JPH04506430A - 光学部材複製用のマスター - Google Patents
光学部材複製用のマスターInfo
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 25
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- BRMNETVQNQAIKC-UHFFFAOYSA-N [Sn].[In].[Sb] Chemical compound [Sn].[In].[Sb] BRMNETVQNQAIKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012799 electrically-conductive coating Substances 0.000 claims 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 35
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 13
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 12
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 11
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 11
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 description 11
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 9
- 230000033458 reproduction Effects 0.000 description 9
- GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N antimony tin Chemical compound [Sn].[Sb] GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 5
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910018956 Sn—In Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013504 Triton X-100 Substances 0.000 description 3
- 229920004890 Triton X-100 Polymers 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 3
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- -1 oxyethylene sorbitan derivatives Chemical class 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M potassium hydroxide Inorganic materials [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 2
- GPRLSGONYQIRFK-MNYXATJNSA-N triton Chemical compound [3H+] GPRLSGONYQIRFK-MNYXATJNSA-N 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930194542 Keto Natural products 0.000 description 1
- 239000004419 Panlite Substances 0.000 description 1
- 229920001213 Polysorbate 20 Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001122767 Theaceae Species 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002433 Vinyl chloride-vinyl acetate copolymer Polymers 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical class C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDDXNVZUVZULMR-UHFFFAOYSA-N germanium tellurium Chemical compound [Ge].[Te] VDDXNVZUVZULMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000151 polyglycol Polymers 0.000 description 1
- 239000010695 polyglycol Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000000256 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Substances 0.000 description 1
- 235000010486 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Nutrition 0.000 description 1
- 229920000136 polysorbate Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002522 swelling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
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- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
光学部材複製用のマスター
発明の分野
本発明は、光学部材の復製に用いられるマスターの製法及びマスターそれ自体に
関するものである。また、本発明のマスターをスタンパ−として使用する復製法
についても記載する。
従来技術の説明
多量の情報を含む光学部材をつくることは、この技術分野において周知のことで
ある。ビデオディスク及びデジタルオーディオディスクは一般的な光学部材であ
る。これらの部材を容易にかつ安価に復製することができることが望まれている
ことは、明らかである。
一般に、光学ディスクは射出成型法又は2−P (” 2−P”は光重合(2h
atopo1y+5erization)を略記したものである)、法のいづれ
かを用いて復製される。これらの方法では、まずフォトレジストを被覆したガラ
スディスクの形のマスターディスクに変調レーザービームを照射し、フォトレジ
ストの現像の後、好ましい情報をフォトレジスト層にビット及び/又は溝のレリ
ーフパターンの形でコード化する。照射し、現像したフォトレジストは直接使用
することができないので、このマスターディスクを金属化して、次のニッケル電
気メツキ工程のために導電性の表面にしなければならない。ニッケルメッキ層を
マスターディスクから剥がして、スタンパ−と呼ばれるものを形成する。次に、
中心孔をあけ、外径を好ましい寸法にトリムし、そして裏面を磨いて、スタンパ
−を射出成形機又は2−P機に取り付けて、複製プロセスを行うことができるよ
うにする。
線にのみ敏感であることである。これには、情報パターンをフォトレジスト層に
形成するために、気体UVレーザーを用いる必要がある。これらめレーザーは高
価で扱いにくく、制御するのが難しい。これらは、レーザーを集めるのに必要な
諸表平4−506430 (2)
光学素子とは別個に取り付けなければならず、調整に経費がかかりかつ難しい。
別の間点は、フォトレジスト層によるレーザービームの吸収が非常に非能率的で
あることである。その結果、レーザー照射工程は比較的遅い速度で行わなければ
ならず、工程の処理量が限られてしまう。
別の間開は、フォトレジスト層がその後の現像工程中に膨潤する傾向があること
である。このため、記録される情報の分解能及び有効な充填畜産が限定される。
これはまた、複製の特徴のある寸法の細い調整が必要なとき、復製プロセスを複
雑にする。
別の問題は、スタンパ−の製造プロセスが複雑なことである。このプロセスには
、金属化、電気メッキ、磨き、剥離、孔あけ及びトリミングが含まれる。その結
果、装置は高価なものとなり、歩留まりは低くかつ時間のかかる方法となる。
光学部材のTl!製法に関する技術は広5囲にわたっている。多数の特許の中の
いくつかについてのみここで述べる。1988年2月9日発行の米国特許第4,
724.043号には、マスター用のガラス支持体を初めに酸化物又は窒化物で
被覆する方法が記載されている。さもなければ、方法は一般的なものとなり、上
記の全ての難点を有することになる。1987年3月17日発行の米国特許第4
゜650.753号には、フォトレジストを用いてマスターを形成する別の新し
い方法が記載されている。
米国特許第4.565.772号には、変調レーザービームを照射した後、スタ
ンパ−として直接用いることができる、輻射線に敏感な材料が記載されている。
この輻射線に敏感な材料はWaSな多層構造体である。これは、レーザーエネル
ギーを照射すると気体を放出し、それによって上にある金属層が変形する、輻射
線に敏感な層によるものである。
従って、マスターの製造にフォトレジストを用いる必要のない、光学部材の復製
法がめられ続けてきた。この方法は単純かつ素早く行われて、信頼性及び処理量
か増大するものでなければならない。
るものである。フォトレジストは用いない。その代わりに、相変化光学記録部材
を初めに露光して、この種の部材に一般的なように、記録層にパターンを形成す
る。従って、例えば、結晶質領域のパターンは、非晶質とは別の状態の層に形成
され、あるいは非晶質材料のパターンは、結晶質とは別の状態の層に形成される
。
その後、非晶’ji[6Ji@又は結晶質領域のいづれかを選択的にエツチング
することによって、マスターが形成される。
従って、本発明の1つの態様は、光学部材vI製用のマスターの製造法を提供す
るものであり、その方法は、
a) 相変化光学記録層上に情報変調エネルギービームを集めて、上記の層に上
記の情報に相当する2つの異なる相のパターンを形成し;そしてb) 上記の2
つの異なる相のうちの1つを選択的にエツチング除去して、上記情報に相当する
レリーフパターンを形成する、工程よりなる。
本発明の別の態様は、上記の方法によって製造したマスターを提供するものであ
る。
本発明の別の態様は、上記レリーフパターンをメッキしてスタンパ一層を形成し
、次に、上記スタンパ一層を上記マスターの表面から除去する追加の工程を含む
、上記マスターからスタンパ−を製造する方法を提供するものである。
本発明のさらに別の態様は、スタンパ−として上記のマスターを用いる、光学部
材の復製法を提供するものである。
本発明の他の態様については、以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
図面の簡単な説明
図1は、本発明によるマスターの製法を説明する図である。
図2は、本発明のマスターを用いて製造した復製ディスク表面の写真である。
発明の詳細な説明
光学部材はディスクの形で製造されるのが最も一般的である。しかしながら、明
らかなように、本発明の復製法は、この形の部材に限定されない。例えば、クレ
ジットカード形の部材のような他の形も考えられる。他の形に適応させることは
、当業者であれば容易に行うことができるのは無論のことであるので、都合上、
本発明は、光学部材製造用のマスターを製造する改良法を提供するものである。
この方法では、従来のマスター法におけるフォトレジスト層の代わりに、相変化
光学記録層を用いる。相変化層は一般に、ダイオードレーザ−線に敏感である。
従って、面倒な気体レーザーの使用を避けることができる。相変化を引き起こす
エネルギーに対する層の感度は通常、非常に高い。照射工程の速度は従って、フ
ォトレジスト及びUVレーザーを用いる方法に較べて大きく改良することができ
る。
マスターの製造に通常用いられるフォトレジストの膨潤性に伴う間開は、完全に
解消される。
本発明の方法では、前の工程を確実にうまく終わらせるために、マスターをその
製造における様々な工程で試験することができる。従って、本方法は、難しいス
タンパ−のメッキ及び剥離工程を行う前に、再出発させることができ、無駄な努
力が少なくなる。例えば、相変化層における情報は、エツチング工程の前後で確
認することができる。
相変化記録材料の、これらを被覆する支持体への接着はすぐれている。さらに、
相変化材料は金属合金であり、従って、非常に耐久性がある。例えば、露光及び
現像したフォトレジストよりも、ずっと耐久性がある。従って、本発明のマスタ
ーはスタンパ−として直接用いることができ、例えばニッケルメッキによる、別
のスタンパ−をつくる必要は全くなくなる。
本発明のマスターをスタンパ−として複製プロセスに用いうろことは、本発明の
重要な利点である。この特徴によって、わずか数百の複製が初めて経済的に可能
となる。従来の方法では、1つの復製当たりのコストを妥当なものにするために
、極めて高いニッケルスタンバ−形成コストを、非常に多数の複製に振り分けな
ければならなかった。実際に、本発明のマスターを作る速度及び容易さから、数
千以下の復製が必要な場合の簡単な追加のマスターの製造が経済的に可能になる
。もちろん、本発明のマスターの製造し易さはまた、ニッケルスタンパ−が極め
て長期の連続生産に必要とされる場合でも有利である。
本発明は、同じ合金の2つの異なる相のエツチング速度の差を利用するものであ
る。2つの異なる相が形成される場合、はとんど常にエツチング速度が異なる。
従って、本発明ではどのような相変化光学記録材料も用いることができる。通常
、相変化光学記録に用いる2つの相は非晶質相と結晶質相である。これらの材料
に対して、結晶質相を選択的にエツチングし、非晶質相をエツチングしないかあ
るいは非晶質相をずっと遅い速度でエツチングするエツチング剤を見いだすこと
ができる。
従って、非晶質の相変化光学記録層を準備し、情報を非晶質層中の結晶質のマー
ク及び/又は溝の形で記録することによって、本発明のマスターを形成するのが
好ましい。次に、結晶質のマークを選択的にエツチングして、好ましいレリーフ
をマスター表面に残す。
本発明の方法を図1で説明する。図1aは、照射する前の相変化光学記録部材を
示す図である。この部材は、上に相変化光学記録層20を有する支持体10より
なる。図1bは記録後の図18の部材である。層には非晶質材料22の未記録部
分及び結晶質材料24の記録部分がある。図ICは、エツチング後の部材を示す
図である。図1bの結晶質部分24はエツチング除去されて、非晶質部分22が
残っている。得られた部材はここにfc’載のようなマスター又はスタンバ−と
して用いることができる。
本発明は、結晶質傾城をエツチングすることに限定されない。材料によっては、
非晶質頭載を選択的にエツチングしてもよい。他の材料、例えばヨーロッパ特許
出願第0184452号では、2つの異なる結晶質相の間の差として情報を記録
している。従って、これらの相の1つを選択的にエツチングしてマスターを形成
することは、本発明の範囲内のことである。
相変化記録材料の選択は限定されない。本発明で用いる有用な相変化光学記録材
料については、例えば。
パン(Pan) 、タイアン(Tyan)及びプロイス(Preuss)の19
8&年2月15日付ヨーロッパ特許出願第301240.3号(アンチモン−錫
そしてアンチモン−錫及びインジウム)。
パン、タイアン及びマリン(llarino)の1989年1月3日発行米国特
許第4゜795.695号及び1989年3月14日発行第4,812,386
号(アンチモン−錫及びゲルマニウム):
パン、タイアン及びバザン(Vazan)の1989年1月17日発行米国特許
第4.798.785号及び1989年9月12日発行米国特許第4. 865
. 955号(アンチモン−錫及びアルミニウム)。
パン、タイアン及びプロイスの1988年9月27日発行米国特許第4. 77
4.170号及び1989年3月14日発行米国特許第4.812.385号(
アンチモン−錫及び亜鉛);
パン、タイアン、バザン及びプロイスの1989年8月8日付ヨーロッパ特許出
Ij第114636.7号(アンチモン−錫及び様々な第3の元素);タイアン
、レイチョードリ(Raychaudhuri )及びバザンの1989年11
月13日付PCT出願第04975号(アンチモン−錫−インジウム及び第4の
元素):そして
パン、タイアン及びバザンの1989年12月7日付PCT出願第05435号
。
他の有用な光学記録相変化材料にはゲルマニウム−テルル合金、特にアルミニウ
ム、チタン、錫及びアンチモンを含有するこれらの合金がある。これらの相変化
光学記録材料は、ダイオードレーザ−線に高い感度を有し、化学的に安定であり
、そして境界が十分に明らかな結晶質マークを形成するので、特に適している。
これらの材料は、約100オンゲスドームないし約2000ミクロンの厚さの連
続した薄いフィルムの形で用いられる。
個々のエツチング剤の選択も限定されない。エツチング剤は、相変化材料の相の
1つを選択的にエツチングするように選ぶ。一般に、これらのエツチング剤溶液
は、適当な溶媒に酸、塩基又は酸性もしくは塩基性酸化成分を含むものからなる
。特に、これらのエツチング剤には濃塩駿及びこれを水で0.01容量%まで希
釈したちの:濃硫酸及びこれを水で約0.0容量%1まで希釈したもの;約0゜
01−12重量%の濃度のシュウ酸水溶液:約0.01−12重量%の濃度の(
NH4)zszos水溶液:約0.01−12重量%の濃度のNa2Cr20を
水溶液:約0.01−12重量%の濃度(DKsFe (CN)@水tea:約
0.01−12重量%の濃度の水酸化カリウム及びナトリウム水溶液;約0.0
1−12重量%の濃度の水酸化アンモニウム水溶液が含まれる。2種以上の上記
エツチング剤のいづれの組み合わせも有用である。
相変化光学記録層のエツチング剤による湿潤性及び広い傾城のより均一なエツチ
ング性を向上させるために、適当な表面活性剤を、有用な湿潤特性が得られるの
に十分な量で加えてもよい。有用な表面活性剤には、トリトン(商tM)の名〔
例えば、トリトンX−100(商標)及びトリトン(商標)NIOI)]で又は
ノニデット(Nonidet)もしくはマリン(例えば、ノニデットP−40及
びマリン35)の商標で販売されているポリオキンエチレンエーテル、トウィー
ンの商標(例えば、トウイーン20又はトウィーン40)で販売されているポリ
オキシエチレンソルビタン誘導体及びタージトールの商m<例えば、タージトー
ルNPX及びNP−7)で販売されているポリグリコールエーテルがあるが、こ
れらに限定されない。他の有用な表面活性剤には、フルオラッド(簡標ンの名、
例えばフルオラッドFC−99、で販売されているような弗素化表面活性剤があ
る。
非晶質フィルム及びレーザー結晶化マークの表面酸化の程度は、エツチング速度
に影響を及ぼすことがU察された。その結果、最適なエツチング時間は、フィル
ムの貯蔵時間及び貯蔵環境によって決まる。新しく製造された合金フィルムの新
しく書かれたマークをエツチングするのが、本発明の好ましい具体例である。
エツチング工程は一般的な方法で行う。照射した相変化光学記録層をエツチング
浴に浸しても、あるいはエツチング浴を照射面に噴霧してもよい。層をエツチン
グ浴に浸し、そして均一なエツチングを促すためにエツチングの間、層を回転さ
せるのが好ましい。
上記の方法で形成されたマスターは、本発明の別の態様である。すなわち、復製
光学部材製造用のマスターを提供するものであり、このマスターは、光学部材に
移された情報に相当するレリーフパターンを有するエツチングした相変化光学i
c!録層を上に有する支持体からなる。
選択した相変化層のガラスへの接着性がすぐれ、かつ材料の耐摩耗性が良好なた
め、ガラス支持体マスターは、2−P法におけるような適当な重合体との接触プ
レスによる情報再生用スタンパ−として直接用いることができる。これによって
スタンバ−製造プロセスは非常に簡単になるこの具体例において有用な光重合性
重合体組成物はこの技術分野で周知であり、例えば、米国特許第4.729.9
38号、第4.296.158号、第4. 312.823号及び第4,668
.558号に記載されている。特に好ましい組成物は下記のものである;ヘキサ
ンジオールジアクリレート(40重量部);ペンタエリトリトールトリアクリレ
ート(20重量部):セルラッド(Celrad) (商m)3200、インテ
レッツ社のジアクリレート化工ポ牛シオリゴマ−(40重量部)及びプロキュア
(Darocut) (商標>1173、EMインダストリーズ社の芳香族ケト
ン光重合開始剤。これについては実施例9に記載があり、これは図2の複製の製
造に用いられた材料である。
本発明のマスターはまた、光学ディスク復製及び/又は支持体製造用のニッケル
スタンパ−の製造にも用いることができる。エツチングした相変化マスターは、
熱による結晶化又はフラッシュ結晶化を行うことができる。これはまた導電性に
被覆し、ニッケルでの電気メッキを行い、そしてニッケル複製物を磨き、剥がし
、孔をあけそしてトリムして、一般的な方法でニッケルスタンパ−を得ることも
できる。
上記のように、本発明のマスターは、2−P法におけるスタンバ−として直接用
いることができる。これらはまた、射出成形法に直接用いることもできる。この
具体例では、相変化光学記録材料を初めに耐久性の支持体上に被覆するのが好ま
しい。適した支持体には「ブランク」ニッケルスタンパ−1磨いたステンレス鋼
及び構造用重合体等がある。
復製の射出成形に用いうる重合体は一般的なものである。有用な重合体には、ポ
リ(塩化ビニル):塩化ビニル酢酸ビニル共重合体;ポリカーボネート樹脂:ポ
リ(メチルメタクリレート〕 ;及びポリスチレンが含まれる。好ましい例には
モベイ マークOOン(l[arkrolon) (商am)DP−1−12−
18ポリ力−ボネート及びティン パンライト(Teyin Pan1ite)
(商標)AD5503ポリカーボネートがある。
光学記録層は、本発明の合金を用いた合金ターゲットからのRFC高周波)及び
DC(直流)スパッタリングのような従来の薄膜蒸着法によって製造することが
できる。磁界を加えることによってスパッタリングを高める(マグネトロンスパ
ッタリング)こともできる。フィルムの厚さは、コントラスト、感度、製造速度
、材料コスト、制御し易さ、データ比率等のようなファクター間の歩み寄りによ
って、数十ないし数百ナノメーターになる。
用い得る支持体にはポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート及
びポリカーボネートのようなプラスチック板、ガラス板、紙、そしてアルミニウ
ムのような金属等根がある。上記のように、射出成形プロセスにおいてマスター
をスタンパ−として直接用いる場合、支持体は耐久性の材料が好ましい。
本発明の合金を用いて形成した薄いフィルム層上への情報の記録は、情報変調レ
ーザービームを層上に集めて、層上に情報のパターンを他の非晶貫層の中の結晶
化領域の形で形成することによって行われる。
記録の間、記録材料は一定の速度、例えば毎分1800回転(rpm)で、ある
いは記録スポットの半径位置の関数として変化する速度で一般に回転させる。
情報の通った跡は、変調記録ビームの局部的な照射の結果として、選ばれた結晶
化領域の形で光学記録層上に記録される。記録を続けるにつれて、記録ビームは
記録材料を半径方向に移動して、情報をらせん形の又は同心的なトラックに沿っ
て記録する。情報のコード化マークの大きさ及び間隔は、コード化レーザーを用
いた信号の情報量によって変わる。
本発明をさらに説明するために以下に実施例を示す。
実施例I
RFスパッタリングによって、ガラス支持体上に、約70nmの厚さの、原子組
成が60%−25%−15%の5b−Sn−In合金の薄いフィルムをつくった
。スパッタリングプロセスで用いたアルゴン圧は13ミリトールであり、RF電
力は約1.5ワット/C−1であった。次に、0.55NA目標を通して集光し
諸表千4−506430 (4)
た830.nmダイオードレーザ−ビームを用いて、ディスクをスピンドル上で
回転させながら、結晶質スポット及びトラックをディスク上に書き込んだ。
11重量%シュウ酸水溶液をエツチング剤として新しく製造した。ディスクを回
転させながら、エツチング剤に50秒間浸した。次に、ディスクを蒸留水中です
すいだ。その後、高速回転によってディスクを乾燥した。次いで、ディスクを光
学顕微鏡及び走査電子iJl微鏡(SEM)によって検査した。レーザー結晶化
スポット及びトラックは完全にエツチングされてなくなり、そして境界は十分に
はっきりしていることが分かった。非晶質領域はほんのわずかエツチングされた
だけであった。次に、このエツチングを行ったディスクをマスターとして又はス
タンパ−としてすぐ使用した。
実施例2
実施例1のように、ガラス支持体上に、約70nmの厚さの、原子組成が60%
−25%−15%の5b−Sn−In合金の薄いフィルムをつくり、そしてレー
ザーを用いてマークを付けた。
0.1容量%塩酸水溶液をエツチング剤として新しく製造した。ディスクを回転
させながら、エツチング剤に240秒間浸した。次に、ディスクを蒸留水中です
すいだ。その後、高速回転によってディスクを乾燥した。
次いで、ディスクを光学顕微鏡及びSEMによって検査した。レーザー結晶化ス
ポット及びトラックは完全にエツチングされてなくなり、そして境界は十分には
っきりしていることが分かった。非晶質領域はほんのわずかエツチングされただ
けであった。次に、このエツチングを行ったディスクをマスターとして又はスタ
ンパ−としてすぐ使用した。
実施例3
実施例1のように、ガラス支持体上に、約70nmの厚さの、原子組成が60%
−25%−15%の5b−Sn−In合金の薄いフィルムをつくり、そしてレー
ザーを用いてマークを付けた。
0.1重量%シュウ酸及び0,05重量%トリトンX−100表面活性剤の水溶
液をエツチング剤として新しく製造した。ディスクを回転させながら、エツチン
グ剤に50秒間浸した。次に、ディスクを0.05重量%のトリトンX−100
溶液及び蒸留水中で101次すすいだ。その後、高速回転によってディスクを乾
燥した。
次いで、ディスクを光学顕微鏡及びSEMによって検査した。レーザー結晶化ス
ポット及びトラックは完全にエツチングされてなくなり、そして境界は十分には
っきりしていることが分かった。非晶Vta域はほんのわずかエツチングされた
だけであった。次に、このエツチングを行ったディスクをマスターとして又はス
タンパ−としてすぐ使用した。
実施例4
実施例1のように、ガラス支持体上に、約70nmの厚さの、原子組成が60%
−25%−15%の5b−9n−In合金の薄いフィルムをつくり、そしてレー
ザーを用いてマークを付けた。
1.0重量%塩酸及び0.05重量%フルオラッドFC−99表面活性剤の水f
f1Mをエツチング剤として新しく製造した。ディスクを回転させながら、エツ
チング剤に240秒間浸した。次に、ディスクを0.05重量%のフルオラッド
FC−99溶液及び蒸留水中で順次すすいだ。その後、高速回転によってディス
クを乾燥した。 次いで、ディスクを光学顕微鏡及びSEMによって検査した。
レーザー結晶化スポット及びトラックは完全にエツチングされてなくなり、そし
て境界は十分にはっきりしていることが分かった。非晶質領域はほんのわずかエ
ツチングされただけであった1次に、このエツチングを行ったディスクをマスタ
ーとして又はスタンパ−としてすぐ使用した。
実施例5
実施例1のように、ガラス支持体上に、約70nmの厚さの、原子組成が80%
−20%の5b−In合金の薄いフィルムをつくり、そしてレーザーを用いてマ
ークを付けた。
1.0重量%塩酸及び0.05重量%フルオラツドFC−99表面活性剤の水溶
液をエツチング剤として新しく製造した。ディスクを回転させながら、エツチン
グ剤に240秒間浸した。次に、ディスクを0.05重量%のフルオラツドFC
−99溶液及び蒸留水中で順次すすいだ。その後、高速回転によってディスクを
乾燥した。 次いで、ディスクを光学顕微鏡及びSEMによって検査した。レー
ザー結晶化スポット及びトラックは完全にエツチングされてなくなり、そして境
界は十分にはっきりしていることが分かった。非晶質領域はほんのわずかエツチ
ングされただけであった。次に、このエツチングを行ったディスクをマスターと
して又はスタンパ−としてすぐ使用した。
実施例6
実施例1のように、ガラス支持体上に、約70nmの厚さの、原子組成が63%
−21%−16%の5b−Sn−Ge合金の薄いフィルムをつくり、そしてレー
ザーを用いてマークを付けた。
1.0重量%塩酸及び0.05重量%フルオラッドFC−99表面活性剤の水溶
液をエツチング剤として新しく製造した。ディスクを回転させながら、エツチン
グ剤に360秒間浸した。次に、ディスクを0.05重量%のフルオラッドFC
−99溶液及び蒸留水中で順次すすいだ。その後、高速回転によってディスクザ
ー結晶化スポット及びトラックは完全にエツチングされてなくなり、そして境界
は十分にはっきりしていることが分かった。非晶質領域はほんのわずかエツチン
グされただけであった。次に、このエツチングを行ったディスクをマスターとし
て又はスタンパ−としてすぐ使用した。
実施例7
実施例1のように、ガラス支持体上に、約70nmの厚さの、原子組成が61%
−34−5%の5b−Sn−A1合金の薄いフィルムをつ(す、そしてレーザー
を用いてマークを付けた。
1.0重量%塩酸及び0.05重量%フルオラッドFC−99表面活性剤の水溶
液をエツチング剤として新しく製造した。ディスクを回転させながら、エツチン
グ剤に540秒間浸した。次に、ディスクを0.05重量%のフルオラツドFC
−99溶液及び蒸留水中で順次すすいだ。その後、高速回転によってディスクを
乾燥した。 次いで、ディスクを光学顕微鏡及びSEMによって検査した。し−
ザー結晶化スポット及びトラックは完全にエツチングされてなくなり、そして境
界は十分にはっきりしていることが分かった。非晶質領域はほんのわずかエツチ
ングされただけであった。次に、このエツチングを行ったディスクをマスターと
して又はスタンパ−としてすぐ使用した。
実施例8
実施例1のように、ガラス支持体上に、約70nmの厚さの、原子組成が60%
−25%−15%の5b−Sn−Zn合金の薄いフィルムをつくり、そしてレー
ザーを用いてマークを付けた。
1、 0重量%塩酸及び0.05重量%フルオラッドFC−99表面活性剤の水
溶液をエツチング剤として新しく製造した。ディスクを回転させながら、エツチ
ング剤に600秒間浸した。次に、ディスクを0.05重量%のフルオラッドF
C−99溶液及び蒸留水中で順次すすいだ。その後、高速回転によってディスク
を乾燥した。
次いで、ディスクを光学顕微鏡及びSEMによって検査した。レーザー結晶化ス
ポット及びトラックは完全にエツチング交れでなくなり、そして境界は十分には
っきりしていることが分かった。非晶質領域はほんのわずかエツチングされただ
けであった。次に、このエツチングを行ったディスクをマスターとして又はスタ
ンパ−としてすぐ使用した。
実施例9
実施例1のように、ガラス支持体上に、約70nmの厚さの、原子組成が60%
−25%−15%の5b−3n−In合金の薄いフィルムをつくり、そしてレー
ザーを用いてマークを付け、次いで実施例3のようにエツチングさせた。
次に、このエツチングしたディスクをスタンパ−として用い、上記のような架橋
結合性重合体の薄いフィルムを被覆した別のディスク面にプレスした。重合体フ
ィルムをUV照射によって架橋し、ディスクを金属台金:重合体接触面で分離さ
せた。これによって、重合体被覆ディスク複製は、この上にスパッターした5b
−5n−In合金の薄いフィルムを有し、その後の光学顕微鏡及びSEM観察の
ための反射能及び導電率を提供する。
合金の薄いフィルムにおいて、まずレーザーで書き込み、次いでエツチングさせ
たマークが、複製ディスクの重合体層中に正確に再現されたことが、光学及び電
子B微鏡から分かった。このことは、複製ディスク面の写真である図2に示され
ている。
実施例10
実施例1のように、ガラス支持体上に、約70nmの厚さの、原子組成が45%
−53%−2%のGe−Te−Ti合金の薄いフィルムをつくり、そしてレーザ
ーを用いてマークを付けた。
1.0重量%KsFe (CN)s、0.25容量%H!SO4及び0.025
重量%フルオラッドFC−99表面活性剤の水溶液をエツチング剤として新しく
製造した。ディスクを回転させながら、エツチング剤に120秒間浸した。次に
、ディスクを°0.025重量%のフルオラッドFC−99溶液及び蒸留水中で
順次すすいだ。その後、高速回転によってディスクを乾燥した。
次いで、ディスクを光学顕微鏡及びSEMによって検査した。レーザー結晶化ス
ポット及びトラックは完全にエツチングされてなくなり、そして境界は十分には
っきりしていることが分かった。非晶質領域はほんのわずかエツチングされただ
けであった。次に、このエツチングを行ったディスクをマスターとして又はスタ
ンパ−としてすぐ使用した。
実施例11
実施例1のように、ガラス支持体上に、約70nmの厚さの、原子組成が45%
−53%−2%のGe−Te−Ti合金の薄いフィルムをつくり、そしてレーザ
ーを用いてマークを付けた。
3.0重量%(NH4)8101.3.0重量%NaOH及び0.025重量%
フルオラッドFC−99表面活性剤の水溶液をエツチング剤として新しく製造し
た。ディスクを回転させながら、エツチング剤に180秒間浸した。次に、ディ
スクを0.025重■%のフルオラッドFC−99溶液及び蒸留水中で順次すす
いだ。その後、高速回転によってディスクを乾燥した。
次いで、ディスクを光学顕微鏡及びSEMによって検査した。レーザー結晶化ス
ポット及びトラックは完全にエツチングされてなくなり、そして境界は十分には
っきりしていることが分かった。非晶質領域はほんのわずかエツチングされただ
けであった。次に、このエツチングを行ったディスクをマスターとして又はスタ
ンパ−としてすぐ使用した。
実施例12
実施例1のように、ガラス支持体上に、約70mmの厚さの、原子組成が45%
−53%−2%のGe−Te−Ti合金の薄いフィルムをつくり、そしてレーザ
ーを用いてマークを付けた。
3.0重量%Na、Cr、Oy、3.0重量%NaOH及び0.025重量%フ
ルオラッドFC−99表面活性剤の水溶液をエツチング剤として新しく製造した
。
ディスクを回転させながら、エツチング剤に180秒間浸した。次に、ディスク
を0.025重量%のフルオラγドFC−99溶液及び蒸留水中でj■次すすい
だ。
その後、高速回転によってディスクを乾燥した。
次いで、ディスクを光学顕微鏡及びSEMによって検査した。レーザー結晶化ス
ポット及びトラックは完全にエツチングされてなくなり、そして境界は十分には
っきりしていることが分かった。非晶質領域はほんのわずかエツチングされただ
けであった。次に、このエツチングを行ったディスクをマスターとして又はスタ
ンパ−としてすぐ使用した。
FIG、 2
国際調査報告
、、、、、−+、、=、、+、、−,−prT/IK QO/1lIQI’In
国際調査報告
Claims (7)
- 1.複製光学部材製造用のマスターの製造方法であって、以下の工程:a)情報 変調エネルギービームを相変化光学記録層上に集めて、該層中に該情報に相当す る2つの異なる相のパターンを形成し;そしてb)該2つの異なる相の1つを選 択的にエッチング除去して、該情報に相当するレリーフパターンを形成する、 ことよりなる、上記の方法。
- 2.該2つの相が非晶質及び結晶質相であり、結晶質相を工程b)で選択的にエ ッチング除去する、請求項1の方法。
- 3.該エネルギービームがレーザービームである、請求項1の方法。
- 4.該光学記録層がアンチモン−錫−インジウム合金からなる、請求項1の方法 。
- 5.複製光学部材製造用のスタンパーの製造方法であって、以下の工程:a)情 報変調エネルギービームを相変化光学記録層上に集めて、該層中に該情報に相当 する2つの異なる相のパターンを形成し;そしてb)該2つの異なる相の1つを 選択的にエッチング除去して、該情報に相当するレリーフパターンを形成し; c)工程b)で製造されたマスターを導電性に被覆し、そして該導電性被覆をニ ッケルで電気メッキし;そして d)工程c)で形成されたニッケル層を磨き、そして該マスター表面から該ニッ ケル層を剥がす、 ことよりなる、上記の方法。
- 6.複製光学部材製造用のマスターであって、該光学部材に移す情報に相当する レリーフパターンを有する相変化光学記録層を上に有する支持体からなる、上記 のマスター。
- 7.複製光学部材の製法であって、以下の工程:a)情報変調エネルギービーム を相変化光学記録層上に集めて、該層中に該情報に相当する2つの異なる相のパ ターンを形成し;そしてb)該2つの異なる相の1つを選択的にエッチング除去 して、該情報に相当するレリーフパターンを形成し; c)工程b)で形成されたマスターを重合体層にプレスし、そして該重合体層を 光重合させて、該レリーフパターンの複製を形成する、ことよりなる、上記の方 法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/370,946 US5051340A (en) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | Master for optical element replication |
| US370,946 | 1989-06-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04506430A true JPH04506430A (ja) | 1992-11-05 |
Family
ID=23461854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2509590A Pending JPH04506430A (ja) | 1989-06-23 | 1990-06-19 | 光学部材複製用のマスター |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5051340A (ja) |
| EP (1) | EP0478714A1 (ja) |
| JP (1) | JPH04506430A (ja) |
| CA (1) | CA2057017A1 (ja) |
| WO (1) | WO1991000598A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2723986B2 (ja) * | 1989-08-02 | 1998-03-09 | 株式会社日立製作所 | 光ディスク原盤の作製方法 |
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-
1989
- 1989-06-23 US US07/370,946 patent/US5051340A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-06-19 EP EP90917847A patent/EP0478714A1/en not_active Withdrawn
- 1990-06-19 JP JP2509590A patent/JPH04506430A/ja active Pending
- 1990-06-19 WO PCT/US1990/003500 patent/WO1991000598A1/en not_active Ceased
- 1990-06-19 CA CA002057017A patent/CA2057017A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0478714A1 (en) | 1992-04-08 |
| CA2057017A1 (en) | 1990-12-24 |
| US5051340A (en) | 1991-09-24 |
| WO1991000598A1 (en) | 1991-01-10 |
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