JPH04507479A - レーザー加工 - Google Patents

レーザー加工

Info

Publication number
JPH04507479A
JPH04507479A JP2510329A JP51032990A JPH04507479A JP H04507479 A JPH04507479 A JP H04507479A JP 2510329 A JP2510329 A JP 2510329A JP 51032990 A JP51032990 A JP 51032990A JP H04507479 A JPH04507479 A JP H04507479A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
image
mask
support
projection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2510329A
Other languages
English (en)
Inventor
スミス、ニコラス・ジョン・グレッグ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Raychem Ltd
Original Assignee
Raychem Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Raychem Ltd filed Critical Raychem Ltd
Publication of JPH04507479A publication Critical patent/JPH04507479A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/24—Ablative recording, e.g. by burning marks; Spark recording
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Laser Surgery Devices (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 レーザー加工 この発明は、エフシマ・レーザーを用いて投射描画によりレーザ耐蝕加工するた めの装置および方法に関する。
かかる投射描画法は、例えば米国特許4508749号において公知であり、微 細電子集積回路素子上の薄い(5μm)ポリイミド層のエフシマ・レーザ融触エ ツチングが開示されている。エフシマ・レーザからの紫外線光はマスクを通して テレセントリック・レンズ系に入射腰該レンズ系は、5μmのポリイミドターゲ ット層上にマスクパターンに対応した開口の側壁が55乃至60°のスロープを なすようにフォトエツチングする。
本発明は、例えば、ヨーロッパ出願EP−A−0213774号や係属中の国際 出願PCT/GB89100110、PCT/GB8910 O111、PCT /GB89100108およびPCT/GB89100109に記載されている 、比較的厚いポリマ・フィルムとりわけ自己支持(self−support  ing)フィルムに貫通穴を形成するのにとりわけ適したシステを提供するもの である。本発明によるシステムの他の用途は種々考えられるが、それらに限定さ れるものではない。
本発明の一つの態様は、目標物上に融触されるべきマスクパターンを投射する投 射レンズ系と、該レンズ系は投射経路の画像(目標物)端部に向ってテレセント リックである;目標物を投射経路に沿って移動させる手段とを備え、使用に際し て、目標物から融触されるべき投射画像領域のサイズが目標物上のそれらの相対 位置を変更することなしに実際上調整されるようになった、目標物のエフシマ・ レーザ画像投射耐蝕装置を提供する。レンズ系のテレセントリック性によって、 縮小倍率(de−magnification)は実質的に不変であり、目標物 を真の画像面から遠ざけるように移動させる際の僅かな焦点のゆるみは驚くべき ことに、融触パターンの明確性の許容し難い損失を伴うことなしに、形成される マスク開口についてより大きな画像を与える。正確な中心対中心の間隔を保ち、 かつ融触される特徴の許容しつる解像度を維持しながら、目標物を、例えば数十 もしくは数百μmだけテレセントリックレンズの名目上の焦点面から移動できる ことが見い出された。例えば、2μmかそれ以下の解像度が達成され、このこと は、加えられた強度(fluence)に応じた融触深さの非線形性によって支 持され、強度が融触のしきい値以下になっている拡散された画像領域では融触が 抑制される。
好ましくは、多要素レンズ系は、画像(目標物)側においてのみテレセントリッ クであり、光軸上でのマスクの移動は、縮小倍率を僅かに変化させる、たとえば 、4.9:1から5.1:1の範囲内で変化させるために用いることができ、こ のようにして種々の仕様要求に適応するように、画像の開口間隔を僅かに変更す ることができる。かくして、例えば、新しいマスクの製作の必要なしに、種々の パターンを熱膨張を許容するように調整された寸法でポリマーフィルムに加工す ることができる。マスクと目標物の両方の調整を組み合わせることによって、大 きな汎用性が得られる。
本発明の他の態様によれば、より広い面積をカバーするため、移動可能な台(画 像が繰り返しパターンを有するものとして)に目標物を装着することによって投 射された画像が目標物を横切って多連されかつ繰り返されるか、或いは、好まし くは、エフシマ・レーザから発散するビームにより面積において大きいマスクの 表面を横切ってレーザ・ビームを線形に移動させるミラーを用いて偏向させるこ とにより、ビームを走査させるようにしてもよい。また、ビームを小さな角度だ け走査するためミラーを僅かに回転させるか、三角形状の鋭角水晶プリズムを回 転させ、屈折角を変化させることによってそれを通過するビームを走査させる。
その方向のうちの一つの方向に近似的にガウス強度分布をするビームの走査は、 ビームを均一化させ、融触の均一化という好ましい結果を得える。ビームは、例 えば走査ミラーとプリズムとを組合わせることにより、二次元において走査する ことができる。
本発明のいま一つの態様では、ビームの形状は、例えばその幅を拡大する等、好 ましく変更することができ、また、もともと強度分布は必要ならばそのままに保 持されるか、或は、対応的にビームの他の寸法を変更すること(例えば、高さを 減少させる)によって増加又は減少させることができる。例えば、シリンドリカ ルレンズがビーム形状を変更するのに用いることができる。このようなビーム形 状の変更は上記した如き走査方式と組合わせることにより、とりわけ有用である 。
本発明のいま一つの態様では、紫外線透過性のシート好ましくは溶融水晶上の高 反射性材料、好ましくは反射性マスクはゴーストイメージを形成する反射を防ぐ ために通常は用いられないが、本発明の融触系では、ゴーストイメージは、融触 のしきい値以下の強度であれば有害ではないことが見い出だされた。一方、ゴー ストイメージは、フォトレジストのような紫外線架橋系においては、許容するこ とのできない蓄積的な架橋効果を有する。紫外線透過性支持体上の紫外線反射性 マスク材の使用は、高価な高精度マスクへの紫外線吸収ダメージを減少させるこ とができる利点がある。
本発明の好ましい態様においては、5:1の線縮小率のもとで、好ましい歪(例 えば、15mmの視野に対して2μm以下の)および好ましい焦点深度(例えば 、15μm以上)を伴った解像レベルが、目標物に伝達されるレーザー光の割合 を最大化するため最小の光学要素を用いて達成される。上述の融触深さの非線形 性は、画像のエツジにおける収差の補正のためのいかなる付加的な光学要素の必 要なしに融触パターンのエツジを尖鋭化することによって上記極小要素による最 大効率に寄与する。好ましくは上記テレセントリック・レンズ系であるレンズ要 素に反射防止コーチインを施すことが好ましい。少なくとも80%の目標物への 透過効率が好ましく、85%かそれ以上の透過効率をこの方法により実現できる 。好ましいコーティング材料としては、約1゜5の屈折率(249nmで)を有 するコロイド状シリカがある。
本発明のいま一つの態様では、ある与えられたエフシマ・レーザのビーム面積は 、(例えば)シリンドカルレンズを用いて、単位面積当りの強度分布を増大させ るために減少させることができる。このことは、ポリマーの開口における側壁の スロープを減少させる効果を有するが、ある目標面積を融触させるために要求さ れるレーザパルス即ちショットの数は、強度の増加に伴って減少するとは限らな い。なぜならば、ビーム面積の減少はしばしば、目標面積以下となり、このこと で、ステッピングもしくは走査が必要となって、パルスの必要数の増加をもたら すからである。かくして、ビーム面積(径)と強度は必要なショツト数を最小に するように選定され、それによってレーザの寿命を長くする。8μm以上、好ま しくは25μm以上、具体的には50乃至100μm以上500乃至800μm の厚さのポリイミドフィルムに2mm2以上の面積にわたって穴を融触形成する ためには、ショツト数の最小とするために好ましい強度はターゲット材料の融触 しきい値強度の2.5乃至3倍である。
本発明の他の態様において、ターゲットに印加するレーザ光強度は、融触パター ンから融触で発生した屑を吹き飛ばすのに十分なように選ばれる。例えば、PC T/GB 8910 O109に記載された約100μmのポリイミド−ポリア ミド−ポリイミド積層体に約35μmの直径の貫通穴を融触する場合には、少な くとも3ジユ一ル/cm2/p u 1 s eの強度が好ましい。このように 、ターゲットにおける好ましいレーザ強度は、その用途を最適化するパラメータ 、壁角度、レーザの寿命或は保持される屑等に依存する。ビームの整形(例えば シリンドリカルレンズによる)は走査の柔軟性を確保するためにとりわけ有用で ある。
パルス周波数は、好ましくは、ビームがターゲツト面積上を走査する際に全体を 均一にカバーするために必要最小限の値より多くなければならない。パルスレー トは投射されたパルスが相互の端部で合致するか、ターゲット表面上で僅かに重 畳するような走査レートに相対して決められるであろう。
本発明の他の好ましい態様では、ターゲットに最も近いレンズ要素を融触で生じ た屑から保護する。このことは、ターゲットがレンズからできるだけ遠くなるよ うに縮小レンズを設計することによって達成されるが、好ましくは、縮小レンズ の最終要素として交換可能な層、好ましくは安価な紫外線透過性の平面水晶シー トを融触屑の収集のためのターゲットとレンズとの間に配置する。本発明のこの 特徴は複雑な静電的もしくは真空システムに対して簡便さの点で有利である。
拘束されていないポリマーフィルムに貫通穴を穿設することができる本発明のい まひとつの態様は、ターゲットに対する支持体を用いることであり、該支持体は 実質的に非反射性、即ち拡散的に反射性のみを有しくターゲットの裏面側への反 射によるダメージを回避するために)、かつ実質的に非吸収性であるか、ターゲ ットを損傷しうる加熱を回避するために冷却される。好ましくは、支持体はター ゲットを通ってくる紫外線光の吸収なしに透過させる艶消し水晶からなる。この 艶消し水晶は、小穴の配列を備え、耐蝕中、ポリマーフィルムを真空によって保 持するようにする。好ましくは、吸収体がターゲットの支持体の下方に設けられ るとともにターゲットを熱による損傷から守るため熱吸収を行なうように配置さ れる。
約249nmの波長の光を発生するKrFエクシマ争レーザは、ポリイミド製タ ーゲットの融触にとって好ましく、とりわけ出願中のPCT/GB891001 08に記述されているような上記ポリアミド−ポリイミド−ポリアミド積層体に 1ないし250、好ましくは10から200、例えば25ないし100μmの穴 を0. 1ないしlQcm”の領域に亙って融触による穴の穿設を行う場合に好 ましい。他の波長を生成するエフシマ・レーザも使用することができるが、その 場合には波長は200nm以下に制限される。マスクからレンズ系を通してター ゲット上のマスク像に至る5:1の線形縮小は上記のごとき開口を融触するのに 好ましいが、■=1ないし10:1の範囲で他の縮小率を採用することができる 。1ないし10μm1好ましくは約2μmの解像度および1ないし30、好まし くは約2μmの歪みを全画像領域に亙って保証することが好ましい。
出願中の英国特許出願には好ましい投射レンズ系が記載されているが、他のレン ズ系が排除されるものではない。
本発明の一例が、本発明の種々の特徴を結合した形で示す添付の図面を参照して 記述される。記述された特徴は個々に、および2以上の結合の形で本発明に含ま れる。
図面を参照して図式的に示された本システムは、約249nmの波長のレーザパ ルス光を発生するKrFエクシマ・レーザ1を備えており、そのパルス光はビー ム整形および強度制御用のシリンドリカルレンズ2を通して走査ミラー3に至る 。走査ミラー3は融触されるべきパターンを画成するマスク4の全領域に亙って 整形ビームを操作するために図示しない手段によって両矢印で図示した方向にお いて移動される。マスクは紫外線透過性の水晶シート上に生成した反射性クロム 金属のパターンから成る。マスクにおけるレーザ強度はレーザパルスエネルギー とビーム形状(シリンドリカルレンズによって選択された)に依存する。いずれ にせよターゲットにおける強度よりはマスクにおける強度は極めて小さく (も しも縮小メインレンズが用いられるならば)、シたがってマスクの損傷は最小化 される(とりわけマスク材料として高反射性クロム金属が用いられる場合には) 。
視野レンズ5はマスクの走査像をメインの縮小レンズ6に伝達する。レンズ要素 は合成溶解シリカ製であり、レーザビームの透過性を最大にするために前述した 反射防止コーティング(図示せず)を有している。5:1の線形縮小率は画像面 積において25:1の縮小を与えるとともに、強度において実用的に需要できる ような効率でマスクパターンをポリマーターゲット(目標物)に融触することが できるような増加をもたらす。
前述したごとき種類の35mmのテープ状にカットされたボリア 、ミド−ポリ イミド−ポリアミド積層体は架橋シリカ製の支持体7上に平坦に保持され、該支 持体は紫外線吸収性のヒートシンク8上に支持されており、このヒートシンクは フィルム供給および巻上手段10を収容する支持体9に支持されていて、積層体 のストリップに一連の融触パターンを生成する。上記の各要素の全てはターゲッ トをXSYおよびZ軸上で移動させかっ、支持面内においてターゲットを回転さ せる(すなわち垂直Z軸の廻りで回転させる)ための位置決め手段(図示せず) に取り付けられており、この位置決め装置は約1μmまでのステップを約0.  1μmの精度で再現することができる。このことはパターンをステップおよび繰 り返し移動させることを可能にする。縮小レンズ6はターゲットに向かってテレ セントリックであるのでZ軸上の垂直移動はその相対的な中心対中心の空間関係 を変更することなしにターゲットに融触されるべき円形開口のサイズを変更する 上記の方法に使用することができる。マスク4は上記レンズ系の非テレセントリ ック端部において図示しない手段によって光軸に沿って移動され、イメージサイ ズを変更しかつ、開口の間隔を変更するための方法を与える。
交換可能な平面状の水晶シート11が処理中にターゲットから出る融触屑から下 側の縮小レンズ面を保護するために設けられている。
レーザのパルスレートは約100ヘルツが望ましい。より高いレート例えば10 00ヘルツのレートを与えることのできるレーザは一般的に言って本発明の目的 にとっては不適当である。
国際調査報告 1□ema+:。6.3.工l’ll++。、。PCT/GB 9o101o’ yl国際調査報告 GB 9001071 S^ 38592

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.目標上に融蝕されるべきマスクパターンを投射する投射レンズ系と、該レン ズ系は投射経路の画像(目標物)端部に向かってテレセントリックである;目標 物を投射経路に沿って移動させる手段とを備え、使用に際して、目標物から融蝕 されるべき投射画像領域のサイズが目標物上のそれらの相対位置を変更すること なしに実際上調整されるようになうた、目標物のエクシマ・レーザ画像投射融蝕 装置。
  2. 2.請求項1記載の装置において、上記レンズ系は上記画像端部に向かってのみ テレセントリックであり、光源とレンズ系との間の投射経路に沿ったマスクの移 動は使用に際して、投射されるマスク画像のサイズを全体として調整するもの。
  3. 3.目標物に対する支持体を有し、該支持率は使用に際して、そこに透過してく るレーザ光を実質的に非吸収性で拡散的に反射性である、エクシマ・レーザ画像 投射融蝕装置。
  4. 4.請求項3記載の装置において、上記支持体は艶消し水晶であるもの。
  5. 5.請求項3または4記載の装置において、上記支持体を通過する光の吸収体を 有し、該吸収体は目標物の許容し難い加熱を避けるように配置されているもの。
  6. 6.前述した発明の態様のいずれか一つもしくは二つ以上の組み合わせからなる 、エクシマ・レーザ画像投射融蝕装置もしくは方法。
JP2510329A 1989-07-14 1990-07-12 レーザー加工 Pending JPH04507479A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB8916133.5 1989-07-14
GB898916133A GB8916133D0 (en) 1989-07-14 1989-07-14 Laser machining

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04507479A true JPH04507479A (ja) 1992-12-24

Family

ID=10660041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2510329A Pending JPH04507479A (ja) 1989-07-14 1990-07-12 レーザー加工

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5296673A (ja)
EP (1) EP0482051B1 (ja)
JP (1) JPH04507479A (ja)
AT (1) ATE136131T1 (ja)
CA (1) CA2056358A1 (ja)
DE (1) DE69026258T2 (ja)
GB (1) GB8916133D0 (ja)
WO (1) WO1991001514A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002539937A (ja) * 1999-03-25 2002-11-26 アルファヘリックス・アクチボラゲット 遠心力および加熱による小体積混合物の均一化

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH686461A5 (de) * 1992-07-21 1996-03-29 Balzers Hochvakuum Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes, optisches Bauelement und Anlage zur Durchfuehrung des Verfahrens.
FR2694131B1 (fr) * 1992-07-21 1996-09-27 Balzers Hochvakuum Procede et installation pour la fabrication d'un composant, notamment d'un composant optique, et composant optique ainsi obtenu.
AU7107594A (en) * 1993-06-11 1995-01-03 Bausch & Lomb Incorporated Method of minimizing diffraction groove formation on laser etched surfaces
CA2173141A1 (en) * 1993-09-30 1995-04-06 William N. Partlo Full field mask illumination enhancement methods and apparatus
DE69407620T2 (de) * 1993-12-17 1998-04-09 Minnesota Mining & Mfg Ablationsabbildung durch quasikontaktlithographie
US5571429A (en) * 1994-02-25 1996-11-05 Litel Instruments Apparatus and process for high speed laminate processing with computer generated holograms
JP3209641B2 (ja) * 1994-06-02 2001-09-17 三菱電機株式会社 光加工装置及び方法
GB9503230D0 (en) * 1995-02-18 1995-04-05 Bank Of England Manufacture of printing plates by photo-ablation
US5585019A (en) * 1995-03-10 1996-12-17 Lumonics Inc. Laser machining of a workpiece through adjacent mask by optical elements creating parallel beams
KR19990007929A (ko) 1995-04-26 1999-01-25 데이빗로스클리블랜드 다면 반복 노광 방법 및 장치
DE19520187C1 (de) * 1995-06-01 1996-09-12 Microlas Lasersystem Gmbh Optik zum Herstellen einer scharfen Beleuchtungslinie aus einem Laserstrahl
US5855835A (en) * 1996-09-13 1999-01-05 Hewlett Packard Co Method and apparatus for laser ablating a nozzle member
DE19706846A1 (de) * 1997-02-21 1998-09-03 Bodenseewerk Geraetetech Vorrichtung zur lichtinitiierten chemischen Vernetzung von Material
DE19918008A1 (de) 1999-04-21 2000-10-26 Claussen Claus Frenz Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung des Halsbewegungsmusters
DE19919009B4 (de) * 1999-04-27 2005-03-03 Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. Maske und deren Anwendung in der Laserablation
KR100691924B1 (ko) * 1999-04-27 2007-03-09 지에스아이 루모닉스 인코퍼레이티드 재료 가공 장치 및 방법
US6313434B1 (en) 1999-05-27 2001-11-06 International Business Machines Corporation Method for creation of inclined microstructures using a scanned laser image
US6574024B1 (en) 2000-03-31 2003-06-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Laser beam homogenization by scanning a beam onto a mask
US6433303B1 (en) * 2000-03-31 2002-08-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus using laser pulses to make an array of microcavity holes
US6623103B2 (en) 2001-04-10 2003-09-23 Lexmark International, Inc. Laser ablation method for uniform nozzle structure
US7194803B2 (en) * 2001-07-05 2007-03-27 Flowserve Management Company Seal ring and method of forming micro-topography ring surfaces with a laser
US6617542B2 (en) 2001-07-24 2003-09-09 Hutchinson Technology, Inc. Method of laser polishing surfaces on a head suspension assembly
US6577448B2 (en) 2001-09-25 2003-06-10 Siemens Dematic Electronic Assembly Systems, Inc. Laser system by modulation of power and energy
US6951627B2 (en) * 2002-04-26 2005-10-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of drilling holes with precision laser micromachining
US7880117B2 (en) * 2002-12-24 2011-02-01 Panasonic Corporation Method and apparatus of drilling high density submicron cavities using parallel laser beams
GB2404453A (en) * 2003-07-30 2005-02-02 Simon Alexander Telfer Retro reflective video marker
US7303636B1 (en) 2003-10-16 2007-12-04 Hutchinson Technology Incorporated Method of laser cleaning surfaces on a head suspension
DE102004009212B4 (de) * 2004-02-25 2015-08-20 Carl Zeiss Meditec Ag Kontaktelement für Laserbearbeitung und Laserbearbeitungsvorrichtung
US20060097430A1 (en) * 2004-11-05 2006-05-11 Li Xiaochun UV pulsed laser machining apparatus and method
US20060186098A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Caristan Charles L Method and apparatus for laser processing
GB2438600B (en) * 2006-05-19 2008-07-09 Exitech Ltd Method for patterning thin films on moving substrates
US7549211B1 (en) 2006-06-30 2009-06-23 Hutchinson Technology Incorporated Method for de-tabbing a disk drive head suspension flexure
EP2451352B8 (en) 2009-07-07 2017-08-02 NackCare LLC Method for accurate assessment and graded training of sensorimotor functions
US10154923B2 (en) 2010-07-15 2018-12-18 Eyenovia, Inc. Drop generating device
CN103033525B (zh) * 2011-09-30 2016-03-02 清华大学 Ct系统和ct图像重建方法
US20130172830A1 (en) * 2011-12-12 2013-07-04 Corinthian Ophthalmic, Inc. Ejector mechanism, ejector device, and methods of use
IN2014DN09377A (ja) 2012-04-10 2015-07-17 Corinthian Ophthalmic Inc
SG11201406716WA (en) 2012-04-20 2015-03-30 Eyenovia Inc Spray ejector device and methods of use
US9539604B2 (en) 2012-05-15 2017-01-10 Eyenovia, Inc. Ejector devices, methods, drivers, and circuits therefor
US20150301444A1 (en) * 2012-06-18 2015-10-22 Indian Institute Of Technology Kanpur Systems and methods for dry processing fabrication of binary masks with arbitrary shapes for ultra-violet laser micromachining
US11938056B2 (en) 2017-06-10 2024-03-26 Eyenovia, Inc. Methods and devices for handling a fluid and delivering the fluid to the eye
JP7303053B2 (ja) * 2019-07-17 2023-07-04 ファナック株式会社 調整補助具及びレーザ溶接装置
CA3164288A1 (en) 2019-12-11 2021-06-17 Eyenovia, Inc. Systems and devices for delivering fluids to the eye and methods of use

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4508749A (en) * 1983-12-27 1985-04-02 International Business Machines Corporation Patterning of polyimide films with ultraviolet light
EP0240002B1 (en) * 1986-04-02 1993-08-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. A laser recording apparatus
DE3632640A1 (de) * 1986-09-25 1988-06-01 Agfa Gevaert Ag Verfahren zur herstellung eines spritzgiesswerkzeugs
US4907341A (en) * 1987-02-27 1990-03-13 John Fluke Mfg. Co., Inc. Compound resistor manufacturing method
US5095190A (en) * 1987-03-03 1992-03-10 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US4780177A (en) * 1988-02-05 1988-10-25 General Electric Company Excimer laser patterning of a novel resist

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002539937A (ja) * 1999-03-25 2002-11-26 アルファヘリックス・アクチボラゲット 遠心力および加熱による小体積混合物の均一化

Also Published As

Publication number Publication date
EP0482051B1 (en) 1996-03-27
CA2056358A1 (en) 1991-01-15
GB8916133D0 (en) 1989-08-31
WO1991001514A1 (en) 1991-02-07
DE69026258T2 (de) 1996-11-28
ATE136131T1 (de) 1996-04-15
EP0482051A1 (en) 1992-04-29
US5296673A (en) 1994-03-22
DE69026258D1 (de) 1996-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5296673A (en) Laser machining
JP3929084B2 (ja) 未処理製品の表面を照射する方法
US4156124A (en) Image transfer laser engraving
US6130009A (en) Apparatus and process for nozzle production utilizing computer generated holograms
Naessens et al. Flexible fabrication of microlenses in polymer layers with excimer laser ablation
US20090097126A1 (en) Method of laser marking, laser marking apparatus and method and apparatus for detecting a mark
EP0470541A1 (en) Optical projection system
KR19990007929A (ko) 다면 반복 노광 방법 및 장치
TW201026420A (en) Method and apparatus for forming grooves in the surface of a polymer layer
US20060158631A1 (en) Method and apparatus for irradiating a microlithographic substrate
TWI344947B (ja)
KR100392563B1 (ko) 주변노광장치의 광학계
KR102644949B1 (ko) 레이저 가공 장치, 레이저 가공 방법 및 성막 마스크 제조 방법
TWI309755B (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4159139B2 (ja) 光像形成装置、光加工装置並びに露光装置
TWI903099B (zh) 照明光學系統以及雷射加工裝置
KR102012297B1 (ko) 멀티빔 스캐너 시스템을 이용한 패턴 형성방법
JP7661199B2 (ja) 照明光学系及びレーザ加工装置
JPH091363A (ja) レーザマーカ
JP2005032777A (ja) 露光装置および露光方法
JPH11342486A (ja) アパーチャーマスク並びに光加工方法及びその装置
CN103201681A (zh) 用于具有负倾斜侧壁的台面结构的激光直写的系统
JPH01251689A (ja) 被覆基板の両面へのパターン同時形成法
TW202548441A (zh) 描繪裝置
JPS63104885A (ja) レ−ザマ−キング装置