JPH0450903A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
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- JPH0450903A JPH0450903A JP2158212A JP15821290A JPH0450903A JP H0450903 A JPH0450903 A JP H0450903A JP 2158212 A JP2158212 A JP 2158212A JP 15821290 A JP15821290 A JP 15821290A JP H0450903 A JPH0450903 A JP H0450903A
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/022—Mountings; Housings
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光伝送系と、光信号を光伝送系に投入する半導体レーザ
と、半導体レーザの作動を監視するモニタ用発光素子と
を、ケースに収容した半導体レーザモジュールに関し、 半導体レーザ、モニタ用発光素子の位置調整作業が容易
で、且つ小形化された半導体レーザモジュールを提供す
ることを目的とし、 光伝送系と、光信号を該光伝送系に投入する半導体レー
ザと、該半導体レーザの作動を監視するモニタ用発光素
子とを、ケースに収容したモジュールにおいて、該ケー
スの側壁に該光伝送系が装着され、 第１の平坦部と、第２の平坦部と、該第２の平坦部の端
部に該第１の平坦部に対向して設けた垂直壁とを備えた
サブマウントが、ケース底板に固着され、該半導体レー
ザが、一方の発光面を該光伝送系に対向して該第１の平
坦部に搭載され、該モニタ用発光素子が、受光面を該半
導体レーザの他方の発光面に対向して、該垂直壁に搭載
された構成とする。
と、半導体レーザの作動を監視するモニタ用発光素子と
を、ケースに収容した半導体レーザモジュールに関し、 半導体レーザ、モニタ用発光素子の位置調整作業が容易
で、且つ小形化された半導体レーザモジュールを提供す
ることを目的とし、 光伝送系と、光信号を該光伝送系に投入する半導体レー
ザと、該半導体レーザの作動を監視するモニタ用発光素
子とを、ケースに収容したモジュールにおいて、該ケー
スの側壁に該光伝送系が装着され、 第１の平坦部と、第２の平坦部と、該第２の平坦部の端
部に該第１の平坦部に対向して設けた垂直壁とを備えた
サブマウントが、ケース底板に固着され、該半導体レー
ザが、一方の発光面を該光伝送系に対向して該第１の平
坦部に搭載され、該モニタ用発光素子が、受光面を該半
導体レーザの他方の発光面に対向して、該垂直壁に搭載
された構成とする。
本発明は、光伝送系と、光信号を光伝送系に投入する半
導体レーザと、半導体レーザの作動を監視するモニタ用
発光素子とを、ケースに収容した半導体レーザモジュー
ルに関する。
導体レーザと、半導体レーザの作動を監視するモニタ用
発光素子とを、ケースに収容した半導体レーザモジュー
ルに関する。
第３図は従来の半導体レーザモジュールの断面図である
。
。
第ｆ図において３０は、上部が開口した箱形で、Ｆｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ合金（商品名コバール）等の金属よりなるケ
ースであって、開口部は最後に蓋で封止されるものであ
る。
Ｎｉ−Ｃｏ合金（商品名コバール）等の金属よりなるケ
ースであって、開口部は最後に蓋で封止されるものであ
る。
１は、レンズ２と光ファイバ３とが光結合するように組
合わせられた光伝送系である。
合わせられた光伝送系である。
詳述すると、光伝送系１のレンズ２は、ホルダー５の軸
孔に挿入されており、軸心の微細孔に光ファイバ３の端
末が挿着されてなるフェルール４を、その受光側端面を
レンズ２に対向させホルダー５の軸孔に挿入し、レンズ
２と端面との距離を所定に調整した後に、ホルダー５の
端面とフェルール４の外周面とをレーザ溶接等して固着
しである。
孔に挿入されており、軸心の微細孔に光ファイバ３の端
末が挿着されてなるフェルール４を、その受光側端面を
レンズ２に対向させホルダー５の軸孔に挿入し、レンズ
２と端面との距離を所定に調整した後に、ホルダー５の
端面とフェルール４の外周面とをレーザ溶接等して固着
しである。
レンズ２をケースの内側にして、ホルダー５の円筒部を
ケース３０の側壁３２に設けた孔（軸心がケース底板３
１に平行する孔）に挿入し、ホルダー５のフランジと側
壁３２の外側面とをレーザ溶接等して固着して、光伝送
系１をケース３０に装着している。
ケース３０の側壁３２に設けた孔（軸心がケース底板３
１に平行する孔）に挿入し、ホルダー５のフランジと側
壁３２の外側面とをレーザ溶接等して固着して、光伝送
系１をケース３０に装着している。
上面に半導体レーザ１０を搭載するサブマウント１５は
、セラミックスよりなる直方体形で、その上面にはメタ
ライズ膜１６を設けである。
、セラミックスよりなる直方体形で、その上面にはメタ
ライズ膜１６を設けである。
半導体レーザ１０は、一方の発光面１１がレンズ２に対
向するようにサブマウント１５の上面に載せられ、底面
を導電性接着剤を用いてメタライズ＃１６に固着するこ
とで、サブマウント１５に搭載されている。
向するようにサブマウント１５の上面に載せられ、底面
を導電性接着剤を用いてメタライズ＃１６に固着するこ
とで、サブマウント１５に搭載されている。
レーザ１０の電極１３は、金線等のワイヤを介して回路
基板（図示省略）の駆動回路に接続されている。
基板（図示省略）の駆動回路に接続されている。
一方、垂直面にモニタ用発光素子２０を搭載するサブマ
ウント２５は、セラミックスよりなる矩形板状で、半導
体レーザ１０に対向する垂直面にメタライズ膜２６を設
けである。
ウント２５は、セラミックスよりなる矩形板状で、半導
体レーザ１０に対向する垂直面にメタライズ膜２６を設
けである。
モニタ用発光素子２０は、受光面２１を半導体レーザ１
０の他方の発光面１２に対向させ、底面を垂直面に当接
させ、底面を導電性接着剤を用いてメタライズ膜２６に
固着することで、サブマウント２５に搭載されている。
０の他方の発光面１２に対向させ、底面を垂直面に当接
させ、底面を導電性接着剤を用いてメタライズ膜２６に
固着することで、サブマウント２５に搭載されている。
そしてモニタ用発光素子２０の電極２３は、金線等のワ
イヤを介して回路基板の増幅回路に接続されている。
イヤを介して回路基板の増幅回路に接続されている。
尚、半導体レーザ１０は、光伝送系１との光結合度が最
高になるような位置に、サブマウント１５がケース底板
３１に固着され、モニタ用発光素子２０は、半導体レー
ザ１０との光結合が最高になるような位置に、サブマウ
ント２５がケース底板３１に固着されている。
高になるような位置に、サブマウント１５がケース底板
３１に固着され、モニタ用発光素子２０は、半導体レー
ザ１０との光結合が最高になるような位置に、サブマウ
ント２５がケース底板３１に固着されている。
上述のように半導体レーザモジュールが構成されている
ので、半導体レーザ１０の一方の発光面１１から出射し
た光信号は、レンズ２に投射され、レンズ２により光フ
ァイバ３の端面で集光して光ファイバ３を進行する。
ので、半導体レーザ１０の一方の発光面１１から出射し
た光信号は、レンズ２に投射され、レンズ２により光フ
ァイバ３の端面で集光して光ファイバ３を進行する。
一方、半導体レーザ１０の他方の発光面１２からも光信
号が出射して、モニタ用発光素子２０の受光面２１に投
射する。
号が出射して、モニタ用発光素子２０の受光面２１に投
射する。
したがって、このような半導体レーザモジュールは、光
ファイバ３を進行する光信号と同波形の信号を、モニタ
用発光素子２０を介してモニターすることができる。
ファイバ３を進行する光信号と同波形の信号を、モニタ
用発光素子２０を介してモニターすることができる。
ところで、半導体レーザ１０と光伝送系１との光結合度
が最高になるように位置調整するには、半導体レーザ１
０を駆動し光ファイバ３に装着した光検出器を観測しな
がら、サブマウント１５をＺ軸（光軸方向をいう）及び
Ｘ軸、Ｙ軸方向に微細に移動調整し、光ファイバ３の出
力が最高の位置でサブマウント１５をケース底板３１に
固着（接着剤等を用いて固着）している。
が最高になるように位置調整するには、半導体レーザ１
０を駆動し光ファイバ３に装着した光検出器を観測しな
がら、サブマウント１５をＺ軸（光軸方向をいう）及び
Ｘ軸、Ｙ軸方向に微細に移動調整し、光ファイバ３の出
力が最高の位置でサブマウント１５をケース底板３１に
固着（接着剤等を用いて固着）している。
一方、モニタ用発光素子２０を半導体レーザ１０と光結
合度が最高になるように位置調整するには、半導体レー
ザ１０を駆動しモニタ用発光素子２ｏの出力を観測しな
がら、サブマウント２５をＺ軸（光軸方向をいう）及び
Ｘ軸、Ｙ軸方向に微細に移動調整し、モニタ用発光素子
２０の出力が最高の位置でサブマウント２５をケース底
板３１に固着（接着剤等を用いて固着）している。
合度が最高になるように位置調整するには、半導体レー
ザ１０を駆動しモニタ用発光素子２ｏの出力を観測しな
がら、サブマウント２５をＺ軸（光軸方向をいう）及び
Ｘ軸、Ｙ軸方向に微細に移動調整し、モニタ用発光素子
２０の出力が最高の位置でサブマウント２５をケース底
板３１に固着（接着剤等を用いて固着）している。
したがって従来の半導体レーザモジュールは、狭いケー
ス内で半導体レーザの位置調整と、モニタ用発光素子の
位置調整を実施しなければならず、調整作業性が劣ると
いう問題点があった。
ス内で半導体レーザの位置調整と、モニタ用発光素子の
位置調整を実施しなければならず、調整作業性が劣ると
いう問題点があった。
また、２個のサブマウントを収容するための広いケース
底板が必要となり、半導体レーザモジュールが大形化す
る恐れがあった。
底板が必要となり、半導体レーザモジュールが大形化す
る恐れがあった。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、半導
体レーザ、モニタ用発光素子の位置調整作業が容易で、
且つ小形化された半導体レーザモジュールを提供するこ
とを目的としている。
体レーザ、モニタ用発光素子の位置調整作業が容易で、
且つ小形化された半導体レーザモジュールを提供するこ
とを目的としている。
上記の目的を達成するために本発明は、第１図に例示し
たように、光伝送系１と、光信号を光伝送系１に投入す
る半導体レーザ１０と、半導体レーザ１０の作動を監視
するモニタ用発光素子２０を、ケース３０に収容したモ
ジュールにおいて、ケース３０の側壁３２に光伝送系１
を装着する。
たように、光伝送系１と、光信号を光伝送系１に投入す
る半導体レーザ１０と、半導体レーザ１０の作動を監視
するモニタ用発光素子２０を、ケース３０に収容したモ
ジュールにおいて、ケース３０の側壁３２に光伝送系１
を装着する。
第１の平坦部５１と、第２の平坦部５２と、第２の平坦
部５２の端部に第１の平坦部５１に対向する垂直壁５３
とを備えたサブマウント５０を、ケース底板３１に固着
する構成とする。
部５２の端部に第１の平坦部５１に対向する垂直壁５３
とを備えたサブマウント５０を、ケース底板３１に固着
する構成とする。
そして、半導体レーザ１０は、一方の発光面１１が光伝
送系ｌに対向した状態で第１の平坦部５１に搭載された
ものとし、モニタ用発光素子２０は、受光面２１を半導
体レーザ１０の他方の発光面１２に対向した状態で、垂
直壁５３に搭載されたものとする。
送系ｌに対向した状態で第１の平坦部５１に搭載された
ものとし、モニタ用発光素子２０は、受光面２１を半導
体レーザ１０の他方の発光面１２に対向した状態で、垂
直壁５３に搭載されたものとする。
また、第２図に例示したように、半導体レーザ１０が搭
載される第１の平坦部６１と、モニタ用発光素子２０の
下部側面が当接する第２の平坦部６２と、第２の平坦部
６２の端部に第１の平坦部６１に対向して設けられ、モ
ニタ用発光素子２０が受光面２１を半導体レーザ１０の
他方の発光面１２に対向して搭載される垂直壁６３とを
備えたサブマウント６０の構造において、第１の平坦部
６１と第２の平坦部６２との段差を所定の高さとする。
載される第１の平坦部６１と、モニタ用発光素子２０の
下部側面が当接する第２の平坦部６２と、第２の平坦部
６２の端部に第１の平坦部６１に対向して設けられ、モ
ニタ用発光素子２０が受光面２１を半導体レーザ１０の
他方の発光面１２に対向して搭載される垂直壁６３とを
備えたサブマウント６０の構造において、第１の平坦部
６１と第２の平坦部６２との段差を所定の高さとする。
また、第１の平坦部６１に、半導体レーザ１０のモニタ
用発光素子２０側の発光面１２の両サイドが当接する一
対の角柱６５と、半導体レーザ１０の選択した側面が当
接するストッパ６６とを設ける。
用発光素子２０側の発光面１２の両サイドが当接する一
対の角柱６５と、半導体レーザ１０の選択した側面が当
接するストッパ６６とを設ける。
一方、第２の平坦部６２に、モニタ用発光素子２０の選
択した側面が当接するストッパ６７を設けた構成とする
。
択した側面が当接するストッパ６７を設けた構成とする
。
上述のように半導体レーザ１０とモニタ用発光素子２０
とは、同一のサブマウント５０に搭載されている。
とは、同一のサブマウント５０に搭載されている。
したたがって、半導体レーザ１０とモニタ用発光素子２
０との関係位置を調整し搭載したサブマウント５０を、
ケース内に持ち込み、光伝送系１と半導体レーザ１０と
の光結合が最高になるようにサブマウント５０の位置調
整を実施することで、調整作業が容易となる。
０との関係位置を調整し搭載したサブマウント５０を、
ケース内に持ち込み、光伝送系１と半導体レーザ１０と
の光結合が最高になるようにサブマウント５０の位置調
整を実施することで、調整作業が容易となる。
また、半導体レーザ１０とモニタ用発光素子２０とが近
接配置したサブマウント構造とすることで、半導体レー
ザ１０とモニタ用発光素子２０との光結合度が高くなる
ばかりでなく、サブマウント５０が小形化される。即ち
、半導体レーザモジュールが小形になる。
接配置したサブマウント構造とすることで、半導体レー
ザ１０とモニタ用発光素子２０との光結合度が高くなる
ばかりでなく、サブマウント５０が小形化される。即ち
、半導体レーザモジュールが小形になる。
第２の発明においては、第１の平坦部６１と第２の平坦
部６２との段差を、半導体レーザ１０の発光面の中心か
ら底面までの距離と、モニタ用発光素子２０の受光面２
１の中心から下部側面まで距離との、差に等しくするも
のとする。
部６２との段差を、半導体レーザ１０の発光面の中心か
ら底面までの距離と、モニタ用発光素子２０の受光面２
１の中心から下部側面まで距離との、差に等しくするも
のとする。
また、第１の平坦部６１のストッパ６６の位置は、半導
体レーザ１０の発光面の中心線から所定に離れた位置と
する。
体レーザ１０の発光面の中心線から所定に離れた位置と
する。
さらに第２の平坦部６２のストッパ６７の位置は、モニ
タ用発光素子２０の受光面２１の中心線から所定に離れ
た位置とする。
タ用発光素子２０の受光面２１の中心線から所定に離れ
た位置とする。
このような構成になっているので、ストッパ６６に半導
体レーザ１０の側面を当接し、モニタ用発光素子２０の
側面をストッパ６７に当接すると、半導体レーザ１０と
モニタ用発光素子２０の光軸が一致する。
体レーザ１０の側面を当接し、モニタ用発光素子２０の
側面をストッパ６７に当接すると、半導体レーザ１０と
モニタ用発光素子２０の光軸が一致する。
よって、半導体レーザ１０とモニタ用発光素子２０との
位置調整は、殆ど実施しなくて済む。
位置調整は、殆ど実施しなくて済む。
以下図を参照しながら、本発明を具体的に説明する。な
お、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
お、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
第１図は第１の発明の図で、（ａｌは側断面図、（ｂ）
は平面図、第２図は第２の発明の図で、（ａ）はサブマ
ウントの斜視図、（ｂｌは側断面図である。
は平面図、第２図は第２の発明の図で、（ａ）はサブマ
ウントの斜視図、（ｂｌは側断面図である。
第１図において、レンズ２と光ファイバ３とを光結合す
るように組み合わせた光伝送系工は、レンズ２がホルダ
ー５の軸孔に挿入され、光ファイバ３はその端末がフェ
ルール４の軸心の微細孔に挿着され、フェルール４をホ
ルダー５の軸孔に挿入し、光ファイバ３の受光端面とレ
ンズ２との距離が所定に調整されている。
るように組み合わせた光伝送系工は、レンズ２がホルダ
ー５の軸孔に挿入され、光ファイバ３はその端末がフェ
ルール４の軸心の微細孔に挿着され、フェルール４をホ
ルダー５の軸孔に挿入し、光ファイバ３の受光端面とレ
ンズ２との距離が所定に調整されている。
そして、上部が開口した箱形のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等
の金属よりなるケース３０の側壁３２に、ケース底板３
１に平行する孔３３を穿孔し、この孔３３にホルダー５
の円筒部を挿入することで、光伝送系ｌがケース３０に
装着されている。
の金属よりなるケース３０の側壁３２に、ケース底板３
１に平行する孔３３を穿孔し、この孔３３にホルダー５
の円筒部を挿入することで、光伝送系ｌがケース３０に
装着されている。
５０は、セラミックスよりなりサブマウントであって、
その上部の光伝送系寄りに、水平な第１の平坦部５１を
設けである。
その上部の光伝送系寄りに、水平な第１の平坦部５１を
設けである。
そして、光伝送系１とは反対側に、第１の平坦部５１よ
りも低い第２の平坦部５２を設け、この第２の平坦部５
２の端に垂直壁５３を設けである。
りも低い第２の平坦部５２を設け、この第２の平坦部５
２の端に垂直壁５３を設けである。
第１の平坦部５１の表面に、半導体レーザ１０の底面を
導電性接着剤を用いて接着するメタライズ膜５１Ａを形
成してあり、また垂直壁５３の垂直面にはモニタ用発光
素子２０の底面を導電性接着剤を用いて接着するメタラ
イズ膜５３Ａを形成しである。
導電性接着剤を用いて接着するメタライズ膜５１Ａを形
成してあり、また垂直壁５３の垂直面にはモニタ用発光
素子２０の底面を導電性接着剤を用いて接着するメタラ
イズ膜５３Ａを形成しである。
上述のようなサブマウント５０は、まず半導体レーザ１
０を第１の平坦部５１に固着する。次に垂直壁５３の垂
直面に導電性接着剤を塗布して、モニタ用発光素子２０
の底面を当接し、半導体レーザ１０を駆動し、モニタ用
発光素子２０の出力を観測しながら、モニタ用発光素子
２０を垂直壁５３の垂直面上でＸ軸。
０を第１の平坦部５１に固着する。次に垂直壁５３の垂
直面に導電性接着剤を塗布して、モニタ用発光素子２０
の底面を当接し、半導体レーザ１０を駆動し、モニタ用
発光素子２０の出力を観測しながら、モニタ用発光素子
２０を垂直壁５３の垂直面上でＸ軸。
Ｙ軸方向に微細に移動調整し、モニタ用発光素子２０の
出力が最高の位置で導電性接着剤を加熱し硬化して、モ
ニタ用発光素子２０を垂直壁５３に固着するものである
。
出力が最高の位置で導電性接着剤を加熱し硬化して、モ
ニタ用発光素子２０を垂直壁５３に固着するものである
。
なお、サブマウント５０の底面から第１の平坦部５１ま
での高さは、半導体レーザ１０の発光面１１の中心から
底面までの距離、及び導電性接着剤の厚さ等を考慮して
予め設定して、半導体レーザ１０の光軸が光伝送系１の
光軸と同一レベルになるように、加工しておくことが好
ましい。
での高さは、半導体レーザ１０の発光面１１の中心から
底面までの距離、及び導電性接着剤の厚さ等を考慮して
予め設定して、半導体レーザ１０の光軸が光伝送系１の
光軸と同一レベルになるように、加工しておくことが好
ましい。
半導体レーザ１０とモニタ用発光素子２０とが所定に搭
載されたサブマウント５０を、ケース３０内に持ち込み
、半導体レーザｌＯを駆動し光ファイバ３に装着した光
検出器を観測しながら、サブマウント５０をケース底板
３１の表面を微細にＺ軸（図では左右方向で光軸に平行
する方向をいう）及びＸ軸（図では用紙に対して垂直の
方向）に摺動移動させ、光ファイバ３の出力が最高の位
置でサブマウント５０をケース底板３１に固着している
。
載されたサブマウント５０を、ケース３０内に持ち込み
、半導体レーザｌＯを駆動し光ファイバ３に装着した光
検出器を観測しながら、サブマウント５０をケース底板
３１の表面を微細にＺ軸（図では左右方向で光軸に平行
する方向をいう）及びＸ軸（図では用紙に対して垂直の
方向）に摺動移動させ、光ファイバ３の出力が最高の位
置でサブマウント５０をケース底板３１に固着している
。
一方、７０は、半導体レーザ１０の駆動回路、及びモニ
タ用発光素子２０の増幅回路等を形成した回路基板であ
って、第１図（′ｂ）に示すように、ケース３０の所定
の位置にケース底板３１に平行に搭載されている。
タ用発光素子２０の増幅回路等を形成した回路基板であ
って、第１図（′ｂ）に示すように、ケース３０の所定
の位置にケース底板３１に平行に搭載されている。
そして、レーザ１０の電極１３及びメタライズ膜５１Ａ
は、それぞれ金線等のワイヤを介して回路基板７０の駆
動回路に接続され、モニタ用発光素子２０の電極２３及
びメタライズ膜５３Ａは、それぞれ金線等のワイヤを介
して回路基板７０の増幅回路に接続されている。
は、それぞれ金線等のワイヤを介して回路基板７０の駆
動回路に接続され、モニタ用発光素子２０の電極２３及
びメタライズ膜５３Ａは、それぞれ金線等のワイヤを介
して回路基板７０の増幅回路に接続されている。
なお、半導体レーザ１０とモニタ用発光素子２０とが近
接配置したサブマウント構造とすることで、半導体レー
ザ１０とモニタ用発光素子２０との光結合度が高くなる
ばかりでなく、サブマウント５０が小形化される。即ち
半導体レーザモジュールが小形になる。
接配置したサブマウント構造とすることで、半導体レー
ザ１０とモニタ用発光素子２０との光結合度が高くなる
ばかりでなく、サブマウント５０が小形化される。即ち
半導体レーザモジュールが小形になる。
第２図に図示したように、第２の発明にかかわるサブマ
ウント６０は、半導体レーザ１０を搭載する第１の平坦
部６１と、モニタ用発光素子２０の下部側面が当接する
第２の平坦部６２と、第２の平坦部６２の端部に第１の
平坦部６１に対向して設けられ、モニタ用発光素子２０
を受光面２１を半導体レーザ１０の他方の発光面１２に
対向して搭載する垂直壁６３とを備えたものである。
ウント６０は、半導体レーザ１０を搭載する第１の平坦
部６１と、モニタ用発光素子２０の下部側面が当接する
第２の平坦部６２と、第２の平坦部６２の端部に第１の
平坦部６１に対向して設けられ、モニタ用発光素子２０
を受光面２１を半導体レーザ１０の他方の発光面１２に
対向して搭載する垂直壁６３とを備えたものである。
サブマウント６０は、第１の平坦部６１と第２の平坦部
６２との段差を、半導体レーザ１０の発光面の中心から
底面までの距離と、モニタ用発光素子２０の受光面２１
の中心から下部側面まで距離との、差に等しくしである
。
６２との段差を、半導体レーザ１０の発光面の中心から
底面までの距離と、モニタ用発光素子２０の受光面２１
の中心から下部側面まで距離との、差に等しくしである
。
また、第１の平坦部６１に、半導体レーザ１０のモニタ
用発光素子２０側の発光面１２の両サイドが当接する一
対の角柱６５と、半導体レーザ１０の選択した側面が当
接するストッパ６６とを設けである。
用発光素子２０側の発光面１２の両サイドが当接する一
対の角柱６５と、半導体レーザ１０の選択した側面が当
接するストッパ６６とを設けである。
このストッパ６６の垂直面（半導体レーザ１０の側面が
当接する面）と一対の角柱６５の中間線との距離は、半
導体レーザ１０の発光面の中心から側面までの距離に等
しくしである。
当接する面）と一対の角柱６５の中間線との距離は、半
導体レーザ１０の発光面の中心から側面までの距離に等
しくしである。
一方、第２の平坦部６２に、モニタ用発光素子２０の一
方の側面が当接する直方体形のストッパ６７を設けであ
る。
方の側面が当接する直方体形のストッパ６７を設けであ
る。
そして、このストッパ６７の垂直面（モニタ用発光素子
２０の側面が当接する面）と一対の角柱６５の中間線と
の距離は、モニタ用発光素子２０の受光面の中心からモ
ニタ用発光素子の側面までの距離に等しくしである。
２０の側面が当接する面）と一対の角柱６５の中間線と
の距離は、モニタ用発光素子２０の受光面の中心からモ
ニタ用発光素子の側面までの距離に等しくしである。
また、第１の平坦部６１の表面に、メタライズ膜６１Ａ
を形成し、選択した一方の角柱６５の上面から外側の側
面にかけて逆り形に導体パターン６８を形成しである。
を形成し、選択した一方の角柱６５の上面から外側の側
面にかけて逆り形に導体パターン６８を形成しである。
この導体パターン６８は、一端を金線等のワイヤを介し
て電極に接続し、他端を金線等のワイヤを介して回路基
板（図示省略）のパターンに接続するものである。
て電極に接続し、他端を金線等のワイヤを介して回路基
板（図示省略）のパターンに接続するものである。
また、垂直壁６３の垂直面にメタライズ膜６３Ａを形成
し、上面から外側の側面にかけて逆り形に導体パターン
６９を形成しである。
し、上面から外側の側面にかけて逆り形に導体パターン
６９を形成しである。
この導体パターン６９は、一端を金線等のワイヤを介し
てモニタ用発光素子２０の電極に接続し、他端を金線等
のワイヤを介して、回路基板（図示省略）のパターンに
接続するものである。
てモニタ用発光素子２０の電極に接続し、他端を金線等
のワイヤを介して、回路基板（図示省略）のパターンに
接続するものである。
第２図（ｂ）に図示したように、半導体レーザ１０は発
光面１２０両サイドが角柱６５の垂直面に当接し、その
側面がストッパ６６の垂直面に当接した状態で底面が第
１の平坦部６１の表面に密接し、導電性接着剤によりメ
タライズ膜６１Ａに固着されて、搭載されている。
光面１２０両サイドが角柱６５の垂直面に当接し、その
側面がストッパ６６の垂直面に当接した状態で底面が第
１の平坦部６１の表面に密接し、導電性接着剤によりメ
タライズ膜６１Ａに固着されて、搭載されている。
モニタ用発光素子２０は下部側面が第２の平坦部６２に
当接し、一方の側面がストッパ６７の垂直面に当接した
状態で、底面が垂直壁６３の垂直面に密接し、導電性接
着剤によりメタライズ膜６３Ａに固着されて、搭載され
ている。
当接し、一方の側面がストッパ６７の垂直面に当接した
状態で、底面が垂直壁６３の垂直面に密接し、導電性接
着剤によりメタライズ膜６３Ａに固着されて、搭載され
ている。
即ち、半導体レーザ１０の光軸とモニタ用発光素子２０
の光軸が一致しているので、調整作業を実施する必要が
ない。
の光軸が一致しているので、調整作業を実施する必要が
ない。
上述のようなサブマウント６０は、ケース３０内に持ち
込まれ、半導体レーザ１０と光伝送系１との光結合度が
最高になるような位置で、底面がケース底板３１に固着
されている。
込まれ、半導体レーザ１０と光伝送系１との光結合度が
最高になるような位置で、底面がケース底板３１に固着
されている。
以上説明したように本発明は、半導体レーザとモニタ用
発光素子とを同一のサブマウントに搭載する構造である
ので、半導体レーザとモニタ用発光素子との光学的関係
位置の調整をケースの外で実施することができる。即ち
、位置調整作業が容易である。
発光素子とを同一のサブマウントに搭載する構造である
ので、半導体レーザとモニタ用発光素子との光学的関係
位置の調整をケースの外で実施することができる。即ち
、位置調整作業が容易である。
また第２の発明は、半導体レーザとモニタ用発光素子と
の間の光学的関係位置の調整が不要であるという優れた
効果がある。
の間の光学的関係位置の調整が不要であるという優れた
効果がある。
さらにまた、第１．第２の発明はともに、サブマウント
が１個だけであるので、半導体レーザモジュールの小形
化を推進できる。
が１個だけであるので、半導体レーザモジュールの小形
化を推進できる。
第１図は第１の発明の図で、
（ａ）は側断面図、
（ｂ）は平面図、
第２図は第２の発明の図で、
（ａｌはサブマウントの斜視図、
０））は側断面図、
第３図は従来例の断面図である。
図において、
１は光伝送系、 ２はレンズ、３は光ファイ
バ、 ４はフェルール、５はホルダー
１０は半導体レーザ、１１．１２は発光面、
１３．２３は電極、２０はモニタ用発光素子、 ３０
はケース、３１はケース底板、 ３２は側壁、
１５．２５，５０．６０はサブマウント、５１．６１は
第１の平坦部、 ５２．６２は第２の平坦部、 ５３．６３は垂直壁、 ５３Ａ、６３Ａはメタライズ膜、 ６５は角柱、 ６６．６７はストッパ、 ７０は回路基板をそれぞれ示す。 １０ °半導体ドーザ Ｉ＋、＋２・臂り面 ！３： 電極 ２０°モニフ出臂左１（ケ ２１、す′Ｌ面 ２３ 電稀 第１の発明の図 第 １ 図 ＭＬ ＋７ブ７ウシ１ ｂＳ、西オ七 ６６ ； スト・ンパ ２Ｑ：干二ＺＦｆｌ＋尤を乎 昇２Ｆ発明の図 第 ？ 図 １０ 子連り本Ｌ・−サ １０ 五ニタ刷＋オい亭工 １１、／２：／発九面 ｚｌ ＋丸面 １３．２３ 雷７．極 第 図
バ、 ４はフェルール、５はホルダー
１０は半導体レーザ、１１．１２は発光面、
１３．２３は電極、２０はモニタ用発光素子、 ３０
はケース、３１はケース底板、 ３２は側壁、
１５．２５，５０．６０はサブマウント、５１．６１は
第１の平坦部、 ５２．６２は第２の平坦部、 ５３．６３は垂直壁、 ５３Ａ、６３Ａはメタライズ膜、 ６５は角柱、 ６６．６７はストッパ、 ７０は回路基板をそれぞれ示す。 １０ °半導体ドーザ Ｉ＋、＋２・臂り面 ！３： 電極 ２０°モニフ出臂左１（ケ ２１、す′Ｌ面 ２３ 電稀 第１の発明の図 第 １ 図 ＭＬ ＋７ブ７ウシ１ ｂＳ、西オ七 ６６ ； スト・ンパ ２Ｑ：干二ＺＦｆｌ＋尤を乎 昇２Ｆ発明の図 第 ？ 図 １０ 子連り本Ｌ・−サ １０ 五ニタ刷＋オい亭工 １１、／２：／発九面 ｚｌ ＋丸面 １３．２３ 雷７．極 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕光伝送系（１）と、光信号を該光伝送系（１）に
投入する半導体レーザ（１０）と、該半導体レーザ（１
０）の作動を監視するモニタ用発光素子（２０）とを、
ケース（３０）に収容したモジュールにおいて、該ケー
ス（３０）の側壁（３２）に該光伝送系（１）が装着さ
れ、 第１の平坦部（５１）と、第２の平坦部（５２）と、該
第２の平坦部（５２）の端部に該第１の平坦部（５１）
に対向して設けた垂直壁（５３）とを備えたサブマウン
ト（５０）が、ケース底板（３１）に固着され、該半導
体レーザ（１０）が、一方の発光面（１１）を該光伝送
系（１）に対向して該第１の平坦部（５１）に搭載され
、該モニタ用発光素子（２０）が、受光面（２１）を該
半導体レーザ（１０）の他方の発光面（１２）に対向し
て、該垂直壁（５３）に搭載されたことを特徴とする半
導体レーザモジュール。 〔２〕半導体レーザ（１０）が搭載される第１の平坦部
（６１）と、モニタ用発光素子（２０）の下部側面が当
接する第２の平坦部（６２）と、該第２の平坦部（６２
）の端部に該第１の平坦部（６１）に対向して設けられ
、受光面（２１）を該半導体レーザ（１０）の他方の発
光面（１２）に対向した状態でモニタ用発光素子（２０
）が搭載される垂直壁（６３）とを、備えたサブマウン
ト（６０）であって、 該第１の平坦部（６１）と該第２の平坦部（６２）との
段差が所定の高さであり、 該第１の平坦部（６１）に、該半導体レーザ（１０）の
該モニタ用発光素子（２０）側の発光面（１２）の両サ
イドが当接する一対の角柱（６５）と、該半導体レーザ
（１０）の選択した側面が当接するストッパ（６６）と
を有し、 該第２の平坦部（６２）に、該モニタ用発光素子（２０
）の選択した側面が当接するストッパ（６７）を有する
ことを、特徴とする請求項１に記載の半導体レーザモジ
ュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2158212A JPH0450903A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2158212A JPH0450903A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 半導体レーザモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0450903A true JPH0450903A (ja) | 1992-02-19 |
Family
ID=15666734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2158212A Pending JPH0450903A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0450903A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6036375A (en) * | 1996-07-26 | 2000-03-14 | Kyocera Corporation | Optical semiconductor device housing package |
| JP2002158392A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-05-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザモジュールの製造方法と半導体レーザモジュール |
| JP2003023203A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子搭載用基台の半田付け装置および半導体レーザモジュールの製造方法 |
| JP2013140259A (ja) * | 2012-01-05 | 2013-07-18 | Ntt Electornics Corp | 平板配置用受光パッケージ、光モジュール及び平板配置用受光パッケージの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61226989A (ja) * | 1985-04-01 | 1986-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | デュアルインラインパッケージ形発光素子モジュールおよびその組立方法 |
| JPS62169487A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-25 | Hitachi Ltd | 光電子装置 |
| JPS62234390A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-14 | Nec Corp | 半導体レ−ザ機器 |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP2158212A patent/JPH0450903A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2013140259A (ja) * | 2012-01-05 | 2013-07-18 | Ntt Electornics Corp | 平板配置用受光パッケージ、光モジュール及び平板配置用受光パッケージの製造方法 |
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