JPH0450140A - 増幅用光ファイバ - Google Patents

増幅用光ファイバ

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Publication number
JPH0450140A
JPH0450140A JP15846390A JP15846390A JPH0450140A JP H0450140 A JPH0450140 A JP H0450140A JP 15846390 A JP15846390 A JP 15846390A JP 15846390 A JP15846390 A JP 15846390A JP H0450140 A JPH0450140 A JP H0450140A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical fiber
amplification
core
doped
optical
Prior art date
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Pending
Application number
JP15846390A
Other languages
English (en)
Inventor
Masataka Nakazawa
正隆 中沢
Yasuro Kimura
康郎 木村
Hiroyuki Tanaka
田中 紘幸
Toshikazu Omae
俊和 御前
Minoru Yoshida
実 吉田
Masaaki Morisawa
森澤 正明
Seiro Oizumi
晴郎 大泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Cable Industries Ltd
NTT Inc
Original Assignee
Mitsubishi Cable Industries Ltd
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Cable Industries Ltd, Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Mitsubishi Cable Industries Ltd
Priority to JP15846390A priority Critical patent/JPH0450140A/ja
Publication of JPH0450140A publication Critical patent/JPH0450140A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、光増幅器やレーザ等の光増幅素子として使用
される増幅用光ファイバに関する。
〈従来の技術〉 現在実用化されている光フアイバ通信システムにおいて
は、光ファイバの損失による光信号の減衰を補償するた
めに、所定距離ごとに中継用の光増幅器が設置されてい
る。この光増幅器では、光信号をフォトダイオード等に
よって電気信号に変換して電子増幅器によって信号を増
幅した後、半導体レーザ(LD)等によって光信号に変
換して光フアイバ伝送路に再び送り出すようになってい
る。
しかしながら、このような構成の光増幅器では、光信号
を一旦電気信号に戻した後、再び光信号に変換する必要
があるために、光ファイバとの接続損失が多く、さらに
、装置全体が大型化するなどの難点がある。
そのため、近年は、誘導放出効果を利用した光増幅器が
考えられている。この光増幅器は、第3図に示すように
、一つの希土類元素を単独ドープした増幅用光ファイバ
aと、この増幅用光ファイバaを励起する半導体レーザ
等の励起光源すとを備えており、伝送用光ファイバを介
して伝送されてくる信号光と励起光源すからの励起光と
を合波器Cで混合してこれらの光を増幅用光ファイバa
に入射する。そして、励起光によって増幅用光ファイバ
aにドープした希土類元素のイオンを高いエネルギ準位
に励起し、信号光のパワーを誘導放出によって次第に増
幅するものである。なお、dは光ファイバaの接続部、
fは信号光を通過させて励起光をカットするためのフィ
ルタである。
この光増幅器を使用すれば、光信号をそのまま増幅でき
るので低雑音であり、また伝送用の光ファイバとの結合
も良くて接続損失も少ないばかりか、装置の小型化、低
廉化を図ることができる等の利点を有する。
ところで、光伝送用の光ファイバは、伝送損失、熱膨張
係数、機械的強度、耐久性等の緒特性において優れたも
のが要求されるが、これらの要求を満たすものとして石
英系のものが好適である。この石英系の光ファイバにお
いては、1.55μm波長帯において伝送損失が少ない
ことが知られており、したがって、この波長帯の信号光
を使用する場合には、増幅用光ファイバaもこれに合わ
せた増幅特性をもつ希土類元素を選定してドープする必
要がある。このような増幅特性をもつ希土類元素として
は、たとえばEr(エルビウム)があり、そのため、従
来技術では、石英系光ファイバのコアまたはコアの外周
縁部にErを単独ドープして増幅用光ファイバとし1こ
ものか提案されている。
〈発明が解決しようとする課題〉 増幅用光ファイバの増幅率を高めるためには、−船釣に
は希土類元素のトープ量を多くするのがよいと考えられ
ている。このため、従来技術では、Erをドープする場
合でも、増幅用光ファイバのガラス化に支障かない範囲
においてそのトープ量をできるだけ多く(たとえばI 
O00ppm程度添加)していた。
しかしながら、本発明者らは、Erのドープ量と増幅率
との関係について詳細に検討したところ、Erのドープ
量を単純に増加すると、逆に増幅率が低下してしまうこ
とを見い出した。すなわち、Erのドープ量を一方的に
増やしても、その増加量に応じた利得の増大が見られな
くなる。
これは、Erを過剰にドープすると、石英系光フアイバ
中でErイオンがミクロ的に凝集するため、結果的に蛍
光寿命が短くなり、いわゆる濃度消光を生じて増幅率の
増大に寄与しなくなるためと考えられる。
〈課題を解決するための手段〉 一方、本発明者らは、Erのドープ量を従来から考えら
れている値よりも逆に少なくすると、Erの凝集が回避
されることを見い出した。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、光増幅器やレーザ等の光増幅素子として使用される
増幅用光ファイバにおいて、濃度消光を回避して高い利
得が得られるようにするものである。
そのため、本発明に係る増幅用光ファイバでは、コア内
部またはコアの外周縁部にドープするErの量を120
ppm以下に設定したことを特徴としている。
〈作用〉 上記構成の増幅用光ファイバでは、Erのドープ量を比
較的少量に設定すると、Erイオンのミクロ的な凝集が
少なくなって均一分散される。また、励起光の吸収効率
も高められる。このため、増幅率の低下が回避される。
〈実施例〉 第1発明に係る実施例の増幅用光ファイバ1は、第1図
に示すように、円形断面の石英系ガラスコア2の周囲に
、屈折率が該コア2よりも小さい石英系ガラスクラッド
3が形成されており、さらに、コア2内部または該コア
2の外周縁部にErとGeとが共にドープされている。
このErのドープ量は光フアイバ中でのミクロ的な凝集
をできるだけ防ぐために120 ppm以下の範囲に設
定している。
このようにすれば、Erイオンのミクロ的な凝集が少な
くなって均一分散される。
本発明に係る各増幅用光ファイバの作用を確認するため
に、これらの増幅用光ファイバについて増幅率を調べた
結果を第2図に示す。なお、この実験では、Erドープ
量×光ファイバ長を100100opp、  2000
ppm−m、  500 oppm−mの3条件に設定
してErのドープ量を約lppm−1000ppm程度
まで変化させた場合についてその傾向を調べている。測
定条件としては、1.48μm励起光のパワーを約30
mw、増幅する信号光の波長を1.548μx、そのパ
ワーを一30dBmとし、各種組成のErドープ光ファ
イバの増幅率をErドープ量に対してプロットした。な
お、本例でのGeの添加量は3〜15重量%である。
この結果から明らかなように、増幅率のピークはErド
ープ量が100 ppm付近にあり、実用的には100
±20 ppmが適していると考えられる。
ただし、80ppm以下でも条長を長くして使用すれば
、同等の効果を得ることができる。いずれにしても、高
い増幅率を得るには、Erの濃度を120 ppm以下
にすれば良いことが理解される。
なお、この実施例の増幅用光ファイバlは、化学的気相
堆積法CM CV D法)、あるいは、VAD法十分子
スタッフィング法を適用して製作される。
なお、以上の実施例では、コアに屈折率をあげるGeを
ドープした場合について説明したが、逆に、クラッドに
屈折率を下げるFをドープした場合に本願の技術を適用
しても良いことは勿論である。要は、コアとクラッドの
間に屈折率差をもたせた光ファイバならいずれも適用す
ることができる。
〈発明の効果〉 本発明によれば、光増幅器やレーザ等の光増幅素子とし
て使用される増幅用光ファイバにおいて、コア内部また
はコアの外周縁部にErをドープし、かつ、このErの
ドープ量をt 20 ppm以下に設定したので、Er
イオンのミクロ的な凝集が少なくなって均一分散され、
かつ高い増幅率が得られるようになる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の実施例を示し、第1図は
Erをドープした光ファイバの横断面図、第2図は本発
明に係る増幅用光ファイバの増幅率の測定結果を示す特
性図である。 第3図は光増幅器の構成図である。 1・・・増幅用光ファイバ、2・・・コア、3・・・ク
ラブト。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)石英系ガラスコアの周囲に、屈折率が該コアより
    も小さい石英系ガラスクラッドが形成され、前記コア内
    部またはコアの外周縁部にErがドープされてなる増幅
    用光ファイバにおいて、 前記Erのドープ量は、120ppm以下に設定されて
    いることを特徴とする増幅用光ファイバ。
JP15846390A 1990-06-15 1990-06-15 増幅用光ファイバ Pending JPH0450140A (ja)

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JP15846390A JPH0450140A (ja) 1990-06-15 1990-06-15 増幅用光ファイバ

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JP15846390A JPH0450140A (ja) 1990-06-15 1990-06-15 増幅用光ファイバ

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JPH0450140A true JPH0450140A (ja) 1992-02-19

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