JPH0451246A - 露光パターン形成装置 - Google Patents
露光パターン形成装置Info
- Publication number
- JPH0451246A JPH0451246A JP2161665A JP16166590A JPH0451246A JP H0451246 A JPH0451246 A JP H0451246A JP 2161665 A JP2161665 A JP 2161665A JP 16166590 A JP16166590 A JP 16166590A JP H0451246 A JPH0451246 A JP H0451246A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust
- processing chamber
- exhaust duct
- atmosphere
- wind speed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フォトレジストの塗布及び現像し、半導体基
板にフォトレジストパターンを形成する露光パターン形
成装置に関する。
板にフォトレジストパターンを形成する露光パターン形
成装置に関する。
従来、この種の露光パターン形成装置は、半導体基板（
以下ウェーハと呼ぶ）の上にフォトレジストを塗布し、
−様な厚さをもつフォトレジスト膜を形成し、別に設！
された露光装置により、フォトレジスト膜上にパターン
を焼付け、再び、このパターン形成装置で現像し、ウェ
ーハ上にフォトレジストパターンを形成する装置である
。
以下ウェーハと呼ぶ）の上にフォトレジストを塗布し、
−様な厚さをもつフォトレジスト膜を形成し、別に設！
された露光装置により、フォトレジスト膜上にパターン
を焼付け、再び、このパターン形成装置で現像し、ウェ
ーハ上にフォトレジストパターンを形成する装置である
。
また、この露光パターン形成装置は、図面には示さない
が、ウェーハを搭載して高速回転するチャックと、フォ
トレジスト液をウェーハに滴下するノズルと現像液及び
洗浄液を滴下するノズル類と、現像時に発生するガス及
びフォトレジストのごみ等を排気する排気装置とで構成
されていた。
が、ウェーハを搭載して高速回転するチャックと、フォ
トレジスト液をウェーハに滴下するノズルと現像液及び
洗浄液を滴下するノズル類と、現像時に発生するガス及
びフォトレジストのごみ等を排気する排気装置とで構成
されていた。
近年、半導体集積回路装置の高Ｓ積化に伴い、このフォ
トレジストパターンの微細化が進み、現像のレジスト残
りにごみを付着防止が重要な課題になってきた。これら
対策として、従来から排気装置の能力を高め、かつ常に
、定期的にこの排気装置の能力を検査し、排気装置の能
力を維持して、生産に寄与していた。
トレジストパターンの微細化が進み、現像のレジスト残
りにごみを付着防止が重要な課題になってきた。これら
対策として、従来から排気装置の能力を高め、かつ常に
、定期的にこの排気装置の能力を検査し、排気装置の能
力を維持して、生産に寄与していた。
上述した従来の露光パターン形成装置では、排気装置の
排気能力は、比較的に短い時間で変動するので、従来の
定期的な点検だけでは、この変動を抑えることが困難で
ある。しかしながら、実際の現像作業時間は短く、この
排気能力の変動により、しばしば、フォトレジストパタ
ーンに現像残りのごみが付着し、製品を品質に重大な問
題を弓き起すことになる。
排気能力は、比較的に短い時間で変動するので、従来の
定期的な点検だけでは、この変動を抑えることが困難で
ある。しかしながら、実際の現像作業時間は短く、この
排気能力の変動により、しばしば、フォトレジストパタ
ーンに現像残りのごみが付着し、製品を品質に重大な問
題を弓き起すことになる。
本発明の目的は、かかる問題を解消するために、現像残
りのごみがフォトレジストパターンに付着しない露光パ
ターン形成装置に提供することである。
りのごみがフォトレジストパターンに付着しない露光パ
ターン形成装置に提供することである。
本発明の露光パターン形成装置は、カバーで形成された
処理室と、処理室内に収納されたウェーハを搭載すると
ともに高速回転するチャックと、レジスト液、洗浄液及
び現像液を滴下するノズルと、前記処理室内の雰囲気を
排気する排気ダクトとを有する露光パターン形成装置に
おいて、前記排気ダクトの途中に取付けられた風速検知
器と、前記処理室に接続するとともに、前記排気ダクト
の排気方向とは反対方向に排気する排気管と、この排気
管の有効開口面積を調整するダンパとを備え、前記風速
検知器による風速値で前記ダンパを制御することを特徴
としている。
処理室と、処理室内に収納されたウェーハを搭載すると
ともに高速回転するチャックと、レジスト液、洗浄液及
び現像液を滴下するノズルと、前記処理室内の雰囲気を
排気する排気ダクトとを有する露光パターン形成装置に
おいて、前記排気ダクトの途中に取付けられた風速検知
器と、前記処理室に接続するとともに、前記排気ダクト
の排気方向とは反対方向に排気する排気管と、この排気
管の有効開口面積を調整するダンパとを備え、前記風速
検知器による風速値で前記ダンパを制御することを特徴
としている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す露光パターン形成装置
の模式断面図である。この露光パターン形成装置は、同
図に示すように、カバー１０で形成される処理室２と、
この処理室２内に収納されるウェーハ１を搭載し、高速
回転するチャック３と、フォトレジスト液、現像液及び
洗浄液をウェーハ１上に滴下するノズル等（図示せず）
と、処理室２と接続される排気ダクト９及び排気管４と
、排気ダクト９の途中に取付けられるとともに排気ダク
ト９内の風速を測定する風速検知器５と、排気管４の経
路途中に設けられるとともに排気管４の有効開口面積を
可変するダンパ７と、このダンパ７の移動を行うモータ
８と、風速検知器５の測定信号によりモータ８の回転制
御するコントローラ６とで構成されている。すなわち、
本発明の露光パターン形成装置は、従来の装置に加えて
、排気能力を調節するための排気を駆動するダンパ駆動
用のモータ８と、排気ダクト９の経路途中に設けられた
風速検知器５と、この風速検知器５の出力を演算処理し
てモータ８に駆動指令を発するコントローラ６とを設け
たことである。このことは、処理室２内の排気能力は、
常時、風速検知器５で風速を検知し、調整用の排気管４
の有効開口面積を調節することによって一定の能力に維
持している。
の模式断面図である。この露光パターン形成装置は、同
図に示すように、カバー１０で形成される処理室２と、
この処理室２内に収納されるウェーハ１を搭載し、高速
回転するチャック３と、フォトレジスト液、現像液及び
洗浄液をウェーハ１上に滴下するノズル等（図示せず）
と、処理室２と接続される排気ダクト９及び排気管４と
、排気ダクト９の途中に取付けられるとともに排気ダク
ト９内の風速を測定する風速検知器５と、排気管４の経
路途中に設けられるとともに排気管４の有効開口面積を
可変するダンパ７と、このダンパ７の移動を行うモータ
８と、風速検知器５の測定信号によりモータ８の回転制
御するコントローラ６とで構成されている。すなわち、
本発明の露光パターン形成装置は、従来の装置に加えて
、排気能力を調節するための排気を駆動するダンパ駆動
用のモータ８と、排気ダクト９の経路途中に設けられた
風速検知器５と、この風速検知器５の出力を演算処理し
てモータ８に駆動指令を発するコントローラ６とを設け
たことである。このことは、処理室２内の排気能力は、
常時、風速検知器５で風速を検知し、調整用の排気管４
の有効開口面積を調節することによって一定の能力に維
持している。
次に、この露光パターン形成装置の動作について説明す
る。まず、ウェーハ１は処理室２内のチャック３に真空
吸着され、薬液処理をなされる。
る。まず、ウェーハ１は処理室２内のチャック３に真空
吸着され、薬液処理をなされる。
このとき、処理室２内の雰囲気は、処理室２の一部に取
付けられた排気管４からａの方向へ引かれる一方、処理
室２の上部には、排気ダクト９が取付けられており、こ
の排気ダクト９より主に排気される。このとき、排気ダ
クト９に取付けられた風速検知器が排気能力では風速を
測定し、常時、測定信号をコントローラー６に送る６次
に、コントローラは基準の風速と比較し、その差だけを
パルス信号をモータ８に送り、タンパ７の開閉（矢印の
方向）動作を行う、このように、常に排気装置の排気能
力を監視し、サーボ弁であるダンパを動作させ、排気能
力を一定にすることが出来る。
付けられた排気管４からａの方向へ引かれる一方、処理
室２の上部には、排気ダクト９が取付けられており、こ
の排気ダクト９より主に排気される。このとき、排気ダ
クト９に取付けられた風速検知器が排気能力では風速を
測定し、常時、測定信号をコントローラー６に送る６次
に、コントローラは基準の風速と比較し、その差だけを
パルス信号をモータ８に送り、タンパ７の開閉（矢印の
方向）動作を行う、このように、常に排気装置の排気能
力を監視し、サーボ弁であるダンパを動作させ、排気能
力を一定にすることが出来る。
以上説明したように本発明は、処理室内の雰囲気を排気
する、排気ダクト途中に風速検知器を設け、さらに処理
室の一部と接続する排気管と、この排気管の排気能力を
加減するサーボ弁を設けることによって、常に処理室に
雰囲気を排気能力を一定に出来る。従って、現像残りの
ごみがフォトレジストパターンに付着しない露光パター
ン形成装置が得られるという効果がある。
する、排気ダクト途中に風速検知器を設け、さらに処理
室の一部と接続する排気管と、この排気管の排気能力を
加減するサーボ弁を設けることによって、常に処理室に
雰囲気を排気能力を一定に出来る。従って、現像残りの
ごみがフォトレジストパターンに付着しない露光パター
ン形成装置が得られるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す露光パターン形成装置
の模式断面図である。 １・・・ウェーハ、２処理室、３・・・チエツク、４・
・・排気管、５・・・風速検知器、６・・・コントロー
ラ、７・・・ダンパ、８・・・モータ、９−・・排気ダ
クト、１０・・・カバー
の模式断面図である。 １・・・ウェーハ、２処理室、３・・・チエツク、４・
・・排気管、５・・・風速検知器、６・・・コントロー
ラ、７・・・ダンパ、８・・・モータ、９−・・排気ダ
クト、１０・・・カバー
Claims (1)
- カバーで形成された処理室と、処理室内に収納された
ウェーハを搭載するとともに高速回転するチャックと、
レジスト液、洗浄液及び現像液を滴下するノズルと、前
記処理室内の雰囲気を排気する排気ダクトとを有する露
光パターン形成装置において、前記排気ダクトの途中に
取付けられた風速検知器と、前記処理室に接続するとと
もに、前記排気ダクトの排気方向とは反対方向に排気す
る排気管と、この排気管の有効開口面積を調整するダン
パとを備え、前記風速検知器による風速値で前記ダンパ
を制御することを特徴とする露光パターン形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2161665A JPH0451246A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 露光パターン形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2161665A JPH0451246A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 露光パターン形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0451246A true JPH0451246A (ja) | 1992-02-19 |
Family
ID=15739507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2161665A Pending JPH0451246A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 露光パターン形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0451246A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61101029A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-19 | Hitachi Ltd | 塗布装置 |
| JPS62102854A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転処理装置 |
| JPS62274721A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Nec Corp | レジスト塗布装置 |
| JPS6469012A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Kyushu Nippon Electric | Semiconductor manufacturing apparatus |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP2161665A patent/JPH0451246A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61101029A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-19 | Hitachi Ltd | 塗布装置 |
| JPS62102854A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転処理装置 |
| JPS62274721A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Nec Corp | レジスト塗布装置 |
| JPS6469012A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Kyushu Nippon Electric | Semiconductor manufacturing apparatus |
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