JPH0637403A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 モニタ電流の経時変化の少ない半導体レーザ
装置を実現する。 【構成】 半導体レーザ素子３をサブマウント２に搭載
するためのスズ膜１０を、同じ厚さの金膜１１，１２，
１３で囲んで、該半導体レーザ素子３のダイボンド時に
膜１０，１１，１２による金スズ系のハンダが半導体レ
ーザ１後端面にはみ出さないようにした。 【効果】 半導体レーザの後端面から出射される光がハ
ンダによって散乱されることがないので、モニタ電流の
経時変化が少ない，高信頼性の半導体レーザ装置が実現
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は半導体レーザ装置に関
し、特にハンダ材の移動や変質を防ぐことにより半導体
レーザ装置を高信頼性化することに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１１は例えば文献（生和義人，池田健
志著“集積形位相同期半導体レーザ”，三菱電機技報，
Vol.60, No.12, pp.27-31,1986）に示された従来の半導
体レーザ装置を示す斜視図であり、図において、１は銀
ブロック、１０２はシリコン（Ｓｉ）サブマウント、３
は半導体レーザ素子、４は半導体レーザ素子の発光部、
１０５ａと１０５ｂはＡｕＳｉハンダのはみ出し部、６
は金線である。

【０００３】次に組立方法について説明する。Ｓｉサブ
マウント１０２の上面および下面にあらかじめ金メッキ
が施されてある。銀ブロック１上にＳｉサブマウント１
０２を，さらに半導体レーザ素子３を順次載置する。次
に半導体レーザ素子３上に適切な荷重を加えて、４２０
℃程度に加熱する。このようにするとＳｉサブマウント
１０２の上面及び下面のＡｕメッキのＡｕとＳｉサブマ
ウントのＳｉが反応してＡｕＳｉ共晶ハンダが形成さ
れ、該ハンダによりＳｉサブマウント１０２が銀ブロッ
ク１上に、半導体レーザ素子４がＳｉサブマウント１０
２上にダイボンドされる。このＡｕＳｉ共晶ハンダは４
２０℃程度の温度で液相（体）となり、かつダイボンド
時に荷重が加えられているので、ダイボンドを終了して
常温に戻すとＡｕＳｉハンダのはみ出し部１０５ａ，１
０５ｂができている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザ装
置は以上のように作製されているので、半導体レーザ素
子の発光部４がサブマウント１０２側にあるように組み
立てるジャンクション−ダウン（Ｊ−ｄｏｗｎ）組立
時、後面からでる光が前記ＡｕＳｉハンダのはみ出し部
１０５ａによって散乱されるという問題があった。さら
にこのハンダ材がマイグレーション等により経時変化を
するため、後面から出る光をフォトダイオードで受けて
モニタ電流とする際、このモニタ電流が経時変化してし
まうという問題があった。

【０００５】第１の発明は上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、ダイボンド中にサブマウント
側に形成されるハンダが半導体レーザ素子の下面の面積
よりも大きくなることを防止して、後面から出射する光
がハンダによって散乱することのない高信頼性の半導体
レーザ装置を得ることを目的とする。

【０００６】第２の発明は上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、ダインボンド中に半導体レー
ザ素子側に形成されるハンダが半導体レーザ素子の下面
の面積よりも大きくなることを防止して、後面から出射
する光がハンダによって散乱することのない高信頼性の
半導体レーザ装置を得ることを目的とする。

【０００７】第３の発明は上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、サブマウント上にあらかじめ
設けられたハンダが、ダイボンドの昇温時に半導体レー
ザ素子の下面の面積よりも大きくなることを防止し、後
面から出射する光がハンダによって散乱することのない
高信頼性の半導体レーザ装置を得ることを目的とする。

【０００８】第４の発明は上記のように問題点を解消す
るためになされたもので、半導体レーザ素子の下面にあ
らかしめ設けられたハンダが、ダンボンドの昇温時に半
導体レーザ素子の下面の面積よりも大きく拡がることを
防止して後面から出射する光がハンダによって散乱する
ことのない高信頼性の半導体レーザ装置を得ることを目
的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】第１の発明に係る半導体
レーザ装置は、サブマウントと半導体レーザ素子との間
に第１の金膜とスズ膜と第３の金膜とを介挿してダイボ
ンドを行う構成において、上記スズ膜の外側に該スズ膜
と同じ厚さの第２の金膜を設けたものである。

【００１０】第２の発明に係る半導体レーザ装置は、サ
ブマウントと半導体レーザ素子との間に第１の金膜とス
ズ膜と第３の金膜とを介挿してダイボンドを行う構成に
おいて、半導体レーザ素子の下面に形成したスズ膜の外
側に前記スズ膜と同じ厚さの第２の金膜を設けたもので
ある。

【００１１】第３の発明にかかる半導体レーザ装置は、
サブマウント上に形成した該サブマウントと半導体レー
ザ素子との間に介挿される金スズハンダの外側に前記金
スズハンダと同じ厚さの第７の金膜を設けたものであ
る。

【００１２】第４の発明に係る半導体レーザ装置は、半
導体レーザ素子の下面に形成したサブマウントと半導体
レーザ素子との間に介挿される金スズハンダの外側に前
記金スズハンダと同じ厚さの第７の金膜を設けたもので
ある。

【００１３】

【作用】第１の発明におけるサブマウント側のスズ膜の
外側に設けた金膜は、ダイボンドするための昇温時に形
成される金スズハンダが半導体レーザ素子の後面に流れ
出すのを防ぐ作用がある。

【００１４】第２の発明における半導体レーザ素子側の
スズ膜の外側に設けた金膜は、ダイボンドするための昇
温時に形成される金スズハンダが半導体レーザ素子後面
に流れ出すのを防ぐ作用がある。

【００１５】この第３の発明におけるサブマウント上に
形成した金スズハンダの外側に設けた金膜は、ダイボン
ドするための昇温時に、前記金ズズハンダが半導体レー
ザ素子後面に流れ出すのを防ぐ作用がある。

【００１６】第４の発明における半導体レーザ素子の下
面に形成した金スズハンダの外側に設けた金膜は、ダイ
ボンドするための昇温時に、前記金スズハンダが半導体
レーザ素子後面に流れ出すのを防ぐ作用がある。

【００１７】

【実施例】実施例１ 以下この第１の発明の一実施例（請求項１に相当）を図
について説明する。図１において、１は例えば銀からな
るブロック、２はサブマウントであり、これには従来例
におけるＳｉサブマウントも使用が可能であるが、例え
ばこれよりさらに絶縁性が高く、熱伝導率の高いｃＢＮ
（cubic Boron Nitride)，ダイヤモンド，ＳｉＣ，Ｃｕ
Ｗ，ＡｌＮ等を用いることができる。３は半導体レーザ
素子、４は半導体レーザ素子の発光部、６は金線であ
る。上記銀ブロック１の上には金膜７，スズ膜８，金膜
９のサンドイッチ構造を介してサブマウント２が配置さ
れている。ここで上記サブマウントとしては、従来例に
おけるＳｉサブマウントは通常その上に金メッキをして
おり、温度を上げると金シリコンのハンダができてしま
い、本発明における金スズハンダを形成するようにはで
きないので、本発明には適さない。

【００１８】上記サブマウント２の上面には第１の金膜
１１が形成され、第１の金膜１１の上面でかつ半導体レ
ーザ素子３が載置される部分に半導体レーザ素子の下面
の面積と等しいか、より小さい領域、例えばレーザチッ
プの厚さ１００μｍ，チップ面積３００μｍ×５００μ
ｍの場合、その前端側からチップ面積の約９割を占める
領域で第１のスズ膜１０が形成され、その他の部分には
第２の金膜１２が形成され、第１のスズ膜１０と第２の
金膜１２の上に第３の金膜１３が形成され、第３の金膜
１３の上には半導体レーザ素子３が載置されている。１
４，１５は半導体レーザの表面電極である。本装置は、
昇温することにより第１のスズ膜１０とその上下の金膜
１１，１３とで金スズ系のハンダが形成されることによ
り半導体レーザ素子３がサブマウント２上にダイボンド
されるようになっている。また図２は図１をＡ−Ａ′で
切ったときの断面図、さらに図３は昇温してダイボント
した後の半導体レーザ装置の正面図、図４はその断面図
である。

【００１９】次に組立方法および作用について説明す
る。サブマウント２の下面には金膜７，スズ膜８，金膜
９のサンドイッチ構造が設けられている。またサブマウ
ント２の上面の半導体レーザ素子３が載置される部分に
も金膜１１，スズ膜１０，金膜１３のサンドイッチ構造
が設けられている。一方、サブマウント２の上面の半導
体レーザ素子が載置される部分の外側は、金膜１１，１
２，１３で構成されている。つまりスズ膜１０がその両
側部の金膜１２およびさらにその上下の金膜１１，１３
で囲まれていることになる。スズ膜８，１０とその上下
の金膜７，９，１１，１３の厚さはダイボンドの昇温時
に金スズハンダが形成されるような厚さに設定される。

【００２０】図３に示すように、半導体レーザ素子上面
から適切な荷重を加え、かつ水素，窒素等のガスを流し
つつ２８０℃以上の温度、例えば３５０℃程度に昇温す
ると、金とスズの重量比が８０：２０のときの合金の融
点が２８０℃であるので、スズ膜８，１０はその上下の
金膜７と９，１１と１３との間で金スズハンダを形成し
て、半導体レーザ素子３とサブマウント２間、及びサブ
マウント２と銀ブロック１間をダイボンドする。

【００２１】図２に示すように、スズ膜１０は半導体レ
ーザ素子３よりもその面積が小さいので、ダイボンド終
了後の金スズハンダ１６ａも半導体レーザ素子３よりも
面積が小さくなる。このため図４に示すように、半導体
レーザ素子３の後面は金膜１２のみが現れ、金スズハン
ダのはみ出しはない。このため後面から出射される光は
ハンダで散乱されることなくモニタのホトダイオードに
入るので、経時変化の少ない高信頼性の半導体レーザ装
置が実現できる。

【００２２】実施例２ 以下この第２の発明の一実施例（請求項３に相当）を図
について説明する。図５において、半導体レーザ素子３
の下面に第４の金膜２０が形成され、該第４の金膜２０
の下面には該半導体レーザ素子３の面積と等しいか、よ
り小さい領域で、かつ該半導体レーザ素子３の前端面側
に第２のスズ膜１９が形成され、その他の部分には第５
の金膜２１が形成され、第２のスズ膜１９と第５の金膜
２１の下面には第６の金膜１８が形成され、第６の金膜
１８の下に表面に金膜１７を形成したサブマウント２が
設けられ、昇温することにより第２のスズ膜１９とその
上下の金膜１８，２０とで金スズ系のハンダが形成され
て半導体レーザ素子３がサブマウント２上にダンボンド
されてなる構成を有するものである。

【００２３】図５に示すように、スズ膜１９は金膜１８
と金膜２０で挟まれた構造になっている。またそれらの
膜厚はダイボンドのための昇温時に金スズハンダを構成
するような膜厚に設定されている。図６は図５の構造を
Ｂ−Ｂ′で切ったときの断面図である。スズ膜１９が半
導体レーザ素子３の後端面まで達しておらず、途中で切
れていて半導体レーザ素子３下面の面積よりも前記スズ
膜１９の面積が小さくなっているのが特徴である。また
サブマウント２とブロック１間の膜構成は第１の発明の
一実施例と同様である。

【００２４】本実施例の組立方法においては、ダイボン
ドのために半導体レーザ素子上面から適切な荷重を加え
つつ、水素や窒素等のガスを流して２８０℃以上の温
度、例えば３５０℃程度まで昇温するとスズ膜１９，８
はその上下の金膜１８と２０との間で，また金膜７，９
との間で金スズハンダを形成し、これによりダイボンド
が行われる。従って、本実施例２においても、上記実施
例１と同様、後面から出射される光はハンダで散乱され
ることなくモニタのホトダイオードに入るので、経時変
化の少ない高信頼性の半導体レーザ装置が実現できる。

【００２５】実施例３ 以下この第３の発明の一実施例（請求項５に相当）を図
について説明する。図７において、サブマウント２の上
面の半導体レーザ素子３が載置される部分に、半導体レ
ーザ３の下面の面積と等しいか、より小さい領域に金ス
ズハンダ膜２２ｂが形成され、かつその他の部分に第７
の金膜２３が形成され、金スズハンダ膜２２ｂ上に半導
体レーザ素子３が載置されてダイボンドされてなる構成
を有する。本実施例では、サブマウント２はその下面に
もあらかじめ設けた金スズハンダ膜２２ａを有し、該金
スズハンダ膜２２ａにより銀ブロック１上にマウントさ
れている。図８は図７の構造をＣ−Ｃ′で切って見たと
きの断面図である。

【００２６】図８に示すように、金スズハンダ２２ｂの
面積は半導体レーザ素子３の下面の面積よりも小さくな
っている。また前記金スズハンダ２２ｂは同じ厚さの金
膜２３で囲まれているので、温度を２８０℃以上の温度
に昇温し金スズハンダ２２ｂを溶融させてレーザ素子３
のダンホンドを行う時に前記金スズハンダ２２ｂが半導
体レーザ素子３の後面にはみ出すことがない。よって半
導体レーザ素子３後端面から出射する光が金スズハンダ
で散乱されることがないので、経時変化の少ない安定な
モニタ電流を有する，高信頼性の半導体レーザ装置が得
られる。

【００２７】実施例４ 以下この第４の発明の一実施例（請求項７に相当）を図
について説明する。図９において、半導体レーザ素子３
の下面に第８の金膜１４が形成され、第８の金膜１４の
下に該半導体レーザ３の下面の面積と等しいか、より小
さい領域で、かつ半導体レーザ素子の前端面側にある領
域で金スズハンダ２４ａが形成され、かつその他の部分
に第９の金膜２５が形成され、半導体レーザ素子３が該
金スズハンダ２４ａによりサブマウント２上にダイボン
ドされてなる構成を有するものである。本実施例では、
サブマウント２はその下面にもあらかじめ設けた金スズ
ハンダ膜２４ｂを有し、該金スズハンダ膜２４ｂにより
銀ブロック１上にマウントされている。図１０は図９の
構造をＤ−Ｄ′で切って見たときの断面図である。

【００２８】図９に示すように、金スズハンダ２４ｂの
面積は半導体レーザ素子３下面の面積よりも小さくなっ
ている。また前記金スズハンダ２４ａは同じ厚さの金膜
２５で囲まれているので、温度を２８０℃以上の温度に
昇温し金スズハンダ２４ａを溶融させてレーザ素子３の
ダイボンドを行う時に前記金スズハンダ２４ａが半導体
レーザ素子３の後面にはみ出すことがない。よって半導
体レーザ素子３後端面から出射する光が前記金スズハン
ダ２４ａで散乱されることがないので、経時変化の少な
い安定なモニタ電流を有する，高信頼性の半導体レーザ
装置が得られる。

【００２９】なお上記実施例１，実施例２では金膜とス
ズ膜との組合せで金スズハンダを形成する例について述
べているが、ハンダとしては、その他の組合せ、例えば
金膜とシリコン膜とで金シリコンハンダを形成してもよ
い。また、ハンダ膜を囲む膜として金膜を用いている
が、これは金膜に限るものではなく、その他の膜、例え
はチタン膜や白金膜を用いてもよい。また上記実施例
３，実施例４ではハンダ膜として金スズハンダの例を示
しているが、その他のハンダ、例えば鉛スズハンダやイ
ンジウム鉛ハンダを用いてもよい。

【００３０】実施例５〜８ また上記実施例１〜４では、半導体レーザ素子をサブマ
ウントを介してブロックあるいはステム上にマウントす
る場合について説明したが、上記第１ないし第４の発明
は半導体レーザ素子を直接ブロックあるいはステム上に
マウントする構造においても適用でき、これらが実施例
５〜８であり、請求項２，４，６，８に相当するもので
ある。

【００３１】

【発明の効果】以上のように、第１の発明によれば、サ
ブマウントの上面に第１の金膜が形成され、第１の金膜
の上面でかつ半導体レーザ素子が載置される部分に半導
体レーザ素子の下面の面積と等しいか、より小さい領域
で第１のスズ膜が形成され、その他の部分は第２の金膜
が形成され、第１のスズ膜と第２の金膜の上に第３の金
膜が形成され、第３の金膜の上に半導体レーザ素子が載
置され、昇温することにより第１のスズ膜とその上下の
金膜とで金スズ系のハンダが形成されて半導体レーザ素
子がサブマウントにダイボンドされてなる構成とし、ダ
イボンド時にサブマウント側に形成されるハンダが、半
導体レーザ素子の後端面へはみ出さないようにしたの
で、経時変化の少ない安定なモニタ電流を有する，高信
頼性の半導体レーザ装置が得られる効果がある。

【００３２】また第２の発明によれば、半導体レーザ素
子の下面に第４の金膜が形成され、第４の金膜の下面に
前記半導体レーザ素子の面積と等しいか、より小さい領
域で、かつ前記と半導体レーザ素子の前端面側に第２の
スズ膜が形成され、その他の部分には第５の金膜が形成
され、第２のスズ膜と第５の金膜の下面に第６の金膜が
形成され、第６の金膜の下にサブマウントが設けられ、
昇温することにより第２のスズ膜とその上下の金膜とで
金スズ系のハンダが形成されて半導体レーザ素子がサブ
マウント上にダンボンドされてなる構成とし、ダイボイ
ド時に半導体レーザ素子の下面に形成されるハンダが、
半導体レーザ素子の後端面側へはみ出さないように構成
したので、安定なモニタ電流を有する，高信頼性の半導
体レーザ装置が得られる効果がある。

【００３３】また第３の発明によれは、サブマウントの
上面の半導体レーザ素子が載置される部分に半導体レー
ザの下面の面積と等しいか、より小さい領域に金スズハ
ンダ膜が形成され、かつその他の部分に第７の金膜が形
成され、半導体レーザ素子が金スズハンダによりサブマ
ウント上に載置されてダイボンドされてなる構成とし、
あらかじめサブマウント上に設けた金スズハンダが、ダ
イボンド時に半導体レーザ素子の後端面側へはみ出さな
いように構成したので、安定なモニタ電流を有する，高
信頼性の半導体レーザ装置が得られる効果がある。

【００３４】また第４の発明によれば、半導体レーザ素
子の下面に第８の金膜が形成され、第８の金膜の下に半
導体レーザの下面の面積と等しいか、より小さい領域
で、かつ半導体レーザ素子の前端面側にある領域で金ス
ズハンダが形成され、かつその他の部分に第９の金膜が
形成され、半導体レーザ素子が該金スズハンダによりサ
ブマウント上にダイボンドされてなる構成とし、あらか
じめ半導体レーザ装置の下面に設けた金スズハンダが、
ダイボンド時に半導体レーザ素子の後端面側へはみ出さ
ないように構成したので、安定なモニタ電流を有する，
高信頼性の半導体レーザ装置が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の発明の一実施例（請求項１に相当）によ
る半導体レーザ装置のダンボンド前の正面図。

【図２】第１の発明の一実施例による半導体レーザ装置
のダイボント前の断面図。

【図３】第１の発明の一実施例による半導体レーザ装置
のダイボンド後の正面図。

【図４】第１の発明の一実施例による半導体レーザ装置
のダイボンド後の断面図。

【図５】第２の発明の一実施例（請求項３に相当）によ
る半導体レーザ装置のダイボンド前の正面図。

【図６】第２の発明の一実施例による半導体レーザ装置
のダイボンド前の断面図。

【図７】第３の発明の一実施例（請求項５に相当）によ
る半導体レーザ装置のダイボンド前の正面図。

【図８】第３の発明の一実施例による半導体レーザ装置
のダンボンド前の断面図。

【図９】第４の発明の一実施例（請求項７に相当）によ
る半導体レーザ装置のダイボンド後の正面図。

【図１０】第４の発明の一実施例による半導体レーザ装
置のダイボント後の断面図。

【図１１】従来の半導体レーザ装置を示す斜視図。

【符号の説明】

１ ブロック（例えば銀） ２ サブマウント（例えばｃＢＮ，ダイヤモンド） ３ 半導体レーザ素子、 ４ 半導体レーザ装置の発光部 ６ 金線 ７，９，１１ 第１の金膜 １２ 第２の金膜 １３ 第３の金膜 １４，１５ 半導体レーザの表面電極 １７，１８，２０，２１，２４，２５ 金膜 １０，１９ 第１のスズ膜 １４，１５ 半導体レーザの表面電極 １６ａ，１６ｂ，２２ａ，２２ｂ，２４ａ，２４ｂ 金
スズハンダ膜 １０２ Ｓｉサブマウント １０４ａ，１０５ｂ ＡｕＳｉハンダのはみ出し部

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体レーザ素子，前記半導体レーザ素
   子を載置するサブマウント，前記サブマウントを載置す
   るブロックあるいはステムとを有する半導体レーザ装置
   において、 前記サブマウントの上面に第１の金膜が形成され、 前記第１の金膜の上面でかつ半導体レーザ素子が載置さ
   れる部分に半導体レーザ素子の下面の面積と等しいか、
   より小さい領域で第１のスズ膜が形成され、上記下面の
   面積に対応する部分のうちのその他の部分には第２の金
   膜が形成され、 前記第１のスズ膜と第２の金膜の上に第３の金膜が形成
   され、 前記第３の金膜の上に半導体レーザ素子が載置され、 昇温することにより第１のスズ膜とその上下の金膜とで
   金スズ系のハンダが形成されて前記半導体レーザ素子が
   前記サブマウント上にダイボンドされてなることを特徴
   とする半導体レーザ装置。
2. 【請求項２】 半導体レーザ素子，前記半導体レーザ素
   子を載置するブロックあるいはステムとを有する半導体
   レーザ装置において、 前記ブロックあるいはステムの上面に第１の金膜が形成
   され、 前記第１の金膜の上面でかつ半導体レーザ素子が載置さ
   れる部分に半導体レーザ素子の下面の面積と等しいか、
   より小さい領域で第１のスズ膜が形成され、上記下面の
   面積に対応する部分のうちのその他の部分には第２の金
   膜が形成され、 前記第１のスズ膜と第２の金膜の上に第３の金膜が形成
   され、 前記第３の金膜の上に半導体レーザ素子が載置され、 昇温することにより第１のスズ膜とその上下の金膜とで
   金スズ系のハンダが形成されて上記半導体レーザ素子が
   上記ブロックまたはステム上にダイボンドされてなるこ
   とを特徴とする半導体レーザ装置。
3. 【請求項３】 半導体レーザ素子，前記半導体レーザ素
   子を載置するサブマウント，前記サブマウントを載置す
   るブロックあるいはステムとを有する半導体レーザ装置
   において、 前記半導体レーザ素子の下面に第４の金膜が形成され、
   前記第４の金膜の下面に前記半導体レーザ素子の下面の
   面積と等しいか、より小さい領域で、かつ前記半導体レ
   ーザ素子の前端面側に第２のスズ膜が形成され、上記下
   面の面積に対応する部分のうちのその他の部分には第５
   の金膜が形成され、 前記第２のスズ膜と第５の金膜の下面に第６の金膜が形
   成され、 前記第６の金膜の下にサブマウントが設けられ、 昇温することにより第２のスズ膜とその上下の金膜とで
   金スズ系のハンダが形成されて前記半導体レーザ素子が
   前記サブマウント上にダンボンドされてなることを特徴
   とする半導体レーザ装置。
4. 【請求項４】 半導体レーザ素子，前記半導体レーザ素
   子を載置するブロックあるいはステムとを有する半導体
   レーザ装置において、 前記半導体レーザ素子の下面に第４の金膜が形成され、 前記第４の金膜の下面に前記半導体レーザ素子の面積と
   等しいか、より小さい領域で、かつ前記半導体レーザ素
   子の前端面側に第２のスズ膜が形成され、上記下面の面
   積に対応する部分のうちのその他の部分には第５の金膜
   が形成され、 前記第２のスズ膜と第５の金膜の下面に第６の金膜が形
   成され、 前記第６の金膜の下にブロックあるいはステムが設けら
   れ、 昇温することにより第３のブロック膜とその上下の金膜
   とで金スズ系のハンダが形成されて前記半導体レーザ素
   子が前記ブロックあるいはステム上にダンボンドされて
   なることを特徴とする半導体レーザ装置。
5. 【請求項５】 半導体レーザ素子，前記半導体レーザ素
   子を載置するサブマウント，前記サブマウントを載置す
   るブロックあるいはステムとを有する半導体レーザ装置
   において、 前記サブマウントの上面の半導体レーザ素子が載置され
   る部分に半導体レーザの下面の面積と等しいか、より小
   さい領域に金スズハンダ膜が形成され、上記下面の面積
   に対応する部分のうちのその他の部分に第７の金膜が形
   成され、 前記金スズハンダ膜上に半導体レーザ素子が載置されて
   該金スズハンダにより上記サブマウント上にダイボンド
   されてなることを特徴とする半導体レーザ装置。
6. 【請求項６】 半導体レーザ素子，前記半導体レーザ素
   子を載置するブロックあるいはステムとを有する半導体
   レーザ装置において、 前記ブロックあるいはステムの上面の半導体レーザ素子
   が載置される部分に半導体レーザの下面の面積と等しい
   か、より小さい領域で金スズハンダ膜が形成され、かつ
   上記下面の面積に対応する部分のうちのその他の部分に
   第７の金膜が形成され、 前記金スズハンダ膜上に前記半導体レーザ素子が載置さ
   れて該金スズハンダにより上記ブロックまたはステム上
   にダイボンドされてなることを特徴とする半導体レーザ
   装置。
7. 【請求項７】 半導体レーザ素子，前記半導体レーザ素
   子を載置するサブマウント，前記サブマウントを載置す
   るブロックあるいはステムとを有する半導体レーザ装置
   において、 前記半導体レーザ素子の下面に第８の金膜が形成され、 前記第８の金膜の下に前記半導体レーザの下面の面積と
   等しいか、より小さい領域で、かつ半導体レーザ素子の
   前端面側にある領域で金スズハンダ膜が形成され、かつ
   上記下面の面積に対応する部分のうちのその他の部分に
   第９の金膜が形成され、 前記半導体レーザ素子が上記サブマウント上に載置され
   て該金スズハンダにより前記サブマウント上にダイボン
   ドされてなることを特徴とする半導体レーザ装置。
8. 【請求項８】 半導体レーザ素子，前記半導体レーザ素
   子を載置するブロックあるいはステムとを有する半導体
   レーザ装置において、 前記半導体レーザ素子の下面に第８の金膜が形成され、 前記第８の金膜の下に前記半導体レーザ素子の下面の面
   積と等しいか、より小さい領域で、かつ半導体レーザ素
   子の前端面側にある領域で金スズハンダ膜が形成され、
   かつ上記下面の面積に対応する部分のうちのその他の部
   分に第９の金膜が形成され、 前記半導体レーザ素子が上記ブロックまたはステム上に
   載置されて、該金スズハンダにより前記ブロックあるい
   はステム上にダイボンドされてなることを特徴とする半
   導体レーザ装置。
9. 【請求項９】 請求項１ないし４のいずれかに記載の半
   導体レーザ装置において、 金膜に代えて他の第１種金属膜を用い、スズ膜に代えて
   他の第２種金属膜を用いたことを特徴とする半導体レー
   ザ装置。
10. 【請求項１０】 請求項５ないし８のいずれかに記載の
    半導体レーザ装置において、 金スズハンダ膜に代えて他の合金または混合物ハンダ膜
    を用い、金膜に代えて他の金属膜を用いたことを特徴と
    する半導体レーザ装置。