テンシヤルバリアはほとんどの間蓄積部２のバリ
アよりも低くなつている。即ち、第５図において
領域Ｘのポテンシヤルは破線の如くなつており、
領域Ｙのポテンシヤルは実線の如くなつているの
で、たとえφ_ABが動作していなくてもオーバーフ
ローした電荷は蓄積部にはほとんど漏れ込まな
い。

又、受光部１の蓄積部２と逆側にオーバーフロ
ードレインを設けているので、受光部１内のオー
バーフローした電荷は電源V_ODに排出されてしま
う。

尚、蓄積部内の領域Ｘのポテンシヤルはパルス
φ_PSにより水平ブランキング期間だけ下がるが、
有効な画像信号（時刻t₁までに形成された画像信
号）はその都度蓄積部２内を第４図下方に移動し
ていくので、このパルスφ_PSがハイレベルの間に
受光部１より漏れ込む電荷は無視し得る。

次にクロツクドライバーCKDの構成例を第１
１図に示すと共に、そのタイミングチヤートを第
１２図に示す。第１１、第１２図中φ_Dは１水平
期間に２回発生するパルス、TRGはフレーム転
送を行なう為のフレーム転送トリガーパルスであ
つて、一般には垂直ブランキング期間或いはこれ
に関連したタイミングで出力される。

又、このパルスTRGは例えば特願昭58−61098
号に示されるように垂直ブランキング期間以外の
任意のタイミングで出力されるものであつても良
い。その場合には、画像蓄積時間をこのパルス
TRGのタイミングによつて制御することもでき
る。

又、D₁〜D₅はＤフリツプフロツプ、OR₁〜
OR₄はORゲート、CNTはカウンタ、SGはφ_PI，
φ_PSを形成するパルス発生回路、SW₂〜SW₅はア
ナログスイツチ、DIV₁・DIV₂は1/2分周器、Ａ
１〜Ａ９はANDゲート、NOR１はNORゲート
である。

ＤフリツプフロツプＤ１はパルスTRGをクロ
ツクとし、入力Ｄは常にハイレベルになつている
為、TRGによるトリガ（時刻t₇）で出力Ｔ１が
ハイレベルとなる。

したがつて、ＤフリツプフロツプＤ２，Ｄ３に
よりクロツクφD２ケ分だけ遅れて（時刻t₃）Ｔ
２が発生し、これによつてＤ１はクリアされ、Ｔ
１はローレベルとなる。このＴ１のハイレベル区
間の長さはＤフリツプフロツプの数の増減によつ
て減少又は増大させ得る。本例ではこの区間t₇〜
t₆を１水平期間としているが、D₂を略せば1/2Ｈ
区間となる。T₂ハイレベルになつた後、時刻t₉で
ＤフリツプフロツプＤ４の出力T₃ハイレベルと
なり、所定のクロツクの後、カウンタCNTの出
力CARRYによつてフリツプフロツプＤ３，Ｄ４
がクリアされ（時刻t₁₀）Ｔ２，Ｔ３がローレベ
ルになつてフレーム転送は終了する。

φ_PI，φ_PS等はφ_PI，φ_PS発生回路SGで第７図示の如
く発生し得るので、ここでは特に示さない。

水平ブランキグ信号H_BLKはアンドゲートＡ１
を介することによつてＴ２がハイレベルの間ロー
レベルとされており、アンドゲートＡ１の出力は
オアゲートOR２においてＴ１との論理和により
Ｔ４となる。

従つてＴ４は垂直転送区間t₈〜t₁₀を除く水平ブ
ランキング期間と、出力Ｔ２の直前部分の出力Ｔ
１のハイレベル期間t₇〜t₈、いずれかの期間ハイ
レベルとなる。

クロツク信号CLK、分周器DIV１・DIV２の
分周信号及びモード設定回路MSの出力はAND
ゲートＡ２〜Ａ５に供給されており、次のような
関係が成り立つ。

即ち、モード設定回路MSよりの出力SEL１＝
Ｈ、SELφ＝Ｈ（以降MODE３と呼ぶ）のとき、
ORゲートOR３の出力Ｔ５としてはクロツク
CLKがそのまま出力され、SEL１＝Ｈ、SELφ＝
Ｌ（以降MODE２と呼ぶ）のときＴ５はクロツク
CLK1/2分周出力となる。

又、SEL１＝Ｌ、SELφ＝Ｈ（以降MODE１と
呼ぶ）のときＴ５はクロツクCLKの1/4分周出力
となり、SEL＝Ｌ、SELφ＝Ｌ（以降MODEφと
呼ぶ）のときＡ５は常にＨレベルとなる。

尚、Ｔ１は垂直転送の直前にφ_ABを供給する為
のタイミングパルスでハイレベルの間にφ_ABを供
給する。

又、Ｔ３は垂直転送の為のタイミングパルスで
ハイレベルの間にφ_PI，φ_PSによる垂直転送を行な
わせる。

尚、第４図示スイツチSW１がOFFのムービー
モードの間はモード設定回路により選択されたモ
ードMODE１〜３に応じてφ_ABの周期が決まり、
第７図示の如きタイミングでφ_ABが供給される。

又、φ_PI，φ_PSが発生回路SGより出力される。
これらのパルスのタイミングは第７図示のような
ものである。

又、一旦スイツチSW１がONすると、その直
後の垂直走査期間回路MSの出力がMODEφとな
るので、SEL１＝Ｌ、SELφ＝Ｌとなり、出力Ｔ
７がハイレベルとなる。

フリツプフロツプＤ５はこのＴ７の立上りで動
作し、初期状態は、Ｑ＝Ｌ、＝Ｈとしてあると
すると、次のＴ７の立上り時刻t₆までＤ５の出力
Ｑはハイレベルなる。従つて時刻t₃〜t₄の間はア
ンドゲートＡ７はハイレベル、Ａ８はローレベル
を出力する。

一方、時刻t₆〜t₁₁の間はアンドゲートＡ７はロ
ーレベル、Ａ８はハイレベルを出力する。ゲート
Ａ７がハイレベルの間アンドゲートＡ９はクロツ
ク信号CLKをオアゲートOR４に導くのでこれに
よりクロツクCLKがハイレベルの間はスイツチ
SW３が閉じてφ_AB＝＋V₃、クロツクCLKがロー
レベルの間はスイツチSW５が閉じてφ_AB＝−V₁
となる。

尚、NORゲートNOR１はT₂がハイレベルでな
い時開いている。Ｔ２がハイレベルの間はスイツ
チSW４が閉じ、φ_AB＝＋V₄に固定される。又、
Ｔ２がハイレベルになる直前のＴ１のハイレベル
期間にはφ_ABが高速で供給されるのでスミアやブ
ルーミングを防止できる。又、時刻t₆〜t₁₁にかけ
てはアンドゲートＡ８がハイレベルとなるのでこ
の間はスイツチSW３が閉じφ_ABは電位V₃となる。
又、この間アナログスイツチSW２がｂ側に切換
わり、φ_PIは電位＋V₂に固定される。

以上説明した如く、本実施例ではパルスφ_ABが
フレーム電送期間の直前に所定期間供給され、転
送直前の過剰電荷が解除されるのでスミア或いは
ブルーミングを起こす事がない。

又、撮像素子からのビデオ出力を１フイールド
又は、１フイールドだけ記録する場合にφ_ABを所
定の画像形成期間中常時高速で数多く供給し、こ
の形成された画像を記録する間はφ_ABを一定電位
に保持しているので節電でき、しかもノイズが混
入しない。又、画像形成中にはブルーミングを安
定に除去できる。又、受光部で形成された画像を
読み出す間受光部内のポテンシヤルバリアが蓄積
部内のポテンシヤルバリアよりほとんどの時間低
くなるようにされているので、信号読み出し中に
おけるプルーミングの撮影が蓄積部からの読み出
し信号に及ばない。

更に又、受光部の蓄積部と反対側にオーバーフ
ロードレインを設けているので、この間のオーバ
ーフロー電荷を速やかに除去できる。

尚、以上の説明では一相駆動方式のフレーム転
送型CCDの例について述べたが、本発明は多相
駆動方式のCCDイメージセンサーにおいても同
様に適用可能であることは言うまでもない。又、
CCDに限らず画像信号を電荷に変換して蓄積す
るタイプのイメージセンサー全てに適用可能であ
る事も明らかである。又、本実施例ではスチルモ
ードで１フイールド期間分の画像を記録するよう
に構成したが２フイールド分の画像を形成し、こ
れを記録するシステルにおいても適用可能である
ことは言うまでもない。又、本実施例では
MODEφの間φ_PI＝V₂，φ_AB＝V₃としているが、
φ_PI＝V₅，φ_AB＝V₄としても蓄積部内のバリアよ
りは低くなるので同様の効果が得られる。又、本
実施例では、モード設定手段から信号SEL１，
SELφによりφ_ABだけでなく、φ_PIのポテンシヤル
レベルをコントロールできるようにしているの
で、クロツクドライバーの入力ピン数を減少する
ことができる。

（効果） 本発明によればスチル画像を形成する間は画像
形成期間における再結合能力を高めているのでス
チル画像のブルーミングを安定に防止できムービ
ー画像を形成する場合には画像形成期間における
再結合能力を低下させているので読み出し時のノ
ズルを減らす事ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のCCDイメージセンサーの模式
図、第２図は第１図示センサーの駆動方法を説明
する図、第３図は表面電荷再結合の原理を説明す
る図、第４図は本発明の撮像装置の構成例を示す
図、第５図は本発明の撮像装置に適した撮像素子
の構造例を示す断面模式図、第６図は第５図示素
子の電極パターン例を示す図、第７図は本発明の
撮像装置のムービーモードでの駆動タイミングチ
ヤート、第８図ａ，ｂは同モードにおける夫々所
定のタイミングにおけるポテンシヤル状態を説明
する図、第９図は電極P_AB下のポテンシヤルにつ
き説明する図、第１０図はスチルモードにおける
タイミングチヤート、第１１図はクロツクドライ
バーの構成例を示す図、第１２図はその一部タイ
ミング図。 １……受光部、２……蓄積部、P_AB……再結合
手段としての再結合制御電極、CKD……制御手
段としてのクロツクドライバー、SW１……指示
手段としてのスイツチ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 光学像を電荷信号に変換する受光部と、 該受光部の電荷の一部を他の極性の電荷と再結
   合させる為の再結合制御信号を前記受光部に印加
   する為の再結合用電極と、 前記受光部により一画面分の画像信号を形成さ
   せるスチールモードと、複数画面分の画像信号を
   形成させるムービーモードとの切換えを指示する
   指示手段と、 該指示手段の指示出力に応じて、前記スチルモ
   ード時の画像形成中における前記受光部内の再結
   合可能な電荷量を前記ムービーモード時の画像形
   成中における前記受光部内の再結合可能な電荷量
   よりも多くなる様に前記再結合用電極に再結合制
   御信号を印加する制御手段と、 を有する撮像装置。