JPH0451073B2 - - Google Patents
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- JPH0451073B2 JPH0451073B2 JP1182884A JP1182884A JPH0451073B2 JP H0451073 B2 JPH0451073 B2 JP H0451073B2 JP 1182884 A JP1182884 A JP 1182884A JP 1182884 A JP1182884 A JP 1182884A JP H0451073 B2 JPH0451073 B2 JP H0451073B2
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- semiconductor laser
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- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- Die Bonding (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体装置、特に熱放射性に優れ、安
定した性能の得られる半導体装置に関する。 〔発明の背景〕 半導体装置の一例である半導体レーザ素子は、
最近特に光通信の分野で注目されている。これは
半導体以外の発光素子に比べて出力レベルが低い
点を除けば、(1)低電力駆動が可能、(2)直接変調が
可能、(3)高効率化が可能、(4)長寿命化が可能、(5)
小形，軽量化が可能、という種々の利点を有する
ことに基づく。半導体レーザ素子は例えば
GaAs，GaP，GaAlAs，InGaAsP等で代表され
るような−族化合物や、PbSSe，PbSnTe等
で代表されるような−族化合物のごとき半導
体単結晶材料からなり、この材料中に形成された
Pn接合に順方向電流を流し、この際注入された
キヤリヤの再結合により発光させ、これにより生
じた光の一部を反射鏡によつて接合近傍の発光領
域中に帰還し、この帰還光がさらにキヤリヤの再
結合を促進して新たな発光を促す、誘導放出過程
をくり返すことによつてレーザ発振に至らしめよ
うとするものである。 この種の半導体レーザ素子の高率化をはかるた
めには、レーザ発振に至るしきい値電流を下げる
ことが有効であるが、このためには注入電流によ
つて励起されたキヤリヤを発光領域に有効に閉じ
込めることや誘導放出光を有効に閉じ込め、光子
とキヤリヤの相互作用され促進せしめる必要があ
る。しかし、このような方策を施してもなお発振
しきい値電流密度は、例えば室温で連続発振させ
る場合には１〜3KA／cm2程にも及ぶため、当然
のことながら接合部の発熱を伴なうこととなり、
安定的にレーザ発振させるには半導体レーザ基体
を効率的に冷却、又は半導体レーザ基体で生じた
熱を効率的に放散させる必要がある。同時に、半
導体レーザ素子の動作及び休止にともなう発熱及
び冷却のサイクルにより、半導体レーザ基体と同
基体を搭載するための支持部材との間に両部材の
熱膨張係数差に基づく熱歪によつて接着界面の熱
疲労破壊、例えば接着層におけるクラツクの発生
に至る。このような接着層は半導体レーザ基体の
主要な放熱経路の一部を兼ねていること及び電気
的な導体領域を兼ねていて、レーザ基体自身の過
熱、通電不能を生ずるため、安定的なレーザ発振
を続けることが困難となる。 上述の問題点を克服するため、従来は第１図に
示すように、銅材等からなる金属支持部材１上に
熱伝導性に優れかつ半導体レーザ基体２と熱膨張
係数が略近似したダイヤモンド条片のごとき中間
部材３を介して半導体レーザ基体２を接着する構
造がとられていた。この際、半導体レーザ基体２
は、レーザ素子と受光素子あるいはレーザ素子と
受光素子の間を中継する光フアイバケーブルとの
光結合を容易にするため、中間部材３の端部３１
に載置されるとともに、放熱効率を高めるため発
熱源となるpn接合部２１が放熱路に近くなるよ
うに配置され、ろう材を用いて接着される。中間
部材３には金属化層３２が設けられ中間部材３に
対する接着強度が保持されると同時にろう材に対
するぬれ性が付与されている。中間部材３は一般
にAu−Si，Au−Ge，Au−Snの如き金系ソルダ
やPb−Sn系はんだの如き材料により金属支持部
材１上にろう付けされている。又、半導体レーザ
基体２には導電路構成部材５や当該部材５と半導
体レーザ基体２との電気的機械的接続を可能にす
る電極層及び半導体レーザ基体２と中間部材３と
の電気的及び機械的接続をするためろう材に対す
るぬれ性を付与する電極層が設けられている。半
導体レーザ基体２と中間部材３の間のろう材は上
記ろう材を同質同系の物が用いられる。更に、中
間部材３上には上記半導体レーザ基体２以外に導
電路構成部材５に電気接続するための中継金属板
６が半導体レーザ基体２と同様に接着されてい
る。 半導体レーザ基体２は通常エピタキシヤル成長
法や拡散法によつてpn接合を形成される関係上、
発光領域は基体の厚さ方向における中央部ではな
く、表面に極めて近い部分に形成される。ところ
が、放熱効率を高めるのに半導体レーザ基体２の
pn接合が形成されている側の面を上述の中間部
材３上にろう付けする構造をとるため、次のよう
な問題を生ずる。問題点の第１は半導体レーザ基
体２のろう付けによつてレーザ光放出部の光路が
しや断される点、そして問題点の第２はレーザ光
放出部が理想的な反射面となるように壁開面で形
成されていてpn接合が露出しているため同接合
がろう材により短絡される点である。このような
問題を生ずる原因は、半導体レーザ基体２、中間
部材３の間のろう材接着部端部に放出され、ろう
材が盛上ることによる。 〔発明の目的〕 本発明の目的は上述の問題点を改善し、性能の
安定した半導体装置を歩留りよく製造することの
可能な構造を有する半導体装置を提供することで
ある。 〔発明の概要〕 本発明を概説すれば、本発明は半導体装置に関
する発明であつて、金属支持部材上に、無機質絶
縁体又は無機質半導体からなる中間部材と半導体
素子とが、金属化層を介して順次搭載された半導
体装置において、前記中間部材と半導体素子との
間にある前記金属化層の一部は、前記中間部材の
少なくとも１の側面上の一部にも位置し、前記金
属支持部材、中間部材及び半導体素子は、前記側
面上に位置する金属化層と略同一平面を形成する
側面を有し、それぞれろう材を用いて接着されて
いることを特徴とする。 本発明の半導体装置に使用する各種の材料、及
び層構成を具体例で説明すると、前記中間部材
が、SiC，Al2O3，AlN，BeO，Si3N4，MgO及
びＣよりなる群から選択された少なくとも１の材
料からなるセラミツクス又はSi，Ge及びSiCより
なる群から選択された少なくとも１の材料からな
る半導体であり、前記金属化層が、前記セラミツ
クス又は半導体に接する、Cr，Ti，Al，Mo，
Ni，Ｗ及びAgよりなる群から選択された１の材
料からなる第１の層と、該第１の層に接する、
Cr，Ti，Al，Mo，Ni，Cu，Ag，Pd，Pt及び
Auよりなる群から選択された１の材料からなる
第２の層と、該第２の層に接する、Ag，Au及び
Ptよりなる群から選択された１の材料からなる
第３の層とを順次積層してなることを特徴とす
る。 〔発明の実施例〕 以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明す
る。第２図は本発明の一実施例の半導体レーザ素
子を示す。図において、第１図と同一ないし同等
の部分には第１図と同じ符号を用い、詳しい説明
は省略する。 第２図において、金めつきを施した銅支持部材
１上に、GaAs上にエピタキシヤル成長により形
成されたGaAlAsを含む半導体レーザ基体２（0.3
mm×0.3mm×厚さ0.1mm）がSiC条片からなる中間
部材３を介して接着されている。このSiC条片は
0.8mm×1.6mm×厚さ0.3mmであり、両主面には蒸着
法により形成されたCr−Ni−Au多層金属化層３
２が設けられ、上記両主面に対して略直角な側面
３１には金属化層３２から延長して設けられた同
質の金属化層３３が設けられている。半導体レー
ザ基体２はAu−Sn系ソルダにより中間部材３上
にダイボンデイングされている。半導体レーザ基
体２の主面には最上層をAu層とする電極層が設
けられている。又、中間部材３は支持部材１上に
Pb−Sn系はんだ材により接着されている。導電
路構成部材５は直径30μｍのAu線からなり熱圧着
法により半導体レーザ基体２の上側の電極層から
他の導電部材へと接続され、他方半導体レーザ基
体２の下側の他の電気領域は金めつきされた銅中
継板６を介して導電路構成部材５により他の導電
部材へと接続される。ここで、重要な点は中間部
材３の側面３１に金属化層３２から延長して設け
られた金属化層３３を有し半導体レーザ基体２と
中間部材３の間のろう材に対するぬれ性が付与さ
れていることである。 このような構造にすることにより、このろう材
が半導体レーザ基体２の端部にはみ出た後金属化
層３３上に流出し、垂下るため端部に盛上ること
がない。したがつてレーザ光放出部の光路がしや
断されたりpn接合を電気的に短絡したりするこ
とがない。この効果を定量的に例示すると、従来
の第１図構造を採用した場合の光路しや断及び
pn接合短絡に基づく不良発生率が約５％であつ
たのに対し、本発明の第２図構造を採用した場合
の不良発生率は0.05％以下に低減された。又、従
来構造の場合半導体レーザ基体２と中間部材３の
間のろう材の端部における盛上りを軽減するため
ろう材の使用量を少なくする配慮がなされていた
が、このことは逆に半導体レーザ基体２と中間部
材３間の接着の不完全性を誘発する。しかし、本
発明構造ではろう材の使用量をあまり少なくする
必要がないため上記接着が完全に行なわれる。例
えば第１図構造の場合、半導体レーザ基体２から
支持部材１に至る間の熱抵抗が0.5℃／Ｗ以上と
なる割合が５％以上と高かつたのに対して、本発
明の第２図構造では0.05％程度と低くなつた。 又、第１表は本発明の他の実施例の半導体レー
ザ素子に適用した中間部材３用素材、複合層とし
たときの金属化層３３相当部、そしてソルダ４相
当部を形成する金属の構成である。
定した性能の得られる半導体装置に関する。 〔発明の背景〕 半導体装置の一例である半導体レーザ素子は、
最近特に光通信の分野で注目されている。これは
半導体以外の発光素子に比べて出力レベルが低い
点を除けば、(1)低電力駆動が可能、(2)直接変調が
可能、(3)高効率化が可能、(4)長寿命化が可能、(5)
小形，軽量化が可能、という種々の利点を有する
ことに基づく。半導体レーザ素子は例えば
GaAs，GaP，GaAlAs，InGaAsP等で代表され
るような−族化合物や、PbSSe，PbSnTe等
で代表されるような−族化合物のごとき半導
体単結晶材料からなり、この材料中に形成された
Pn接合に順方向電流を流し、この際注入された
キヤリヤの再結合により発光させ、これにより生
じた光の一部を反射鏡によつて接合近傍の発光領
域中に帰還し、この帰還光がさらにキヤリヤの再
結合を促進して新たな発光を促す、誘導放出過程
をくり返すことによつてレーザ発振に至らしめよ
うとするものである。 この種の半導体レーザ素子の高率化をはかるた
めには、レーザ発振に至るしきい値電流を下げる
ことが有効であるが、このためには注入電流によ
つて励起されたキヤリヤを発光領域に有効に閉じ
込めることや誘導放出光を有効に閉じ込め、光子
とキヤリヤの相互作用され促進せしめる必要があ
る。しかし、このような方策を施してもなお発振
しきい値電流密度は、例えば室温で連続発振させ
る場合には１〜3KA／cm2程にも及ぶため、当然
のことながら接合部の発熱を伴なうこととなり、
安定的にレーザ発振させるには半導体レーザ基体
を効率的に冷却、又は半導体レーザ基体で生じた
熱を効率的に放散させる必要がある。同時に、半
導体レーザ素子の動作及び休止にともなう発熱及
び冷却のサイクルにより、半導体レーザ基体と同
基体を搭載するための支持部材との間に両部材の
熱膨張係数差に基づく熱歪によつて接着界面の熱
疲労破壊、例えば接着層におけるクラツクの発生
に至る。このような接着層は半導体レーザ基体の
主要な放熱経路の一部を兼ねていること及び電気
的な導体領域を兼ねていて、レーザ基体自身の過
熱、通電不能を生ずるため、安定的なレーザ発振
を続けることが困難となる。 上述の問題点を克服するため、従来は第１図に
示すように、銅材等からなる金属支持部材１上に
熱伝導性に優れかつ半導体レーザ基体２と熱膨張
係数が略近似したダイヤモンド条片のごとき中間
部材３を介して半導体レーザ基体２を接着する構
造がとられていた。この際、半導体レーザ基体２
は、レーザ素子と受光素子あるいはレーザ素子と
受光素子の間を中継する光フアイバケーブルとの
光結合を容易にするため、中間部材３の端部３１
に載置されるとともに、放熱効率を高めるため発
熱源となるpn接合部２１が放熱路に近くなるよ
うに配置され、ろう材を用いて接着される。中間
部材３には金属化層３２が設けられ中間部材３に
対する接着強度が保持されると同時にろう材に対
するぬれ性が付与されている。中間部材３は一般
にAu−Si，Au−Ge，Au−Snの如き金系ソルダ
やPb−Sn系はんだの如き材料により金属支持部
材１上にろう付けされている。又、半導体レーザ
基体２には導電路構成部材５や当該部材５と半導
体レーザ基体２との電気的機械的接続を可能にす
る電極層及び半導体レーザ基体２と中間部材３と
の電気的及び機械的接続をするためろう材に対す
るぬれ性を付与する電極層が設けられている。半
導体レーザ基体２と中間部材３の間のろう材は上
記ろう材を同質同系の物が用いられる。更に、中
間部材３上には上記半導体レーザ基体２以外に導
電路構成部材５に電気接続するための中継金属板
６が半導体レーザ基体２と同様に接着されてい
る。 半導体レーザ基体２は通常エピタキシヤル成長
法や拡散法によつてpn接合を形成される関係上、
発光領域は基体の厚さ方向における中央部ではな
く、表面に極めて近い部分に形成される。ところ
が、放熱効率を高めるのに半導体レーザ基体２の
pn接合が形成されている側の面を上述の中間部
材３上にろう付けする構造をとるため、次のよう
な問題を生ずる。問題点の第１は半導体レーザ基
体２のろう付けによつてレーザ光放出部の光路が
しや断される点、そして問題点の第２はレーザ光
放出部が理想的な反射面となるように壁開面で形
成されていてpn接合が露出しているため同接合
がろう材により短絡される点である。このような
問題を生ずる原因は、半導体レーザ基体２、中間
部材３の間のろう材接着部端部に放出され、ろう
材が盛上ることによる。 〔発明の目的〕 本発明の目的は上述の問題点を改善し、性能の
安定した半導体装置を歩留りよく製造することの
可能な構造を有する半導体装置を提供することで
ある。 〔発明の概要〕 本発明を概説すれば、本発明は半導体装置に関
する発明であつて、金属支持部材上に、無機質絶
縁体又は無機質半導体からなる中間部材と半導体
素子とが、金属化層を介して順次搭載された半導
体装置において、前記中間部材と半導体素子との
間にある前記金属化層の一部は、前記中間部材の
少なくとも１の側面上の一部にも位置し、前記金
属支持部材、中間部材及び半導体素子は、前記側
面上に位置する金属化層と略同一平面を形成する
側面を有し、それぞれろう材を用いて接着されて
いることを特徴とする。 本発明の半導体装置に使用する各種の材料、及
び層構成を具体例で説明すると、前記中間部材
が、SiC，Al2O3，AlN，BeO，Si3N4，MgO及
びＣよりなる群から選択された少なくとも１の材
料からなるセラミツクス又はSi，Ge及びSiCより
なる群から選択された少なくとも１の材料からな
る半導体であり、前記金属化層が、前記セラミツ
クス又は半導体に接する、Cr，Ti，Al，Mo，
Ni，Ｗ及びAgよりなる群から選択された１の材
料からなる第１の層と、該第１の層に接する、
Cr，Ti，Al，Mo，Ni，Cu，Ag，Pd，Pt及び
Auよりなる群から選択された１の材料からなる
第２の層と、該第２の層に接する、Ag，Au及び
Ptよりなる群から選択された１の材料からなる
第３の層とを順次積層してなることを特徴とす
る。 〔発明の実施例〕 以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明す
る。第２図は本発明の一実施例の半導体レーザ素
子を示す。図において、第１図と同一ないし同等
の部分には第１図と同じ符号を用い、詳しい説明
は省略する。 第２図において、金めつきを施した銅支持部材
１上に、GaAs上にエピタキシヤル成長により形
成されたGaAlAsを含む半導体レーザ基体２（0.3
mm×0.3mm×厚さ0.1mm）がSiC条片からなる中間
部材３を介して接着されている。このSiC条片は
0.8mm×1.6mm×厚さ0.3mmであり、両主面には蒸着
法により形成されたCr−Ni−Au多層金属化層３
２が設けられ、上記両主面に対して略直角な側面
３１には金属化層３２から延長して設けられた同
質の金属化層３３が設けられている。半導体レー
ザ基体２はAu−Sn系ソルダにより中間部材３上
にダイボンデイングされている。半導体レーザ基
体２の主面には最上層をAu層とする電極層が設
けられている。又、中間部材３は支持部材１上に
Pb−Sn系はんだ材により接着されている。導電
路構成部材５は直径30μｍのAu線からなり熱圧着
法により半導体レーザ基体２の上側の電極層から
他の導電部材へと接続され、他方半導体レーザ基
体２の下側の他の電気領域は金めつきされた銅中
継板６を介して導電路構成部材５により他の導電
部材へと接続される。ここで、重要な点は中間部
材３の側面３１に金属化層３２から延長して設け
られた金属化層３３を有し半導体レーザ基体２と
中間部材３の間のろう材に対するぬれ性が付与さ
れていることである。 このような構造にすることにより、このろう材
が半導体レーザ基体２の端部にはみ出た後金属化
層３３上に流出し、垂下るため端部に盛上ること
がない。したがつてレーザ光放出部の光路がしや
断されたりpn接合を電気的に短絡したりするこ
とがない。この効果を定量的に例示すると、従来
の第１図構造を採用した場合の光路しや断及び
pn接合短絡に基づく不良発生率が約５％であつ
たのに対し、本発明の第２図構造を採用した場合
の不良発生率は0.05％以下に低減された。又、従
来構造の場合半導体レーザ基体２と中間部材３の
間のろう材の端部における盛上りを軽減するため
ろう材の使用量を少なくする配慮がなされていた
が、このことは逆に半導体レーザ基体２と中間部
材３間の接着の不完全性を誘発する。しかし、本
発明構造ではろう材の使用量をあまり少なくする
必要がないため上記接着が完全に行なわれる。例
えば第１図構造の場合、半導体レーザ基体２から
支持部材１に至る間の熱抵抗が0.5℃／Ｗ以上と
なる割合が５％以上と高かつたのに対して、本発
明の第２図構造では0.05％程度と低くなつた。 又、第１表は本発明の他の実施例の半導体レー
ザ素子に適用した中間部材３用素材、複合層とし
たときの金属化層３３相当部、そしてソルダ４相
当部を形成する金属の構成である。
【表】
SiCに接する第１の層、第１の層に接する第２
の層、第２の層及びソルダに接する第３の層を同
表に示した各種組合せで蒸着形成させた。このよ
うにしても、上記実施例の場合と全く同じ効果が
得られた。 又、中間部材として、熱膨張係数が4.5×
10-6／℃であるAlNを用いた場合、及び3.5×
10-6／℃であるSiCを用いた場合について、半導
体装置に熱ストレスを印加した時の、半導体レー
ザ基体２と支持部材１との間の熱抵抗変化量（初
期値に対する）、及びレーザ光出力の変化量（初
期値に対する）を第２表に示す。
の層、第２の層及びソルダに接する第３の層を同
表に示した各種組合せで蒸着形成させた。このよ
うにしても、上記実施例の場合と全く同じ効果が
得られた。 又、中間部材として、熱膨張係数が4.5×
10-6／℃であるAlNを用いた場合、及び3.5×
10-6／℃であるSiCを用いた場合について、半導
体装置に熱ストレスを印加した時の、半導体レー
ザ基体２と支持部材１との間の熱抵抗変化量（初
期値に対する）、及びレーザ光出力の変化量（初
期値に対する）を第２表に示す。
以上説明したように、本発明によれば、性能及
び安定した半導体装置を歩留りよく製造すること
が可能である。
び安定した半導体装置を歩留りよく製造すること
が可能である。
第１図は従来の半導体装置を説明する図、第２
図は本発明の一実施例の半導体装置を説明する
図、第３図は本発明の一実施例の半導体装置の製
法を説明する図である。 １…金属支持部材、２…半導体レーザ基体、３
…中間部材、５…導電路構成部材、６…中継金属
板、３１…端部、３２，３３…金属化層。
図は本発明の一実施例の半導体装置を説明する
図、第３図は本発明の一実施例の半導体装置の製
法を説明する図である。 １…金属支持部材、２…半導体レーザ基体、３
…中間部材、５…導電路構成部材、６…中継金属
板、３１…端部、３２，３３…金属化層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属支持部材上に、無機質絶縁体又は無機質
半導体からなる中間部材と半導体素子とが、金属
化層を介して順次搭載された半導体装置におい
て、前記中間部材と半導体素子との間にある前記
金属化層の一部は、前記中間部材の少なくとも１
の側面上の一部にも位置し、前記金属支持部材、
中間部材及び半導体素子は、前記側面上に位置す
る金属化層と略同一平面を形成する側面を有し、
それぞれろう材を用いて接着されていることを特
徴とする半導体装置。 ２ 前記中間部材が、SiC，Al2O3，AlN，BeO，
Si3N4，MgO及びＣよりなる群から選択された少
なくとも１の材料からなるセラミツクス又はSi，
Ge及びSiCよりなる群から選択された少なくとも
１の材料からなる半導体であり、前記金属化層
が、前記セラミツクス又は半導体に接する、Cr，
Ti，Al，Mo，Ni，Ｗ及びAgよりなる群から選
択された１の材料からなる第１の層と、該第１の
層に接する、Cr，Ti，Al，Mo，Ni，Cu，Ag，
Pd，Pt及びAuよりなる群から選択された１の材
料からなる第２の層と、該第２の層に接する、
Ag，Au及びPtよりなる群から選択された１の材
料からなる第３の層とを順次積層してなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59011828A JPS60157284A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59011828A JPS60157284A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60157284A JPS60157284A (ja) | 1985-08-17 |
| JPH0451073B2 true JPH0451073B2 (ja) | 1992-08-18 |
Family
ID=11788622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59011828A Granted JPS60157284A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60157284A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63132495A (ja) * | 1986-11-21 | 1988-06-04 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体素子用サブマウント |
| JPS63160292A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体素子用サブマウント |
| JP4855341B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2012-01-18 | 株式会社パイロットコーポレーション | ノック式筆記具 |
| JP2009272656A (ja) * | 2009-08-20 | 2009-11-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JPWO2013150715A1 (ja) * | 2012-04-05 | 2015-12-17 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JP7619812B2 (ja) | 2021-01-28 | 2025-01-22 | ゼブラ株式会社 | 出没式筆記具 |
-
1984
- 1984-01-27 JP JP59011828A patent/JPS60157284A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60157284A (ja) | 1985-08-17 |
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